SU1503688A3 - Магнитооптический носитель информации - Google Patents

Магнитооптический носитель информации Download PDF

Info

Publication number
SU1503688A3
SU1503688A3 SU843743753A SU3743753A SU1503688A3 SU 1503688 A3 SU1503688 A3 SU 1503688A3 SU 843743753 A SU843743753 A SU 843743753A SU 3743753 A SU3743753 A SU 3743753A SU 1503688 A3 SU1503688 A3 SU 1503688A3
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
magneto
optical
film
domain
alloy
Prior art date
Application number
SU843743753A
Other languages
English (en)
Inventor
Ниль Гарднер Ричард
Original Assignee
Миннесота Майнинг Энд Мануфакчуринг Компани (Фирма)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=27051665&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=SU1503688(A3) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Миннесота Майнинг Энд Мануфакчуринг Компани (Фирма) filed Critical Миннесота Майнинг Энд Мануфакчуринг Компани (Фирма)
Application granted granted Critical
Publication of SU1503688A3 publication Critical patent/SU1503688A3/ru
Priority to LV930841A priority Critical patent/LV5692A3/xx
Priority to LTRP1198A priority patent/LT2433B/xx

Links

Classifications

    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A46—BRUSHWARE
    • A46B—BRUSHES
    • A46B15/00—Other brushes; Brushes with additional arrangements
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
    • G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
    • G11B11/10589—Details
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
    • G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
    • H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
    • H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
    • H01F10/13—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
    • H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
    • H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
    • H01F10/13—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
    • H01F10/133—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals containing rare earth metals
    • H01F10/135—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals containing rare earth metals containing transition metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/26—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers
    • H01F10/265—Magnetic multilayers non exchange-coupled
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/90—Magnetic feature
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
    • Y10S428/9265—Special properties
    • Y10S428/928—Magnetic property
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
    • Y10T428/12542—More than one such component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12736—Al-base component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)
  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
  • Adornments (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к вычислительной технике и может быть использовано при построении магнитооптических запоминающих устройств.Целью изобретени   вл етс  увеличение отношени  сигнал/шум при считывании информации. Магнитооптический носитель содержит немагнитную подложку, на которой расположены отражающий слой, доменосодержаща  аморфна  пленка с магнитной анизотропией, перпендикул рной поверхности пленки, и прозрачный пассивирующий слой. При этом доменосодержаща  пленка выполнена из сплава по меньшей мере одного редкоземельного элемента из группы гадолиний-тербий, диспрозий и по меньшей мере одного переходного металла из группы железо-кобальт-хром толщиной (0,5-20).10-8 м с размером доменов (0,1-5).10-8 м и с углом магнитооптического вращени  плоскости пол ризации не менее 0,24° при длине волны 0,6328.10-6 м и не менее 0,4° при длине волны (0,780-0,850).10-6 м. Содержание редкоземельного элемента и переходного металла в сплаве составл ет соответственно 16-35 и 84-65 ат.%. Работа магнитооптического носител  информации основана на термомагнитной записи и неразрушающем магнитооптическом считывании информации. 1 з.п.ф-лы, 1 табл.

