SK47895A3

SK47895A3 - Process and device for production of optical effective constructions, mainly lenses, and device for realization of this method

Info

Publication number: SK47895A3
Application number: SK478-95A
Authority: SK
Inventors: Joachim Hentze; Vitaly N Dr Lissotschenko
Original assignee: Joachim Hentze; Lissotschenko Vitaly N
Priority date: 1992-10-15
Filing date: 1992-10-30
Publication date: 1995-12-06
Also published as: ATE161974T1; HUT70343A; PL171204B1; AU2882492A; US5504302A; DK0664891T3; HU217401B; DE59209123D1; HU9500927D0; KR100303175B1; AU676669B2; DE4234740A1; JP3225359B2; PL308640A1; CA2147009C; EP0664891B1; ES2112336T3; JPH08502368A; BR9207167A; DE4234740C2

Description

Oblasť techniky

Vynález sa týka spôsobu výroby opticky účinných štruktúr, najmä šošoviek a radov šošoviek a hranolov, pri ktorom sa v aspoň jednom maskovacom kroku s nasledujúcim leptaclm krokom vytvorí na povrchu substrátu stupňovitá opticky účinná základná štruktúra, ktorá sa následne v taviacom kroku ohrevom až do roztavenia účinkom kapilárnych povrchových síl roztaveného substrátu vyhladí. Vynález sa ďalej týka zariadenia na vykonávanie tohoto spôsobu.

Doterajší stav techniky

Taký spôsob je známy napríklad z časopisu Laser Focus World, 1991, str. 93 až 99. V tomto článku je opísaný prehľad šiestich rôznych bežných spôsobov výroby mikrošošoviek a radov mikrošošoviek. Spôsob najbližší riešeniu podľaT prihlášky spočíva v tom, že pomocou fotolitografického maskovania a následného leptania sa na povrchu substrátu vytvorí približne šošovkovitá štruktúra, spracovaniu, čím dôjde k malému v určitých materiálov spôsobí šošoviek. Litografia sa vykonáva s niekoľkými maskami, ktoré sú vždy vyrovnané tak, že celok následne vyleptaných stupňovitých štruktúr tvorí približne šošovku. Tepelným spracovaním sa dosiahne úplné natavenie a taktiež celého nosného substrátu. Pritom spôsobí deformáciu celého povrchu a okolitého substrátu; tým jednako stupňovitej štruktúry, pričom však ktorá sa podrobí tepelnému premiestneniu hmoty, ktoré vznik kvalitatívne dobrých materiálu šošovky povrchové napät i e hmoty šošovky, ako aj dôjde ku zmenšeniu veľmi zmení optické parametre šošovky, čo vedie k vzniku optických chýb a k veľkým rozptylom a odchýlkam charakteristík šošoviek voči vopred stanovenej charakteristike.

Ďalej str. 44 až planárnych je z časopisu Spektrum der Hissenschaft, 1992, 50, ďalej Veldkamp, Binäre Optik, známe leptanie difrakčných šošoviek na rovnej strane planárne

- konvexnej refrakčnej šošovky, pričom opačné farebné aberace čiže skreslenie refrakčnej a difrakčnej optiky sa vzájomne kompenzuje a dosiahne sa farebná vernosť v širokom spektrálnom rozsahu. Leptaná refrakčná šošovka však svojimi leptanými stupňovitými čelnými plochami vytvára rozptýlené svetlo, ktoré zmenšuje kontrast obrazu. Na odstránenie tejto chyby vo veľkom vlnovom rozsahu bolo navrhnuté použiť mnoho maskovacích a leptacích krokov, napríklad až 12, pričom leptanie má byť vykonávané s klesajúcou výškou stupňov. To znamená veľmi vysoké náklady a vznik značného množstva zmetkov.

Úlohou vynálezu preto je vytvoriť spôsob a zariadenie, ktoré umožní priemyslovú výrobu optických štruktúr, najmä radov šošoviek, s veľkou presnosťou a úzkymi toleranciami optických dát, ako aj výrobu nových optických štruktúr.

