SU1316076A1 - Jk-flip-flop - Google Patents

Jk-flip-flop Download PDF

Info

Publication number
SU1316076A1
SU1316076A1 SU864005289A SU4005289A SU1316076A1 SU 1316076 A1 SU1316076 A1 SU 1316076A1 SU 864005289 A SU864005289 A SU 864005289A SU 4005289 A SU4005289 A SU 4005289A SU 1316076 A1 SU1316076 A1 SU 1316076A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistors
conductivity type
collectors
flip
injection
Prior art date
Application number
SU864005289A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Александр Васильевич Алюшин
Михаил Васильевич Алюшин
Original Assignee
Московский Инженерно-Физический Институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский Инженерно-Физический Институт filed Critical Московский Инженерно-Физический Институт
Priority to SU864005289A priority Critical patent/SU1316076A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1316076A1 publication Critical patent/SU1316076A1/en

Links

Landscapes

  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано при создании цифровых БИС. Цель изобретени  - увеличение помехоустойчивости и расширение области применени . Устройство содержит КЗ-триггеры 1 и 2 на инжекционных транзисторах, транзисторы 7,8,9 и 10,11 соответственно первого и второго типа проводимости . Дл  достижени  поставленной цели в устройство введены транзисторы 12 - 15 второго типа проводимости. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. 2S (Л со О5 о о « ФuThe invention relates to a pulse technique and can be used to create digital LSIs. The purpose of the invention is to increase noise immunity and expand the scope. The device contains KZ-triggers 1 and 2 for injection transistors, transistors 7,8,9 and 10,11, respectively, of the first and second types of conductivity. To achieve this goal, transistors 12-15 of the second conductivity type are introduced into the device. 1 hp f-ly, 2 ill. 2S (L with O5 о о «Ф

Description

113113

Изобретение относитс  к импульсной технике, а именно к устройствам с двум  устойчивыми состо ни ми на логических элементах с инжекционным питанием, и может найти применение при создании цифровых БИС.The invention relates to a pulse technique, namely, devices with two stable states on logic elements with injection power, and can be used to create digital LSIs.

Целью изобретени   вл етс  увеличение помехоустойчивости и расширение области применени  1К-триггера.The aim of the invention is to increase the noise immunity and the expansion of the scope of application of the 1K-trigger.

На фиг. 1 показана принципиальна  схема 1К-триггера; на фиг. 2 - эскиз топологии 1К-триггера в интегральном исполнении на элементах инжекционной логики с питанием от подложки.FIG. 1 shows a circuit diagram of a 1K trigger; in fig. 2 - sketch of the topology of the 1K-trigger in the integrated design on the elements of injection logic powered by the substrate.

1К-триггер содержит RS-триггеры 1 и 2 на с первого по четвертый инжек- ционных транзисторах 3-6 первого типа проводимости, с п того по седьмой инжекционные транзисторы 7-9 первого типа проводимости с первого по шестой транзисторы 10-15 второго типа проводимости, причем базы транзисторов 10-15 соединены с общей шиной 16, базы транзисторов 3 и 4 соединены соответственно с первым и вторым коллекторами транзистора 7, с коллекторами транзисторов 12 - 15, база транзистора 7 соединена с шиной 17 синхронизации , вторые коллекторы 18 и 19 транзисторов 3 и 4 соединены соот- ветственно с базами транзисторов 5 и 6, с эмиттерами транзисторов 10 и 11, вторые коллекторы 20 и 21 транзисторов 5 и 6 соединены соответственно с выходными шинами 22(Q) и 23 (Q), первые коллекторы 24 и 25 тран- зисторов 10 и 11 соединены соответст- венно с эмиттерами транзисторов 12 и 13, с коллекторами транзисторов 8 и 9, дополнительные коллекторы 26 и 27 транзисторов 10 и 11 соединены соответственно с базами транзисторов 8 и 9, с эмиттерами транзисторов 14 и 15 и входными шинами 28(1) и 29(К).The 1K flip-flop contains RS-flip-flops 1 and 2 on the first through fourth injection transistors 3-6 of the first conductivity type, from the fifth through the seventh injection transistors 7-9 of the first conductivity type from the first to the sixth transistors 10-15 of the second conductivity type The bases of transistors 10-15 are connected to common bus 16, the bases of transistors 3 and 4 are connected respectively to the first and second collectors of transistor 7, to collectors of transistors 12-15, the base of transistor 7 is connected to synchronization bus 17, the second collectors 18 and 19 of transistors 3 and 4 are connected s, respectively, with the bases of the transistors 5 and 6, with the emitters of the transistors 10 and 11, the second collectors 20 and 21 of the transistors 5 and 6 are connected respectively with the output buses 22 (Q) and 23 (Q), the first collectors 24 and 25 of the transistors 10 and 11 are connected respectively to the emitters of transistors 12 and 13, to the collectors of transistors 8 and 9, additional collectors 26 and 27 of transistors 10 and 11 are connected respectively to the bases of transistors 8 and 9, to emitters of transistors 14 and 15, and input buses 28 ( 1) and 29 (K).