Description

Изобретение относитс  к вычислительной технике и может быть использовано при построении магнитооптических запоминающих устройств.
Цель изобретени  - повышение отношени  сигнал/шум при считывании информации.
Магнитооптический носитель информации содержит немагнитную подложку, на которой расположены отражл;с ций
слой, доменосодержаша  аморфна  гшен-- ка с магнитной анизотропией, перпендикул рной поверхности пленки, и прозрачный пассивирующий слой. При этом доменосодержаща  пленка выполнена ич сплава по меньшей мере одного pe. jKo- земельного элемента из группы гадолиний - Tep6in i - диспрозий и по мсш.игг-й мере одно1 о переходного метал.па из группы железо - кобальт - хром толщи
нон (0,5 - 20) с размером доменов (0,1 - 5) и с углом магнитооптического вращени  плоскости пол ризации не менее 0,2А° при длине волны 0,6328 10 м и не менее 0,4° при длине волны (0,780 - 0,850)-10 м Соде ржание редкоземельного элемента и переходного металла в сплаве составл ет соответственно 16-35 и 84 - 65 ат.%.
Магнитооптические аморфные тонкие пленки можно изготовить известными способами нанесени  тонких пленок, такими, как напыление, испарение и набрызгивание с охлаждением. При набрызгивании с охлаждением гор ча  жидкость из компонентов пленки попадает на холодную поверхность, где она быстро охлаждаетс  и затвердева- ет, образу  аморфную объемную пленку Независимо от того, какую скорость осаждени  используют, температура подложки должна быть меньше температуры , при которой происходит кристаллизаци , дл  того, чтобы получить аморфные магнитные материалы.
Наиболее зффективным способом нанесени  тонкой пленки  вл етс  напыление . Услови ми дл  напылени  аморф ных тонких пленок  вл ютс : первоначальный вакуум менее 1 50 торр, давление при распылении от 3 10 до 2 , предварительное распыление материала из источника напыле- ни , чтобы очистить его поверхность, температура подложки 30 - 100 С, парциальное давление аргона.
В процессе катодного напылени  ионы газообразного аргона бомбардируют катодную мишень из твердого сплава в распылительной камере, выбива  атомы металлов за счет передачи момента ускоренных ионов к атомам металлов вблизи поверхности мишени. Катод на- кал етс , а масса ионизованного газа меткду катодом и анодом представл ет собой плазму. Подложку помещают у анода и атомы металлического сплава пересекают пространство между анодом и катодом, осажда сь или конденсиру сь на подложке.
Возможно использование многих пленочных подложек, выполненных из любо бого материала, обладающего стабиль- ностью размеров, чтобы свести до минимума вариации радиальных смещений во врем  записи и воспроизведени . Можно также использовать полупровод5
5
0 5 0
5
ники, изол торы или металлы. Подход щие подложки включают стеюю, шпинель , кварц, сапфир, окись алюмини , металлы, такие, как алюминий и медь, и полимеры, такие, как полиметилме- такрилат и сложный полиэфир. Подложка обычно имеет форму диска.
Оптические свойства аморфной тонкой пленки  вл ютс  функцией одновременно композиции и способа, с помощью которого композици  получена или нанесена. Известно, что редкоземельные металлы легко окисл ютс , контроль этого окислени   вл етс  важной частью предлагаемого изобретени , дакщего продукт более высокой чистоты. Если аноду придают отрицательный потенциал по отношению к плазме, то полученный способ называют напылением со смещением. Это смещение вызывает предпочтительное удаление примесей, например кислород, из основной пленки при повторном напылении .
Радиочастотное напыление (а не напыление при посто нном токе) можно использовать дл  того, чтобы осуществить очистку и нанести изол торы, например прозрачные диэлектрические пленки. В этом способе радиочастотное переменное напр жение прикладывают к напылительной камере с помощью радиочастотных электродов.
При работе напылительную камеру обычно откачивают до некоторого первоначального фонового давлени  (например , 4,0 ), после чего подают распылительный газ (аргон). Обычно подложку очищают предварительным распылением или распылительным травлением в течение 60 с при напр жении смещени  300 В, Подложку подвергают воздействию потока атомов из мишени после того, как достигнуты заранее заданные услови  напылени . Скорость нанесени  магнитооптической пленки обычно составл ет 0,5 - 4,0 А/с в случае тройного сплава гадолиний - тербий - железо. Тонкопленочна  термопара установлена вблизи анодного держател  подложки, чтобы измер ть приблизительную температуру подложки и равновесной плазмы.
