SU1226210A1 - Устройство дл исследовани совершенства структуры монокристаллических слоев - Google Patents

Устройство дл исследовани совершенства структуры монокристаллических слоев Download PDF

Info

Publication number
SU1226210A1
SU1226210A1 SU843792952A SU3792952A SU1226210A1 SU 1226210 A1 SU1226210 A1 SU 1226210A1 SU 843792952 A SU843792952 A SU 843792952A SU 3792952 A SU3792952 A SU 3792952A SU 1226210 A1 SU1226210 A1 SU 1226210A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
detector
crystal
ray
chamber
analyzer
Prior art date
Application number
SU843792952A
Other languages
English (en)
Inventor
Альберт Георгиевич Денисов
Игорь Аркадьевич Зельцер
Михаил Валентинович Ковальчук
Римма Сергеевна Сеничкина
Юрий Николаевич Шилин
Original Assignee
Предприятие П/Я В-8754
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-8754 filed Critical Предприятие П/Я В-8754
Priority to SU843792952A priority Critical patent/SU1226210A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1226210A1 publication Critical patent/SU1226210A1/ru

Links

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к аппаратуре дл  анализа тонких монокристаллических слоев методом возбуждени  вторичной эмиссии исследуемого сло  в услови х дифракции рентгеновского излучени . Целью изобретени   вл етс  расширение диапазона и повышение точности исследовани . В устройстве реализована трехкристальна  схема рентгеновского спектрометра, первый и второй кристаллы-монохро- маторы которого установлены на парал- лельных направл ющих и вынесены за пределы вакуумного объема камеры дл  исследовани . Анализатор знергии электронов, детектор злектронов и детектор рентгеновского излучени  расположены внутри вакуумного объема камеры. Такое расположение детектора рентгеновского излучени  и применение параллельных направл ющих позволило избежать кольцевых окон в вакуумной камере и при использовании в качестве детектора рентгеновского излучени  полупроводникового кремний- литиевого детектора обеспечить регистрацию флуоресценции от легких, средних и т желых элементов с высокой эффективностью. 2 ил. Q to с ь | |

