SU1043741A1 - Запоминающее устройство - Google Patents

Запоминающее устройство Download PDF

Info

Publication number
SU1043741A1
SU1043741A1 SU823433187A SU3433187A SU1043741A1 SU 1043741 A1 SU1043741 A1 SU 1043741A1 SU 823433187 A SU823433187 A SU 823433187A SU 3433187 A SU3433187 A SU 3433187A SU 1043741 A1 SU1043741 A1 SU 1043741A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
inputs
elements
outputs
group
input
Prior art date
Application number
SU823433187A
Other languages
English (en)
Inventor
Валерий Константинович Конопелько
Original Assignee
Минский радиотехнический институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Минский радиотехнический институт filed Critical Минский радиотехнический институт
Priority to SU823433187A priority Critical patent/SU1043741A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1043741A1 publication Critical patent/SU1043741A1/ru

Links

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, содержащее матрицу основных и дополнительных элементов пам ти, дешифраторы адреса, первую и вторую группы программируемых элементов пам ти, блоки считывани , блок вывода данных, группы элементов И, элемент НЕ, элемент ИЛИ и элементы И, причем адресные входы основных и дoпoJ нитeльныx элементов пам ти подключены к выходам первого дешифратора адреса, инверсные выходы элементов И первой и второй групп соединены с входами записи основных и дополнительных элементов пам ти соответственно, пр мые выходы элементов И первой группы и выходы основных элементов пам ти подключены к информационным входам первого блока считывани , управл ющие выходы которого соединены с выходами второго деигифра1гора адреса, первыми входами элементов И первой группы и входгили программируемых элементов пам ти первой группы, выходы которых подключены ко входу элемента ЙЕ, первому , входу первого элемента И и первым входам элементов И второй группы, вторые входы которых соединены с выходами третьего дешифратора адреса и управл квдими входами второго блоки считывани , информационные входы которого подключены к выходам дополнительных элементов пам ти и выходам элементов И второй группы, выход элемента НЕ соединен с первым входом второго элемента И и вторыми входами элементов И первой группы, выходы перв.ого и второго блоков считывани  подключены к вторым входам второго и первого элементов И соответственно , выходы которых соединены с входами элемента ИЛИ, выход которого подключен к первому вХойу бло ка вывода данных, выход которого  вл етс  выходом устройства, а второ вход  вл етс  управл ющим входом уст ройства и соединен с третьими входги и элементов И первой и второй групп, четвертые и п тые входы которых соответственно объединены и  вл ютс  входом записи и входом разре-шени  записи устройства, адресными 4 СО входами которого  вл ютс  входы второго дешифратора адреса, о т л и- ча.ющеес  тем, что, с целью 4 повыцени  быстродействи  устройства , в него введены треть  группа элементов И, выходы которых подключены к .входам элементов ИЛИ группы входы которых подключены к входам Третьего дешифратора адреса-, причем первые входы элементов И. третьей группы соединены с выходами программируемых, элементов пам ти второй группы, а вторые входы - с входами второго дешифратора адреса.