Более высокий вакуум в триодном устройстве приводит к получению тонких пленок большой плотности и с более высоким показателем преломлени .
чем известные магнитооптические пленки .
Свойства магнитооптической пленки на ее поверхности могут отличатьс  от объемных свойств пленки. Это особенно про вл етс  при сравнении результатов измерений коэрцитивности дл  поверхности и дл  объема непассисодержание кислорода составл ет 55 - 62 ат.%). Анализ глубинного профил  показывает, что содержание Ю1слорода в пределах пленок Gd-Tb-Fe в 200 раз меньше, чем в ЗЮд , и составл ет 0,3 ат.%.
При нанесении намагничиваемой аморфной пленки на отражающий слой
вированной пленки. В некоторых случа- д магнитооптическое вращение возрас х коэрцитивность Hj измен етс  на пор док величины. Эти изменени  особенно важны в системе оптической пам ти , поскольку взаимодействие считы вакщего оптического луча и запоминаю щих материалов на основе редкоземельных переходных металлов происходит в первых 150 - 200 А пленки. Возможно, что окисление редкоземельного элемента  вл етс  основной причиной измене НИИ характеристик тонкой пленки на поверхности.
Пассиваци  представл ет собой из менение химически.активной металлической поверхности в существенно ме- нее реакционное состо ние. Покрыва  пленки редкоземельных элементов и переходных металлов пассивирующим слоем, обычно состо щим из пленки толщиной не более 300 А SiOх (где х нельше 2), устран ют изменение характеристик со временем,причем получаю более высокие значени  магнитооптического вращени , чем полученные ранее дл  пленок редкоземельных элементов и переходных металлов без такого сло . Это  вл етс  существенным увеличением стабильности магнитооптических запоминакщих материалов из редкоземельных элементов и переходных металлов . Другими материалами, которые можно использовать дл  пассивирующего сло ,  вл ютс : двуокись титана, SiOj, окись цери , окись алюмини  и нитрид алюмини 
Глубинное профилирование элементов в образце носител , содержащего пленку сплава Gd-Tb-Fe, пассивированную стекл нным покрытием из SiO, , - осуществл ют с помощью Оже-электрон- ной спектроскопии и масс-спектроско- пии вторичных ионов. Результаты показывают , что содержание кислорода в - пленке Gd-Tb-Fe составл ет менее одного атомного процента. Химический анализ с помощью электронной спектроскопии показывает, что пленки SiOx, нанесенные поверх пленок Gd-Tb-Fe, имеют значение х от 1,2 до 1,6 (или
5 0
5 О
5
0
0
5
тает благодар  тому, что эффект Фа- раде  складываетс  с эффектом Керра. Эффект Фараде  поворачивает плоскость пол ризации света при его прохождении взад и вперед, через магнитооптический слой, в то врем  как эффект Керра приводит к вращению ее на поверхности сло . Поэтому выгодно наносить намагничиваемые аморфные пленки на подложку, которую делают отражательной. Типичными отражательными сло ми  вл ютс  медь, алюминий или золото.
Работу предлагаемого носител  информации можно также улучшить за счет интерференционного усили . Счи- тывакщий луч, отраженный от магнитооптического носител , имеет регул рную компоненту I, и магнитооптически наведенную компоненту 1м. Величина эффекта вращени  света 1.
определ етс  как собственными свойствами носител , так и возможностью передачи повернутого излучени  от носител  к некоторым детектирующим средствам, наход щимс  вне носител . На этот последний аспект вли ют оптические интерференционные слои. Кроме оптических эффектов поверхностный слой из прозрачного диэлектрика, например из стекла, может уменьшить эффект окислени  на аморфном металлическом сплаве. Такие поверхностные слои также снижают вли ние пыли и 5 примесей на прохождение считывающего луча (эти носители обычно называют интерференционно-усиленными носител ми ) . Чувствительность магнитного тонкого сло  измен етс  в зависимости от толщины диэлектрического интерференционного сло , покрывающего его, и также от состава магнитооптического аморфного сплава и от длины волны падающего света.