Description

Изобретение относитс  к аппарату дл  анализа тонких монокристаллических слоев методом возбуждени  вториной эмиссии из исследуемого сло  с помощью рентгеновского излучени  и предназначено дл  измерени  в услови х дифракции рентгеновских лучей, интенсивности выхода вторичной эмиссии (электронов, флуоресценции) как функции энергии эмитируемых частиц и угла поворота исследуемого кристалла , а также угловой зависимости интенсивности рентгеновского отражени  от указанного кристалла и определени  на основе анализа полу- ченных данных профил  распределени  структурных нарушений по глубине поверхностного сло  исследуемого кристалла.
Целью изобретени   вл етс  рас- ширение диапазона и повышение точности исследовани .
Б предлагаемом устройстве реализована трехкристальна  схема рентгеновской дифракции, ч го позвол ет формировать пучок рентгеновского из лучени , падающий на исследуемый кристалл, с угловой расходимостью в плоскости падени  в пределах 0,1- 0,04 усл.с и спектральным разрешени ем А. При этом первый и второй кристаплы-монохроматоры установлены на параллельных направл ющих и вынесены за пределы вакуумног объема камеры, в котором расположе- ны исследуемый кристалл, анализатор энергии электронов, детектор электронов , детектор рентгеновского излучени  в положени х, необходимых дл  регистрации эмитируемых элек- троновj дифрагированного и флуоресцентного рентгеновского излучени 
от исследуемого кристалла. I
Такое расположение детектора ренгеновского излучени  и применение параллельных направл ющих в двух- кристалльном монохроматоре позвол ет избежать применени  кольцевых окон в вакуумной камере и обеспечить при использовании в качестве детектора рентгеновского излучени  полупроводникового кремн1й- литиевого детектора регистрацию фтгуоресценции от легких, средних и т желых элементов с высокой ин- тенсивностью счета, а также избежат применени  устройств независимого углового поворота указанного детек102
гора относительно оси поворота кристалла-анализатора и устройства ввода перемещений в вакуумный объем камеры дл  управлени  указанным устройством углового поворота.
На фиг. 1 дана рентгенооптичес- ка  схема устройства; на фиг. 2 - конструкци  устройства.
В состав предлагаемого устройства вход т устройство 1 формировани  рентгеновского пучка, измерителное 2 и загрузочно-шлюзовое 3 устройства .
Устройство 1 формировани  рентгеновского пучка содержит источник 4 рентгеновского излучени , колли- маторные щелевые диаграфмы 5 и 6,, крист.аплы-монохроматоры 7 и 8, установленные на держател х кристаллов гониометров 9 и 10, позвол ющих производить грубую и плавную установки держател  кристалла соответственно в широком и узком угловых интервалах с последующей фиксацией в заданных положени х, а также производить возвратно-поступательные и наклонные перемещени  держател  кристалла.
Кроме того, устройство 1 формировани  рентгеновского пучка содержит детекторы П и 2 рентгеновского излучени , щелевые диафрагмы 13 и 4з снабженные соответственно устройствами 15 и 16 возвратно-поступательны перемещений относительно входных поверхностей указанных детекторов 11 и 12.
Детекторы 11 и 12 снабжены устройствами: 17 и 18 независимого поворота относительно осей поворота соответственно 0(, и О 2 5 совпадающих с ос ми Of и Og поворотов кристаллов 7 и 8, Источник 4, коллиматорна  щелева  диафрагма 3, ограничивающа  пучок от указанного источника, гониометр 9 первого кристалла-монохромато ра 7 установлены на пр молинейной направл ющей 19 с осью , а гониометр 10 второго кристалла-моно- хроматора 8р коллиматорна  щелева  диафрагма, ограничивающа  пучок, дифрагированный кристаллом 8., установлены на пр молинейной направл ющей 20 с осью ,. выставленной параллельно направл ющей 19.
Дл  перемещени  источника 4,, кол- лиматорны5с щелевьгх диафрагм 5 и 6 парашлельно или перпендикул рно ос м соответстЕ13тощих направл юп1;их служат
устройства 21-23 перемещений соответственно , а дл  перемещени  гониометров 9 и 10 вдоль направл ющих 19 и 20 служат, соответственно устройства 24 и 25 перемещений.
Устройство 1 благодар  устройств 26 перемещени  может перемещатьс  в направлении, перпендикул рном направлению распространени  рентгеновского пучка.
