SE527733C2 - Anordning och metod för att tillverka solceller - Google Patents

Anordning och metod för att tillverka solceller

Info

Publication number
SE527733C2
SE527733C2 SE0402432A SE0402432A SE527733C2 SE 527733 C2 SE527733 C2 SE 527733C2 SE 0402432 A SE0402432 A SE 0402432A SE 0402432 A SE0402432 A SE 0402432A SE 527733 C2 SE527733 C2 SE 527733C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
deposited material
heating means
heating
heated
deposited
Prior art date
Application number
SE0402432A
Other languages
English (en)
Other versions
SE0402432L (sv
SE0402432D0 (sv
Inventor
Sven Lindstroem
Original Assignee
Midsummer Ab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Midsummer Ab filed Critical Midsummer Ab
Priority to SE0402432A priority Critical patent/SE527733C2/sv
Publication of SE0402432D0 publication Critical patent/SE0402432D0/sv
Priority to KR1020077008019A priority patent/KR20070103359A/ko
Priority to SG200906653-1A priority patent/SG156617A1/en
Priority to PCT/SE2005/001476 priority patent/WO2006038875A1/en
Priority to EP05789660A priority patent/EP1797593A1/en
Priority to CN200580034270A priority patent/CN100583462C/zh
Priority to US11/664,982 priority patent/US8058090B2/en
Priority to JP2007535643A priority patent/JP2008516445A/ja
Priority to AU2005292714A priority patent/AU2005292714A1/en
Publication of SE0402432L publication Critical patent/SE0402432L/sv
Publication of SE527733C2 publication Critical patent/SE527733C2/sv
Priority to IL182326A priority patent/IL182326A0/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1872—Recrystallisation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5806—Thermal treatment
    • C23C14/5813—Thermal treatment using lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