Podstata vynálezu

Túto úlohu splňuje spôsob výroby opticky účinných štruktúr, najmä šošoviek a radov šošoviek a hranolov, pri ktorom sa v aspoň jednom maskovacom kroku s nasledujúcim leptacim krokom vytvorí na povrchu substrátu stupňovité opticky účinné základná štruktúra, ktorá sa následne v taviacom kroku ohrevom až do roztavenia účinkom kapilárnych povrchových síl roztaveného substrátu vyhladí, podľa vynálezu, ktorého podstatou je, Se v taviacom kroku sa substrát, ktorý nesie základnú štruktúru, premiestni do podtlakovéj komory a potom sa pôsobí na základnú štruktúru po pásoch elektrónovým lúčom urýchleným vysokým napätím pri jeho súčasnom kontinuálnom relatívnom pohybe na substrátu kolmo k pásovému rozloženiu taviacej oblasti, vytvorenej elektrónovým lúčom na základnej štruktúre, takú hustotou energie, že taviaca oblasť má hĺbku, ktorá zodpovedá aspoň výške stupňov stupňovitej základnej štruktúry.

Elektrónový lúč sa s výhodou vytvára lineárnym elektrónovým delom, ktorého anódové napätie je niekoľko kilovoltov, takže žiarenie dopadajúce na substrát vždy týmto spôsobom 2 neho vyrazí mnoho sekundárnych elektrónov, takže dochádza ku kontinuálnemu nabíjaniu substrátu, pričom substrát sa nabíja voči zdroju elektrónov na také napätie, ktoré je menšie ako energia elektrónového lúča. Týmto spôsobom je možné napätím alebo počtom elektrónov vytvorených v zdroji elektrónov presne určiť veľkosť energie žiarenia dopadajúceho na taviacu zónu substrátu. V spojení s rýchlosťou posuvu substrátu naprieč k rozloženiu taviacej oblasti je možné presne kontrolovať hĺbku vnikania taviacej oblasti do substrátu. Tým je možné pre vopred daný substrát prispôsobené k jeho vlastnostiam pri tavení a pomerom povrchového napätia zvoliť vhodnú šírku a hĺbku taviacej oblasti, tďkže dôjde k presne definovanému vyrovnaniu stupňov, ktoré vznikli vo výrobnom kroku alebo krokoch základnej štruktúry.

Pomery medzi anódovým napätím a napätím, na ktoré sa substrát nabíja, je možné s výhodou stabilizovať tým, že substrát sa usporiada na nosiči, ktorý má špecifickú vodivosť menšiu o aspoň jeden rád ako substrát.

Ako výhodné sa ukázalo, keď má taviaca oblasť hĺbku rovnajúcu sa 1 až 5 výškam stupňov a často dokonca hĺbku blížiacu sa výške jedného stupňa. Šírka taviacej oblasti sa v podstate rovná niekoľkým šírkam stupňov, pričom s výhodou je v rozsahu od aspoň 2 do 20 šírok stupňov.

Ďalšie vyhotovenie spôsobu znamená usporiadanie predohrievacej muflovej peci v podtlakovéj komore, v ktorej je substrát termostaticky ohrievaný predtým, ako sa vykoná natavenie povrchu. Ako výhodné sa ukázalo, keď je teplota ohrevu približne o 50 až 100 K pod teplotou tavenia alebo mäknutia materiálu základnej štruktúry. Tým je umožnené natavenie napríklad kremeňa, pomocou ktorého môžu byť vyrobené hodnotné šošovky a šošovkové usporiadania. Elektrónovým lúčom je možné nataviť taktiež kovy, ktoré môžu byť použité napríklad ako optické zrkadlá, priSom aj tu sa doporuSuje predohr i evan i e.

Pretože spôsobom stupňovitej štruktúry natavenia povrchu a tým odstránenia je možné vyrobiť mimoriadne hodnotnú optiku, ukázalo sa ako výhodné pri výrobe masiek korigovane zohľadniť odchýlky od ideálneho tvaru, ktoré vznikajú pri leptaní a pri postupnom natavovaní po pásoch. Preto sa pozdĺž obrysov upravuje prídavok na podleptanie a do masiek sa dodá smerove orientované predbežné skreslenie, ktoré pri natavení spôsobí odstránenie chýb spôsobených výrobou.