Измерительное устройство 2 представл ет собой вакуумную камеру 27, в центре которой расположен кристалл-анализатор 28, установленный на держателе гониометра 29.
Держатель гониометра 29 кинематически жестко св зан с установочной платформой 30, на которой установ- лены анализатор 31 энергий электронов с детектором 32 электронов. Оп- тическа  ось анализатора 31 проходит через центр вращен-и  кристалла-анализатора 28. В направлении распространени  дифрагированного рентгеновского излучени  расположен детектор 33 р ёнтеновского излучени , закрепленный на установочной платформе 30 Детектор 33 располагаетс  так, чтобы перекрьшать сектор, минимальное значение которого составл ет около АО
Кроме того, устройство содержит входное 34 и выходное 35 окна дл  рентгеновского излучени , выполненные плоскими, диаметром не более 20 мм.
Дл  управлени  гониометром 29 камера 27 снабжена устройством 36 ввода перемещений, а дл  настройки спектрометра предусмотрен детектор 37 рентгеновского излучени  с щеле- вой диафрагмой 38, котора  благодар  устройству 39 перемещени  может смещатьс  вдоль входной поверхности детектора 37.i.
Окна 34 и 35, ось вращени  крис- талла-анализатора 28 и детектора 37 лежат на одной пр мой .
Гониометр 29 позвол ет дополнительно , по сравнению с гониометрами 9 и 10, производить очень тонкие перемещени  кристалла в более узком интервале углов. Управление гониометром 29 осуществл етс  с помощью устройства 26 ввода перемещений за пределами вакуумного объема камеры 27 без нарушени  вакуумных условий в последней. Средства откачки (не обозначены ) рассчитаны на поддержание
5
О
5
0 5 О
5
5
давлени  в камере 27 не хуже
1О hiM рт .ст .
Загрузочно-шлюзовое устройство 3 содержит шлюзовую камеру 40, за- грузочно-передающий манипул тор 41, устройство 42 перемещени  указанного манипул тора, высоковакуумный затвор 43.
Устройство работает следующим образом .
Сформированный устройством 1 рентгеновский пучок попадает в измерительное устройство 2 на кристалл- анализатор 28, который при очень точном контроле за углом поворачиваетс , проход  через положение, соответствующее углу Брэгга. Рентгеновское излучение, дифрагированное и флуоресцированное кристаллом-анализатором 28, регистрируетс  детектором 33, а электроны, эмиттируемые кристаллом-анализатором 28, регистрируютс  детектором 32, установленным позади анализатора 31 энергии.
Замена исследуемого кристалла производитс  без нарушений вакуумных условий в измерительном устройстве
2с помощью загрузочно-шлюзового устройства 3.
Цикл исследовани  заключаетс  в том, что сначала производ т юстировку устройства 1 формировани  рентгеновского пучка. Дл  этого перемещают источник 4 излучени , коллиматорные . щелевые диафрагмы 5, щелевые диафрагмы 13, кристалл-1«1онохроматор 7 перпендикул рно оси направл ющей 19 с помощью соответствующих устройств 21, 22, 15 и 9 перемещени . Кроме того, производ т повороты кристалла- монохроматора 7, детектора 11 вокруг совмещенных осей ,, с помощью соответствующих гониометра 9 и устройства 17 поворота. Этим добиваютс , чтобы фокус рентгеновской трубки источника 4, центр коллиматорной щелевой диафрагмы 5, осей ,1 , центр щелевой диафрагмы 13 лежали на оси Н,-Hj направл ющей 19. После этого устройством 17 разворачивают вокруг оси 0, детектор 1 1 против часовой стрелки на угол 20 (б/цг Угол Брэгга) , а кристалл-ионохроматор 7 с помощью гониометра 9 разворачивают вокруг оси Of против часовой стрелки на угол и, плавно враща  и покачива  его, ввод т в отражающее положение , при этом дифрагированный
кристаллом 7 луч фиксируетс  детектором i .
