JP2658486B2 - レーザ・スパッタリング装置 - Google Patents
レーザ・スパッタリング装置Info
- Publication number
- JP2658486B2 JP2658486B2 JP9361490A JP9361490A JP2658486B2 JP 2658486 B2 JP2658486 B2 JP 2658486B2 JP 9361490 A JP9361490 A JP 9361490A JP 9361490 A JP9361490 A JP 9361490A JP 2658486 B2 JP2658486 B2 JP 2658486B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- target
- vacuum chamber
- optical system
- thin film
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は薄膜デバイス等の薄膜形成を行うレーザを用
いたレーザ・スパッタリング装置に関する。
いたレーザ・スパッタリング装置に関する。
従来の技術 従来、この種のレーザを用いたスパッタリング装置
は、コムラ氏他による「ジャパニーズ・ジャーナル・オ
ブ・アプライド・フィジィックス」の1988年版に示され
ているようなものがあり、第３図のような構成になって
いる。
は、コムラ氏他による「ジャパニーズ・ジャーナル・オ
ブ・アプライド・フィジィックス」の1988年版に示され
ているようなものがあり、第３図のような構成になって
いる。
本従来例の構成は、真空槽11内にターゲット12と、タ
ーゲット12に対向配置された基板台13の上には基板14を
取り付け、可視光のＱスイッチYAGレーザの第２高調波
（波長532nm）レーザ光15を光学系16で集光し、真空槽1
1の真空封じ窓17を通して、ターゲット12に照射し、基
板14上にターゲット12の材料の薄膜を堆積させるもので
ある。
ーゲット12に対向配置された基板台13の上には基板14を
取り付け、可視光のＱスイッチYAGレーザの第２高調波
（波長532nm）レーザ光15を光学系16で集光し、真空槽1
1の真空封じ窓17を通して、ターゲット12に照射し、基
板14上にターゲット12の材料の薄膜を堆積させるもので
ある。
発明が解決しようとする課題 しかし、このような構成のものでは、レーザ光の強度
分布に起因してターゲットの加工量が場所によって異な
り、第４図に示すように堆積した膜18の厚さに不均一分
布が生じる。その対策として、膜厚分布を均一化するた
めに、他のスパッタリング装置で行なわれているよう
に、前記強度分布均一化を図るため基板を移動させるこ
とが考えられるが、機構が複雑になることや膜厚分布の
経時的変化への対応が困難である。
分布に起因してターゲットの加工量が場所によって異な
り、第４図に示すように堆積した膜18の厚さに不均一分
布が生じる。その対策として、膜厚分布を均一化するた
めに、他のスパッタリング装置で行なわれているよう
に、前記強度分布均一化を図るため基板を移動させるこ
とが考えられるが、機構が複雑になることや膜厚分布の
経時的変化への対応が困難である。
本発明は上記した問題に鑑み、膜厚の均一な薄膜形成
を簡素な装置で行うことのできるレーザ・スパッタリン
グ装置を提供するものである。
を簡素な装置で行うことのできるレーザ・スパッタリン
グ装置を提供するものである。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するために本発明のスパッタリング装
置は、パルス光を出射するレーザ発振器と、複数の集光
レンズ部が前記レーザ発振器からのレーザ・ビームの光
路内並列配置されている集光光学系と、この集光光学系
の各集光レンズ部で集光されたそれぞれのレーザ光が照
射されるターゲットを設置するための真空槽とを備えた
ものである。
置は、パルス光を出射するレーザ発振器と、複数の集光
レンズ部が前記レーザ発振器からのレーザ・ビームの光
路内並列配置されている集光光学系と、この集光光学系
の各集光レンズ部で集光されたそれぞれのレーザ光が照
射されるターゲットを設置するための真空槽とを備えた
ものである。
作用 本発明は上記した構成によって、レーザ発振器から出
たパルス・レーザ光を集光光学系の各集光レンズ部にそ
れぞれ入射させることにより、真空槽内に設置されたタ
ーゲットに対して多点同時加工することができる。この
とき加工点の間隔を適切なものに設定することにより、
膜厚の薄い所と厚い所を重ね合わせることで均一な厚さ
の薄膜を堆積させることができる。
たパルス・レーザ光を集光光学系の各集光レンズ部にそ
れぞれ入射させることにより、真空槽内に設置されたタ
ーゲットに対して多点同時加工することができる。この
とき加工点の間隔を適切なものに設定することにより、
膜厚の薄い所と厚い所を重ね合わせることで均一な厚さ
の薄膜を堆積させることができる。
実施例 以下、本発明の実施例のレーザ・スパッタリング装置
について、図面を参照しながら説明する。
について、図面を参照しながら説明する。
第１図は本実施例におけるレーザ・スパッタリング装
置の構成図を示すものである。第１図において、１はレ
ーザ発振器、２はパルス化されたレーザ光、３はコリメ
ータ・レンズ群、４は反射鏡、５は同一の焦点距離を持
つ複数の集光レンズ部5aが並列配置された集光光学系、
６は真空槽、７は集光レンズ部5aの光軸に対して垂直に
真空槽６内に設置されたターゲット、８は真空槽６の一
