SU1318978A1 - Способ определени оптимальной экспозиции фотополимеризующегос материала - Google Patents
Способ определени оптимальной экспозиции фотополимеризующегос материала Download PDFInfo
- Publication number
- SU1318978A1 SU1318978A1 SU853943426A SU3943426A SU1318978A1 SU 1318978 A1 SU1318978 A1 SU 1318978A1 SU 853943426 A SU853943426 A SU 853943426A SU 3943426 A SU3943426 A SU 3943426A SU 1318978 A1 SU1318978 A1 SU 1318978A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- tangent
- capacitance
- dielectric loss
- irradiation
- determining
- Prior art date
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к измерительной технике и позвол ет повысить точность определени оптимальной экспозиции . Фотополимеризующуюс композицию-фоторезист 8 нанос т поверх копланарных электродов 7 на тест-плату 6. Измерение емкости и тангенса угла диэлектрических потерь производ т до облучени , в процессе облучени фоторезиста 8 потоком актинично- го излучени источника 3 и после него до достижени параметрами установившихс значений. Результаты измере- НИИ через устройство 11 сопр жени поступают в ЭВМ 12, осуществл ющую их обработку и хранение. 4 ил. i (Л 00 00 со 00 Фие.З
Description
113
Изобретение относитс к измерите гтьной технике и может быть использовано дл контрол и отработки параметров процесса экспонировани фото- полимеризующихс композиций S технологии изготовлени печатных плат.
Целью изобретени вл етс повьше- ние точности определени оптимальной экспозиции.
На фиг. 1 представлен график изменени произведени емкости и тангенса угла диэлектрических потерь в зависимости от дозы облучени ; на фиг. 2 - график изменени характеристического параметра F в зависимости от дозы облучени ; на фиг. 3 - схема устройства дл осуществлени предлагаемого способа; на фиг, 4 - вид измерительной чейки с копланарны1-1И электродами.
По предлагаемому способу процедура определени оптимальной экспозиции фоторезиста при облучении его нестабильным актиничным излучением состоит в том, что берут измерительную чейку, состо щую из диэлектрической подложки с нанесенными на ее поверхность копланарными электродами поверх которых ламинирован фоторезист .
Эту чейку устанавливают в экспонирующую установку таким образом, чтобы направление потока актиничного излучени было перпендикул рно силовым лини м измерительного электрического пол копланарных электродов, а поверхность фоторезиста была обращена в сторону источника излучени .
Сначала измер ют диэлектрические параметры неэкспонированного фоторезиста , а затем, облуча измерительную чейку потоком актиничного излучени , измер ют диэлектрические параметры с интервалом 0,25-0,5 с.
При достижении дозы облучени , соответствующей области переэкспонировани , прекращают облучение измерительной чейки, а измерени диэлектрических параметров, измен ющихс вследствие темновых процессов, продолжают до тех пор, пока их величины не достигнут установившихс значений .
После каждого замера вычисл ют приращение характеристического параметра по
,Di+Di+ Fi(C.,, ,J-2,
82
где Fj - приращение характеристического параметра;
C.,tgrf,D;- измеренные значени емкости , тангенса угла диэлект- рических потерь и дозы облучени соответственно. Далее стро т кривую значений характеристического параметра, кажда точка которой определ етс по формуле
F,- F,-.. ,-
Дл повьппени достоверности определени установившегос значени после каждого замера решают неравен
ство
3F,D ,4. -D.i О,OIF. .
Если неравенство выполн етс , то достигнутое значение считаетс установившимс (F,,) .
Вычисление характеристического параметра, соответствующего оптимальной экспозиции, провод т по формуле
„ Fy k+(1-k)ln(1-k)J , где FpnT значение характеристического параметра, соответствующее оптимальной экспозиции;
F - установившеес значение характеристического параметра;
k - технологический коэффициент относительных химических превращений, соответ- ствующий оптимальной экспозиции , посто нный дл каждой марки фоторезиста и определ емый экспериментально методом химичес- кого анализа.
Технологический коэффициент k определ етс один раз дл конкретной марки фоторезиста и прин той технологии производства печатных плат.
Наход т оптимальную экспозицию по стандартной методике. Затем из образца фоторезиста, экспозици которого .оказалась оптимальной, отбирают пробу дл химического анализа и наход т относительную величину химических превращений, например по гельфракции; На графике кривой характеристического параметра (фиг. 2) из точки F, провод т пр мую, параллельную оси - абсцисс, до пересечени с кривой характеристического параметра. Ордината пересечени вл етс оптимальной дозой облучени .
313
Устройство дл осуществлени способа содержит экспонирующую установку 1 с экспозиметром 2, источником 3 актиничного излучени и шторкой 4, с помощью которой можно отсечь часть потока излучени , падающего на измерительную чейку 5, но котора не мешает продолжать отсчитывать экспозицию, фиксируемую зкс- позиметром.
Измерительна чейка 5, состо ща из подложки 6с копланарными электродами 7 и нанесенным слоем фоторезиста 8, помещаетс в зону облучени экспонирукицей установки. Электрические выводы 9 измерительной чейки 5 подключаютс к измерительному входу цифрового моста 10. Результаты замеров D, С и tgi/через устройство 11 сопр жени поступают в микроЭВМ 12, котора осуществл ет их прием, обработку и хранение результатов.