Затем первый кристалл-монохрома- тор 7 фиксируют с помощью гониомет- ра 9 в отражающем положении, а детектор 11 возвращают в исходное положение . После этого, осуществл   перемещение гониометра 10 вдоль направл ющей 20, возвратно-поступа- тельные пе-р-емещени  и повороты крис талла-монохроматора 8 и щелевой диафрагмы 4, а также угловые повороты детектора 12, добиваютс , чтобы рентгеновский луч, дифрагированный первым кристаллом-монохроматором 7, проходил через оси 0 и Og вращени  первого и второго кристаллов-моно- хроматоров и центр щелевой диафрагмы 14. Затем устройством 18 разво- рачивают вокруг оси детектор 12 по часовой стрелке на угол 26 (,) относительно исходн бго положени  указ.анного детектора 12, а кристалл-монохроматор -8 с помощью гониометра 10 разворачивают вокруг оси Og по часовой стрелке на угол в,„и, плавно враща  и покачива  кристалл 8, вьшод т его э отраж иоще положение, при этом дифрагированный кристаллом-монохроматором 8 луч фиксируетс  детектором 12. Затем второй кристалл-монохроматор 8 фиксируют с помощью гониометра 10 в отражающем положении, а детектор 12 устройством 18 поворота возвращают в исходное положение.
Таким образом, луч, сформированный устройством 1, проходив вдоль оси направл ющей 20. На этом юстирование устройства 1 формировани  рентгеновского пучка завершено. Далее производ т юстирование измерительного устройства 2. Дл  этого, перемеща  устройством 26 переме- щени  рентгеновский пучок, выход щи иэ устройства 1 формировани , добиваютс , чтобы он фиксировалс  детектором 37, после чего устройством 23 перемещени  добиваютс , чтобы этот пучок проходил через центр коллима- торной щелевой диафрагмы 6.
Затем, перемеща  устройством 26 перемещени  рентгеновский пучок, сформированный устройством I, перпе дикул рно оси камеры 27, а также соверша  возвратно-поступательные движени  кристаллом-анализатором 28 и щелевой диафрагмой 38 в направлении, перпендикул рном оси .j. камеры 27, с помощью соответственно гониометра 29 и устройства 39 и враща  кристалл 28 с помощью гониометра 29, добиваютс , чтобы оси Од и 5 центр щелевой диафрагмы 38 лежали на одной пр мой . На этом юстировка спектрометра закончена ,
С помощью средств откачки добиваютс  рабочего давлени  в вакуумной камере 27 (10 мм рт.ст. и ниже После этого с помощью устройства ,36 ввода перемещений и гониометра 29 разворачивают исследуемый кристалл-анализатор 28 на угол Брэгга 0g и, плавно враща  и покачива  его, по углу устанавливают в отражающее положение, при этом дифрагированный исследуемым кристаллом-анализатором 28 луч фиксируетс  детектором 33. Затем в соответствии с заданным диапазоном углового сканировани  А , кристалл разворачивают с помощью устройства 36 ввода перемещений и гониометра 29 в направлении, противоположном направлению последующего углового сканировани  на угол / , относительно, исходного положени , I.
После чего исследуемый кристалл- анализатор 28 при точном контроле за углом поворачиваетс  с помощью установочной платформы 30 и гониометра 29,, проход  через положение, соответствующее углу Брэгга. Рентгеновское излучение, дифрагированное и флуоресцированное кристаллом-анализатором 28, регистрируетс  детектором 33,, а электроны, эмитируемые кристаллом 28 под воздействием рентгеновского излучени , регистрируютс  детектором 32, установленным позади анализатора 31 энергии.
Дл : замены образца в шлюзовой камере 40 получают такое же давление, что и в измерительной камере 27.
Затем открьшают высоковакуумный затвор 43 и с помощью устройства 42 перемещений ввод т загрузочно-перед ющий манипул тор 41 в вакуумный объ камеры 27 до зацеплени  его с держателем кристалла, после чего кристалл вместе с указанным держателем снимают с помощью манипул тора 41 и устройства 42 его перемещени  с гониометра 29 и перемещают в шлюзовую камеру 40.
Высоковакуумным затвором 43 пере- крьшают камеру 27 и вынимают кристал из шлюзовой камеры 40, вскрьш ее на атмосферу. Затем устанавливают в камеру 40 на манипул тор 41 держатель с новым образцом и осуществл ют загрузку в обратной последовательности в результате чего устанавливают указанный образец на гониометре 29.
Таким образом, введение детектора рентгеновского излучени  внутрь вакуумной камеры и выбор предлагаемой конструкции позвол ет отказатьс  от больших кольцевых окон дл  ввода и вьгаода рентгеновского излучени  в вакуумную камеру и использовать дл  этого плоские окна небольшого диаметра , которые обладают хорошими вакуумно-плотными свойствами. Это позвол ет вести исследование при
--Л
давлении не хуже 10 мм рт.ст., что в силу снижени  загр знени  поверхности остаточными атомами повысит
достоверность получаемой информации о структуре поверхности.

