SU1165649A1 - Фритта дл эмалевого покрыти - Google Patents

Abstract

ФРИТТА ДОЯ ЭМАЛЕВОГО ПОКРЫТИЯ , содержаща  SiOj, AljO,, и ВаО, отличающа с  тем, что, с целью снижени  диэлектрической проницаемоста и повышени  удельного объемного электрического сопротивлени , она дополнительно содержит MgO и , следующем соотношении компонентов , мас.%: SiOr20,7-24,3 ,4-4,6 BjOj 7-11,8 55-65,7 BaO 1,7-5,4 MgO 0,5-1,3

Description

o:

СЛ Od

4

CD I Изобретение относитс  к техноло гии силикатов и может быть использовано в микроэлектронике дл  эмалировани  стальных пластин, служащ подложками дл  нанесени  провод ще разводки интегральных схем. Известен, состав стекла, содержа щий, мас.%: SiO 41-60; 1,013 ,0; CaO 10,0-35,0; MgO 1,5-12,0; BaO.1,5-12,0; MgF 0,3-4,5; 1,0-15,0; СаРг 0,5-3,5; AlF, 0,24 ,0 D. Это, стекло предназначаете дл  спаев стекла с титаном и его сплавами . Величина ТКЛР (78,0-9) ,0 . к10 град согласуетс  с ТКПР тита на, но недостаточна дл  получени  согласованного соединени  со сталью , что приводит к возникновению напр жений на границе металл-стекло и к растрескиванию покрыти . К недостаткам стекла может быть отнесено также содержание в нем дефицитных и токсичн()1х материалов фтористых кальци , магни  и алюмини , а также оксида щелочного мета ла.Наличие в составе стекла малень кого и подвижного щелочного иона Na приводит к возникновению ионной проводимости и, как следствие, к  влению приэлектродной пол ризации , сопровождающейс  переносом вещества и его разрущением. Наиболее близким к изобретению  вл етс  состав стекла (,фритты) , содержащий, мас.%: SiOj 23-41; Alj 7-10; 2,5-П; КгО до 10;--ВаО 34-59; SbjOj до 0,05 2 J. Однако известный состав имеет повышенную диэлектрическую проница емость и пониженное удельное объем ное электрическое сопротивление. « Цель изобретени  - снижение диэлектрической проницаемости и повы шение удельного объемного электрического сопротивлени . Цель достигаетс  тем что фритт дл  эмалевого покрыти , содержаща  SiOj , Al,0j, и BaO, дополнительно содержит MgO и при сл дующем соотнощении компонентов, MciC в.Х ,7-24,3 AljOj4,4-4,6 7,0-11,8 55-65,7 0,5-1,3 1,7-5,4 9 Варку стекол фритт осуществл ют в газовой пламенной печи при 1400+ 20°С с выдержкой при этой температуре 1 ч. В качестве сырьевых материалов дл  приготовлени  шихты используют: кварцевый песок-, глинозем , борную кислоту, барий углекислый , оксид магни , оксид хрома. Сваренную стекломассу выливают на воду дл  получени  гранул та, который затем высушивают и размалывают в шаровой мельнице. Нанесение покрытий на пластйнь из нержавек цей стали, например марки 20X13, провод т методом электрофореза или методом нанесени  водной суспензии. Пластины сушат на воздухе при 90100 С в течение 15-20 мин, после чего обжигают в электрической печи при 800-850 С в течение J5-20 мин. В процессе охлаждени  покрытие кристаллизуетс . В табл. I представлены составы предлагаемой фритты дл  эмалевого покрыти , в табл. 2 - их- свойства. Таблица 1 Таблица2 Температура начала раз710 685 м гчени , С Температурный коэффициент линейного расширени  (20300 С) 95,0 110,0 92,0 Удельное объемное электрическое сопротивление при , 4,4-108,0-10 2,4-1 Ом м Свойства сое тавов фритЛиэлектрическа  проницаемость е ™,,, Гс , при I 1,0 МГц 311656494 Продолжение табл.2 Высокий ТКЛР (92-110Ю град) Состав фритты низка  температура обжига {800-гг - ° комплексе с другими физиI2 I 3ко-химическими свойствами позвол . ,6 7,27,4ных схем. 5 использовать предлагаемое стекпофритту как покрытие по стали , котоР° может быть применено в качестве подложки при изготовлении интеграль

Claims (1)

1. ФРИТТА ДЛЯ ЭМАЛЕВОГО ПОКРЫТИЯ, содержащая Si0₂, А1,0₉, В₂0₃ и ВаО, отличающаяся тем, что, с целью снижения диэлектрической проницаемости и повышения удельного объемного электрического сопротивления, она дополнительно содержит MgO и Сг₂0₉ цри следующем соотношении компонентов, мас.%:

   5Ю_г 20,7-24,3

   AljOj 4,4-4,6

   B₂0j 7-11,8

   ВаО 55-65,7

   MgO 1,7-5,4 . Сг_гО₃ 0,5-1,3 3 сл <ζ ο сл α>

   с©