SU1043741A1 - Запоминающее устройство - Google Patents
Запоминающее устройство Download PDFInfo
- Publication number
- SU1043741A1 SU1043741A1 SU823433187A SU3433187A SU1043741A1 SU 1043741 A1 SU1043741 A1 SU 1043741A1 SU 823433187 A SU823433187 A SU 823433187A SU 3433187 A SU3433187 A SU 3433187A SU 1043741 A1 SU1043741 A1 SU 1043741A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- inputs
- elements
- outputs
- group
- input
- Prior art date
Links
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, содержащее матрицу основных и дополнительных элементов пам ти, дешифраторы адреса, первую и вторую группы программируемых элементов пам ти, блоки считывани , блок вывода данных, группы элементов И, элемент НЕ, элемент ИЛИ и элементы И, причем адресные входы основных и дoпoJ нитeльныx элементов пам ти подключены к выходам первого дешифратора адреса, инверсные выходы элементов И первой и второй групп соединены с входами записи основных и дополнительных элементов пам ти соответственно, пр мые выходы элементов И первой группы и выходы основных элементов пам ти подключены к информационным входам первого блока считывани , управл ющие выходы которого соединены с выходами второго деигифра1гора адреса, первыми входами элементов И первой группы и входгили программируемых элементов пам ти первой группы, выходы которых подключены ко входу элемента ЙЕ, первому , входу первого элемента И и первым входам элементов И второй группы, вторые входы которых соединены с выходами третьего дешифратора адреса и управл квдими входами второго блоки считывани , информационные входы которого подключены к выходам дополнительных элементов пам ти и выходам элементов И второй группы, выход элемента НЕ соединен с первым входом второго элемента И и вторыми входами элементов И первой группы, выходы перв.ого и второго блоков считывани подключены к вторым входам второго и первого элементов И соответственно , выходы которых соединены с входами элемента ИЛИ, выход которого подключен к первому вХойу бло ка вывода данных, выход которого вл етс выходом устройства, а второ вход вл етс управл ющим входом уст ройства и соединен с третьими входги и элементов И первой и второй групп, четвертые и п тые входы которых соответственно объединены и вл ютс входом записи и входом разре-шени записи устройства, адресными 4 СО входами которого вл ютс входы второго дешифратора адреса, о т л и- ча.ющеес тем, что, с целью 4 повыцени быстродействи устройства , в него введены треть группа элементов И, выходы которых подключены к .входам элементов ИЛИ группы входы которых подключены к входам Третьего дешифратора адреса-, причем первые входы элементов И. третьей группы соединены с выходами программируемых, элементов пам ти второй группы, а вторые входы - с входами второго дешифратора адреса.
Description
Изобретение относитс к вычислительной технике и может быть исполь зовано при изготовлении больших интегральных схем запоминающих: устройств . Известно запоминающее устройство содержащее матрицу элементов пам ти схемы логики обращени и коррекции, позвол ющие производить обход дефек ных разр дов элементов пам ти благо дар наличию дополнительных избыто ых разр дов в матрице l . Недостатком этого устройства вл етс низка - надежность. Наиболее близким по технической сущности к изобретению вл етс запоминающее устройство, содержащее дешифратор адреса слова, соединенны с адресньлми шинами матрицы элементо пам ти, разр дные шины которой соединены с выходами первый и вторых вентилей, информационными входами первого и второго блоков считывани управл ющие входы первого блока счи тывани соединены с выходами дешифратора адреса разр да, первыми входами первых вентилей и адресными входами первых программируемых элементов пам ти, вторые, третьи, четвертые и п тые входы первых и вторых вентилей соединены соответственно с шинами разрешени записи, упра лели и первым входом выходного бло ка, разр дной шиной первых программи руемых элементов пам ти и первыми входами первого и второго элементов И через инвертор и нейосредственио, первые входы вторых вентилей соединены с выходами дополнительного дешифратора и управл ющими входами .