527 733 V PPF E Ett ändamål med föreliggande uppfinningen är att tillhandahålla en förbättrad anordning för tillverkning av tunnfilmssoloeller.
Detta ändamål uppnås genom en anordning som lnnefattan medel för att deponera åtminstonde ett material på ett substrat; uppvårmningsmedel för att värma det deponerade materialet på en begränsad del av det deponerade materialet; medel för att förflytta substratet och upprvärmnlngsmedlet i förhållande till varandra tills en förutbestämd yta av materialet uppvärmts; medel för att kyla det uppvärmda materialet på eü kontrollerat sätt; sarrrt, medel för att uppnå den önskvärda kristallstrukturen på det deponerade materialet Ytterligare ett ändamål med uppfinningen är att tillhandahålla en förbättrad metod för tillverkning av tunrrfilmssoloeller.
Detta ytterligare ändamål uppnås genom en metod innefattande stegen: deponering av åtminstonde ett material på ett substrat; uppvärmning av det deponerade materialet medelst uppvärrnningsmedel på en begränsad del av det deponerade materialet; förflyttning av substratet ooh uppvärrnningsmedlet i förhållande till varandra tills en förutbestämd yta av materialet uppvärrnts; kylning av det uppvärmda materialet på ett kontrollerat sätt; samt erhållning av den önskvärda kristallstrukturen på det deponerade materialet.
Ytteriigare andra ändamål och egenskaper hos föreliggande uppfinning kommer att bll tydliga i beaktande av den följande detaljerade beskrivningen tillsammans med åtföljande ritningar. Dock måste detförstås att ritningama är utformade enbart ur illustrerlngssynpunld ooh inte som definitioner av uppfinningens grämer, för vilka hänvisning istället skall göras till bifogade patentkrav. Vidare, ska det förstås att rltnlngarna inte nödvändigtvis är ritade i skala och att de, om inte annat indikeras, är enbart avsedda att konoeptuellt illustrera de strukturer och procedurer beskrivna i denna ansökan. 527 733 ES AV l ritningama, dar lika hanvlsningsbeteckningar betecknar liknande element genomgående, i de olika vyema: Flg. 1 visarenanordnirtg med ettroterandesubstratsaniten iaserkalla med kontrelliunlttion för att varma en tunnfilrnseoioell i enlighet med en föredragen utfilringsforrn av uppfinningen; Figlavisarenlaserstràlefoltuseradpåenbegrànsadytaavettabsorberandesidictpaen tunntilmseoloell; Figlbvlsareniaserstrålefoialaeradpáen begránsadytagenom substratetavett absorbermdesidlctpàenwnniilmssoloeli.
Föreliggande uppllnnlrigen avser tunnfiimssoioelier vilka innefattar ett substret med ett deponaratabsorberandesldd. Databsorberandemateriaietardeponeratpasubstratetpà ett kant satt såsom spultritg och/eller vakuuntförángnlrig.
Det föredragna materialet för det absorberande sklktet I denna uppfinnlng är CIGS vilket består av Cu, ln, Ga och Se ooh/eller S. Dessa material kan deponeras tillsammans eller sekvensieüt i manga varianter. Men den uppfinningsenliga metoden kan användas pà alla ttmrltlhtseolcelier.
Uppfinningen hrfördelen gentemot tidigare använda metoder genom att subetratets ternperattndaeorptionbiirbegrñnsad pågrund avattendasten liten delavdetabsorberande skiktet hettas upp ooh darförkan många olika sorters material, såsom plast- metall- och glaseubstrat, användas.
En annanfördei gentemottldigare kända metoder arattdeponerlngen avmaterial kan ske utan att subetratet behöver hettas upp under deponering. Istalletförbawas krlstalietrultttlren etterdetattdetabeorberandeskiidetdeponeram.
Så har i den föredragna utföringslorrnen en cirkulär fonn vilket möjliggör användandet av redan befintlig utrusming förtlilveriming av optisk datalagring, men upplhrtlrigenkartanvandaspåsubstratavviikenfonnsom helst 527 733 I det fñlande er en foredragen utforlngsfonn av en anordning for tillverkning av turmflknssoloeller beskriven tillsammans med figur 1. Med termen substrat menas l beskrivningen nedanettsubstratmed ettdeponerat absorberandesldlct.
Anordnlngenlnnefattarenehuokfl lnrattadattmottaettsubstrat Woohattroteradetta substrat fllettvasentligen horisontellt laga. Chucken 11 ármonterad páen väsentligen vertikalaxlel12oohroteras med drivmedel, sàsomen motor13.
Vldarelmefdtwanordnlrrgen en laser14 som skickaren laserstråle 15motsubstratet 17.
Laserstràlen töarhrattadatthettauppdetabsorberandeslrilrtetpasubstratet 17, som vldambeeloivsiyttenigaædetaflnedanochfillsammansmedfigwhodfiolden föredragna uforingsfonnen av uppfinningen används en laser Mforattvarrna upp det absorberandesldirtetmenenfackrnaninserattvilkenmetodsom helstsomkanvarrnaupp enbegrirsadytaoolrsåkananvánd, såsom en konstruktion med induktlvvamreelleren elektronslrñlevldareborpápekasattidenfóredragna utforingsfonnenanvandsen laserstràle, menenfaclorranforstårattmeran en laserstrále naturligtvis kananvândas.
Lasem Mârmonterad pàenvasentligen horisontell axel töocharinrattad attfortlyttas utrnedderrnaaxel 16(vlsatmedenpll) nardetabsorberandesldlrtetupplretlas. Laserstralen ßvarrnerdetabeorberarrdeskilctetpåenlitenytamunlct). Substratet Wroterasavchucken 11 ochlaeern14forflyttasutrnedaxeln 16. Sáledesvannsdetabsorberandeeldktet korrtlnuertigtlettsplralforrnatmorrstsrtíllsdessatthela ytan ellerenfórutbestámdytaavdet absorbermdeslddetsruppvannt Kristalileerirlgen kontrolleras av en enhet 18 som styr effekten av lasems uppvannnings- och nedrylnirrgstld fñratt uppnå den önskvärda kristallstrukturen pa det absorberande sklktet.
Vârmeeflekten korrtrolerae av tex. laeems styrka, ohuckens rotationshastlghet, lasems horisontella roralee ooh/eller laserstralens fokus. Också nedkylningstiden kontrolleras genom tex lasems styrka. dwokens rolationshastighet. lasems horisontella rörelse octüeller laserstrålens fokus.
Sáeomforståsavflgurhootr 2bkan laserstrálerr 15 vànnadet abærberande 19arrtirrgenfrån ovansidan ellergenom substratet17.Valetav rílmingfràn vilken abeorptionsslrlrtet 19 uppvarms, beror pàtex. ivilken ordning de olika lagren deponerats. Valet av ridning berorocirsa på om andra lager såsom vannelednirrgslager anvánisoctrvrrrågorrstarisihogenavlagerde placerats. l det fñljande ßkrtvs en metod för att tillverka tunnfilmsaoloeller innefattande stegen: deponering av åtminstonde ett material pá ett substrat; uppvärmning av det deponerade materialet medelst uppvannnlngsmedel pà en begränsad del av det deponerade materialet; fortlyttrwing av substratet och uppvarmningsmedlet i förhållande till varandra 527 733 tills en förutbestamd yta av materialet uppvarrnts; kylning av det uppvärmda materialet på ett kontrollerat satt; samt erhallning av den önskvarda kristallstrukturen på det deponerade materialet.
Sasom illustrerats ovan har en tillverkningsanordnlng och en metod för tillverkning av en solcell beskrivits. darettdeponeratmaterialvamits upp pa en liten ytaföratt uppnå önskad ltrlstallstriltttx. Detta satt ar enligt föreliggande uppfinning fördelaktlg ijarnförelse med fldlguenamndakandametodersomhaverdepaæfingavmatedalpaearedanvamfi substratförattuppna den önskade ltristallstruldrrren. Metoden attendastvarma uppen liten del av det absorberande sldctet möjliggöraven att varrnekansliga substratrnalerial kan anvandas. Vldfle ger den uppflnningsenllga metoden gott resultat tillsammans med vilken deponerlngsrnetodsom helst. Ovanstående beskrivnafördelarsankerradikaltkostnaderria för att tülverka tinnlilnissoloeller.
Således, medan fundamentala nya sardrag hos uppfinningen har visats och beskrivits och pekats pa som de ser ut l dennas föredragna utföringsforrn, maste det förstås att olika utelamnandsn och förändringar l form och detaljer hos de illustrerade apparatema och deras funktion, kan göras av fackmannen utan att uppflnnlngens kama andras. 11ll exempel ar det uttryckligen avsett att alla kombinationer av de element och/eller metodsteg som har vasentllgen samma funktion på väsentligen samma satt för att åstadkomma samma resultat ar inom uppfinningens ramar. Dessutom kan strukturer och/eller element och/eller metodsteg visade och/eller beskrivna i samband med någon beskriven form eller utförandefonn inkorporeras i någon annan beskriven eller visad eller föreslagen forrn eller utföringsfonn som en generell fråga om val av design. Det ar därför lntentlonen att gransema satts endast som indikeras av de hartill bifogade patentkravens ramar.

