SU1424072A1 - Способ очистки поверхности кремни - Google Patents
Способ очистки поверхности кремни Download PDFInfo
- Publication number
- SU1424072A1 SU1424072A1 SU864141858A SU4141858A SU1424072A1 SU 1424072 A1 SU1424072 A1 SU 1424072A1 SU 864141858 A SU864141858 A SU 864141858A SU 4141858 A SU4141858 A SU 4141858A SU 1424072 A1 SU1424072 A1 SU 1424072A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- ozone
- oxygen
- washing
- deionized water
- solution
- Prior art date
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к электротехнической и электронной технике, а именно к полупроводниковой технологии , а также к р ду смежных областей. Цель - повышение степени очистки по- верхности за счет уменьшени содержани на ней органических и неорганических загр знений. Отмывку поверхности кремни осуществл ют в аммиачном растворе с ,5 при температуре 40-90 С, причем в процессе от-; мывки его перемешивают окислительной газообразной смесью озона с кислородом с концентрацией озона 1 - 10%, кислород - остальное до 100%. Финишна отмывка осуществл етс в деиони- зованной воде, барботируемой озонкис- с лородной смесью. На очищенной поверхности в микроскоп (увеличение х 200) наблюдаютс 1-3 свет щихс точки. 1 3.п. ф-лы. $ (Л
Description
4
ю
4;ь О 1C
Изобрртение относитс к электротехнической и электронной технике, а именно к полупроводниковой технологии , а также к р ду смежных областей , где предъ вл ютс высокие требовани к чистоте поверхности основных и вспомогательных материалов.
Цель изобретени - повышение степени очистки поверхности за счет уменьшени содержани на ней органических и неорганических загр знений.
Диапазон рН примен емого аммиачного раствора: при рН меньше 9 реакции комплексообразовани ионных при- месей адсорбированных на поверхности пластин протекают в недостаточной мере из-за малой концентрации ионов аммони в реакционной среде, что не позвол ет достигнуть соответствующей очистки поверхности; при рН больше 1 происходит травление поверхности пластин , что недопустимо дл их дальнейшего использовани при производстве интегральных схем.
Температура проведени процесса отмывки. При температуре меньше не наблюдаетс необходимой степени очистки поверхности, что, очевидно, св зано с кинетическими факторами. При температуре больше 90 С идет раст трав поверхности за счет взаимодействи поверхности с щелочным раствором
Концентраци О, и 0 в озонкисло- родной смеси. При концентрации озона меньше 1% и соответственно кислорода больше 99% количество молекул окислител в реакционной смеси недостаточно дл полного окислени органических примесей, бактерий и пироге
АО°С
нов, а также молекул рных неоргани
ческих примесей до ионных,концентрацию газообразного озона в современных озонаторах вьш1е 10% получить практически невозможно.
Врем отмывки определ етс кинетическими особенност ми взаимодействи кремни и окисной пленки с реационной смесью: отмывка менее 5 мин недостаточна дл очистки поверхности от примесей, при отмывке более 20 мин наблюдаетс локальное растравление поверхности пластин.
Пример 1. В ванну наливают 5%-ный раствор NH40Н в деионизованно воде. Раствор нагревают до ДЗ-ЗЗ С, помещают пластины кремни и подают окислитель - озонкислородную смесь через устройство, вьшолненное из фто
Q
5
0
5
0
40
45
55
50
ропласта с размером отверстий 0,1- 0,5 мм, с количеством отверстий не менее 500, со скоростью 6-8 л/мин в течение 5-10 мин. При этом значение рН раствора поддерживаетс близким к 10,5, а концентраци озона в окислительной смеси 6%. Затем пластины отмывают в деионизованнойводе барбо- тируемой озонкислородной смесью при параметрах технологического процесса,
Пример2. В ванну наливают деионизованную воду и нагревают до 45- 55 С. Помещают пластины кремни в воду и начинают процесс перемешивани посредством барботировани аммиак- азотной смеси со скоростью 3-5 л/мин (рН раствора 11,0) и окислительной озонкислородной смеси со скоростью 7-9 л/мин с концентрацией озона 6-8% через устройство, выполненное из фторопласта с размерами отверстий 0,1- 0,5 мм, с количеством отверстий не менее 500 в течение 5-10 мин. Затем пластины отмывают в деионизованной воде барботируемой озонкислородной смесью при параметрах, соответствующих технологическому процессу,
ПримерЗ. В ванну наливают деионизованную воду и нагревают до 50 С. Помещают пластины кремни в воду и начинают процесс перемешивани .посредством барботировани газообразного аммиака со скоростью 8 л/мин (рН раствора 11,0-11,5) и окислительной озонкислородной смеси с концентрацией озона 6% со скоростью 8 л/мин через устройство, выполненное из фторопласта с размерами отверстий 0,1- 0,5 мм,с количеством отверстий не менее 500 в течение 7-10 мин. Затем отключают барботаж газообразным аммиаком , подключают к ванной проточную деионизованную воду и производ т отмывку изделий в соответствии с технологическим режимом.