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Устройство дл  исследовани  совершенства структуры монокристаллических слоев, с одержащее последовательно
    расположенные источник рентгеновского излучени , два кристалла-моно- хроматора, кристалл-анализатор со средствами поворота, детектор рентгеновского излучени  и детектор электронов , причем кристалл-анализатор и детектор электронов расположены в вакуумной камере, отличающе- е с   тем, что, с целью расширени  диапазона и повьш1ени  точности исследовани , детектор рентгеновского излучени  также размещен в вакуумной камере, а устройство дополнительно снабжено дисперсионным энергоанали- затором электронов, при этом кристалланализатор и детектор электронов ки- нематически жестко св заны друг с другом, а кристаллы-монохроматоры установлены на параллельных направл ющих.
    Т
    J/ J2
    2В 20 t2f4 Ш18 д 6 23
    21 57 17/501 19
    гз г 30 yjss 7
SU843792952A 1984-09-21 1984-09-21 Устройство дл исследовани совершенства структуры монокристаллических слоев SU1226210A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843792952A SU1226210A1 (ru) 1984-09-21 1984-09-21 Устройство дл исследовани совершенства структуры монокристаллических слоев

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843792952A SU1226210A1 (ru) 1984-09-21 1984-09-21 Устройство дл исследовани совершенства структуры монокристаллических слоев

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1226210A1 true SU1226210A1 (ru) 1986-04-23

Family

ID=21139342

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU843792952A SU1226210A1 (ru) 1984-09-21 1984-09-21 Устройство дл исследовани совершенства структуры монокристаллических слоев

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1226210A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 8(0836, кл. G 01 N 23/20, 1981. Ковьев Э.К. и др. Спектрометр дл исследовани вторичных процессов в рентгеновской дифракции. ПТЭ № 5, 1981j c. 224. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6359964B1 (en) X-ray analysis apparatus including a parabolic X-ray mirror and a crystal monochromator
RU2450261C2 (ru) Прибор для рентгеновского анализа
JP2008175820A (ja) X線散乱用のx線回折機器
US3663812A (en) X-ray spectrographic means having fixed analyzing and detecting means
US2908821A (en) Apparatus for spectrochemical analysis and structural analysis of solids, fluids andgases by means of x-rays
US2805341A (en) Diffractometer
SU1226210A1 (ru) Устройство дл исследовани совершенства структуры монокристаллических слоев
US3344274A (en) Ray analysis apparatus having both diffraction amd spectrometer tubes mounted on a common housing
JP2000504422A (ja) 2つのコリメータマスクを有するx線分析装置
RU2555191C1 (ru) Устройство для рентгенофлуоресцентного анализа материалов с формированием потока возбуждения плоским рентгеновским волноводом-резонатором
US4475225A (en) Measuring instrument for X-ray structure determinations of liquid or amorphous materials
Rubloff et al. Far ultraviolet spectroscopy of solids in the range 6–36 eV using synchrotron radiation from an electron storage ring
US6285736B1 (en) Method for X-ray micro-diffraction measurement and X-ray micro-diffraction apparatus
JPH10507532A (ja) 複数の固定測定チャネルを有するx線分光計
RU2370757C2 (ru) Устройство для исследования совершенства структуры монокристаллических слоев
SU1257482A1 (ru) Рентгенодифракционный способ исследовани структурных нарушений в тонких приповерхностных сло х кристаллов
US3200248A (en) Apparatus for use as a goniometer and diffractometer
JP3197104B2 (ja) X線解析装置
SU1173278A1 (ru) Устройство дл исследовани структурного совершенства тонких приповерхностных слоев монокристаллов
SU1396023A2 (ru) Устройство дл исследовани совершенства структуры монокристаллических слоев
SU543858A1 (ru) Устройство дл исследовани совершенства структуры кристаллов
Nicholson et al. A Comparison of the Performance of Gratings and Crystals in the 20-115 Å Region
RU2166184C2 (ru) Рентгеновский рефлектометр
RU2370758C2 (ru) Устройство для исследования совершенства структуры кристаллических слоев
SU873067A1 (ru) Рентгеновский спектрометр