Если экспонирующа установка не снабжена экспозиметром, то вместо него к микроэвм подключаетс внещ- ний таймер. В частном случае может
yi CiigSi //
У 2
Ун
/(
Уй;
189784
использоватьс внутренний аппаратные или программный таймер микроЭВМ.
Фо,рмула изобрете
н и
0
5
0
5
Способ определени оптимальной экспозиции фотополимеризующегос материала , включающий измерение дозы излучени , емкости и тангенса угла диэлектрических потерь облучаемого образца и определение оптимальной экспозиции графоаналитическим способом , отличающийс тем, что, с целью повышени точности, емкость и тангенс угла диэлектрических потерь измер ют до облучени , в процессе облучени и после его окончани , дл чего используют измерительную чейку, вьтолненную в виде тест-платы с колланарными электро- - дами, при этом фотополимеризующа с композици нанесена поверх электродов , причем облучение измерительной чейки продолжают до достижени области переэкспонировани , а измерение емкости и тангенса угла диэлектрических потерь продолжают до достижени ими установившегос значени .
JJi-j SiSi i Лом S
Wj
йоза Л
Редактор В.Данко
Фиг.
Составитель Л.Безпрозванный
Техред М.Ходанич . Корректор М.Шароши
Заказ 2510/41 Тираж 420Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета ССС:
по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска наб,, д. 4/5
Производственно-полиграфическое предпри тие, г.Ужгород, ул.Проектна , 4
Claims (1)
- Фо,р мула изобретенияСпособ определения оптимальной экспозиции фотополимеризующегос.я материала, включающий измерение дозы излучения, емкости и тангенса угла диэлектрических потерь облучаемого образца и определение оптимальной экспозиции графоаналитическим способом, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, емкость и тангенс угла диэлектрических потерь измеряют до облучения, в процессе облучения и после его окончания, для чего используют измерительную ячейку, выполненную в виде тест-платы с копланарными электро- дами, при этом фотополимеризующаяся композиция нанесена поверх электродов, причем облучение измерительной ячейки продолжают до достижения области переэкспонирования, а измерение емкости и тангенса угла диэлектрических потерь продолжают до достижения ими установившегося значения.Фиг. 27 7 6Фиг. 4
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU853943426A SU1318978A1 (ru) | 1985-08-15 | 1985-08-15 | Способ определени оптимальной экспозиции фотополимеризующегос материала |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU853943426A SU1318978A1 (ru) | 1985-08-15 | 1985-08-15 | Способ определени оптимальной экспозиции фотополимеризующегос материала |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1318978A1 true SU1318978A1 (ru) | 1987-06-23 |
Family
ID=21193954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU853943426A SU1318978A1 (ru) | 1985-08-15 | 1985-08-15 | Способ определени оптимальной экспозиции фотополимеризующегос материала |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1318978A1 (ru) |
-
1985
- 1985-08-15 SU SU853943426A patent/SU1318978A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Печатные платы. Требовани к типовому технологическому процессу получени провод щего рисунка, с. 27, ГОСТ 23724-79. Авторское свидетельство СССР № 520561, кл. G 03 С 7/12, 1972. 12 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100334301B1 (ko) | 가열 장치, 가열 장치의 평가법 및 패턴 형성 방법 | |
| KR900002188B1 (ko) | 패턴의 현상방법 및 그 장치 | |
| JPS60249327A (ja) | レジストパタ−ン検出方法 | |
| SU1318978A1 (ru) | Способ определени оптимальной экспозиции фотополимеризующегос материала | |
| EP0134453B1 (en) | Method for exposure dose calculation of photolithography projection printers | |
| JPH0955352A (ja) | 露光装置および露光方法 | |
| JPS6216523A (ja) | レジストパタ−ンの現像方法および現像装置 | |
| JPS56146138A (en) | Method and apparatus for exposing photomask | |
| RU2148853C1 (ru) | Способ определения глубины залегания модифицированного приповерхностного слоя в полимерной пленке | |
| JP2913988B2 (ja) | 熱処理効果の測定方法 | |
| KR0139814B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| RU2148854C1 (ru) | Способ контроля процесса экспонирования пленки фоторезиста | |
| JPH0225851A (ja) | 露光方法 | |
| JPS6223126A (ja) | ド−ズ量測定方法 | |
| JPS59168636A (ja) | ド−ズ量評価方法 | |
| Antos et al. | Production of readout boards for H1 liquid argon calorimeter | |
| JPS5494882A (en) | X-ray exposure apparatus | |
| KR20010003217A (ko) | 노광 장비의 노출 시간 보정 방법 | |
| Robertson et al. | Photoresist dissolution rates: a comparison of puddle, spray, and immersion processes | |
| DE4312812A1 (de) | Verfahren und Anordnung zur Endpunkt-Bestimmung von Silylierungs-Prozessen belichteter Lacke für Maskierungen | |
| JPH03176838A (ja) | 現像方法及び自動現像装置 | |
| JPH05315213A (ja) | 露光転写によるパターン形成方法 | |
| JPS5870530A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH02194521A (ja) | Ｘ線露光装置及び素子製造方法 | |
| ACHREKAR | Metal thickness measurements using radiography(Patent Application) |