Description

Изобретение относитс  к вычислительной технике и может быть исполь зовано при изготовлении больших интегральных схем запоминающих: устройств . Известно запоминающее устройство содержащее матрицу элементов пам ти схемы логики обращени  и коррекции, позвол ющие производить обход дефек ных разр дов элементов пам ти благо дар  наличию дополнительных избыто  ых разр дов в матрице l . Недостатком этого устройства  вл етс  низка - надежность. Наиболее близким по технической сущности к изобретению  вл етс  запоминающее устройство, содержащее дешифратор адреса слова, соединенны с адресньлми шинами матрицы элементо пам ти, разр дные шины которой соединены с выходами первый и вторых вентилей, информационными входами первого и второго блоков считывани  управл ющие входы первого блока счи тывани  соединены с выходами дешифратора адреса разр да, первыми входами первых вентилей и адресными входами первых программируемых элементов пам ти, вторые, третьи, четвертые и п тые входы первых и вторых вентилей соединены соответственно с шинами разрешени  записи, упра лели  и первым входом выходного бло ка, разр дной шиной первых программи руемых элементов пам ти и первыми входами первого и второго элементов И через инвертор и нейосредственио, первые входы вторых вентилей соединены с выходами дополнительного дешифратора и управл ющими входами .второго блока считывани , выходы первого и второго блоков считывани  соединены соответственно с вторыми входами первого и второго элементов И, выходы первого и второго элементов И соединены через элемент ИЛИ с вторым входом выходного блока, выход выходного блока  вл етс  выходом устройства, входы дешифратора адреса разр да, вторые программируемые элементы пам ти, программирование первы и вторых программируемых элементов пдм ти осуществл етс  с помощью лазера 2 . Недостатками известного устройства  вл ютс  сложность схем коррекции из-за необходимости хранить код адреса дефектного разр да в дополнительной пам ти и низкое быстродействие из-за необходимости проведени  контрольного считывани  в режиме записи дл  определени  дефектности разр да. Целью изобретени   вл етс  повышение быстродействи  устройства. Поставленна  цель достигаетс  тем, что в запоминающее устройство, содержащее матрицу основных и дополнительных элементов лам ти, дешифраторы адреса, первую и вторую группы программируемых элементов пам ти , блоки считывани , блок вывода данных, группы элементов И, элемент НЕ, элемент ИЛИ и элементы И адресные входы основных и дополнительных элементов пам ти подключены к выходам первого дешифратора адреса, инверсные выходы элементов И первой и второй групп соединены с входами записи основных и дополнительных элементов пам ти соответственно, пр мые выходы элементов И первой группы и выходы основных элементов пам ти подключены к информационным входам первого блока считывани , управл ющие входы которого соединены с выходами второго дешифратора адреса, первыми входами элементов И первой группы и входами программируемых элементов пам ти первой группы, выходы которых подключены к входу элемента НЕ, первому входу первого элемента И и первым входам элементов .И второй группы, вторые входы которых соединены с выходами третьего дешифратора адреса и управл ющими входами второго блока считывани , информационные входы которого подключены к выходам дополнительных элементов пам ти ,и выходам элементов И второй группы, в.ыход элемента НЕ соединен с первым входом второго элемента И и вторыми входами элементов И первой группы, выходы первого и второго блЪков считывани  подключеньа к вторым входам второго и первого элементов И соответс твенно , выходы которых соединены с входами элемента ИЛИ, выход которого подключен к первому входу блока вывода данных, вьисод которого  вл етс  выходом устройства, а второй вход  вл етс  управл ющим входом устройства и соединен с третьими входвв«1И элементов И первой и второй групп, четвертые и п тые входы которых соответственно объединены и  вл ютс  входом записи и входом разрешени  записи -устройства, адресными входами которого  вл ютс  входы второго дешифратора адреса, введены треть  группа элементов И, вы- . ходы которых соединены с входами элементов ИЛИ группы, выходы которых подключены к входам третьего дешифратора адреса, причем первые входы элементов И третьей группы соединены с выходами программируемых элементов пам ти второй группы, а вторые входыс входами второго дешифратора адреса. На чертеже изображена функциональна  схема предлагаемого устройства. Устройство содержит матрицу 1 основных- 2 и дополнительных 3 элементов пам ти с адресными i и разр днети 5 шинами, первый дешифратор 6 адреса, предназначенный дл  дешифрации адреса слова, первую 7 и втору з 8 группы элементов И, первый 9 и вто рой 10 блоки считывани . На чертеже обозначены управл ющие входы.11 первого блока считывание. Устройство со держит также второй ЛеЪифратор 12 ад реса, предназначенный дл  дешифрации адреса -разр да основных элементов пам ти, первую группу программируемых элементов 13 пам ти. На чертеже обозначены также вход 14 разрешени  .