SU1290513A1 - Преобразователь уровн ЭСЛ-И @ Л типа - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике. Может быть использовано в составе БИС И Л-типа дл  преобразовани  ЭСЛ-уровней входных сигналов в уровни сигналов дл  элементов БИС. Цель изобретени  - повышение помехоустойчивости и уменьшение площади занимаемой преобразователем на кристалле при интегральном исполнении за счет исключени  резисторов и неиспользуемого в остальной части БИС источника отрицательного напр жени . Устройство содержит тран- зисторы 1, 2, 9 типа п-р-п. Дл  достижени  поставленной цели в устройство введен транзистор 3 типа р-п-р, диод 8, а источник тока состоит из инжектора 5 и ограничител  тока на TpaH3HCtope 4. 2 ил. с сл с с ю кэ со О ел 00

Description

Изобретение относитс  к импульсной технике и предназначено дл  применени  в составе БИС И Л-типа дл  преобразовани  ЭСЛ-уровней входных сигналов в уровни сигналов дл  И Л элементов БИС.

Цель изобретени  - повышение помехоустойчивости преобразовател  и уменьшение площади, занимаемой преобразователем на кристалле при интегральном исполнении, путем исключени  резисторов и неиспользуемого в остальной части БИС источника отрицательного напр жени .

На фиг. 1 приведена принципиальна  схема преобразовател  уровн  ЭСЛ-И Л-типа; на фиг. 2 - функцио- йально-топологическа  схема.

-Преобразователь уровн  ЭСЛ-И Л-типа содержит третий 1 и первый 2 п-р-п-транзисторы, базы которых соединены с коллектором транзистора 1 , первым коллектором транзистора 2 и вторым коллектором р-п-р-транзистора 3, первый коллектор которого соединен с базой транзистора 3 и выходом источника 4 тока, который реализован на инжекторе 5, пос ледовательно соединенном с ограничителем тока на п-р-п-транзисторе 6, эмиттер транзистора 3 соединен с ши- ной 7 питани  11 а третий коллектор соединен с вторым коллектором транзистора 2, катодом диода 8 и базой второго п-р-п-транзистора 9, коллектор которого подключен к выходу 10 устройства, а эмиттер соединен с анодом диода 8 и общей шиной, эмиттеры транзисторов 1 и 2 соединены с входами 1 1 и 12. Транзистор 3 включен в режиме ограничител  тока, причем площадь третьй о коллектора {соответственно и величина тока через него) меньше площади второго коллектора. Транзистор 2 также включен по схеме ограничител  тока. Диод 8 предотвращает попадание недопустимого отрицательного напр жени  на переход база- эмиттер транзистора 9.

Преобразователь уровн  работает следующим образом.

При подаче пр мого и инверсного сигнала с выходов ЭСЛ-элемента на эмиттер соответственно транзистора 1 и транзистора 2 возможны два варианта работы преобразовател .

В первом случае напр жение на эмиттере транзистора 1 меньше, чем

5

напр жение на эмиттере транзистора 2. В этом случае весь ток второго коллектора транзистора 3 протекает через базо-эмиттерный переход транзистора 1, а транзистор 2 заперт. Ток, задаваемый третьим.коллектором транзистора 3, течет на базу транзистора 9, который формирует на выходе 10 устройства сигнал низкого

уровн .

Если напр жение, поданное на эмиттер транзистора 2, меньше напр жени , поданного на эмиттер транзистора 1, то весь ток второго коллектора

транзистора 3 протекает через транзистор 2. Поскольку транзистор 2 включен в режиме ограничител  тока, то весь ток третьего коллектора транзистора 3 течет через первый кол лектор транзистора 2. Если учесть, что площадь третьего коллектора транзистора 3 меньше площади второго коллектора, а площади коллекторов транзистора 2 одинаковы, то транзистор 2 обеспечивает запирание транзистора 9. Идентичность токов первого и второго коллекторов транзистора 2 обеспечиваетс  за счет дополнительного тока через диод 8 в первый коллектор транзистора 2. На выходе 10 закрытого транзистора 9 имеетс  выходной сигнал высокого уровн .

Повьш1ение устойчивости преобразовател  к синфазным помехам на входах

обусловлено следующим. I

Величина отрицательного синфазного напр жени  на входах преобразовател  ограничена лишь напр же0 нием пробо  изоп. переходов коллектор- эмиттер, коллектор - коллектор, коллектор - базе транзисторов 2 и 3. Технологи  БИС позвол ет обеспечить эти напр жени  величиной свы5 ше минус 10 Б.

Величина поло :ительного синфазного Uft jcHMq напр жени  ограничиваетс  напр жением запирани  транзистора 9:

ТТ ,,9 ги«кс Uj.c«HV Sjo - кэм

,., 2мчкс

где и - максимальное напр жение

насыщени  между первым 5коллектором и эмиттером

транзистора 2.

Реально, устойчива  работа (запирание ) транзистора 9 обеспечиваетс  при напр жении, близком к нулю

0

(относительно общей шины), на эмиттере транзистора 2.

Таким образом, предлагаемый преобразователь уровн  ЭСЛ-И Л-типа обеспечивает распознавание парафазнсго сигнала от ЭСЛ-элемента при диапазоне синфазных помех от нул  до .

Преобразователь уровн  Re содержит нестандартных компонентов И Л БИС-резисторов, поэтому занимает меньшую площадь на кристалле и позвол ет упростить техпроцесс. Преобразователь может вьтолн ть следующие функции: преобразование парафаз- ного сигнала, преобразование с ин- вертированием или без него однофазного сигнала при подаче на один из входов опорного напр жени .

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Преобразователь уровн  ЭСЛ-И Л- типа, содержащий два входа, источник тока, шину питани  и три п-р-п- транзистора, коллектор первого п-р-п-транзистора соединен с базой второго п-р-п-транзистора, эмиттер которого соединен с общей шиной, а.

   коллектор  вл етс  выходом устройства , отличающийс  тем, что, с целью повьппенн  помехоустойчивости преобразовател  и сокращени  площади, занимаемой преобразователем на кристалле при интегральном исполнении, введены трехколлектор- ный р-п-р-транзистор и диод, а источник тока реализован на инжекторе , последовательно соединенном с ограничителем на п-р-п-транзисторе, причем выход источника тока соединен с ограничителем на п-р-п-транзисторе , причем выход источника тока соединен с базой и первым коллектором р-п-р-транзистора, эмиттер которого соединен с шиной питани , а второй коллектор соединен с коллектором и базой третьего п-р-п-трвн- зистора, с базой и вторым коллектором первбго п-р-п-транзистора, третий коллектор р-п-р-транзистора соединен с базой второго п-р-п-транзистора и катодом диода, анод которого соединен с общей шиной, входы преобразовател  подключены к эмиттерам первого и третьего п-г -п-тран- зистора.