SU1283881A1 - Method of manufacturing waveguide units - Google Patents
Method of manufacturing waveguide units Download PDFInfo
- Publication number
- SU1283881A1 SU1283881A1 SU853881881A SU3881881A SU1283881A1 SU 1283881 A1 SU1283881 A1 SU 1283881A1 SU 853881881 A SU853881881 A SU 853881881A SU 3881881 A SU3881881 A SU 3881881A SU 1283881 A1 SU1283881 A1 SU 1283881A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- mandrel
- solvent
- temperature
- dissolution
- conductive layer
- Prior art date
Links
Landscapes
- Waveguides (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к технологии изготовлени волноводйых, узлов методом гальванопластики. Цель изобретени - сокращение времени изготовлени волноводчых узлов - достигаетс тем, что нагревают участок оправки, контактирующий с растворителем, до т-ры, превьшающей т-ру растворител . Устр-во, реализующее данный способ, состоит из ванны 1, заполненной растворителем 2, сквозь отверстие в стенке ванны 1 внутрь ее герметично введена оправка 3, на к-рой нанесен провод щий слой 4. Торец оправки 3, помещенный в растворитель 2, освобожден от провод щего сло 4. На др. торце оправки 3 установлен теплоэлектрона- греватель 5. 1 ил. с (ОThis invention relates to a waveguide fabrication technique, by electroforming. The purpose of the invention is to reduce the time of manufacture of waveguide assemblies, which is achieved by heating a portion of the mandrel in contact with the solvent, to a temperature that exceeds the solvent. The device that implements this method consists of a bath 1 filled with solvent 2, through the hole in the wall of bath 1, the mandrel 3 is hermetically inserted into it, a conductive layer 4 is applied on the end of the mandrel 3 placed in the solvent 2, released from the conductive layer 4. At the other end of the mandrel 3 there is a heat-electron-heater 5. 5 Il. c (o
Description
ND 00 ND 00
00 0000 00
Изобретение относитс к техноло1 ии изготовлени волноводных узлов методом гальванопластики. : Цель изобретени Сокращение времени изготовлени волноводных узлов. 5The invention relates to a technology for fabricating waveguide assemblies by electroforming. : Purpose of the Invention Reducing the time of manufacture of waveguide nodes. five
На чертеже изображено устройство, реализующее предлагаемый способ дл растворени оправки.The drawing shows a device that implements the proposed method for dissolving the mandrel.
Устройство дл растворени оправки состоит из ванны 1, заполненной раст- О ворителем 2, Сквозь отверстие в стенке ванны 1 внутрь ванны герметично введена оправка 3, на которой нанесен провод щий слой 4. Торец оправки 3, помещенный в растворитель 2, освобож- ден от провод щего сло 4. На другом торде оправки 3 устг1новлен теплоэлек- тронагреватель 5.The device for dissolving the mandrel consists of a bath 1 filled with a solvent 2, a mandrel 3 is sealed through a hole in the wall of bath 1 into the bath, on which conductive layer 4 is applied. The end of mandrel 3 placed in solvent 2 is freed from of the conductive layer 4. On another tord of the mandrel 3, a heat-electric heater 5 is installed.
Способ осуществл ют следующим образом .The method is carried out as follows.