Пример . В качестве подложки используют полированный алюминиевый диск на полимерной подкладке, имеющий диаметр 30 см. Этот диск готов т путем покрывани  полимером (например.
стиролбутадиеновым полимером) полированного алниинневого диска, который предв рительно очищают. Раствор полимера (например, раствор, содержащий 47( твердых веществ в растворителе с температурой кипени  свьше 140 С) нанос т на диск гфи одновременном его вращении. Растворитель испар етс , оставив тонкий полимерный подкладочный слой. Функци  подкладочного сло  заключаетс  в получении очень ровной поверхности дл  записи. Полимер должен смачивать и адгезировать к поверхности алюмини . Диск с подкладкой покрывают поперечным слрем окиси хрома (чтобы способствовать адгезии отражательного сло  к подложке) с помощью магнетрон- ного напылени  при использовании мишени из хрома в атмосфере аргона, вод ного пара и воздуха. Напыление окиси хрома провод т в течение 1-2 мин при токе мишени 500 мА и при фоновом рабочем давлении 210 торр, чтобы
получить нуклеацию сло , способствующего адгезии, толщиной 40 А, Другими пригодными первичными материалами могут быть окислы титана, тантала и алюмини . Поверх этого нанос т отра- жамдий слой меди толщиной 1000 А с помощью вакуумного
резистивного испарени  при фоновом давлении 2-10 торр Полученную таким образом подложку очищают распылительные травлением в течение 60 с при напр жении смещени  300 В в присутствии аргона. Промежуточную стекл нную пленку субокиси кремни  SiOj нанос т путем напьшени  из дымового источника моноокиси крем- ни  до толщины 250 А.
Способ триодного напылени  используют дл  покрыти  полученной подложки сплавом гадолиний - тербий - железо. Газообразный аргон высокой чистоты напускают в устройство триодного на- получив фоновое давление
и нанесение пленки тройного сплава провод т при смещении подложки 300 В и при смещении мишени 300 В. Скорость нанесени  2,5 - ЗА/с при конечной толщине пленки 285 А, Стекл нное покрытие толщиной 1360 А нанос т из дымового источника SiO в вакууме при давлении ниже 9,040 в вакууме при давлении ниже 9,0 торр.
Мишень из сплава, которую используют дл  получени  данной магнитооппылени .
1,,
-.-7
0
5
О
с о
З
тической пленки, представл ет собой набор нужных составных частей. Конечный состав нанесенных пленок определ ют по энергетическому спектру с помощью рентгеновского флуоресцентного анализа. Определ ют состав полученного образца (номер 34 - 195), который содержит, ат,%: гадолиний 6,5; тербий 10,0; железо 83,5.
В таблице приведены различные магнитооптические свойства полученного образца (34 - 195), исследованного по примерам 1 - 7 в сравнении с некоторыми опубликованными величинами известных магнитооптических носителей , исследованных по примерам 8-12. Все данные дл  полученного образца (34 - 195) записаны и считаны при радиусе диска 115 мм,
Работа предлагаемого магнитооптического носител  информации, так же как и известных, основана на термомагнитной записи и неразрушакщем магнитооптическом считывании информации.
Стирание можно осуществить путем записи новой информации на старых участках носител  либо просто подверга  какой-нибудь данный участок но- . сител  воздействию лазерного луча достаточной интенсивности с последующим охлаждением этого элемента в присутствии магнитного пол , ориентированного в направлении первоначально приложенного магнитного пол . Записанную информацию можно стереть целиком , создав большое магнитное смещающее поле в первоначальном направлении иасьш1ени , дл  которог не нужен лазерный луч. Обычно в процессе записи внешнее смещакщее магнитное поле прикладывают с помощью магнита, установленного сверху или снизу магнитооптического носител , и в процессе стирани  измен ют направление магнита на противоположное,
Форму.ла изобретени 
1, Магнитооптический носитель информации , содержащий немагнитную подложку , на которой расположены отражающий слой, доменосодержаща  аморфна  пленка с магнитной анизотропией, перпендикул рной поверхности пленки, и прозрачный пассивирующий слой, о т- личающийс  тем, что, с целью увеличени  отношени  сигнал/шум при считывании информации, доменосо

