JPS5936632U - GaAs回路とECL回路との間の改良されたレベル・コンバ−タ - Google Patents
GaAs回路とECL回路との間の改良されたレベル・コンバ−タInfo
- Publication number
- JPS5936632U JPS5936632U JP1983111590U JP11159083U JPS5936632U JP S5936632 U JPS5936632 U JP S5936632U JP 1983111590 U JP1983111590 U JP 1983111590U JP 11159083 U JP11159083 U JP 11159083U JP S5936632 U JPS5936632 U JP S5936632U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gaas
- level
- coupled
- signal input
- converter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0175—Coupling arrangements; Interface arrangements
- H03K19/0185—Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
- H03K19/018507—Interface arrangements
- H03K19/018535—Interface arrangements of Schottky barrier type [MESFET]
- H03K19/018542—Interface arrangements of Schottky barrier type [MESFET] with at least one differential stage
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
- H03K19/094—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
- H03K19/0952—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using Schottky type FET MESFET
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図はGaAs対ECL電圧レベル・コンバータの好
適な実施例のブロック図である。第2図は、第1図に示
した好適な実施例のコンバータの回路図である。第3図
は、本考案を説明するのに用いられた典型的な従来技術
のGaAs金属半導体電界効果トランジスタ(MESF
ET)の構造の拡大断面図である。第4図は、本考案の
改良を説明するのに用いた第2図のエミュレータの更に
詳細な回路図である。第5図は、第2図の回路の各点と
関連した電圧及び電流波形を示すタイミング図である。 符号の説明、l Q ;GaAs対ECL電圧レベル・
コ、ンバータ、11:入力ライン、12ニレベル・シフ
ト及び論理回路、14:増幅器及びインバー−夕、16
:L/ベベルシフト回路網、18:差動増幅器、19:
基準電圧ライン、21:増幅器出力ライン、22:EC
Lエミュレータ、24:ゲート放電回路網、27:L、
ベル・シフト、ダイオード、T1ニブル・ダウン・トラ
ンジスタ、T2:増幅トランジスタ、T3 : t[’
流源負荷トランジスタ、T4ニブルφダウン・トランジ
スタ、29:電流制限抵抗、T5゜T6:入力トランジ
スタ、T7:制御電流源負荷トランジスタ、T8:電流
源負荷トランジスタ、T9:電流源プル・ダウン・トラ
ンジスタ、32:パラシチック・キャパシタ
適な実施例のブロック図である。第2図は、第1図に示
した好適な実施例のコンバータの回路図である。第3図
は、本考案を説明するのに用いられた典型的な従来技術
のGaAs金属半導体電界効果トランジスタ(MESF
ET)の構造の拡大断面図である。第4図は、本考案の
改良を説明するのに用いた第2図のエミュレータの更に
詳細な回路図である。第5図は、第2図の回路の各点と
関連した電圧及び電流波形を示すタイミング図である。 符号の説明、l Q ;GaAs対ECL電圧レベル・
コ、ンバータ、11:入力ライン、12ニレベル・シフ
ト及び論理回路、14:増幅器及びインバー−夕、16
:L/ベベルシフト回路網、18:差動増幅器、19:
基準電圧ライン、21:増幅器出力ライン、22:EC
Lエミュレータ、24:ゲート放電回路網、27:L、
ベル・シフト、ダイオード、T1ニブル・ダウン・トラ
ンジスタ、T2:増幅トランジスタ、T3 : t[’
流源負荷トランジスタ、T4ニブルφダウン・トランジ
スタ、29:電流制限抵抗、T5゜T6:入力トランジ
スタ、T7:制御電流源負荷トランジスタ、T8:電流
源負荷トランジスタ、T9:電流源プル・ダウン・トラ
ンジスタ、32:パラシチック・キャパシタ
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) GaAsレベル信号入力源と、上記信号入力
源に結合されたGaAsレベル・シフト回路網と、 上記レベル・シフト回路網に結合された一人力を有する
GaAs差動増幅器と、 下記差動増幅器に結合された電圧基準源と、上記差動増
幅器の出力に結合されたエミッタ結合論理バイポーラ・
エミッタ・フォロワ・エミュレータ回路と、を有し、 上記エミッタ結合論理エミュレータが、電流供給ブラン
チと、高電圧レベル制御ブランチと、低電圧レベル制御
ブランチとを有し、上記ブランチが並列に接続されてい
る出力ステージを含登録請求の範囲第1項記載のGaA
sレベル会コンバータ。 (3) 上記電流供給ブランチが、上記高電圧レベル
制御ブランチと並列になったGaAs トランジス゛
夕を有する、実用新案登録請求の範囲第2項記載のGa
Asレベル・コンバータ。 (4)上記低電圧レベル制御ブランチが、上記終端抵抗
と直列になった抵抗を有する実用新案登録請求の範囲第
1項記載のGaAsレベル・コンバータ。 (5)上記GaAs信号入力源が、レベル・シフト及び
論理回路と、上記レベル・シフト回路網に結合された増
幅及びインバータ回路とを含んでいる実用新案登録請求
の範囲第1項記載のGaAsの範囲第6項記載のGaA
sレベノ匹コンバータ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US400514 | 1982-07-21 | ||
