SU1159067A1 - Посто нное запоминающее устройство - Google Patents

Abstract

ПОСТОЯННОЕ ЗАПОШНАЮЩЕТ: УСТРОЙСТВО, содержащее первый накопитель , выходы которого соединены со входами первой группы коммутатора , выходы которого  вл ютс  информационными выходами устройства, входы, первой и второй групп накопител   вл ютс  адресньми входами ййЫШОГВй. первой и второй групп устройства, второй, третий и четвертый накопители , входы которых объединены, выходы второго накопител  соединены со входами второй группы коммутатора , выходы третьего накопител  соединены со входами первой группы блока сравнени , входы второй группы которого соединены со входами первой группы первого накопител , о т.л ичающеёс  тем, чта, с целью повышени  информационной емкости запоминающего устройства , оно содержит дешифратор, выходы которого соединены со входами третьей группы коммутатора, а вход| первой и второй групп - с выходами соответственно блока сравнени  и четвертого накопител , входы второго , третьего и четвертого накопителей соединены со входами второй группы первого накопител .

Description

1 Изобретение относитс  к sanoNWнающим устройствам, в частности к электрически программируем 1м посто нным запоминающим устройствам, и может быть использовано в автоматике и вычислительной технике. Целью изобретени   вл етс  повышение информационной емкости запоминающего устройства. На чертеже представлена структур на  схема предлагаемого устройства Устройство содержит первый накоп тель 1|, имеющий входы первой группы 2 (входы старших разр дов адреса ) к входы второй группы 3 (входы младших разр дов адреса), второй накопитель 4, третий накопитель 5, четвертый накопитель 6, блок сравнени  7, ко входам.первой группы которого подключены выходы третьего накопител  5. а ко вхопам второй группы - входы первой группы 2 первого накопител  1, дешифратор 8 вхбды первой группы которого соединены с выходами блока сравнени  7, а входы второй группы - с выходами четвертого накопител  6, и коммутатор 9, к входам первой группы котор го подключены выходы первого накопи тел  1, к входам второй группы - вы ходы второго накопител  4 и ко входам третьей группы - выходы дешифратора 8. Выходы 10 коммутатора 9  вл ютс  информационными выходами устрой&тза. Ко входам второго 4, третьего 5 и четвертого 6 накопителей подключены входы первой группы 2 первого накопител  t. Первый накопитель 1 состоит из М„ -разр дных  чеек и условно разбит на равных блоков, содержащих по  чеек. Каждое слово услов но разбиваетс  на - г -разр дных слогов. Обращение к первому накопителю 1 производитс  таким образом, что старшие разр ды адреса, поступающие на входы первой группы 2 накопител  I, указывают номер блока, а младшие разр ды адреса. Поступающие на входы второй группы 2 - номер  чейки в блоке, Дл  старших разр дов адреса отводитс  « разр дов адреса, а дл  младших (;г2 разр дов. Второй накопитель 4 состоит из 5 г-разр дных  чеек, третий накопитель 5 - из 5 (л-разр дных  чеек, четвертый 6 нако 7 , 2 питель - из 3 -разр дных  чеек. Слог длиной г- разр дов называетс  дефектным, если он содержит .хот  бы один отказавший разр д. Дефектные слоги слов первого накопител  1 подмен ютс  истинными слогами, хранимыми во втором накопителе 4, а третий 5 и Четвертый 6 накопители хран т  нформацию , необходимую дл  определени  места подмены. Дл  этого в третий накопитель 5 по адресу, образованному из младших разр дов адреса  чейки первого накопител  1 , записывают старшие разр ды адреса  чайки , в которой необходимо осуществить подмену, а в четвертый 6 накопитель аналогичным образом записывают .номер подмен емого слога в слове. Другимн словами, в третьем накопителе 5 хран тс  коды номеров блоков, в четвертом 6 накопителе - номера слогов (каждое слово состоит из слогов с номерами от О до ( 1)-го, содержащих дефекты. Обращение ко всем четырем накопител м производитс  одновременно. При Чтении информации из деф е1 :тной  чейки первого накопител  1 номер слога, считанный из четвертого 6 накопител  дешифрируетс  дешифратором 8 и, если старшие разр ды адреса  чейки первого -накопител  1 совпадают С кодом, считанным из третьего накопител  5 (этоопредел етс  блоком сравнени  7), то с помощью коммутатора 9 осуществл етс  подмена дефектного слога  чейки первого накопител  1 кодом, считайным из второго накопител  4, Таким образом, в устройстве возможна подмена дефектных слогов первого накопител  1, причем слово, хранимое в накопителе 1, может содержать не более оДного дефектного слога. Кроме того, первый накопитель 1 не до.пгжен содержать и более одноименных слов (слов, принадлежащих различным блокам, у которь.гх младшие разр ды адреса-совпадают), содержащих отказы. Если в считанных из накопител  1 словах необходимо подменить более одного слога, то это легко осуц.(ествить путем увеличени  разр дности накопителей 4 и 6 (накопитель 5 при зтом остаетс  без изменений). При подмене v слогов в считанном слове во втором 4 нако-