Claims (2)

  1. Форм у· ла изобретения
    1. Магнитооптический носитель информации, содержащий немагнитную подложку, на которой расположены отражающий слой, доменосодержащая аморфная пленка с магнитной анизотропией, перпендикулярной поверхности пленки, и прозрачный пассивирующий слой, о тличающийся тем, что, с целью увеличения отношения сигнал/шум при считывании информации, доменосо9 держащая пленка выполнена из сплава по меньшей мере одного редкоземельного элемента из группы гадолиний тербий одного железо (0,5- . . . ..________ (0,1 - 5)10' ми с углом магнитооптического вращения плоскости поляри-
    - диспрозий переходного
    - кобальт 20)·Ι0'8μ с и по меньшей мере металла из группы хром толщиной размером доменов
    1503688 Ю ι зации не менее 0,24° при длине волны. 0,6328* 106м и не менее 0,4° не волны (0,780 - 0,850)· 10'6
  2. 2. Носитель информации по п отличающийся тем, держание редкоземельного элемента переходного металла в сплаве составляет соответственно 16-35 и 84 - 65 ат.!?.
SU843743753A 1983-05-17 1984-05-16 Магнитооптический носитель информации SU1503688A3 (ru)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
LV930841A LV5692A3 (lv) 1983-05-17 1993-06-30 Magnetiski-optiskais informacijas nesejs
LTRP1198A LT2433B (lt) 1983-05-17 1993-09-28 Magnetine-optine informacijos laikmena

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US49517583A 1983-05-17 1983-05-17
US06/599,669 US4615944A (en) 1983-05-17 1984-04-12 Amorphous magneto optical recording medium

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1503688A3 true SU1503688A3 (ru) 1989-08-23

Family

ID=27051665

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU843743753A SU1503688A3 (ru) 1983-05-17 1984-05-16 Магнитооптический носитель информации

Country Status (15)

Country Link
US (1) US4615944A (ru)
EP (2) EP0307554B1 (ru)
JP (1) JP2561646B2 (ru)
KR (1) KR930001616B1 (ru)
AT (3) ATE91195T1 (ru)
AU (3) AU566931B2 (ru)
BR (1) BR8402316A (ru)
CA (1) CA1217859A (ru)
DE (3) DE3486172T2 (ru)
GE (1) GEP19960628B (ru)
HK (1) HK32690A (ru)
IE (1) IE55853B1 (ru)
MX (1) MX157152A (ru)
SG (1) SG21190G (ru)
SU (1) SU1503688A3 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2490367C2 (ru) * 2008-10-08 2013-08-20 Улвак, Инк. Иcпаряющийся материал и способ его изготовления