записи, вход 15 зэписи и управл ющий вход 16 устройства. Устройство содержит также блок 17 вывода данных с выходом 18, первый 19 и второй 20 элементы И, элемент НЕ 21, третий дешифратор 22 адреса, предназначенный дл  дешифрации адреса разр да дополнительных элементов пгад ти, с выходами 23, элемент ИЛИ 24, вторую группу программируемых элементов 25 пам ти. На чертеже обозначены также адресные входы 26 устройства. Кроме того, устройство содер жит третью . . группу элементов И 27 с первыми входами 28 и группу элементов ИЛИ 29 с выходами 30. Программируемые элементы пам ти первой группы организованы в матрицу с одноразр дной шиной 31 и 2 адрес.- ными входами, где k - число основных элементов пам ти. Программирование элементов 13 и 25 пам ти осуществл етс  путем переж гани  плавки св зей с помощью лазера . , . . . . Устройство работает следующим образом . При изготовлении и при обнаружени дефектных элементов 2 пам ти в матри це 1 в программируенвле элементы 13 пам ти, соответствующие дефектным . разр дам в матрице 1, занос тс  едйничные сигналы. Кроме того, путем программировани  единичных бигналов в элементах 25 пам ти на выходы 30 коглиутируютс  п разр дов из k входов 26 (гдеп и).При коррекции двух дефектных разр дов используетс  только один любой разр д входного адреса, в котором сигнгшы отличаютс  друг от друга (при дефектности, например, разр дов в матрице 1 с адресами 10000 и11000. второ слева адресный разр д выбираетс  на выход 30) . При коррекции одного дефектного разр да в разр дах элементов 2 пам ти матрицы 1 вначале выбираетс  в дефектном входом адресе 26 разр д, содержащий нулевой сигнал, путем программировани  соответствующего элемента 25 пам ти. Если же разр д элементов 3 пам ти матрицы 1 соответствующий этому адресу,  вл етс  также дефектным, то в адресе на входах 26 выбираетс  дополнительНО еще один разр д, содержащий единичный сигнал, путем программировани  второго из элементов 25 пам ти. При эксплуатации при записи информации- на входы 14-16 устройства подаютс  сигналы разрешени  записи, записи и управлени  соответственно. ПриЭТОМ происходит возбуждение дешифраторов 6 и 12 в соответствии с кодом адреса запрашиваемого элемента 2 пам ти матрицы 1. Возбужденный выход 4 дешифратора подключает элементы 2 и 3 пам ти выбранного слова к разр дным шинам 5.. Одновременно происходит опрос соответствующего элемента 13 пам ти единичным сигналом , с одного из входов 11 дешифратор; ра 12.Если опрашиваетс  исправный разр д элементов 2 пам ти/ то на шине 31 по витс  нулевой сигнал, который закроет элементы И 8 и, проход  через элемент НЕ 21, откроет элементы И 7. Тем самым, в разр д элементов 2 пам ти матрицы 1, открытый сигна .лом с одного из выходов 11 дешифратора 12, происходит запись информации , поступающей по входу 15. Если опрашиваетс  дефектный разр д элементов 2 пам ти, то на шине 31 по витс  единичный сигнал, который откроет вторые элементы И 8 и, проход  через элемент НЕ 21, закроет элементы НЕ 7. Тогда в разр д элементов 3 произойдет записБ информации по алресу, поступающему с выходов 30 элементов ИЛИ 29 и вычисленному де П1ифратором 22. Пр мой и инверсный сигналы с двух 23 дешифратора 22. управл ют выбором соответственно первого-и второго разр дов элементов 3 пам ти матрицы 1. Сигнал на выходе 30 элемента ИЛИ 29 соответствует сигналу на однсзм из входов26, в котором сигналы в адресах двух дефектных разр дов ;Отлччаютс  друг от друга. Если же в матрице 1 содержитс  два дефектных разр да, один из которых относитс  к элементам 3 пам ти , то благодар  соответствующему программированию при производстве всегда будет опрашиватьс  один из .исправных разр дов элементов 3 пам ;ти по нулевому или единичному сигналу с выхода 30. В режиме считывани  сигналы на входах 14 и 15 отсутствуют. При этом элементы И 7 и 8 заперты, а сигнал О7СОСТОЯНИИ опрашиваемого основного 2 или дополнительного 3 элементов пам ти матрицы 1 поступает с выходов блоков 9 или 10 через элементы И 20 19, элемент ИЛИ 24, блок 17 на выход 18 устройства. Так же как и в режиме записи, выделение хранигмого сигнала или с блока 9, или с блока 10 зависит от сигнала на
шине 31 элементов 13 пам ти, т.е. от того, опрашиваетс  исправный или дефектный элементы 2 пам ти матрицы 1.
Таким образом, предлагаемое устройство , как и известное, позвол ет производить коррекцию дефектных разр дов в матрице 1 элементов 2 пам ти, при наличии дополнительных элементов 3 пам ти в матрице, но более эффективно, поскольку требуетс  только К программируемых элементов пам ти, Кроме того, в предлагаемом устройстве не производитс 
контрольное считывание в режиме записи дл  определени  местоположени  дефектов, что увеличивает быстродействие устройства при эксплуатации причем дефекты корректируютс  и в дополнительных элементах 3 пам ти , поэтому надежность этого устройства выше, чем у известного.
Технико-экономическое преимуадество предлагаемого устройства заклйчаетс  в его более высоких быстродействии и надежности по сравнению с известным.
2ff