Maskovací krok a leptaci krok, pripadne rad maskovacích krokov a leptacích krokov, môže byť vykonávaná obvyklými spôsobmi fotolitografie, ožiarením materiálu masky laserom alebo elektrónovým lúčom, a potom sa vykoná leptaci krok vždy podľa druhu substrátu a požadovanej presnosti, a to kvapalným alebo plynným leptacim prostriedkom, najmä však aj plazmovým leptaním alebo leptaním zväzkom iontov. Principiálne je však taktiež možná výroba základnej štruktúry mechanickým opracovaním.

Spôsob podľa vynálezu je vhodný najmä na výrobu usporiadania konfokálnych planárnych šošoviek, ktorých stupne sa taviacim krokom definovane zošikmia a na hrane a na päte zaoblia tak, že rušivé vplyvy stupňovitých čelných plôch, ako aj prípadne poruchy spôsobené leptaním, sa odstránia.

Vysoká rovnomernosť optických dát šošoviek radov šošoviek, zaručená spôsobom výroby podľa vynálezu, umožňuje vytvorenie takej konfokálnosti všetkých šošoviek tým, že jednotlivé šošovky sú vytvorené ako asférické a v taviacom kroku sa korigujú z hľadiska optických chýb. Tým je možné vytvoriť optické systémy, ktoré majú takmer apertúru 1, čo je v bežne vyrobených jednotlivých šošovkách veľmi obtiažne dos i ahnute ľné.

Nové šošovky alebo štruktúry šošoviek môžu byť s výhodou ako kompenzačné čiže korekčné šošovky umiestnené na rovnej ploche refrakčnej šošovky. Natavením spôsobujúcim vyhladenie podľa vynálezu sa vlastnosti leptaných stupňovitých štruktúr znižujúce kontrast zmenšia alebo prakticky odstránia, takže na dosiahnutie rovnakej kvality postačí podstatne menší počet stupňov. Všeobecne postačí jeden jediný stupeň.

Korekčná šošovka môže byť usporiadaná na oddelenej doske pred alebo za refrakčnou šošovkou. Použitie korekčných šošoviek je výhodné aj v spojení s hodnotnými jednotlivými šošovkami, ktoré sú po svojej výrobe premerané, k čomu sa používa napríklad laserový scanner, ktorého zobrazovacia chyba sa systematicky vyhodnocuje. Pomocou získaných dát z merania sa vypočíta pre jednotlivý prípad korigujúca šošovková štruktúra a potom sa vyrobí sada masiek, ktorá slúži na výrobu korekčných šošoviek. Aj tu môžu byť dodatočným roztavením stupňov povrchovým natavením vyrobené niekoľkými maskovacími a leptacími krokmi korekčné šošovky bez rozptylu. Natavením vznikajú vlnité profily plochých štruktúr. Optické vlastnosti takých štruktúr môžu byť dobre opísané matematicky, takže je možné vykonať výpočet masiek s vysokou presnosťou, pretože zmena štruktúry je vopred urči teľná natavením stupňov a je vo výpočte zohľadnená.

Kombináciu premeraného systému s korekčnými doskami alebo štruktúrami je možné okrem šošoviek použiť aj na rovné plochy alebo pre hranolov.

iné optické systémy, napríklad hranoly alebo rady

S výhodou je taktiež možné pomocou spôsobu podľa vynálezu vytvárať povrchové svetelné vlnovody. Tak môžu byť do substrátu povrchového svetelného vlnovodu umiestnené konfokálne sektorovité štruktúry alebo taktiež šošovkovité vybrania, ktorých ohnisko leží v povrchovom svetelnom vlnovode a je orientované napríklad na úzky svetelný vlnovod alebo časť svetelného vlnovodu vo forme vlákna alebo pásu.

Spôsobom podľa vynálezu môžu byť vyrábané taktiež povrchy dutých zrkadiel, rada dutých zrkadiel, optických mreží atď. Štruktúra môže byť umiestnená priamo vo vysoko odrazných kovových povrchoch, napríklad zo striebra alebo chrómu, alebo môže byť vyrobená na materiále, pozrkadliť. S výhodou je možné na pozrkadlovanie tým, že ktorý sa následne môže povrchu vykonať podtlakové skončení natavenia substrát sa po privedie do naparovacieho zariadenia v podtlakovej komore.

