SU1129735A1 - Транзисторный ключ - Google Patents

Транзисторный ключ Download PDF

Info

Publication number
SU1129735A1
SU1129735A1 SU833631205A SU3631205A SU1129735A1 SU 1129735 A1 SU1129735 A1 SU 1129735A1 SU 833631205 A SU833631205 A SU 833631205A SU 3631205 A SU3631205 A SU 3631205A SU 1129735 A1 SU1129735 A1 SU 1129735A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
resistor
diode
bus
base
Prior art date
Application number
SU833631205A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Борисович Ландышев
Дмитрий Павлович Филиппов
Original Assignee
Владимирский политехнический институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Владимирский политехнический институт filed Critical Владимирский политехнический институт
Priority to SU833631205A priority Critical patent/SU1129735A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1129735A1 publication Critical patent/SU1129735A1/ru

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

ТРАНЗИСТОРНЫЙ КЛЮЧ, содержащий первый транзистор р-п-р проводимости , второй и третий транзисторы п-р-п проводимости, первый и второй диодьГ, стабилитрон, п ть резисторов и датчик тока, причем эмиттер первого транзистора через первый резистор соединен с положительной шиной источника питани  и первыми выводами второго и третьего резисторов. а база - с первой входной шиной и катодом первого диода, анод которого подключен к второму вьтоду третьего резистора и коллектору второго транзистора , база которого соединена с вторым выводом второго резистора и катодом стабилитрона, а эмиттер через четвертый резистор с первым выводом датчика тока и общей шиной, анод стабилитрона соединен с вторым выводом датчика тока и эмиттером третьего транзистора, база которого, подключена к коллектору первого транзистора , а коллектор соединен с выходной шиной и через п тый резистор с катодом второго диода, отличающийс  тем (Л , что, с целью повышени  надежности, введен полевой транзистор, исток которого соединен с базой первого транзистора, сток подключен к аноду второго диода, а затвор - к второй входной шине. ю со оо сд

