SU1238157A1 - Полупроводниковое запоминающее устройство - Google Patents

Полупроводниковое запоминающее устройство Download PDF

Info

Publication number
SU1238157A1
SU1238157A1 SU843720856A SU3720856A SU1238157A1 SU 1238157 A1 SU1238157 A1 SU 1238157A1 SU 843720856 A SU843720856 A SU 843720856A SU 3720856 A SU3720856 A SU 3720856A SU 1238157 A1 SU1238157 A1 SU 1238157A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
inputs
information
outputs
control
input
Prior art date
Application number
SU843720856A
Other languages
English (en)
Inventor
Борис Викторович Барашенков
Галина Викторовна Павлова
Original Assignee
Организация П/Я Х-5263
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Организация П/Я Х-5263 filed Critical Организация П/Я Х-5263
Priority to SU843720856A priority Critical patent/SU1238157A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1238157A1 publication Critical patent/SU1238157A1/ru

Links

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к вычислительной технике, в частности к области запоминающих устройств, и может быть использовано при построении микроЭВМ, имеющих в своем составе оперативное и посто нное запоминающее устройство. Цель изобретени  - упрощение устройства. Устройство содержит матричный накопитель, состо щий из элементов оперативной пам ти и элементов посто нной пам ти, каждый из которых выполнен на одном переключающем транзисторе. Программирование элемента посто нной пам ти осуществл етс  либо размыканием заранее установленной (на стадии изготовлени  устройства) провод щей перемычки, соедин ющей сток и исток соответствующего транзистора, либо установкой этой перемычки (в процессе программировани ). Наличие указанной перемычки соответствует, например, записи единицы. 1 ил. и ьо 00 00 ел

Description

Изобретение относитс  к вычислительной технике, в частности к области запоминающих устройств, и может быть использовано при построении микроЭВМ, имеющих в своем составе оперативное и посто нное запоминающие устройства.
Цель изобретени  - упрощение устройства .
На чертеже изображена структурна  схема полупроводникового запоминающего устройства.
Устройство содержит матричный накопитель 1, содержащий элементы 2 оперативной пам ти, состо щие из триггеров 3, первых 4 и вторых 5 переключающих транзисторов, и элементы посто нной пам ти , выполненные на переключающих транзисторах 6, формировател  7 записи, дещиф- раторы строк 8 и столбцов 9, блоки 10 местного управлени , состо щие из ключевых транзисторов 11 -14, и ключи 15.
На чертеже показаны также адресные входы 16 и 17, информационный вход 18, информационный выход 19, управл ющий вход 20 устройства. Триггер 3 состоит из первого 21 и второго 22 нагрузочных транзисторов и первого 23 и второго 24 управл ющих транзисторов.
Устройство работает в четырех режимах: запись, считывание оперативной информации , считывание посто нной информации, хранение информации.
Оперативна  информаци  хранитс  в триггере 3 элемента 2. Хранение оперативной информации обеспечиваетс  устойчивостью состо ни  триггера 3 при поступле- Е1ИИ на него напр жени  питани . Посто нна  информаци  определ етс  транзистором 6. Программирование достигаетс , например, размыканием заранее предусмотренных провод щих перемычек, соедин ющих сток и исток этого транзистора (или их установкой). Занесение в элемент посто нной пам ти единицы (нул ) информации соответствует наличию (отсутствию) провод щих перемычек между стоком и истоком транзистора 6. Оперативна  и посто нна  информаци  хранитс  в накопителе 1 независимо друг от друга. При обращении к оперативной информации на управл ющий вход устройства 20 подаетс  сигнал «1, а при обращении к посто нной информации - сигнал «О.
В режиме записи оперативной информации на информационный вход 18 и адресные входы 16 и 17 подаетс  код числа и код адреса элемента 2, в который она должна быть записана.
Код адреса поступает в дешифраторы 8 и 9, происходит выборка строки и выборка столбца накопител  1, при этом транзисторы 4 и 5 открыты сигналом «1 на затворах, так как открыт транзистор 6 сигналом 1 на управл ющем входе 20. В зависимости от парафазного сигнала на выходе формировател  7 на пр мой и инверсной
шинах выбранного столбца устанавливаютс  соответствующие логические сигналы. Триггер 3 элемента 2 принимает состо ние , соответствующее значению информации на информационном входе 18.
В режиме считывани  оперативной информации состо ние шин столбцов определ етс  состо нием выбранного элемента 2, когда открыты транзисторы 4 и 5 и транзистор 6. Транзистор 13 блока 10 открыт сигналом на входе 20. Информаци  с выхода блока 10 через ключ 15 выбранного столбца поступает на информационный выход 19 устройства.
В режиме считывани  посто нной информации транзистор 6 закрыт сигналом
5 «о на управл ющем входе 20. Состо ние пр мой и инверсной шин выбранного столбца и соответственно сигналов на затворах транзисторов 12 и 14 блока 10 определ етс  отсутствием или наличием перемычек
Q (перемычки не показаны). При наличии перемычек на щинах столбца в момент выборки устанавливаетс  парафазна  информаци , при отсутствии перемычек состо ние щин столбцов и сигналы на затворах транзисторов 12 и 14 определ ютс  равными
5 потенциалами, определ емыми формировател ми 7, транзистор 13 закрыт сигналом «О на входе 20. При парафазной информации на затворах транзисторов 12 и 14 блока 10 на его выходе образуетс  сигнал «1, а при равных (высоких) потенциа0 лах - сигнал «О, который через ключ 15 выбранного столбца поступает на информационный выход 19.