второго блока считывани , выходы первого и второго блоков считывани соединены соответственно с вторыми входами первого и второго элементов И, выходы первого и второго элементов И соединены через элемент ИЛИ с вторым входом выходного блока, выход выходного блока вл етс выходом устройства, входы дешифратора адреса разр да, вторые программируемые элементы пам ти, программирование первы и вторых программируемых элементов пдм ти осуществл етс с помощью лазера 2 . Недостатками известного устройства вл ютс сложность схем коррекции из-за необходимости хранить код адреса дефектного разр да в дополнительной пам ти и низкое быстродействие из-за необходимости проведени контрольного считывани в режиме записи дл определени дефектности разр да. Целью изобретени вл етс повышение быстродействи устройства. Поставленна цель достигаетс тем, что в запоминающее устройство, содержащее матрицу основных и дополнительных элементов лам ти, дешифраторы адреса, первую и вторую группы программируемых элементов пам ти , блоки считывани , блок вывода данных, группы элементов И, элемент НЕ, элемент ИЛИ и элементы И адресные входы основных и дополнительных элементов пам ти подключены к выходам первого дешифратора адреса, инверсные выходы элементов И первой и второй групп соединены с входами записи основных и дополнительных элементов пам ти соответственно, пр мые выходы элементов И первой группы и выходы основных элементов пам ти подключены к информационным входам первого блока считывани , управл ющие входы которого соединены с выходами второго дешифратора адреса, первыми входами элементов И первой группы и входами программируемых элементов пам ти первой группы, выходы которых подключены к входу элемента НЕ, первому входу первого элемента И и первым входам элементов .И второй группы, вторые входы которых соединены с выходами третьего дешифратора адреса и управл ющими входами второго блока считывани , информационные входы которого подключены к выходам дополнительных элементов пам ти ,и выходам элементов И второй группы, в.ыход элемента НЕ соединен с первым входом второго элемента И и вторыми входами элементов И первой группы, выходы первого и второго блЪков считывани подключеньа к вторым входам второго и первого элементов И соответс твенно , выходы которых соединены с входами элемента ИЛИ, выход которого подключен к первому входу блока вывода данных, вьисод которого вл етс выходом устройства, а второй вход вл етс управл ющим входом устройства и соединен с третьими входвв«1И элементов И первой и второй групп, четвертые и п тые входы которых соответственно объединены и вл ютс входом записи и входом разрешени записи -устройства, адресными входами которого вл ютс входы второго дешифратора адреса, введены треть группа элементов И, вы- . ходы которых соединены с входами элементов ИЛИ группы, выходы которых подключены к входам третьего дешифратора адреса, причем первые входы элементов И третьей группы соединены с выходами программируемых элементов пам ти второй группы, а вторые входыс входами второго дешифратора адреса. На чертеже изображена функциональна схема предлагаемого устройства. Устройство содержит матрицу 1 основных- 2 и дополнительных 3 элементов пам ти с адресными i и разр днети 5 шинами, первый дешифратор 6 адреса, предназначенный дл дешифрации адреса слова, первую 7 и втору з 8 группы элементов И, первый 9 и вто рой 10 блоки считывани . На чертеже обозначены управл ющие входы.11 первого блока считывание. Устройство со держит также второй ЛеЪифратор 12 ад реса, предназначенный дл дешифрации адреса -разр да основных элементов пам ти, первую группу программируемых элементов 13 пам ти. На чертеже обозначены также вход 14 разрешени .записи, вход 15 зэписи и управл ющий вход 16 устройства. Устройство содержит также блок 17 вывода данных с выходом 18, первый 19 и второй 20 элементы И, элемент НЕ 21, третий дешифратор 22 адреса, предназначенный дл дешифрации адреса разр да дополнительных элементов пгад ти, с выходами 23, элемент ИЛИ 24, вторую группу программируемых элементов 25 пам ти. На чертеже обозначены также адресные входы 26 устройства. Кроме того, устройство содер жит третью . . группу элементов И 27 с первыми входами 28 и группу элементов ИЛИ 29 с выходами 30. Программируемые элементы пам ти первой группы организованы в матрицу с одноразр дной шиной 31 и 2 адрес.