SU1424072A1 - Способ очистки поверхности кремни - Google Patents

Способ очистки поверхности кремни Download PDF

Info

Publication number
SU1424072A1
SU1424072A1 SU864141858A SU4141858A SU1424072A1 SU 1424072 A1 SU1424072 A1 SU 1424072A1 SU 864141858 A SU864141858 A SU 864141858A SU 4141858 A SU4141858 A SU 4141858A SU 1424072 A1 SU1424072 A1 SU 1424072A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
ozone
oxygen
washing
deionized water
solution
Prior art date
Application number
SU864141858A
Other languages
English (en)
Inventor
Василий Семенович Сотников
Валерий Васильевич Колесник
Владимир Анатольевич Быков
Елена Васильевна Сотникова
Original Assignee
Московский авиационный технологический институт им.К.Э.Циолковского
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский авиационный технологический институт им.К.Э.Циолковского filed Critical Московский авиационный технологический институт им.К.Э.Циолковского
Priority to SU864141858A priority Critical patent/SU1424072A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1424072A1 publication Critical patent/SU1424072A1/ru

Links

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к электротехнической и электронной технике, а именно к полупроводниковой технологии , а также к р ду смежных областей. Цель - повышение степени очистки по- верхности за счет уменьшени  содержани  на ней органических и неорганических загр знений. Отмывку поверхности кремни  осуществл ют в аммиачном растворе с ,5 при температуре 40-90 С, причем в процессе от-; мывки его перемешивают окислительной газообразной смесью озона с кислородом с концентрацией озона 1 - 10%, кислород - остальное до 100%. Финишна  отмывка осуществл етс  в деиони- зованной воде, барботируемой озонкис- с лородной смесью. На очищенной поверхности в микроскоп (увеличение х 200) наблюдаютс  1-3 свет щихс  точки. 1 3.п. ф-лы. $ (Л

Description

4
ю
4;ь О 1C
Изобрртение относитс  к электротехнической и электронной технике, а именно к полупроводниковой технологии , а также к р ду смежных областей , где предъ вл ютс  высокие требовани  к чистоте поверхности основных и вспомогательных материалов.
Цель изобретени  - повышение степени очистки поверхности за счет уменьшени  содержани  на ней органических и неорганических загр знений.
Диапазон рН примен емого аммиачного раствора: при рН меньше 9 реакции комплексообразовани  ионных при- месей адсорбированных на поверхности пластин протекают в недостаточной мере из-за малой концентрации ионов аммони  в реакционной среде, что не позвол ет достигнуть соответствующей очистки поверхности; при рН больше 1 происходит травление поверхности пластин , что недопустимо дл  их дальнейшего использовани  при производстве интегральных схем.
Температура проведени  процесса отмывки. При температуре меньше не наблюдаетс  необходимой степени очистки поверхности, что, очевидно, св зано с кинетическими факторами. При температуре больше 90 С идет раст трав поверхности за счет взаимодействи  поверхности с щелочным раствором
Концентраци  О, и 0 в озонкисло- родной смеси. При концентрации озона меньше 1% и соответственно кислорода больше 99% количество молекул окислител  в реакционной смеси недостаточно дл  полного окислени  органических примесей, бактерий и пироге
АО°С
нов, а также молекул рных неоргани
ческих примесей до ионных,концентрацию газообразного озона в современных озонаторах вьш1е 10% получить практически невозможно.
Врем  отмывки определ етс   кинетическими особенност ми взаимодействи  кремни  и окисной пленки с реационной смесью: отмывка менее 5 мин недостаточна дл  очистки поверхности от примесей, при отмывке более 20 мин наблюдаетс  локальное растравление поверхности пластин.
Пример 1. В ванну наливают 5%-ный раствор NH40Н в деионизованно воде. Раствор нагревают до ДЗ-ЗЗ С, помещают пластины кремни  и подают окислитель - озонкислородную смесь через устройство, вьшолненное из фто
Q
5
0
5
0
40
45
55
50
ропласта с размером отверстий 0,1- 0,5 мм, с количеством отверстий не менее 500, со скоростью 6-8 л/мин в течение 5-10 мин. При этом значение рН раствора поддерживаетс  близким к 10,5, а концентраци  озона в окислительной смеси 6%. Затем пластины отмывают в деионизованнойводе барбо- тируемой озонкислородной смесью при параметрах технологического процесса,
Пример2. В ванну наливают деионизованную воду и нагревают до 45- 55 С. Помещают пластины кремни  в воду и начинают процесс перемешивани  посредством барботировани  аммиак- азотной смеси со скоростью 3-5 л/мин (рН раствора 11,0) и окислительной озонкислородной смеси со скоростью 7-9 л/мин с концентрацией озона 6-8% через устройство, выполненное из фторопласта с размерами отверстий 0,1- 0,5 мм, с количеством отверстий не менее 500 в течение 5-10 мин. Затем пластины отмывают в деионизованной воде барботируемой озонкислородной смесью при параметрах, соответствующих технологическому процессу,
ПримерЗ. В ванну наливают деионизованную воду и нагревают до 50 С. Помещают пластины кремни  в воду и начинают процесс перемешивани  .посредством барботировани  газообразного аммиака со скоростью 8 л/мин (рН раствора 11,0-11,5) и окислительной озонкислородной смеси с концентрацией озона 6% со скоростью 8 л/мин через устройство, выполненное из фторопласта с размерами отверстий 0,1- 0,5 мм,с количеством отверстий не менее 500 в течение 7-10 мин. Затем отключают барботаж газообразным аммиаком , подключают к ванной проточную деионизованную воду и производ т отмывку изделий в соответствии с технологическим режимом.
ПримерА. В ванну наливают 2,5% раствор воде. Раствор
помещают пластины кремни  и подают окислитель - озонкислородную смесь через устройство, выполненное из фторопласта с размером отверстий 0,1- 0,5 мм, с количеством отверстий не менее 500, со скоростью 6-8 л/мин в течение 5-10 мин. При этом значение рН раствора поддерживаетс  близким к 10, концентраци  озона в окислительной смеси 4-6%. Затем пластины
в деионизованной нагревают до 45-55 С,
отмывают в деионнзованной воде при параметрах технологического процесса.
Пример 5.
В ванну наливают
деионизованную воду и нагревают до 45-55 С. Помещают пластины кремни  в воду и начинают процесс перемешивани  посредством барботировани  аммиак-азотной смеси со скоростью 8- 10 л/мин (рН раствора ) и окислительной озонкислородной смеси со скоростью 6-8 л/мин с концентрацией озона 4-6% через устройство, выполненное из фторопласта с размером отверстий 0,1-0,5 мм, с количеством отверстий не менее 500 в течение 5- 10 мин. Затем пластины отмывают в де онизованной воде при параметрах, сооветствующих технологическому процесс
Количество свет щихс  точек на очищенной поверхности под микроскопом (200) 1-3.