Description

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в преобразовател х электрической энергии, импульсных усилител х и стабилизаторах. Известен транзисторных ключ, содержащий первый транзистор р-п-р проводимости, второй и третий транзисторы п-р-п проводимости, диод и п ть резисторов, причем база первого транзистора соединена с первой входной шиной, коллектор и база вто рого транзистора подключены соответственно к вторым выводам третьего и второго резисторов, коллектор третье готранзистора соединен с выходной шиной и первь м вьшодом п того резистора , а также четвертый транзистор р-п-р проводимости, база которого соединена с коллектором первого транзистора, и конденсатор, одна обкладка которого соединена с коллек .тором тертьего транзистора, а друга  - с цепью обратной св зи Li 3. Недостатком данного транзисторного ключа  вл етс  низка  надежность « Наиболее близким к предложенному по технической сущности  вл етс , тра зисторный ключ, содержащий первый транзистор р-п-р проводимости, второ и третий транзисторы п-р-п проводимости , первьй и второй диоды, стабилитрон , п ть резисторов и датчик тока,-причем эмиттер первого транзис тора через первый резистор соединен с положительной шиной источника пита ни  и первыми выводами второго и тре тьего резисторов, а база - с первой входной шиной и катодом первого диода , анод которого подключен .к втором щывоцу третьего резистора и коллектору второго транзистора:, база которого соединена с вторым вьюодом второго резистора и катодом стабилитрона , а эмиттер - через четвертый резистор с первым выводом датчика тока и общей шиной, анод стабилитрона сое динен с вторым вьгоодом датчика тока и эмиттиром третьего транзистора, база .которого подключена к коллектору первого транзистора, а коллектор соединен с выходной шиной и через п тый резистор - с катодом второго диода, кроме того, катод первого диода подключен к аноду второго дио да 2. Недостатком известного)транзистор °ного ключа  вл етс  низка  надежность Цель изобретени  - повышение надежности . Указанна  цель достигаетс  тем, что в транзисторньм ключ, содер-i жащий первый транзистор р-п-р проводимости , второй и третий транзисторы п-р-п проводимости, первый и второй диоды, стабилитрон, п ть резисторов и датчик тока, причем эмиттер первого транзистора через первый резистор соединен с положительной шиной источника питани  и первыми выводами второго и третьего резисторов , а база - с первой входной шиной и катодом первого диода, анод которого подключен к второму выводу третьего резистора и коллектору второго транзистора, база которогосоединена с вторым выводом второго резистора и катодом стабилитрона, а эмиттер - через четвертый резистор с первым выводом датчика тока и общей шиной, анод стабилитрона соединен с вторым выводом датчика тока и эмиттером третьего транзистора, база которого подключена к коллектору первого транзистора, а коллектор соединен с выходной шиной и через п тый резистор - с катодом второго диода, введен полевой транзистор, исток которого соединен с базой первого транзистора , сток подключен к аноду второго диода, а затвор - к второй входной шине,. На чертеже представлена схема транзисторного ключа. Транзисторный ключ содержит первый jтранзистор 1 р-п-р проводимости, второй 2 и третий 3 транзисторы п-р-п проводимости, первый. 4 и второй 5 дй .оды, стабилитрон 6, п ть резисторов 7-11, датчик тока 12 и полевой транзистор 13. Причем эмиттер первого транзистора 1 через первый резистор 7 соединен с положительной шиной 14 источника питани  и первыми выводами второго 8 и третьего 9 .резисторов, а база - с первой входной шиной -15 и катодом первого диода 4, анод которого , подключен к второму выводу третьего резистора 9 и коллектору второго транзистора 2, база которого соединена с вторым выводом второго резистора 8 и катодом стабилитрона 6, а эмиттер - через четвертьй резистор 10 с первым выводом датчика тока 12 и общей шиной 16. Анод стабилитрона 6 соединен с вторым выводом датчика тока 12 и эмиттером третьего транзисTopa 3, база которого подключена к 3 коллектору первого транзистора 1 , а коллектор соединен с выходной шиной 17 и через п тьш резистор 11 катодом второго диода 5. Исток поле вого транзистора .13 соединен с базо первого транзистора 1, сток подключен к аноду второго диода 5, а затвор - к второй входной шине 18. Транзисторный ключ работает следующим образом. При подаче на первую входную шину 15 короткого импульса отрицатель ной пол рности первый транзистор 1 открываетс , В тот же момент времени на вторую входную шину 18 пост пает сигнал отрицательной пол рности , открывающий полевой транзистор 1 Напр жение от положительной шины 14 источника питани  прикладываетс  к базе третьего транзистора 3 через первый резистор 7 и цепь змиттер коллектор первого транзистора 1. В. результате третий транзистор 3 откр ваетс  и тем самым обеспечивает про текание тока по цепи: положительна  шина 14 источника питани , первьй р зистор 7, переход эмиттер - база первого транзистора 1, канал исток сток полевого транзистора 13, второ диод 5, п тый, резистор 1.1, цепь Кол лектора - змиттер третьего транзистора 3, датчик тока 12, обща  шина 16. Первый 1 и третий.3 транзист ры переход т в открытое состо ние и остаютс  включенными независимо от присутстви  отпирающего импульса отрицательной пол рности на первой входной шине 15. Изменение величины тока нагрузки , протекающего по цепи: выходна  шина -17, цепь коллектор - эмиттер третьего транзистора 3, датчик тока 12, обща  шина t6, вызывает соот ветствующее изменение падени  напр  жени  на датчике тока 12, что приво дит к изменению выходного тока втор го транзистора 2 и, как следствие. 5 управл ющего тока первого транзистора 1. При этом ток базы третьего ранзистора 3 поддерживаетс  пропорциональным току нагрузки. При сн тии отрицательного напр жени  с второй входной шины 18 полевой , тр нзистор 13 выключаетс , что приводит к запиранию первого транзистора 1, а следовательно, и к выключению третьего транзистора 3. В результате этого первый 1 и третий 3 транзисторы переход т в состо ние отсечки и ток в цепи нагрузки отсутствует . При возникновении переходных процессов в цепи нагрузки, когда противо-ЭДС нагрузки скомпенсирует действие основного источника питани , самопроизвольного включени  транзисторного ключа не происходит, так как цепь тока базы первого транзистора 1 разомкнута полевым транзистором 13, который при отсутствии управл ющего импульса отрицательной пол рности на второй входной шине 18 закрыт. Порог срабатывани  токовой.защиты определ етс  величиной напр жени , приложенного к аноду диода 3 цепи обратной св зи от положительной шины 14 источника питани  с учетом п гщени  напр жени  на третьем резисторе 9 от протекани  выходного тока второго транзистора 2 и падени  напр жени  на канале исток - сток полевого транзистора 13, которое увеличиваетс  с ростом температуры и таким образом снижает порог срабатывани - запщты, т.е. обеспечивает тепловую зан1иту транзисторного ключа. Надежность предлагаемого транзисторного ключа выше, чем у известных, так как введенный полевой транзистор исключает самопроизвольное включение транзисторного ключа при переходных процессах в цепи нагрузки и обеспечивает тепловую защиту транзисторного ключа.
977