- ными входами, где k - число основных элементов пам ти. Программирование элементов 13 и 25 пам ти осуществл етс путем переж гани плавки св зей с помощью лазера . , . . . . Устройство работает следующим образом . При изготовлении и при обнаружени дефектных элементов 2 пам ти в матри це 1 в программируенвле элементы 13 пам ти, соответствующие дефектным . разр дам в матрице 1, занос тс едйничные сигналы. Кроме того, путем программировани единичных бигналов в элементах 25 пам ти на выходы 30 коглиутируютс п разр дов из k входов 26 (гдеп и).При коррекции двух дефектных разр дов используетс только один любой разр д входного адреса, в котором сигнгшы отличаютс друг от друга (при дефектности, например, разр дов в матрице 1 с адресами 10000 и11000. второ слева адресный разр д выбираетс на выход 30) . При коррекции одного дефектного разр да в разр дах элементов 2 пам ти матрицы 1 вначале выбираетс в дефектном входом адресе 26 разр д, содержащий нулевой сигнал, путем программировани соответствующего элемента 25 пам ти. Если же разр д элементов 3 пам ти матрицы 1 соответствующий этому адресу, вл етс также дефектным, то в адресе на входах 26 выбираетс дополнительНО еще один разр д, содержащий единичный сигнал, путем программировани второго из элементов 25 пам ти. При эксплуатации при записи информации- на входы 14-16 устройства подаютс сигналы разрешени записи, записи и управлени соответственно. ПриЭТОМ происходит возбуждение дешифраторов 6 и 12 в соответствии с кодом адреса запрашиваемого элемента 2 пам ти матрицы 1. Возбужденный выход 4 дешифратора подключает элементы 2 и 3 пам ти выбранного слова к разр дным шинам 5.. Одновременно происходит опрос соответствующего элемента 13 пам ти единичным сигналом , с одного из входов 11 дешифратор; ра 12.Если опрашиваетс исправный разр д элементов 2 пам ти/ то на шине 31 по витс нулевой сигнал, который закроет элементы И 8 и, проход через элемент НЕ 21, откроет элементы И 7. Тем самым, в разр д элементов 2 пам ти матрицы 1, открытый сигна .лом с одного из выходов 11 дешифратора 12, происходит запись информации , поступающей по входу 15. Если опрашиваетс дефектный разр д элементов 2 пам ти, то на шине 31 по витс единичный сигнал, который откроет вторые элементы И 8 и, проход через элемент НЕ 21, закроет элементы НЕ 7. Тогда в разр д элементов 3 произойдет записБ информации по алресу, поступающему с выходов 30 элементов ИЛИ 29 и вычисленному де П1ифратором 22. Пр мой и инверсный сигналы с двух 23 дешифратора 22. управл ют выбором соответственно первого-и второго разр дов элементов 3 пам ти матрицы 1. Сигнал на выходе 30 элемента ИЛИ 29 соответствует сигналу на однсзм из входов26, в котором сигналы в адресах двух дефектных разр дов ;Отлччаютс друг от друга. Если же в матрице 1 содержитс два дефектных разр да, один из которых относитс к элементам 3 пам ти , то благодар соответствующему программированию при производстве всегда будет опрашиватьс один из .исправных разр дов элементов 3 пам ;ти по нулевому или единичному сигналу с выхода 30. В режиме считывани сигналы на входах 14 и 15 отсутствуют. При этом элементы И 7 и 8 заперты, а сигнал О7СОСТОЯНИИ опрашиваемого основного 2 или дополнительного 3 элементов пам ти матрицы 1 поступает с выходов блоков 9 или 10 через элементы И 20 19, элемент ИЛИ 24, блок 17 на выход 18 устройства. Так же как и в режиме записи, выделение хранигмого сигнала или с блока 9, или с блока 10 зависит от сигнала на
шине 31 элементов 13 пам ти, т.е. от того, опрашиваетс исправный или дефектный элементы 2 пам ти матрицы 1.
Таким образом, предлагаемое устройство , как и известное, позвол ет производить коррекцию дефектных разр дов в матрице 1 элементов 2 пам ти, при наличии дополнительных элементов 3 пам ти в матрице, но более эффективно, поскольку требуетс только К программируемых элементов пам ти, Кроме того, в предлагаемом устройстве не производитс
контрольное считывание в режиме записи дл определени местоположени дефектов, что увеличивает быстродействие устройства при эксплуатации причем дефекты корректируютс и в дополнительных элементах 3 пам ти , поэтому надежность этого устройства выше, чем у известного.
Технико-экономическое преимуадество предлагаемого устройства заклйчаетс в его более высоких быстродействии и надежности по сравнению с известным.