На оправку 3 электролитическим осаждением наноситс провод щий слой 4. Затем провод щий слой 4 удал етс с одного из торцов механическим путем . Полученна таким образом заготовка помещаетс своим , свободным от провод щего сло 4,внутрь ван- ны 1 через отверстие в стенке ванны 1. Выступающий за пределы ванны 1 торец заготовки нагреваетс теплоэлек- тронагревателем 5. Ванна 1 наполнена растворителем 2. За счет нагрева с помощью теплоэлектронагревател 5 участок оправки 3, контактирующий сA conductive layer 4 is applied onto the mandrel by electrolytic deposition. Then the conductive layer 4 is removed from one of the ends by mechanical means. The preform obtained in this way is placed with its own, free from conductive layer 4, inside the bath 1 through an opening in the wall of the bath 1. Extending beyond the bath 1, the end of the preform is heated by a heat electric heater 5. Bath 1 is filled with solvent 2. Due to the heater 5 section of the mandrel 3 in contact with
2020
2525
30thirty
пературы превьшшющей температуру растворител 2. Дл достижени максимальной скорости растворени температура сло растворител 2, контактирующего с нагретой оправкой 1, доводитс до кипени . Остальна масса растворител 2 при этом имеет температуру близкую к температуре окружающей среды. В результате экспериментов было установлено, что подобные услови растворени позвол ют получить максимальную скорость растворени по периметру сечени оправки 3 на границе с провод щим слоем 4, что приводит к увеличению площади взаимодействи растворител 2 с материалом оправки 3, протравливанию оправки 3 на всю глубину и выпадению оправки 3 до ее полного растворени , чем и объ сн етс сокращение времени растворени и, следовательно, времени изготовлени волноводных узлов.The temperature exceeds the solvent temperature 2. In order to achieve the maximum dissolution rate, the temperature of the solvent layer 2, in contact with the heated mandrel 1, is brought to a boil. The remaining mass of solvent 2 at the same time has a temperature close to the ambient temperature. As a result of experiments, it was found that such dissolution conditions allow to obtain the maximum dissolution rate around the perimeter of the cross section of the mandrel 3 at the interface with the conductive layer 4, which leads to an increase in the interaction area of the solvent 2 with the mandrel material 3, etching the mandrel 3 to the full depth and precipitation the mandrel 3 to its complete dissolution, which explains the reduction of the time of dissolution and, consequently, the time of manufacture of waveguide assemblies.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853881881A SU1283881A1 (en) | 1985-04-08 | 1985-04-08 | Method of manufacturing waveguide units |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853881881A SU1283881A1 (en) | 1985-04-08 | 1985-04-08 | Method of manufacturing waveguide units |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1283881A1 true SU1283881A1 (en) | 1987-01-15 |
Family
ID=21172265
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU853881881A SU1283881A1 (en) | 1985-04-08 | 1985-04-08 | Method of manufacturing waveguide units |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1283881A1 (en) |
-
1985
- 1985-04-08 SU SU853881881A patent/SU1283881A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР № 363269, кл. Н 01 Р 11/00, 1968. Авторское свидетельство СССР № 658634, кл. Н 01 Р 11/00, 1977. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS5712533A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
SU1283881A1 (en) | Method of manufacturing waveguide units | |
US3141753A (en) | Process of making glass-to-metal seals | |
JPS6484644A (en) | Manufacture of semiconductor element | |
EP1083594A3 (en) | Fired body for and manufacture of a substrate | |
JPS5577145A (en) | Annealing furnace | |
KR880005954A (en) | Molding method of electrolytic aluminum oxide plate | |
KR920000225B1 (en) | Ceramic condenser manufacture method | |
JPS5586049A (en) | Shadow mask frame structure and its manufacturing method | |
JPH07183118A (en) | Connection of wire material for superconducting magnet | |
KR970023598A (en) | Field emission micro-tip and its manufacturing method | |
JPS64716Y2 (en) | ||
FR2655229B1 (en) | ELECTRIC HEATER, ESPECIALLY FOR CORROSIVE LIQUID BATHS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME. | |
JPS5559718A (en) | Producing method of semiconductor unit | |
JPS6447038A (en) | Junction structure | |
JPS649601A (en) | Manufacture of thin film platinum temperature sensor | |
KR200143910Y1 (en) | Cooling system | |
KR960015942A (en) | Manufacturing Method of MMIC Substrate Using Porous Silicon | |
SU1656612A1 (en) | Method of manufacture of waveguides | |
JPS56112723A (en) | Manufacture of compound semiconductor crystal | |
KR200173336Y1 (en) | A circuit wire for semiconductor | |
JPS5327376A (en) | Forming method of high resistanc e layer | |
JPS5576537A (en) | Directly-heated composite cathode structure and manufacturing method thereof | |
JPS5772350A (en) | Fabrication of semiconductor device | |
JPH01180998A (en) | Selective anodic oxidation method |