3

пителе необходимо хранись w -разр дные коды, а в четвертом 6 накопителе - V (о -разр дные. Кроме

того, необходимо иметь либо v дешифраторов 8, либо считанные из накопител  6 слова разбивать на

f -разр дные группы и дешифрировать их последовательно.

ЕСЛИ накопитель 1 построен на полупроводниковых микросхемах, то подмену удобно осзтцествл ть слогами , длина которых равна длине  чейки микросхем, а накопитель 1 разбивать на блоки так, чтобы количество слов, вход щих в блок, равн лось количеству  чеек микросхемы. Тогда накопитель 1 не должен содержать две и более микросхем, имеющих дефекты в одноименных  чейках. Подбор микросхем, удовлетвор ющих последнему условию, легко осуществить с привлечением ЭВМ.

В качестве накопителей 4-6 можно использовать такие же элементы пам ти , как и в первом накопителе 1, т.е содержащие дефекты. Но если кака -то  чейка одного из накопителей 4-6 содержит дефект, то одноименные  чейки дв)тс других накопителей не могут быть использованы дл  записи в них информации, а, следовательно , и одноименные  чейки всех блоков первого накопител  (по отношению к рассматриваемой  чейке) не должны содержать дефекты:

П р и мер. Пусть первый нако (питель 1 имеет емкость .4К 32-разр дных слов и условно разбит на блоки по 256  чеек в каждом, а  чейка

59067 4

состоит из восьми 4-разр Дных слогов При этом накопители 4 и 5 имеют емкость 256 4-разр дных слов каждый, а накопитель 6 - 256 3-разр дных 5 . слов. . .

Предположим, что в  чейках первого накопител  1 с адресами А, 10011001.1111-, Ag 101100110110АЗ IIOllOIOOIIO; А 001011010010 имею1тс  дефектные слоги, номера ко- торых 1,3,4,7 соответственно (кажда  отмеченна   чейка накопител  1 содержит по одному дефектному слогу ) . Тогда во второй накопитель 4 по адресам.

а- 10011111; aj 00110110; а, 101001lOj а 11010010, образованными из младших разр дов адресов соответствующих  чеек первого накопител  1, записывают информацию , используемую дл  подмены, в четвертьгй накопитель 6 по тем же адресам записывают коды 001, 011, lOO, 111, а в третий 5 накопитель коды 1001, 1011, 1101, 0010 соответственно . При обращении к адресам А,

первого накопител  1

АЗ и А

2 происходит обращение к адресам а

-1

и а накопителей 4-6. Накопиа , ад

|тель 5 вьщает старшие разр ды адреса , блок сравнени  7 разрешает дешифрованные номера слога, подлежащего подмене, а коммутатор 9 подмен ет дефектный слог слогом, считанным из второго 4 накопител . Таким образом , в рассмотренном примере можно подменить 256 4-разр дных слогов первого накопител  1, содержащих дефекты .

Claims (1)

1. ПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, содержащее первый накопитель, выходы которого соединены со входами первой группы коммутатора, выходы которого являются информационными выходами устройства, входы.первой и второй групп накопителя являются адресными входами первой и второй групп устройства, второй, третий и четвертый накопители, входы которых объединены, выходы второго накопителя соединены со входами второй группы коммутатора, выходы третьего накопителя соединены со входами первой группы блока сравнения, входы второй группы которого соединены со входами первой группы первого накопителя, от.л ичающееся тем, что,, с целью повышения информационной емкости запоминающего устройства, оно содержит дешифратор, выходы которого соединены со входами g третьей группы коммутатора, а входй первой и второй групп - с выходами соответственно блока сравнения и четвертого накопителя, входы второго, третьего и четвертого накопителей соединены со входами второй группы первого накопителя.

   SU «.1159067