1К-триггер работает следующим об- разом.1K-trigger works as follows.

При 1 1 транзистор 7 открыт, транзисторы 3 и 4 закрыты. Второй RS-триггер 2 хранит записанную в него ранее информацию. В момент прихода отрицательного фронта импульса синхронизации транзистор 7 закрываетс , транзисторы 3 и 4 начинают открыватьс . В зависимости от соотношени  токов зар да баз транзисторов 3 и 4 первым включаетс  один из этих транзисторов и закрываетс  другой.When 1 1 transistor 7 is open, transistors 3 and 4 are closed. The second RS trigger 2 stores previously recorded information in it. At the moment of arrival of the negative edge of the synchronization pulse, the transistor 7 is closed, transistors 3 and 4 begin to open. Depending on the ratio of the charge currents of the bases of the transistors 3 and 4, one of these transistors is first switched on and the other closed.

При 1 К О транзисторы 8 и 9, 14 и 15 закрыты. Есл и транзистор 5At 1 K O transistors 8 and 9, 14 and 15 are closed. Esl and transistor 5

1515

00

5 five

О ABOUT

35 40 35 40

открыт до прихода отрицательного фронта тактового импульса, ток базы транзистора 4 больше тока базы транзистора 3 за счет дополнительного тока, поступающего через открытые транзисторы 10 и 12. Поэтому первым включаетс  транзистор 4, транзистор 3 закрыт. Информаци , записанна  во второй RS-триггер 2 сохран етс , т.е. 1К-триггер хранит информацию.open before the arrival of the negative clock edge, the base current of transistor 4 is greater than the base current of transistor 3 due to the additional current flowing through the open transistors 10 and 12. Therefore, first the transistor 4 turns on, the transistor 3 is closed. The information recorded in the second RS flip-flop 2 is stored, i.e. 1K-trigger stores information.

При I К 1 включаетс  дополнительна  цепь обратной св зи через транзисторы 10 и 11,14 и 15.When I K 1, an additional feedback circuit is switched on through transistors 10 and 11.14 and 15.

Важным условием работоспособности 1К-триггера  вл етс  больший коэффициент передачи по току по петле обратной св зи через транзисторы 10 и 11,14 и 15, по сравнению с коэффициентом передачи тока по петле обратной св зи через транзисторы 10 и 11, 12 и 13An important condition for the operation of the 1K-flip-flop is a higher current transfer coefficient in the feedback loop through the transistors 10 and 11.14 and 15, compared with the current transfer ratio in the feedback loop through the transistors 10 and 11, 12 and 13

t t

-14-14

4s4s

24 ° 24 tZ 2i ° z5 13 24 ° 24 tZ 2i ° z5 13

где Swhere s

24 24

27 .27.

2-1  2-1

12 12

площадь коллекторов 24-27 транзисторов 10 и 11;collector area 24-27 transistors 10 and 11;

коэффициенты передачи по соответствующим коллекторам транзисторов 10 и 11;transmission coefficients for the respective collectors of transistors 10 and 11;

коэффициенты передачи тока транзисторов 12- 15.current transfer coefficients of transistors 12–15.

Указанное условие может быть выполнено различными технологическими способами, например применением различной геометрии у баз транзисторов 12-14,10 и 11, применением коллекторов 24 и 26,25 и 27 транзисторов 10 и 11 с различной площадью.The specified condition can be met by various technological methods, for example, using different geometry at the bases of transistors 12-14,10 and 11, using collectors 24 and 26.25 and 27 transistors 10 and 11 with different area.

Тогда при I К 1 первым включаетс  тот транзистор первой пары, коллектор, которого соединен с базой включенного транзистора второй пары. Если, например включен транзистор 5, первым включаетс  транзистор 3, транзисторы 4 и 5 выключаютс . Информаци , записанна  во втором RS-тригге- ре 2, измен етс  на противоположную.Then, when I K 1, the first transistor of the first pair is turned on first, the collector of which is connected to the base of the switched on transistor of the second pair. If, for example, transistor 5 is turned on, transistor 3 is turned on first, transistors 4 and 5 are turned off. The information recorded in the second RS-flip-flop 2 is reversed.