2ff
Claims (1)
- ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, содержащее матрицу основных и дополнительных элементов памяти, дешифраторы адреса, первую и вторую группы программируемых элементов памяти, блоки считывания, блок вывода данных, группы элементов И, элемент НЕ, элемент ИЛИ и элементы И, причем адресные входы основных и дополнительных элементов памяти подключены к выходам первого дешифратора адреса, инверсные выходы элементов И первой и второй групп соединены с входами записи основных и дополнительных элементов памяти соответственно, прямые выходы элементов И первой группы и выходы основных элементов памяти подключены к информационным входам первого блока считывания, управляющие выходы которого соединены с выходами второго дешифратора адреса, первыми входами элементов И первой группы и входами программируемых элементов памяти первой группы, выходы которых подключены ко входу элемента ЙЕ, первому , входу первого элемента И и первым входам элементов И второй группы, вторые входы которых соединены с выходами третьего дешифратора адреса и управляющими входами второго блокё считывания, информационные входы которого подключены к выходам дополнительных элементов памяти и выходам элементов И второй группы, выход элемента НЕ соединен с первым входом второго элемента И и вторыми входами элементов И первой группы, выходы первого и второго блоков считывания подключены к вторым входам второго и первого элементов И соот ветственно, выходы которых соединены с входами элемента ИЛИ, выход которого подключен к первому вХойу блока вывода данных, выход которого является выходом устройства, а второй вход является управляющим входом устройства и соединен с третьими входами элементов И первой и второй групп, четвертые и пятые входы которых соответственно объединены и являются входом записи и входом разрешения записи устройства, адресными входами которого являются входы второго дешифратора адреса, о т л ича.ющееся тем, что, с целью повышения быстродействия устройства, в него введены третья группа элементов И, выходы которых подключены к входам элементов ИЛИ группы,входы которых подключены к входам Третьего дешифратора адреса·, причем первые входы элементов И. третьей группы j соединены с выходами программируемых, элементов памяти второй группы, а вторые входы - с входами второго дешифратора адреса.SU ... 1043741 >
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823433187A SU1043741A1 (ru) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | Запоминающее устройство |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823433187A SU1043741A1 (ru) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | Запоминающее устройство |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1043741A1 true SU1043741A1 (ru) | 1983-09-23 |
Family
ID=21010128
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU823433187A SU1043741A1 (ru) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | Запоминающее устройство |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1043741A1 (ru) |
-
1982
- 1982-04-28 SU SU823433187A patent/SU1043741A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Щетинин Ю.И. и др. Способы использовани кристаллов ЗУ с де- , фектными запоминающими элементами. Зарубежна электро.нна техника, 1978, № 20, с.6, рис.1,2. 2. Авторское свидетельство GCCiP № 877614, кл. q 11 С 11/00, 1981 (прототип). * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5761222A (en) | Memory device having error detection and correction function, and methods for reading, writing and erasing the memory device | |
JP2525112B2 (ja) | 誤り訂正回路を備えた不揮発性メモリ装置 | |
US5999450A (en) | Electrically erasable and programmable non-volatile memory device with testable redundancy circuits | |
US7286399B2 (en) | Dedicated redundancy circuits for different operations in a flash memory device | |
US6895537B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device including semiconductor memory with tester circuit capable of analyzing redundancy repair | |
US6041422A (en) | Fault tolerant memory system | |
EP0940753B1 (en) | Semiconductor memory device with redundancy | |
JPS61267846A (ja) | メモリを有する集積回路装置 | |
US5854764A (en) | Sectorized electrically erasable and programmable non-volatile memory device with redundancy | |
US9390801B2 (en) | Secure memory which reduces degradation of data | |
US7688640B2 (en) | Flash memory device and method for driving the same | |
JP2540028B2 (ja) | 集積プログラミング回路 | |
US6320791B1 (en) | Writing apparatus for a non-volatile semiconductor memory device | |
US8634261B2 (en) | Semiconductor memory device and method of operating the same | |
SU1043741A1 (ru) | Запоминающее устройство | |
US5337317A (en) | Minimizing the programming time in a semiconductor integrated memory circuit having an error correction function | |
KR100217910B1 (ko) | 플래쉬 메모리셀의 리페어 회로 및 리페어 방법 | |
JPS6254900A (ja) | プログラム可能な読出し専用メモリ | |
KR20080030216A (ko) | 페이지 버퍼 회로 | |
JPH11203892A (ja) | 半導体不揮発性記憶装置 | |
SU649044A1 (ru) | Запоминающее устройство | |
KR100255520B1 (ko) | 여분의데이터램을구비한캐쉬메모리장치 | |
SU957273A1 (ru) | Запоминающее устройство с коррекцией информации | |
SU1418816A1 (ru) | Посто нное запоминающее устройство | |
SU1283861A1 (ru) | Запоминающее устройство с коррекцией информации |