側壁に設けられた真空封じ窓、９は真空槽６内のホルダ
に保持された基板、10は基板９上に堆積された薄膜であ
る。レーザ発振器１から出たパルス化されたレーザ光２
は、コリメータ・レンズ群３を通過し、反射鏡４によっ
て集光光学系５に誘導され、真空槽６内に設けられたタ
ーゲット７に真空封じ窓８を通して集光・照射される。
ターゲット７は各集光レンズ部5aで集光されたそれぞれ
のレーザ光によって複数箇所が同時加工され、スパッタ
リング作用により飛散した物質によって、基板９上に薄
膜10が形成される。第２図は第１図の装置によって形成
された薄膜10の拡大断面図である。ターゲットの各加工
点から飛来した物質によって形成された膜厚は不均一な
分布であるが、集光光学系５を構成する集光レンズ部5a
の互いの間隔を適切なものに設定することにより、膜厚
の薄い所と厚い所を重ね合わせることで膜厚分布を均一
化させることができる。
置の構成図を示すものである。第１図において、１はレ
ーザ発振器、２はパルス化されたレーザ光、３はコリメ
ータ・レンズ群、４は反射鏡、５は同一の焦点距離を持
つ複数の集光レンズ部5aが並列配置された集光光学系、
６は真空槽、７は集光レンズ部5aの光軸に対して垂直に
真空槽６内に設置されたターゲット、８は真空槽６の一
側壁に設けられた真空封じ窓、９は真空槽６内のホルダ
に保持された基板、10は基板９上に堆積された薄膜であ
る。レーザ発振器１から出たパルス化されたレーザ光２
は、コリメータ・レンズ群３を通過し、反射鏡４によっ
て集光光学系５に誘導され、真空槽６内に設けられたタ
ーゲット７に真空封じ窓８を通して集光・照射される。
ターゲット７は各集光レンズ部5aで集光されたそれぞれ
のレーザ光によって複数箇所が同時加工され、スパッタ
リング作用により飛散した物質によって、基板９上に薄
膜10が形成される。第２図は第１図の装置によって形成
された薄膜10の拡大断面図である。ターゲットの各加工
点から飛来した物質によって形成された膜厚は不均一な
分布であるが、集光光学系５を構成する集光レンズ部5a
の互いの間隔を適切なものに設定することにより、膜厚
の薄い所と厚い所を重ね合わせることで膜厚分布を均一
化させることができる。
発明の効果 以上のように本発明によれば、一つの加工点では分布
差の存在する膜厚を多点で同時加工し、膜厚の薄い所と
厚い所を重ね合わせることで膜厚分布を均一化が成され
る。
差の存在する膜厚を多点で同時加工し、膜厚の薄い所と
厚い所を重ね合わせることで膜厚分布を均一化が成され
る。
第１図は本発明の実施例におけるレーザ・スパッタリン
グ装置の構成図、第２図は第１図の装置によって基板上
に形成された薄膜の拡大断面図、第３図は従来のレーザ
・スパッタリング装置の構成図、第４図は不均一分布状
態で堆積した薄膜の断面図である。 １……レーザ発振器、５……集光光学系、5a……集光レ
ンズ部、６……真空槽、７……ターゲット。
グ装置の構成図、第２図は第１図の装置によって基板上
に形成された薄膜の拡大断面図、第３図は従来のレーザ
・スパッタリング装置の構成図、第４図は不均一分布状
態で堆積した薄膜の断面図である。 １……レーザ発振器、５……集光光学系、5a……集光レ
ンズ部、６……真空槽、７……ターゲット。
Claims (1)
- 【請求項１】パルス光を出射するレーザ発振器と、複数
の集光レンズ部が前記レーザ発振器からのレーザ・ビー
ムの光路内に並列配置されている集光光学系と、この集
光光学系の各集光レンズ部で集光されたそれぞれのレー
ザ光が照射されるターゲットを設置するための真空槽と
を備えたことを特徴とするレーザ・スパッタリング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9361490A JP2658486B2 (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | レーザ・スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9361490A JP2658486B2 (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | レーザ・スパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03291373A JPH03291373A (ja) | 1991-12-20 |
| JP2658486B2 true JP2658486B2 (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=14087208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9361490A Expired - Lifetime JP2658486B2 (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | レーザ・スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2658486B2 (ja) |
-
1990
- 1990-04-09 JP JP9361490A patent/JP2658486B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03291373A (ja) | 1991-12-20 |
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