Podstatou zariadenie na vykonávanie spôsobu podľa vynálezu je, že na vykonávanie taviaceho kroku v podtlakovéj komore na vytvorenie elektrónového lúča je usporiadaný pásový zdroj elektrónov, za ktorým je zaradená anóda so štrbinou, na ktorú je privádzané vysoké napätie, a bočné s odstupom voči sebe sú kolmo k rovine substrátu usporiadané zaostrovacie elektródy, napájané zaostrovaclm napätím, pričom v rovine substrátu je usporiadaný nosič s aspoň jedným substrátom a do tejto roviny je riadene posuvný dopravným zariadením.

Zariadenie na vykonávanie spôsobu podľa vynálezu je s výhodou dimenzované na niekoľko substrátov, ktoré za sebou prechádzajú muflovou pecou, v ktorej sa vykonáva predohrievanie, a potom sú vedené okolo zdroja elektrónov. Doprava substrátu je riadená regulované a taktiež rÔ2ne elektródy a zdroje elektrónov sú regulované riadené riadiacim zariadením. Na reguláciu sa ako výhodné ukázalo použitie signálu z merania zo snímača žiarenia nasmerovaného na taviacu oblasť, ktorý sa porovnáva s vopred stanovenou hodnotou žiarenia, pričom regulácia sa vykonáva tak, aby rozdiel oboch hodnôt bol pokiaľ možno rovný nule.

Prehľad obrázkov na výkresoch

Vynález bude ďalej bližšie objasnený na príkladoch vyhotovenia podľa priložených výkresov, na ktorých obr. 1 znázorňuje schematicky priebeh spôsobu, obr. 2 priečny rez zariadením na vykonávanie tohoto spôsobu, obr. 3 priečny rez substrátom, obr. 4 v perspektívnom pohľade povrchový svetelný vlnovod s optickou štruktúrou a obr. 5 optický systém, ktorý obsahuje korekčnú dosku.

Príklady vyhotovenia vynálezu

Na obr. 1 je znázornená schéma priebehu spôsobu podľa vynálezu. Substrát 1. sa v prvom maskovacom kroku MS povlečie, osvieti a otvorí a v nasledujúcom leptacom kroku AS stupňovité leptá. Pre planárne štruktúry postačí jeden maskovací krok MS a jeden leptacl krok AS a pre viacrozmerové štruktúry je nutné oba tieto kroky MS, AS s príslušnými maskami niekoľkokrát opakovať. Substrát 1_ s takto vytvorenou základnou štruktúrou sa potom v nasledujúcom taviacom kroku SS vyhladí. Pred taviacim krokom SS môže bytí vykonaný predohr ievací krok HS tým, že substrát £ so základnou štruktúrou 10 sa ohreje na predohrievaciu teplotu VT. ktorá leží alebo mäknutia základnej štruktúry 10.

blízko teploty tavenia

Taviaci krok SS sa vykoná pri regulovanej hustote energie elektrónového lúča k rozlohe taviacej a rýchlosti oblasti 11.

snímačom 45 žiarenia meria teplota taviacej oblasti 11 a ako skutočná veličina sa privádza do riadiaceho zariadenia ST. Taviaci krok SS sa vykonáva v podtlakovéj komore 3. Podtlaková komora 3 riadi elektrónové delo a pohon dopravného zariadenia 20 dopravujúceho substrát 1_. Pokiaľ sa skladá optická štruktúra zo zrkadlových elementov, nasleduje za taviacim krokom SS pozrkadlovací krok VS. ktorý sa s výhodou vykonáva naparovaním kovu v podtlakovéj komore 3.

posuvu substrátu 1_ kolmo Ako kontrolná veličina sa

Na základe optického merania 0M optických dát konečného výrobku EP sa určujú príslušné odchýlky od ideálneho tvaru a výpočtovým krokom kroku ME masky 6.