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0673197B2 (ja) * 1985-02-25 1994-09-14 株式会社東芝 光磁気記録媒体とその製造方法
US4751142A (en) * 1985-09-18 1988-06-14 Kyocera Corporation Magneto-optical recording element
GB2184618A (en) * 1985-12-11 1987-06-24 Canon Kk Magneto-optical memory medium
US4810306A (en) * 1986-02-26 1989-03-07 The Stero Company Low energy, low water consumption warewasher and method
EP0263380A3 (de) * 1986-10-08 1990-02-28 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung eines magnetooptischen Aufzeichnungsmediums
US4822675A (en) * 1987-01-14 1989-04-18 Minnesota Mining And Manufacturing Company Stable magneto optic recording medium
US4950556A (en) * 1987-10-26 1990-08-21 Minnesota Mining And Manufacturing Company Magneto-optic recording medium
JP2673807B2 (ja) * 1987-10-30 1997-11-05 パイオニア株式会社 光磁気記録媒体の製造方法
EP0316803A3 (en) * 1987-11-16 1991-07-24 Fuji Electric Co., Ltd. Magneto-optical recording medium
US4888758A (en) * 1987-11-23 1989-12-19 Scruggs David M Data storage using amorphous metallic storage medium
US5098541A (en) * 1988-02-01 1992-03-24 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of making magneto optic recording medium with silicon carbide dielectric
US4917970A (en) * 1988-02-01 1990-04-17 Minnesota Mining & Manufacturing Company Magneto optic recording medium with silicon carbide dielectric
US5158834A (en) * 1988-02-01 1992-10-27 Minnesota Mining And Manufacturing Company Magneto optic recording medium with silicon carbide dielectric
US4977540A (en) * 1988-06-22 1990-12-11 The Regents Of The University Of California Spin glass type associative processor system
US5109377A (en) * 1988-08-22 1992-04-28 Fuji Photo Film Co., Ltd. Magneto-optical recording medium and method of producing the same
US5229219A (en) * 1988-11-08 1993-07-20 Tdk Corporation Magnetic recording medium comprising a magnetic layer containing a specified magnetic ferrite powder and having a curie temperature up to 180° C.
JP2660569B2 (ja) * 1989-02-10 1997-10-08 三菱電機株式会社 光磁気記録媒体
US4877690A (en) * 1989-03-01 1989-10-31 Eastman Kodak Company Magnetooptical recording element
PL285286A1 (en) * 1989-05-23 1991-01-28 Mitsui Petrochemical Ind Informating recording medium
JPH0831218B2 (ja) * 1989-07-06 1996-03-27 松下電器産業株式会社 光磁気記録媒体
JPH03173958A (ja) * 1989-12-01 1991-07-29 Pioneer Electron Corp 光磁気ディスク
DE4029874A1 (de) * 1990-09-21 1992-03-26 Basf Ag Magnetooptische datenplatte mit pt-haltiger leseschicht
JP3122151B2 (ja) * 1991-02-28 2001-01-09 ソニー株式会社 光磁気記録媒体
CA2063002A1 (en) * 1991-04-01 1992-10-02 Edward J. Woo Optical disk with vibration dampening
US6275349B1 (en) * 1998-12-02 2001-08-14 Storage Technology Corporation Integrated optical tracking system for magnetic media
US9963777B2 (en) 2012-10-08 2018-05-08 Analog Devices, Inc. Methods of forming a thin film resistor

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3427154A (en) * 1964-09-11 1969-02-11 Ibm Amorphous alloys and process therefor
US3472575A (en) * 1966-11-04 1969-10-14 Ampex Magnetic storage medium for enhancing magneto-optic readout
FR1541239A (fr) * 1966-11-10 Ibm Mémoire adressable par faisceau
US3530441A (en) * 1969-01-15 1970-09-22 Energy Conversion Devices Inc Method and apparatus for storing and retrieving information
US3651281A (en) * 1969-06-06 1972-03-21 Carl H Becker Laser recording system using photomagnetically magnetizable storage medium
US3650601A (en) * 1970-11-19 1972-03-21 Du Pont Magneto-optic device having alternate layer film structure
US3696352A (en) * 1970-11-25 1972-10-03 Robatron Veb K Magneto-optical readout beam shifted as a function of information
NL160659C (nl) * 1972-01-08 1979-11-15 Philips Nv Magneto-optische inrichting.
US3965463A (en) * 1972-08-29 1976-06-22 International Business Machines Corporation Apparatus using amorphous magnetic compositions
US3949387A (en) * 1972-08-29 1976-04-06 International Business Machines Corporation Beam addressable film using amorphous magnetic material
US4042341A (en) * 1973-10-15 1977-08-16 General Electric Company Magnetic films of transition metal-rare earth alloys
US4293621A (en) * 1978-10-12 1981-10-06 Nippon Hoso Kyokai Recording medium
NL7900921A (nl) * 1979-02-06 1980-08-08 Philips Nv Thermomagnetische informatiedrager en optische geheu- geninrichting voorzien van een dergelijke informatie- drager.
JPS6032331B2 (ja) * 1980-03-12 1985-07-27 ケイディディ株式会社 磁気光学記録媒体
US4367257A (en) * 1980-04-16 1983-01-04 Fuji Photo Film Co., Ltd. Thin magnetic recording medium
JPS58175809A (ja) * 1982-04-07 1983-10-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光磁気記録媒体
DE3348423C2 (de) * 1982-05-10 1994-11-17 Canon Kk Verwendung einer amorphen magnetischen quaternären GdTbFeCo-Legierung für die Herstellung einer magnetooptischen Aufzeichnungsschicht
JPS5961011A (ja) * 1982-09-30 1984-04-07 Ricoh Co Ltd 光磁気記録媒体