Claims (1)

  1. ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, содержащее матрицу основных и дополнительных элементов памяти, дешифраторы адреса, первую и вторую группы программируемых элементов памяти, блоки считывания, блок вывода данных, группы элементов И, элемент НЕ, элемент ИЛИ и элементы И, причем адресные входы основных и дополнительных элементов памяти подключены к выходам первого дешифратора адреса, инверсные выходы элементов И первой и второй групп соединены с входами записи основных и дополнительных элементов памяти соответственно, прямые выходы элементов И первой группы и выходы основных элементов памяти подключены к информационным входам первого блока считывания, управляющие выходы которого соединены с выходами второго дешифратора адреса, первыми входами элементов И первой группы и входами программируемых элементов памяти первой группы, выходы которых подключены ко входу элемента ЙЕ, первому , входу первого элемента И и первым входам элементов И второй группы, вторые входы которых соединены с выходами третьего дешифратора адреса и управляющими входами второго блокё считывания, информационные входы которого подключены к выходам дополнительных элементов памяти и выходам элементов И второй группы, выход элемента НЕ соединен с первым входом второго элемента И и вторыми входами элементов И первой группы, выходы первого и второго блоков считывания подключены к вторым входам второго и первого элементов И соот ветственно, выходы которых соединены с входами элемента ИЛИ, выход которого подключен к первому вХойу блока вывода данных, выход которого является выходом устройства, а второй вход является управляющим входом устройства и соединен с третьими входами элементов И первой и второй групп, четвертые и пятые входы которых соответственно объединены и являются входом записи и входом разрешения записи устройства, адресными входами которого являются входы второго дешифратора адреса, о т л ича.ющееся тем, что, с целью повышения быстродействия устройства, в него введены третья группа элементов И, выходы которых подключены к входам элементов ИЛИ группы,входы которых подключены к входам Третьего дешифратора адреса·, причем первые входы элементов И. третьей группы j соединены с выходами программируемых, элементов памяти второй группы, а вторые входы - с входами второго дешифратора адреса.
    SU ... 1043741 >
SU823433187A 1982-04-28 1982-04-28 Запоминающее устройство SU1043741A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823433187A SU1043741A1 (ru) 1982-04-28 1982-04-28 Запоминающее устройство

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823433187A SU1043741A1 (ru) 1982-04-28 1982-04-28 Запоминающее устройство

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1043741A1 true SU1043741A1 (ru) 1983-09-23

Family

ID=21010128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU823433187A SU1043741A1 (ru) 1982-04-28 1982-04-28 Запоминающее устройство

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1043741A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Щетинин Ю.И. и др. Способы использовани кристаллов ЗУ с де- , фектными запоминающими элементами. Зарубежна электро.нна техника, 1978, № 20, с.6, рис.1,2. 2. Авторское свидетельство GCCiP № 877614, кл. q 11 С 11/00, 1981 (прототип). *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5761222A (en) Memory device having error detection and correction function, and methods for reading, writing and erasing the memory device
JP2525112B2 (ja) 誤り訂正回路を備えた不揮発性メモリ装置
US5999450A (en) Electrically erasable and programmable non-volatile memory device with testable redundancy circuits
US7286399B2 (en) Dedicated redundancy circuits for different operations in a flash memory device
US6895537B2 (en) Semiconductor integrated circuit device including semiconductor memory with tester circuit capable of analyzing redundancy repair
US6041422A (en) Fault tolerant memory system
EP0940753B1 (en) Semiconductor memory device with redundancy
JPS61267846A (ja) メモリを有する集積回路装置
US5854764A (en) Sectorized electrically erasable and programmable non-volatile memory device with redundancy
US9390801B2 (en) Secure memory which reduces degradation of data
US7688640B2 (en) Flash memory device and method for driving the same
JP2540028B2 (ja) 集積プログラミング回路
US6320791B1 (en) Writing apparatus for a non-volatile semiconductor memory device
US8634261B2 (en) Semiconductor memory device and method of operating the same
SU1043741A1 (ru) Запоминающее устройство
US5337317A (en) Minimizing the programming time in a semiconductor integrated memory circuit having an error correction function
KR100217910B1 (ko) 플래쉬 메모리셀의 리페어 회로 및 리페어 방법
JPS6254900A (ja) プログラム可能な読出し専用メモリ
KR20080030216A (ko) 페이지 버퍼 회로
JPH11203892A (ja) 半導体不揮発性記憶装置
SU649044A1 (ru) Запоминающее устройство
KR100255520B1 (ko) 여분의데이터램을구비한캐쉬메모리장치
SU957273A1 (ru) Запоминающее устройство с коррекцией информации
SU1418816A1 (ru) Посто нное запоминающее устройство
SU1283861A1 (ru) Запоминающее устройство с коррекцией информации