Claims (2)

  1. Формула изобретени 
    1 . Способ очистки поверхности кремни , включающий обработку в нагретом щелочном аммиачном растворе в присутствии окислител  с финишной отмывкой в деионизованной воде, отличающийс  тем, что, с целью повышени  степени очистки поверхности за счет уменьшени  содержани  на ней органических и неорганических загр знений, обработку производ т в аммиачном растворе с рН 9-13 при температуре 40-90°С, в качестве окис- лител  используют газообразную озон- кислородную смесь с концентрацией озона 1-10% и кислорода 90-99%, которую барботируют через аммиачный раствор в течение 5-20 мин.
  2. 2. Способ ПОП.1, отличающийс  тем, что дл  финишной от- .мывки используют деионизованную воду, барботируемую озонкислородной оме .СЬЮ.
SU864141858A 1986-10-31 1986-10-31 Способ очистки поверхности кремни SU1424072A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864141858A SU1424072A1 (ru) 1986-10-31 1986-10-31 Способ очистки поверхности кремни

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864141858A SU1424072A1 (ru) 1986-10-31 1986-10-31 Способ очистки поверхности кремни

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1424072A1 true SU1424072A1 (ru) 1988-09-15

Family

ID=21265493

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864141858A SU1424072A1 (ru) 1986-10-31 1986-10-31 Способ очистки поверхности кремни

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1424072A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6423146B1 (en) * 1996-08-12 2002-07-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for cleaning a semiconductor substrate
CN100413606C (zh) * 1996-03-27 2008-08-27 阿尔卑斯电气株式会社 清洁溶液的制造方法及其清洁方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 757049, кл. Н 01 L 21/306, 1978. W.Kern., D.Puotinen. Cleaning solutions based on hydrogen peroxide for use in silicon semiconductor technology. RCA Rev., 1970, v. 31, № 2, p. 187-206. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100413606C (zh) * 1996-03-27 2008-08-27 阿尔卑斯电气株式会社 清洁溶液的制造方法及其清洁方法
US6423146B1 (en) * 1996-08-12 2002-07-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for cleaning a semiconductor substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100366623B1 (ko) 반도체 기판 또는 lcd 기판의 세정방법
EP0867924B1 (en) Method for removing organic contaminants from a semiconductor surface
US6132522A (en) Wet processing methods for the manufacture of electronic components using sequential chemical processing
US6290777B1 (en) Method and device for washing electronic parts member, or the like
US6551409B1 (en) Method for removing organic contaminants from a semiconductor surface
EP0970515A1 (en) A process for photoresist removal
JP3152430B2 (ja) 有機物被膜の除去方法
JPH1064867A (ja) 電子部品部材類の洗浄方法及び洗浄装置
SU1424072A1 (ru) Способ очистки поверхности кремни
RU2329298C2 (ru) Обработка поверхности полупроводников и используемая при этом смесь
JP3857314B2 (ja) シリコン乾燥方法
JPH01189921A (ja) レジスト除去装置
JP2018129363A (ja) 半導体基板の洗浄装置及び半導体基板の洗浄方法
Kashkoush et al. Photoresist stripping using ozone/deionized water chemistry
US6495099B1 (en) Wet processing methods for the manufacture of electronic components
JP2006073747A (ja) 半導体ウェーハの処理方法およびその装置
JP2001185520A (ja) 半導体素子形成用基板表面処理方法
JPH03208900A (ja) シリコンウェハの洗浄方法
JPH1129795A (ja) 電子材料用洗浄水、その製造方法及び電子材料の洗浄方法
JPH02164035A (ja) 半導体基板の洗浄方法
JPS5830135A (ja) 半導体ウエハの洗浄方法
CN113636526B (zh) 一种超净高纯过氧化氢的生产工艺
KR0171983B1 (ko) 웨이퍼 세정 방법
JP2002093800A (ja) 炭化珪素半導体装置の製造方法
KR100228372B1 (ko) 실리콘 표면이 노출된 웨이퍼 세정 방법