При , первым включаетс  транзистор 3 и устанавливает второй RS-триггер 2 в состо ние, соответст- 1, Q 0.When, the first turns on the transistor 3 and sets the second RS-flip-flop 2 to the state, respectively, 1, Q 0.

О, К 1 первым включаетс 4 и устанавливает второйO, K 1 first turn on 4 and set second

вующее Q При I транзисторThis is Q when I transistor

RS-триггер 2 в состо ние, соответствующее , 1.RS flip-flop 2 to the corresponding state, 1.

3131

После того, как один из транзистров первого RS-триггера 1 включитс  любые изменени  информации на шинах 28 и 29 не привод т к изменению состо ний первого и второго RS-тригге- ров.After one of the transistors of the first RS flip-flop 1 turns on any changes in the information on buses 28 and 29 do not lead to a change in the states of the first and second RS-flip-flops.

Таким образом , предлагаемое устройство выполн ет функции 1К-тригге ра, тактируемого по отрицательному фронту сигнала синхронизации, Thus, the proposed device performs the functions of a 1K trigger, clocked on the negative edge of the synchronization signal,

Предлагаемый 1К-триггер обладает большей помехоустойчивостью и большей областью применени , так как воспринимает информацию только в момент прихода отрицательного фронта тактового импульса, что позвол ет строить на его базе одНотактные pe гистровые устройства.The proposed 1K-trigger has a greater noise immunity and a greater range of application, since it perceives information only at the moment of the arrival of a negative clock edge, which allows it to build on its basis single-touch peers.

Claims (1)

Формула изобретени  20Claim 20 1. 1К-триггер, содержащий два RS- триггера на двух парах инжекционных транзисторов первого типа проводимости с коллекторно-базовыми св з ми, 25 причем базы первого и второго Инжекционных транзисторов первого RS-триггера соединены соответственно с первым и вторым коллекторами п того ийжекционного транзистора, база которо-30 торов второго RS-триггера и соответ- го соединена с шиной синхронизации, вторые коллекторы первого и второго инжекционных транзисторов первого RS- триггера соединены соответственно с базами третьего и четвертого инжекци- а онных транзисторов второго RS-триггера и эмиттерами первого и второго транзисторов второго типа проводимости , базы которых соединены с общей шиной, вторые коллекторы третьего и 40 четвертого инжекционных транзисторов второго RS-триггера соединены соответственно с пр мой и инверсной выходными шинами, входные шины I и К соественно эмиттеры первого и второго транзисторов второго типа проводимости , их первые коллекторы и соответственно эмиттеры третьего и четвертого транзисторов второго типа проводимости , их вторые коллекторы и соответственно эмиттеры п того и шестого транзисторов второго типа проводимости, базы шестого и седьмого инжекционных транзисторов первого типа проводимости , базы первого и второго инжекционных транзисторов первого RS-триггера и соответственно коллекторы п того и шестого транзисторов, четвертого и1. 1K-flip-flop containing two RS-flip-flops on two pairs of injection transistors of the first conductivity type with collector-base connections, 25 with the bases of the first and second Injection transistors of the first RS-flip-flop connected to the first and second collectors of the fifth pin-hole transistor , the base of which is 30 tori of the second RS flip-flop and the corresponding one is connected to the synchronization bus, the second collectors of the first and second injection transistors of the first RS-flip-flop are connected respectively to the bases of the third and fourth injection - on the second transistors of the second RS-flip-flop and emitters of the first and second transistors of the second conductivity type, the bases of which are connected to the common bus, the second collectors of the third and 40 fourth injection transistors of the second RS-flip-flop are connected to the direct and inverse output buses, respectively, input bus I and K are actually emitters of the first and second transistors of the second conductivity type, their first collectors and, respectively, emitters of the third and fourth transistors of the second conductivity type, their second collectors and correspondingly etstvenno emitters of said fifth and sixth transistors of the second conductivity type, the base of the sixth and seventh transistors of injection of the first conductivity type, the base of the first and second injection transistors of the first RS-flip-flop and respectively collectors of the fifth and sixth transistors, fourth and динены соответственно с базами шесте-45 третьего транзисторов второго типа го и седьмого инжекционных транзис- проводимости выполнены в виде еди- торов первого типа проводимости, кол- ных областей полупроводника.Dineny, respectively, with the bases of the pole 45 of the third transistors of the second type of the first and seventh injection transis-conductivities are made in the form of the first-type conductors, the number regions of the semiconductor. лекторы которых соединены соответст- венно с первыми коллекторами первог и второго транзисторов второго типа проводимости, отличающийс тем, что, с целью увеличени  помехоустойчивости и расширени  области применени , введены третий, четвертый , п тый и шестой транзисторы второго типа проводимости, базы которых соединены с общей шиной, коллекторы шестого и седьмого инжекционных транзисторов первого типа проводимости соединены соответственно с эмиттерам третьего и четвертого транзисторов второго типа проводимости, коллекторы которых соединены соответственно с базами второго и первого инжекционных транзисторов первого RS-триггера и коллекторами шестого и п того транзисторов второго типа проводимости, эмиттеры которых соединены соответственно с выходными шинами К и I и дополнительными коллекторами второго и первого транзисторов второго типа проводимости,The lecturers of which are connected, respectively, with the first collectors of the first and second transistors of the second conductivity type, characterized in that, in order to increase the noise immunity and expand the field of application, the third, fourth, fifth and sixth transistors of the second conductivity type, the bases of which are connected to the common bus, collectors of the sixth and seventh injection transistors of the first conductivity type are connected respectively to the emitters of the third and fourth transistors of the second conductivity type, the collectors of which are respectively connected to the bases of the first and second injection transistors of the first RS-flip-flop and the collectors of the sixth and fifth transistors of the second conductivity type whose emitters are connected respectively to the output lines I and K and additional collectors of the first and second transistors of the second conductivity type, 2. 1К-трИггер по п. 1, отличающийс  тем, что в случае интегрального исполнени  базы третьего и четвертого инжекционных транзисторов второго RS-триггера и соответ- 2. 1K-trIGgger according to claim 1, characterized in that, in the case of an integral implementation of the base of the third and fourth injection transistors of the second RS-flip-flop and corresponding ственно эмиттеры первого и второго транзисторов второго типа проводимости , их первые коллекторы и соответственно эмиттеры третьего и четвертого транзисторов второго типа проводимости , их вторые коллекторы и соответственно эмиттеры п того и шестого транзисторов второго типа проводимости, базы шестого и седьмого инжекционных транзисторов первого типа проводимости , базы первого и второго инжекционных транзисторов первого RS-триггера и соответственно коллекторы п того и шестого транзисторов, четвертого иThe emitters of the first and second transistors of the second conductivity type, their first collectors and the emitters of the third and fourth transistors of the second conductivity type, their second collectors and the emitters of the fifth and sixth transistors of the second conductivity type, the base of the sixth and seventh injection transistors of the first conductivity type, the first and second injection transistors of the first RS flip-flop and, respectively, collectors of the fifth and sixth transistors, the fourth and
SU864005289A 1986-01-07 1986-01-07 Jk-flip-flop SU1316076A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864005289A SU1316076A1 (en) 1986-01-07 1986-01-07 Jk-flip-flop