Claims (1)

  1. ТРАНЗИСТОРНЫЙ КЛЮЧ, содержащий первый транзистор р-п-р проводимости, второй и третий транзисторы п-р-п проводимости, первый и второй диодьГ, стабилитрон, пять резисторов и датчик тока, причем эмиттер первого транзистора через первый резистор соединен с положительной шиной источника питания и первыми выводами второго и третьего резисторов, а база - с первой входной шиной и катодом первого диода, анод которого подключен к второму выводу третьего резистора и коллектору второго транзистора, база которого соединена с вторым выводом второго резистора и катодом стабилитрона, а эмиттер через четвертый резистор с первым выводом датчика тока и общей шиной, анод стабилитрона соединен с вторым выводом датчика тока и эмиттером третьего транзистора, база которого, подключена к коллектору первого транзистора, а коллектор соединен с выходной шиной и через пятый резистор - © с катодом второго диода, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, введен полевой транзистор, исток которого соединен с базой первого транзистора, сток подключен к аноду второго диода, а затвор - к второй входной шине.
    SU ..„1129735
SU833631205A 1983-08-04 1983-08-04 Транзисторный ключ SU1129735A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833631205A SU1129735A1 (ru) 1983-08-04 1983-08-04 Транзисторный ключ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833631205A SU1129735A1 (ru) 1983-08-04 1983-08-04 Транзисторный ключ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1129735A1 true SU1129735A1 (ru) 1984-12-15

Family

ID=21077770

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU833631205A SU1129735A1 (ru) 1983-08-04 1983-08-04 Транзисторный ключ

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1129735A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Авторское свидетельство СССР № 911731, кл. Н 03 К 17/60, 1982. 2. Авторское свидетельство СССР № 978348, кл. Н 03 К 17/60, 1982 (прототип). *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4760293A (en) Combined bipolar and MOSFET switch
US4500801A (en) Self-powered nonregenerative fast gate turn-off FET
KR900006046B1 (ko) 도전변조형 mosfet의 과전류보호회로
US4798983A (en) Driving circuit for cascode BiMOS switch
JPH0211178B2 (ru)
US4853563A (en) Switch interface circuit for power mosfet gate drive control
KR930007794B1 (ko) 소오스에 부하가 연결되어 있는 mosfet를 구동시키기 위한 회로배열
EP0181148B1 (en) Semiconductor device
US4590395A (en) FET-bipolar drive circuit
JPS58130726A (ja) パワ−トランジスタの保護回路
KR960039341A (ko) 높은 부의 클램프 전압 및 고장시 안전 동작 기능을 갖춘 모스게이트된 집적 파워 반도체 장치
US5534769A (en) Synchronous rectifying circuit
US6466060B2 (en) Switching device with separated driving signal input and driving circuit of the same
EP0541700B1 (en) Three terminal non-inverting transistor switches
SU1129735A1 (ru) Транзисторный ключ
JPH051652B2 (ru)
JP3258050B2 (ja) 誘導性負荷用mosfetを備えた回路装置
JP3282378B2 (ja) パワー素子駆動保護回路及びmosfet駆動保護回路
US4571501A (en) Electronic control circuit
SU1287278A1 (ru) Переключающее устройство с переменной структурой
JPS61261919A (ja) 導電変調型mosfetの過電流保護回路
JPH0336450B2 (ru)
SU1522360A1 (ru) Устройство дл управлени силовым транзисторным ключом
SU1116540A1 (ru) Транзисторное переключающее реле
JP2805349B2 (ja) スイッチング回路