RS sa korigovane zohľadní vo výrobnom

Na obr. 2 taviaceho kroku komory 3, dopravuj e vykonávanie podtlakovéj v ktorej je upravené v rovine substrátu usporiadané substráty hlinitého, ktorý má je znázornené zariadenie na SS. Toto zariadenie sa skladá z dopravné zariadenie 20, ktoré 1_ nosiča 2, na ktorých sú

£. Nosiče 2 sa skladajú najmä z oxidu izolačné vlastnosti muflovej peci 30.

a substráty znázornená v

Nosiče 2 ktorá je vyhrievaná výborné £ sa pohybujú v otvorenom stave. Muflová pec 30 je elektricky s termostatickou reguláciou. Na konci muflovej pece 30 vstupujú nosiče 2 so substrátmi 1. do oblasti elektrónového lúča 4. Generátor elektrónového lúča 4 je znázornený v reze kolmom k jeho usporiadaniu. Elektróny sa uvoľňujú z vykurovacieho drôtu, ktorý slúži ako zdroj 40 elektrónov, a urýchľujú smerom k anóde 41 opatrenej štrbinou. Anóda 41 je napájaná regulovaným vysokým napätím o hodnote niekoľkých kilovoltov. Na ceste k anóde 41 prechádzajú elektróny medzi zaostrovacími elektródami 42, ktoré sú napájané zaostrovacím napätím. Urýchlené elektróny vystupujú ako lineárny elektrónový lúč 4 zo štrbiny v anóde 41 a dopadajú na dole usporiadaný substrát 1_, na ktorom sa nachádza základná štruktúra 10.

Nad taviacou oblasťou 11. ktorá vznikne v oblasti dopadu elektrónového lúča 4 na substrát i, je usporiadaný snímač 45 žiarenia, ktorého výstupný signál sa privádza do riadiaceho zariadenia ST. Riadiace zariadenie ST riadi vysoké napätie, zaostrovacíe napätie, prúd do zdroja 40 elektrónov a rýchlosť posuvu dopravného zariadenia 20. S výhodou je možné regulovať riadiacim zariadením ST aj elektrický ohrev muflovej pece 30. pričom signál z teplotného snímača 31 sa privádza ako skutočná hodnota do riadiaceho zariadenia ST.

Na obr. 3 je vo veľmi zväčšenej mierke znázornený zvislý rez substrátom 1, ktorý nesie jednu šošovku. ''Základná štruktúra 10 šošovky je znázornená čiarkované a skladá sa zo stupňov s naznačenou výškou H. Ďalej je tu znázornená taviaca oblasť 11. ktorá vznikne dopadom elektrónového lúča 4 pri kontinuálnom priechode substrátu 1_. Táto taviaca oblasť 11 má hĺbku T, ktorá zodpovedá zhruba 1,5násobku výšky H stupňov a má šírku B, ktorá v tomto príklade vyhotovenia prekrýva tri stredné šírky BS stupňov. Konečný tvar optického elementu je znázornený plnou čiarou. Tento konečný tvar vznikne pri natavení povrchového materiálu účinkom povrchového napätia taveniny. Povrchové napätia vyhladí a odstráni stupňovitú štruktúru a vytvorí takmer ideálny optický povrch. Je vidieť, že stupne môžu byť ľahko mierne podleptané, čo sa však natavením celkom odstráni.

Na obr. 4 je v perspektívnom pohľade a v rezu znázornená planárna optika PO v kryštále niobičnanu llthia, v ktorom je vytvorený povrchový svetelný vlnovod WL. Toto optické usporiadanie je konfokálne nasmerované na ohnisko F. Ohnisko F leží v tomto príklade vyhotovenia na okraji kryštálu, kde je pripojený úzky svetlovodný pás LL.

Na obr. 5 je znázornená plankonvexná refrakčná šošovka L, na ktorej rovnej strane je vytvorená kompenzačná čiže korekčná štruktúra K* podľa vynálezu, ktorá má roztavením približne vlnitý tvar. Táto korekčná štruktúra K* je planárnou šošovkou, ktorá má opačný farebný koeficient ako refrakčná šošovka L. takže na základe vlnitej štruktúry s malými stratami rozptylom je dosiahnutá širokopásmová farebná korekcia. Alternatívne je na korekčnej doske KP vytvorená kompenzačná čiže korekčná štruktúra K, ktorá je usporiadaná pred a/alebo za refrakčnou šošovkou L, alebo prípadne niekoľkými šošovkami jedného systému.

