SU1082233A1 - Способ изготовления выпрямительных элементов - Google Patents

Способ изготовления выпрямительных элементов

Info

Publication number
SU1082233A1
SU1082233A1 SU3501130/25A SU3501130A SU1082233A1 SU 1082233 A1 SU1082233 A1 SU 1082233A1 SU 3501130/25 A SU3501130/25 A SU 3501130/25A SU 3501130 A SU3501130 A SU 3501130A SU 1082233 A1 SU1082233 A1 SU 1082233A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
manufacturing
elements
rectified
rectified elements
junctions
Prior art date
Application number
SU3501130/25A
Other languages
English (en)
Inventor
Л.Н. Колоскова
Ю.М. Локтаев
В.С. Марквичева
Я.Д. Нисневич
О.М. Корольков
Е.А. Круус
Г.Н. Сурженков
Е.Д. Хуторянский
В.Л. Кузьмин
Е.А. Фихтенгольц
Original Assignee
Всесоюзный Электротехнический Институт Им.В.И.Ленина
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Всесоюзный Электротехнический Институт Им.В.И.Ленина filed Critical Всесоюзный Электротехнический Институт Им.В.И.Ленина
Priority to SU3501130/25A priority Critical patent/SU1082233A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1082233A1 publication Critical patent/SU1082233A1/ru

Links

Landscapes

  • Thyristors (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

Способ изготовления выпрямительных элементов силовых полупроводниковых приборов, включающий операции шлифовки и химической очистки пластин кремния, изготовления высоковольтных p-n-переходов и создания омических контактов методом диффузионной сварки, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов, после изготовления высоковольтных p-n-переходов с обеих сторон пластины кремния удаляют нарушенный слой толщиной 5 - 20 мкм.
SU3501130/25A 1982-08-26 1982-08-26 Способ изготовления выпрямительных элементов SU1082233A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU3501130/25A SU1082233A1 (ru) 1982-08-26 1982-08-26 Способ изготовления выпрямительных элементов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU3501130/25A SU1082233A1 (ru) 1982-08-26 1982-08-26 Способ изготовления выпрямительных элементов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1082233A1 true SU1082233A1 (ru) 2000-06-10

Family

ID=60526353

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU3501130/25A SU1082233A1 (ru) 1982-08-26 1982-08-26 Способ изготовления выпрямительных элементов

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1082233A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2619414A (en) Surface treatment of germanium circuit elements
JPH0424944A (ja) メサ型半導体ペレットの製造方法
US3184823A (en) Method of making silicon transistors
ATE64240T1 (de) Solarzelle.
US3252003A (en) Unipolar transistor
SE8403852L (sv) Overspenningsdempare av halvledartyp med en paverkningsspenning, som kan forutbestemmas noggrant
GB1314267A (en) Semiconductor wafers and pllets
US2757323A (en) Full wave asymmetrical semi-conductor devices
DE60235312D1 (de) Herstellungsverfahren für grossflächige siliziumkarbid-bauelemente
JPS577959A (en) Semiconductor device
SU1082233A1 (ru) Способ изготовления выпрямительных элементов
GB968106A (en) Improvements in or relating to semiconductor devices
JPS5797686A (en) Light emitting element pellet
JPS607178A (ja) 半導体装置
JPS5735339A (en) Semiconductor device and manufacture of the same
JPH0212920A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6279667A (ja) 半導体装置
JPS57192083A (en) Semiconductor device
JPH05206485A (ja) ダイオードブリッジ装置
GB1060588A (en) Semiconductor switch
JPS6445159A (en) Semiconductor device
CA1222576A (en) Semiconductor device with improved support member
JPH0469815B2 (ru)
US3441811A (en) Semiconductor wafer having low field junction surface
JPS57133642A (en) Semiconductor device and manufacture thereof