| US06/400,514 US4496856A (en) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | GaAs to ECL level converter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5936632U true JPS5936632U (ja) | 1984-03-07 |
Family
ID=23583918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1983111590U Pending JPS5936632U (ja) | 1982-07-21 | 1983-07-20 | GaAs回路とECL回路との間の改良されたレベル・コンバ−タ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4496856A (ja) |
| JP (1) | JPS5936632U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0380711A (ja) * | 1989-08-24 | 1991-04-05 | Nec Corp | 半導体レベル変換装置 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5999819A (ja) * | 1982-11-27 | 1984-06-08 | Hitachi Ltd | 入力インタ−フエイス回路 |
| US4743782A (en) * | 1984-11-09 | 1988-05-10 | Honeywell Inc. | GaAs level-shift logic interface circuit |
| US5293085A (en) * | 1985-04-29 | 1994-03-08 | Rockwell International Corporation | GaAs driver circuit |
| EP0200230B1 (en) * | 1985-05-02 | 1991-09-04 | Nec Corporation | Logic integrated circuit device formed on compound semiconductor substrate |
| FR2594610A1 (fr) * | 1986-02-18 | 1987-08-21 | Labo Electronique Physique | Dispositif semiconducteur du type reseau de portes prediffuse pour circuits a la demande |
| US4965863A (en) * | 1987-10-02 | 1990-10-23 | Cray Computer Corporation | Gallium arsenide depletion made MESFIT logic cell |
| US4831284A (en) * | 1988-03-22 | 1989-05-16 | International Business Machines Corporation | Two level differential current switch MESFET logic |
| DE3854155T2 (de) * | 1988-04-29 | 1996-02-29 | Ibm | GaAs-Mesfet-Logik-Schaltungen mit Gegentakt-Ausgangspufferschaltungen. |
| US4888501A (en) * | 1988-10-19 | 1989-12-19 | Ncr Corporation | ECL to CMOS converter |
| US5043605A (en) * | 1989-06-26 | 1991-08-27 | At&T Bell Laboratories | CMOS to ECL output buffer |
| JPH03270319A (ja) * | 1990-03-19 | 1991-12-02 | Fujitsu Ltd | レベル変換回路 |
| US7688110B2 (en) * | 2008-01-07 | 2010-03-30 | Honeywell International, Inc. | System for providing a complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) emitter coupled logic (ECL) equivalent input/output (I/O) circuit |
| US7965118B2 (en) * | 2008-07-11 | 2011-06-21 | Honeywell International Inc. | Method and apparatus for achieving 50% duty cycle on the output VCO of a phased locked loop |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4410815A (en) * | 1981-09-24 | 1983-10-18 | Sperry Corporation | Gallium arsenide to emitter coupled logic level converter |
-
1982
- 1982-07-21 US US06/400,514 patent/US4496856A/en not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-07-20 JP JP1983111590U patent/JPS5936632U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0380711A (ja) * | 1989-08-24 | 1991-04-05 | Nec Corp | 半導体レベル変換装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4496856A (en) | 1985-01-29 |
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