Claims

PATENTOVÉ NÁROKY

1. Spôsob výroby opticky účinných štruktúr, najmä šošoviek a radov šošoviek a hranolov, pri ktorom sa v aspoň jednom maskovacom kroku (HS) s nasledujúcim leptacím krokom (AS) vytvorí na povrchu substrátu (1) stupňovitá opticky účinná základná štruktúra (10), ktorá sa následne v taviacom kroku (SS) ohrevom až do roztavenia účinkom kapilárnych povrchových síl roztaveného substrátu (1) vyhladí, vyznačujúci sa tým, že v taviacom kroku (SS) sa substrát (1), ktorý nesie základnú štruktúru (10), premiestni do podliakovej komory (3) a potom sa pôsobí na základnú štruktúru (10) po pásoch elektrónovým lúčom (4) urýchleným vysokým napätím pri jeho súčasnom kontinuálnom relatívnom pohybe na substrátu (1) kolmo k pásovému rozloženiu taviacej oblasti (11), vytvorenej elektrónovým lúčom (4) na základnej štruktúre (10), takou hustotou energie, že taviaca oblasť (11) má hĺbku (T), ktorá zodpovedá aspoň výške (H) stupňov stupňovitej základnej štruktúry (10).
2. Spôsob podľa nároku 1, vyznačujúci sa tým, že pôsobenie sa vykonáva elektrónovým lúSom (4) s urýchľovacím napätím viac ako napríklad 2 až 5 kV.
3. Spôsob podľa nároku 1, vyznačujúci sa tým, že hĺbka (T) taviacej oblasti (11) zodpovedá 1 až 5, najmä 1 až 2,5násobku výšky (H) stupňov.
4. Spôsob podľa jedného 3, vyznačujúci s (4) sa zaostrí na základnú oblasť (11), na ktorú dopadá, aspoň 2násobku strednej šírky z predchádzajúcich nárokov 1 až a tým, že elektrónový lúč štruktúru (10) tak, že taviaca má šírku (B), ktorá zodpovedá (BS) stupňov.
5. Spôsob podľa jedného z predchádzajúcich nárokoví až

4, vyznačujúci sa tým, Se substrát (1) na nosiči (2) sa v podtlakovej komore (3) v predohriavacom kroku (HS) predohreje na predohrievaciu teplotu (VT), ktorá leSí menej ako 100 K, najmä 50 K, pod teplotou tavenia alebo mäknutia materiálu základnej štruktúry (10).
6. Spôsob podľa jedného z predchádzajúcich nárokov 1 až

5, vyznačujúci sa tým, že maska (6), ktorá sa použije v maskovacom kroku (MS), pri ktorom sa výrobný krok (ME) masky (6) vykoná orientovane s tak vopred skreslenou vopred danou základnou formou, že pri rovnako orientovanom priebehu taviacej oblasti (11) sa takto vytvorená vopred skreslená základná štruktúra (10) vopred danej základnej formy zbaví skreslenia.
7. Spôsob podľa jedného z predchádzajúcich nárokov 1 až

6, vyznačujúci sa tým, že každý maskovací krok (MS) sa vykoná fotolitograficky, laserovým ožiarením alebo ožiarením elektrónovým lúčom (4) a nasledujúci leptací krok (AS) sa vykoná kvapalným alebo plynným leptacím prostriedkom, najmä plazmovým leptaním alebo leptaním zväzkom iontov. '
8. Spôsob podľa jedného z predchádzajúcich nárokov 1 až

7, vyznačujúci sa tým, že pri výrobnom kroku (ME) zodpovedá maska (6) vopred stanovenému ideálnemu tvaru a je na svojich obrysoch doplnená prídavkom na podleptanie, takže pri natavení takto zamaskovanej a potom leptanej základnej štruktúry (10) vznikne optický element, ktorého štruktúra zodpovedá ideálnemu tvaru.
9. Spôsob podľa jedného z predchádzajúcich nárokov 1 až

8, vyznačujúci sa tým, že iba v jednom maskovacom kroku (MS) a jednom nasledujúcom leptacom kroku (AS) sa vytvorí aspoň jedno konfokálne usporiadanie planárnych šošoviek, ktorého stupne sa v nasledujúcom taviacom kroku (SS) zošikmia a na hranách a pätách zaoblia.
10. Spôsob podľa jedného z predchádzajúcich nárokov 1 až