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864005289A SU1316076A1 (en) 1986-01-07 1986-01-07 Jk-flip-flop

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1316076A1 true SU1316076A1 (en) 1987-06-07

Family

ID=21215552

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864005289A SU1316076A1 (en) 1986-01-07 1986-01-07 Jk-flip-flop

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1316076A1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Аваев Н.А. и др. Большие интегральные схемы с инжекционным питанием.-М.: Советское радио, 1977, с. 182, рис. 5.15. Патент US № 4197470, кл. Н 03 К 3/286, 1980. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4560888A (en) High-speed ECL synchronous logic circuit with an input logic circuit
US4912420A (en) Comparator circuits
JPH0142167B2 (en)
CA1235504A (en) Data storage element having input and output ports isolated from regenerative circuit
JPS59117343A (en) Output multiplexer with 1-gate delay
SU1316076A1 (en) Jk-flip-flop
JPS61101113A (en) Flip-flop circuit
JPH05335917A (en) Transfer gate and dynamic frequency divider circuit using the same
SU1185578A1 (en) Jk-flip-flop
US7230459B2 (en) Static frequency divider for microwave applications
SU1095408A1 (en) Logic elment
SU1027802A1 (en) D-flip flop
JP3469979B2 (en) Flip-flop circuit
US5541545A (en) High speed bipolar D latch circuit with reduced latch clocking output corruption
SU900454A1 (en) Digital semiconductor integrated three-state output circuit
SU830579A1 (en) Shift register
SU1091317A2 (en) Flip-flop
SU1622922A1 (en) Bridge-type ternary flip-flop
JP2821144B2 (en) Parallel-serial conversion circuit
SU970652A1 (en) Injection d-flip-flop
SU1531157A1 (en) Logic swing shaper
SU1399886A1 (en) Triple bridge flip-flop
SU1012426A1 (en) Bridge flip-flop
SU1045397A1 (en) Exclusive or gate
JPH11145788A (en) Flip-flop device and semiconductor device