SU1198374A1

SU1198374A1 - Способ изготовлени полупроводникового преобразовател

Info

Publication number: SU1198374A1
Application number: SU843789921A
Authority: SU
Inventors: Сергей Алексеевич Козин
Original assignee: Предприятие П/Я А-1891
Priority date: 1984-07-11
Filing date: 1984-07-11
Publication date: 1985-12-15

Abstract

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕШ, заключающийс в том, что изготавливают промежуточные фотошаблоны тензорезисторов преобразовател в виде полос с участками дл корректировки номиналов тензорезисторов и выводными контактами,изготавливают по ним пробный преобразователь, измер ют сопротивлени полученных тензорезисторов, измен ют конфигурацию участков дл корректировки номиналов тензорезисторов в соответствии с величиной отклонени результатов измерени сопротивлений от номинала и изготавливают преобразователь по измененному фотошаблону , отличающийс тем, что, с целью повышени точности за счет снижени разброса сопротивлений тензорезисторов, выполн ют участок корректировки номинала каждого тензорезистора в виде полосы, ширина которой в 2-5 раз превышает ширину полосы самого тензорезистора , а концы соединены с выводным контактом и с одним из концов тензорезистора, а изменение конфигурации участков осуществл ют с S выполнением на этих участках на промежуточном фотошаблоне с учетом его масштаба прорезей, ширина которых превышает двойную ширину бокового легировани при формировании тензорезисторов, а длина пропорциональна отклонению соответствующего сопротивлени тензорезистора от номинала.

Description

. 1

Изобретение относитс к измерительной технике, а именно к способам изготовлени полупроводниковых тензометрических преобразователей , и может быть использовано при создании тензометрических преобразователей повышенной точности, изготавливаемых методами интегральной микроэлектронной технологии.

Цель изобретени - повьшение точности преобразовател за счет снижени разброса сопротивлений тензорезисторов . ;

На чертеже представлен пример преобразовател , изготавливаемого по предлагаемому способу, вид в плане.

Способ осуществл ют следующим образом.

Изготавливают промежуточные фотошаблоны тензорезисторов 1-4 преобразовател в виде полос, образующих .решетку тензорезисторов, с Участками 5-12 дл корректировки номиналов тензорезисторов 1-А, также выполненными в виде полос, ширина которых в 2-5 раз превьшает ширину полосы самого тензорезистора, а концы соединены с выводным контактом и с одним из концов тензорезистора,. и выводными контактами 13-17, изготавливают по ним пробный преобразователь , измер ют сопротивлени полученных т.ензорезисторов 1-4, подключа измеритель сопротивлений поочередно к выводным контактам 13 и 17, 13 и 14, 15 и -16, 16 и 17. По этим результатам измерени определ ют отклонени сопротивлений тензорезисторов 1-4 от номинала, а также геометрические размеры про98374

резей, выполн емых на корректировочных участках дл подгонки номинала сопротивлени каждого тензорезистора 1-4.

5 Затем на промежуточном фотошаблоне методами эррозионной или ла . верной обработки тонких пленок на корректировочных участках 5-12 выполн ют прорези 18-25, ширина 0 которых превьпиает (с учетом масштаба фотошаблона) двойную ширину бокового легировани при формировании тензорезисторов, а длина пропорциональна отклонению соответствующего сопротивлени тенэорезистора от номинала.

После описанного изменени конфигурации участков 5-10 корректировки Номиналов тензорезисторов .приступают к изготовлению рабочих фотошаблонов , а по ним - партии полупроводниковых преобразователей. При соединении тензорезисторов 1-4 в

25 мост- разбаланс такого моста будет близок к нулю, что .обеспечивает повьш1ение точности измерений за счет снижени погрешностей ухода начального уровн сигнала от моста до

30 дестабшщзирующих факторов. При данном способе изготовлени преобразователей обеспечиваетс также их взаимозамен емость, поскольку все они имеют одни и те же номиналы и минимальный разбаланс.

Точность изготовлени тензорезисторов повьш1аетс в 3-5 раз, а трудоемкость корректировки фотошаблонов при применении данного способа снижаетс на 20-30%.

/4

Claims

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ, заключающийся в том, что изготавливают промежуточные фотошаблоны тензорезисторов преобразователя в виде полос с участками для корректировки номиналов тензорезисторов и выводными контактами,изготавливают по ним пробный преобразователь, измеряют сопротивления полученных тензорезисторов, изменяют конфигурацию участков для корректировки номиналов тензорезисторов в соответствии с величиной отклонения результатов измерения сопротивлений от номинала и изготавливают преобразователь по измененному фотошаблону, отличающийся тем, что, с целью повышения точности за счет снижения разброса сопротивлений тензорезисторов, выполняют участок корректировки номинала каждого тензорезистора в виде полосы, ширина которой в 2-5 раз превышает ширину полосы самого тензорезистора, а концы соединены с выводным контактом и с одним из концов тензорезистора, а изменение конфигурации участков осуществляют выполнением на этих участках на промежуточном фотошаблоне с учетом его масштаба прорезей, ширина которых превышает двойную ширину бокового легирования при формировании тензорезисторов, а длина пропорциональна отклонению соответствующего сопротивления тензорезистора от номинала.

Mat ю

эо м

•fe»