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
За вка, JP № 56-143547, кл. G 11 С 11/14, опублик. 1981, Iraamura et.al. The development of magnito - optic disk memory with semiconductor lasers. - KDD Research and Development Lab., Tokyo, Japan. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2490367C2 (ru) * 2008-10-08 2013-08-20 Улвак, Инк. Иcпаряющийся материал и способ его изготовления

Also Published As

Publication number Publication date
AU7866387A (en) 1988-01-07
KR850000105A (ko) 1985-02-25
HK32690A (en) 1990-05-04
AU586763B2 (en) 1989-07-20
KR930001616B1 (ko) 1993-03-06
BR8402316A (pt) 1985-04-02
EP0307554B1 (en) 1993-06-30
DE3486172T2 (de) 1993-11-25
ATE91195T1 (de) 1993-07-15
MX157152A (es) 1988-10-28
US4615944A (en) 1986-10-07
JP2561646B2 (ja) 1996-12-11
JPS605443A (ja) 1985-01-12
AU7867587A (en) 1987-12-24
AU590122B2 (en) 1989-10-26
IE841208L (en) 1984-11-17
ATE91191T1 (de) 1993-07-15
DE3486172D1 (de) 1993-08-05
DE3486173D1 (de) 1993-08-05
GEP19960628B (en) 1996-12-16
AU566931B2 (en) 1987-11-05
EP0125881A2 (en) 1984-11-21
EP0307554A1 (en) 1989-03-22
EP0125881A3 (en) 1986-09-03
SG21190G (en) 1990-07-06
EP0125881B1 (en) 1989-09-20
DE3479840D1 (en) 1989-10-26
CA1217859A (en) 1987-02-10
DE3486173T2 (de) 1993-11-25
AU2807684A (en) 1984-11-22
IE55853B1 (en) 1991-01-30
ATE46589T1 (de) 1989-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU1503688A3 (ru) Магнитооптический носитель информации
US4569881A (en) Multi-layer amorphous magneto optical recording medium
US4833043A (en) Amorphous magneto optical recording medium
US4684454A (en) Sputtering process for making magneto optic alloy
US4917970A (en) Magneto optic recording medium with silicon carbide dielectric
EP0305666B1 (en) Amorphous magneto optical recording medium
US5098541A (en) Method of making magneto optic recording medium with silicon carbide dielectric
US5158834A (en) Magneto optic recording medium with silicon carbide dielectric
US4822675A (en) Stable magneto optic recording medium
EP0410575B1 (en) Magneto optic recording medium with hydrogenated silicon carbide dielectric
US4721658A (en) Amorphous magneto optical recording medium
JPH04219643A (ja) 光磁気ディスク
EP0314424B1 (en) Magneto-optic recording medium
JPH0227545A (ja) 光磁気記録層及びその成膜方法
SU1503689A3 (ru) Магнитооптический носитель информации
EP0275189B1 (en) Stable magneto optic recording medium
US5028305A (en) Process for producing magneto-optic recording medium
Gau Magneto-optical recording materials
Asari et al. Process for large‐scale production of magneto‐optical disks
JPH04301243A (ja) 光磁気記録媒体
JPS59124047A (ja) 光磁気記録媒体
JPH02199642A (ja) 光デイスク用樹脂基板及び光デイスクの製造方法
JPH04319550A (ja) 光磁気記録媒体