ПримерА. В ванну наливают 2,5% раствор воде. Раствор
помещают пластины кремни и подают окислитель - озонкислородную смесь через устройство, выполненное из фторопласта с размером отверстий 0,1- 0,5 мм, с количеством отверстий не менее 500, со скоростью 6-8 л/мин в течение 5-10 мин. При этом значение рН раствора поддерживаетс близким к 10, концентраци озона в окислительной смеси 4-6%. Затем пластины
в деионизованной нагревают до 45-55 С,
отмывают в деионнзованной воде при параметрах технологического процесса.
Пример 5.
В ванну наливают
деионизованную воду и нагревают до 45-55 С. Помещают пластины кремни в воду и начинают процесс перемешивани посредством барботировани аммиак-азотной смеси со скоростью 8- 10 л/мин (рН раствора ) и окислительной озонкислородной смеси со скоростью 6-8 л/мин с концентрацией озона 4-6% через устройство, выполненное из фторопласта с размером отверстий 0,1-0,5 мм, с количеством отверстий не менее 500 в течение 5- 10 мин. Затем пластины отмывают в де онизованной воде при параметрах, сооветствующих технологическому процесс
Количество свет щихс точек на очищенной поверхности под микроскопом (200) 1-3.
Claims (2)
- Формула изобретени1 . Способ очистки поверхности кремни , включающий обработку в нагретом щелочном аммиачном растворе в присутствии окислител с финишной отмывкой в деионизованной воде, отличающийс тем, что, с целью повышени степени очистки поверхности за счет уменьшени содержани на ней органических и неорганических загр знений, обработку производ т в аммиачном растворе с рН 9-13 при температуре 40-90°С, в качестве окис- лител используют газообразную озон- кислородную смесь с концентрацией озона 1-10% и кислорода 90-99%, которую барботируют через аммиачный раствор в течение 5-20 мин.
- 2. Способ ПОП.1, отличающийс тем, что дл финишной от- .мывки используют деионизованную воду, барботируемую озонкислородной оме .СЬЮ.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864141858A SU1424072A1 (ru) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | Способ очистки поверхности кремни |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU864141858A SU1424072A1 (ru) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | Способ очистки поверхности кремни |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1424072A1 true SU1424072A1 (ru) | 1988-09-15 |
Family
ID=21265493
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU864141858A SU1424072A1 (ru) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | Способ очистки поверхности кремни |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1424072A1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6423146B1 (en) * | 1996-08-12 | 2002-07-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for cleaning a semiconductor substrate |
CN100413606C (zh) * | 1996-03-27 | 2008-08-27 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 清洁溶液的制造方法及其清洁方法 |
-
1986
- 1986-10-31 SU SU864141858A patent/SU1424072A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР № 757049, кл. Н 01 L 21/306, 1978. W.Kern., D.Puotinen. Cleaning solutions based on hydrogen peroxide for use in silicon semiconductor technology. RCA Rev., 1970, v. 31, № 2, p. 187-206. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100413606C (zh) * | 1996-03-27 | 2008-08-27 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 清洁溶液的制造方法及其清洁方法 |
US6423146B1 (en) * | 1996-08-12 | 2002-07-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for cleaning a semiconductor substrate |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100366623B1 (ko) | 반도체 기판 또는 lcd 기판의 세정방법 | |
EP0867924B1 (en) | Method for removing organic contaminants from a semiconductor surface | |
US6132522A (en) | Wet processing methods for the manufacture of electronic components using sequential chemical processing | |
US6290777B1 (en) | Method and device for washing electronic parts member, or the like | |
US6551409B1 (en) | Method for removing organic contaminants from a semiconductor surface | |
EP0970515A1 (en) | A process for photoresist removal | |
JP3152430B2 (ja) | 有機物被膜の除去方法 | |
JPH1064867A (ja) | 電子部品部材類の洗浄方法及び洗浄装置 | |
SU1424072A1 (ru) | Способ очистки поверхности кремни | |
RU2329298C2 (ru) | Обработка поверхности полупроводников и используемая при этом смесь | |
JP3857314B2 (ja) | シリコン乾燥方法 | |
JPH01189921A (ja) | レジスト除去装置 | |
JP2018129363A (ja) | 半導体基板の洗浄装置及び半導体基板の洗浄方法 | |
Kashkoush et al. | Photoresist stripping using ozone/deionized water chemistry | |
US6495099B1 (en) | Wet processing methods for the manufacture of electronic components | |
JP2006073747A (ja) | 半導体ウェーハの処理方法およびその装置 | |
JP2001185520A (ja) | 半導体素子形成用基板表面処理方法 | |
JPH03208900A (ja) | シリコンウェハの洗浄方法 | |
JPH1129795A (ja) | 電子材料用洗浄水、その製造方法及び電子材料の洗浄方法 | |
JPH02164035A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
JPS5830135A (ja) | 半導体ウエハの洗浄方法 | |
CN113636526B (zh) | 一种超净高纯过氧化氢的生产工艺 | |
KR0171983B1 (ko) | 웨이퍼 세정 방법 | |
JP2002093800A (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
KR100228372B1 (ko) | 실리콘 표면이 노출된 웨이퍼 세정 방법 |