JPS5936632U - GaAs回路とECL回路との間の改良されたレベル・コンバ−タ - Google Patents

GaAs回路とECL回路との間の改良されたレベル・コンバ−タ

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JPS5936632U
JPS5936632U JP1983111590U JP11159083U JPS5936632U JP S5936632 U JPS5936632 U JP S5936632U JP 1983111590 U JP1983111590 U JP 1983111590U JP 11159083 U JP11159083 U JP 11159083U JP S5936632 U JPS5936632 U JP S5936632U
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JP
Japan
Prior art keywords
gaas
level
coupled
signal input
converter
Prior art date
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Pending
Application number
JP1983111590U
Other languages
English (en)
Inventor
ステイ−ブン・アンドリユ−・ランサム
テツド・ケント・ステイツケル
Original Assignee
スペリ・コ−ポレ−シヨン
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Filing date
Publication date
Application filed by スペリ・コ−ポレ−シヨン filed Critical スペリ・コ−ポレ−シヨン
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/0185Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
    • H03K19/018507Interface arrangements
    • H03K19/018535Interface arrangements of Schottky barrier type [MESFET]
    • H03K19/018542Interface arrangements of Schottky barrier type [MESFET] with at least one differential stage
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/094Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
    • H03K19/0952Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using Schottky type FET MESFET

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図はGaAs対ECL電圧レベル・コンバータの好
適な実施例のブロック図である。第2図は、第1図に示
した好適な実施例のコンバータの回路図である。第3図
は、本考案を説明するのに用いられた典型的な従来技術
のGaAs金属半導体電界効果トランジスタ(MESF
ET)の構造の拡大断面図である。第4図は、本考案の
改良を説明するのに用いた第2図のエミュレータの更に
詳細な回路図である。第5図は、第2図の回路の各点と
関連した電圧及び電流波形を示すタイミング図である。 符号の説明、l Q ;GaAs対ECL電圧レベル・
コ、ンバータ、11:入力ライン、12ニレベル・シフ
ト及び論理回路、14:増幅器及びインバー−夕、16
:L/ベベルシフト回路網、18:差動増幅器、19:
基準電圧ライン、21:増幅器出力ライン、22:EC
Lエミュレータ、24:ゲート放電回路網、27:L、
ベル・シフト、ダイオード、T1ニブル・ダウン・トラ
ンジスタ、T2:増幅トランジスタ、T3 : t[’
流源負荷トランジスタ、T4ニブルφダウン・トランジ
スタ、29:電流制限抵抗、T5゜T6:入力トランジ
スタ、T7:制御電流源負荷トランジスタ、T8:電流
源負荷トランジスタ、T9:電流源プル・ダウン・トラ
ンジスタ、32:パラシチック・キャパシタ

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1)  GaAsレベル信号入力源と、上記信号入力
    源に結合されたGaAsレベル・シフト回路網と、 上記レベル・シフト回路網に結合された一人力を有する
    GaAs差動増幅器と、 下記差動増幅器に結合された電圧基準源と、上記差動増
    幅器の出力に結合されたエミッタ結合論理バイポーラ・
    エミッタ・フォロワ・エミュレータ回路と、を有し、 上記エミッタ結合論理エミュレータが、電流供給ブラン
    チと、高電圧レベル制御ブランチと、低電圧レベル制御
    ブランチとを有し、上記ブランチが並列に接続されてい
    る出力ステージを含登録請求の範囲第1項記載のGaA
    sレベル会コンバータ。 (3)  上記電流供給ブランチが、上記高電圧レベル
    制御ブランチと並列になったGaAs トランジス゛ 
    夕を有する、実用新案登録請求の範囲第2項記載のGa
    Asレベル・コンバータ。 (4)上記低電圧レベル制御ブランチが、上記終端抵抗
    と直列になった抵抗を有する実用新案登録請求の範囲第
    1項記載のGaAsレベル・コンバータ。 (5)上記GaAs信号入力源が、レベル・シフト及び
    論理回路と、上記レベル・シフト回路網に結合された増
    幅及びインバータ回路とを含んでいる実用新案登録請求
    の範囲第1項記載のGaAsの範囲第6項記載のGaA
    sレベノ匹コンバータ。
JP1983111590U 1982-07-21 1983-07-20 GaAs回路とECL回路との間の改良されたレベル・コンバ−タ Pending JPS5936632U (ja)

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US06/400,514 US4496856A (en) 1982-07-21 1982-07-21 GaAs to ECL level converter

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US4496856A (en) 1985-01-29

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