9, vyznačujúci sa tým, Se daná šošovka (L) alebo ďalší optický systém sa premerá a v závislosti na svojich optických chybách, napríklad na chromatickej aberacii, sa vypočíta a potom vyrobí maska alebo skupina masiek (60), ktoré zodpovedajú štruktúre kompenzačnej čiže korekčnej optiky (K, Κχ) , a potom sa s týmito maskami (60) maskovacím krokom (MS) a leptacím krokom (AS) vytvorí na rovnom povrchu šošovky (LL) alebo na korekčnej optickej doske (KP) korekčná optika (Κχ) .
11. Spôsob podľa jedného z predchádzajúcich nárokov 1 až

10, vyznačujúci sa tým, že v maskovacích a leptacích krokoch (MS, AS) sa vytvorí základná štruktúra (10) radov šošoviek, ktorej jednotlivé šošovky sa vytvoria asféricky orientovane na vždy jedno spoločné ohnisko radov šošoviek a potom v nasledujúcom taviacom kroku (SS) sa uvedú do príslušného asférického ideálneho tvaru.
12. Spôsob podľa jedného z predchádzajúcich nárokov 1 až 9, vyznačujúci sa tým, že základná štruktúra sa vyleptá v povrchovom svetelnom vlnovode (WL), napríklad v niobičnanu lithia, a má konfokálny sektorovitý alebo šošovkovitý tvar, ktorého ohnisko (F) leží v povrchovom svetelnom vlnovode (WL).
13. Spôsob podľa jedného z predchádzajúcich nárokov 1 až 8, vyznačujúci sa tým, že opticky účinná štruktúra ako zrkadlový povrch sa vytvorí na kovovom substráte (1), ktorý sa skladá napríklad zo striebra alebo chrómu, alebo ša po taviacom kroku (SS) pozrkadli v pozrkadlovacom kroku (VS), najmä podtlakovým pozrkadlovaním.
14. Optický element vyrobený spôsobom podľa jedného 2 nárokov 1 až 13, vyznačujúci sa tým, že povrchová štruktúra optického elementu sa vyhladí povrchovým natavením a povrchovým napätím pritom vzniknutej taveniny.
15. Optický element podľa nároku 13, vyznačujúci sa t ý m, že sa skladá z kremeňa alebo skla a je tvorený jednou šošovkou alebo jedným radom šošoviek, skladajúci sa z konfokálne vyrovnaných asférických šošoviek.
16. Optický systém, vyznačujúci sa tým, že sa skladá z chybnej šošovky (L) alebo optiky, pred a/alebo za ktorou je usporiadaná na korekčnej optickej doske (KP) alebo na rovnom povrchu šošovky (L) kompenzačná čiže korekčná optika (K, K*) .
17. Zariadenie na vykonávanie spôsobu podľa jedného z nárokov laž 13, vyznačujúce sa tým, že na vykonávanie taviaceho kroku (SS) v podtlakovéj komore (3) na vytvorenie elektrónového lúča (4) je usporiadaný pásový zdroj (40) elektrónov, za ktorým je zaradená anóda (41) so štrbinou, na ktorú je privádzané vysoké napätie, a bočné s odstrúpom voči sebe sú kolmo k rovine substrátu (1) usporiadané zaostrovacie elektródy (42), napájané zaostrovacím napätím, pričom v rovine substrátu (1) je usporiadaný nosič (2) s aspoň jedným substrátom (1) a do tejto roviny je riadene posuvný dopravným zariadením (20).
18. Zariadenie podľa nároku 17, vyznačujúce satým, že v podtlakovéj komore (3) je usporiadaná muflová pec (30), ktorá je termostaticky regulované elektricky vyhrievaná.
19. Zariadenie podľa nároku 18, vyznačujúce sa tým, že v muflovej peci (30) je usporiadané dopravné zariadenie (20).
20. Zariadenie podľa nároku 18 alebo 19, vyznačuj ú ce sa tým, že elektrónový lúč (4) je vyžiarovaný do muflovej pece (30) alebo je v nej vytváranýn.
21. Zariadenie podľa jedného z nárokov 18 až 20, vyznačujúce sa tým, že v taviacej oblasti (11) je usporiadaný detektor (45) žiarenia, ktorého signál je privádzaný do riadiaceho zariadenia (ST), ktorým sa podľa vopred stanovenej hodnoty (SW) žiarenia regulované riadi vysoké napätie anódy (41), vykurovací prúd (IH) zdroja (40) elektrónov a/alebo rýchlosť posuvu dopravného zariadenia (20).