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Полупроводниковое запоминающее устройство , содержащее дещИфратор строк, дешифратор столбцов, формирователи записи , ключи, блоки местного управлени  и матричный накопитель, содержащий элемен- 0 ты оперативной пам ти, каждый из которых состоит из триггера и переключающих транзисторов, и элементы посто нной пам ти , каждый из которых выполнен на переключающем транзисторе, причем стоки первого и второго переключающих транзисто- 5 ров элементов оперативной пам ти каждого столбца соединены с одними из входов соответствующего блока местного управлени  и с выходами соответствующего формировател  записи, информационные входы формирователей записи  вл ютс  информационо ным входом устройства, а управл ющие входы соединены с выходами дешифратора столбцов, входы которого  вл ютс  одними из адресных входов устройства, другими адресными входами которого  вл ютс  вхо- ды дешифратора строк, затворы переключающих транзисторов элементов посто нной пам ти и другие входы блоков местного управлени   вл ютс  управл ющим входом устройства, выход каждого блока местного
    управлени  соединен с одним из входов соответствующего ключа, другой вход которого и управл ющий вход соответствующего формировател  записи подключены к соответствующим выходам дещифратора столбцов , выходы всех ключей  вл ютс  информационным выходом устройства, отличающеес  тем, что, с целью упрощени  устройства , в нем истоки первого и второго переключающих транзисторов каждого элемента оперативной пам ти соединены с пр мым и инверсным выходами соответствующего триггера , затворы подключены к стоку переключающего элемента посто нной пам ти, исток которого св зан с соответствующим выходом дешифратора строк.
    J9
SU843720856A 1984-04-04 1984-04-04 Полупроводниковое запоминающее устройство SU1238157A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843720856A SU1238157A1 (ru) 1984-04-04 1984-04-04 Полупроводниковое запоминающее устройство

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843720856A SU1238157A1 (ru) 1984-04-04 1984-04-04 Полупроводниковое запоминающее устройство

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1238157A1 true SU1238157A1 (ru) 1986-06-15

Family

ID=21111339

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU843720856A SU1238157A1 (ru) 1984-04-04 1984-04-04 Полупроводниковое запоминающее устройство

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1238157A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Горн Л. С., Хазанов Б. И. Элементы микромощных цифровых устройств, М.: Атомиздат, 1980, с. 33-37. Авторское свидетельство СССР № 1142861, кл. G 11 С 11/40, 1983. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5796660A (en) Memory device and serial-parallel data transform circuit
EP0708968A1 (en) Non-volatile memory
SU654197A3 (ru) Полупроводниковое запоминающее устройство
JPS61160898A (ja) 半導体記憶装置
US3638039A (en) Operation of field-effect transistor circuits having substantial distributed capacitance
JPS5979487A (ja) デコ−ダ回路
SU1238157A1 (ru) Полупроводниковое запоминающее устройство
US4333166A (en) Semiconductor memory circuits
JPH0378713B2 (ru)
US4488264A (en) Transistor storage
SU1142861A1 (ru) Полупроводниковое запоминающее устройство
SU1278978A1 (ru) Посто нное запоминающее устройство с перезаписью информации
SU1474738A1 (ru) Запоминающее устройство
SU871656A1 (ru) Запоминающий элемент
SU720509A1 (ru) Запоминающее устройство
RU1378681C (ru) Матричный накопитель на мдп-транзисторах с изменяемым пороговым включением
SU1200333A1 (ru) Формирователь записисчитывания на мдп-транзисторах
SU1465911A1 (ru) Запоминающее устройство
JP2692695B2 (ja) スタティックram
SU903981A1 (ru) Запоминающее устройство
SU739643A1 (ru) Усилитель записи-считывани дл запоминающего устройства на дополн ющих мдп-транзисторах
JP2621596B2 (ja) 半導体記憶装置
SU1451773A1 (ru) Ассоциативно-адресное оперативное запоминающее устройство
SU1109804A1 (ru) Запоминающее устройство
SU1365129A1 (ru) Запоминающее устройство на МОП-транзисторах