Claims (1)

1. 0 15 20 25 30 35 1. 10. 527 733 Metod förtillverkrilng av en tunnfilmseoloell, lrlnnetecknad av att metoden innefattar 039011! - deponering av àtrninetone ett material på ett subetrat (17); - uppvärmning av det deponerade materialet medelst uppvármningemedel (14) på en begränsad del av det deponerade materialet; - kontinuerlig förflyttning av substratet (17) och uppvârmningemedlet (14) i förhållande till varandra tills en förutbestämd yta av materialet uppvannte; - nedkylning av det uppvärmda materialet på ett kontrollerat sätt; - erhallning av den önskvärda kristalletrukturen på det deponerade materialet. Metod enligt petentkrav 1, dar åtminstone en laeeretråle (15) använde vid uppvarrnnirig av det deponerede materialet. Metod enligt petentiaav 1, där en induktiv vànneanordning använde vid uppvärmning av det deponerade materialet. Metod enbt patenflrrav 1, dar en elektronetràle använde vid uppvannnlrrg av det deponerede materialet. Metodmlgtpalerrfioavtdarknstallsuulmrænavdetdeponemdematenalet kontrolleraegenornvàrrneeffekten. Metodenllgtpeterrtlaav 1, dârkristalletruictrrren avdetdeponerede materialet kontrolleras genom nedkylningstiden. Metod enligt pdentlaav 1 dar lcristalleuuidtrren av det deponerade materialet kontrolleras genom den relativa förllyttriingen av eubetratet (17) och uppvârmningernedlet (14). Metodenligtpetentluavl. dârsubetmtet (17) àrgjortavettplaetrnaterial. Metod enligt patentkrav 1, dardeponeringen av åtminstone ett material göra pà ett kallt eubetrat (17). Anordning för tillverkning av en tunnfilmseoloell. klnnetecknad av att anordningen innefattar - medel för deponering av åtminstone ett material på ett eubetrat (17); 10 15 20 25 13. 16. 527 733 - uppvarmnlngsmedel (14) for uppvärmning av det deponerade materialet på en begränsad del av det deponerade materialet; - medel (11, 13, 16) ftir kontinuerlig förflyttning av eubetratet (17) och uppvarrnnlngemedlet (14) l förhållande tlll varandra tills en förutbestämd yta av materialet uppvarmte; - medel (18) for nedkylning av det uppvärmda materialet pa ett kontrollerat 6511: - medel (18) for erhállning av den önskvärda kristallaflukttrren på det deponerade materialet. Anordning enligt patentkrav 10, dar uppvarmningsmedlet (14) är åtminstone en laeeretrñle (15). Anordning enligt petentkrav 10, dar uppvarrnningsmedlet ar en induktiv varrnearrordnlrrg. Anordning enligt patentkrav 10, dar uppvarmningsmedlet âr en eleldronstrále. Anordning enllgt patentkrav 10, dar varmeeifelden är inrättad att kontrollera leletelletrtrltttrren av det deponerade materialet. Anordning enligt patentkrav 10, där nedkylningstlden är inrättad att kontrollera ldietallstrlrldrrren av det deponerade materialet. Anordning enligt patentkrav 10, dar den relativa forflyttningen av substratet (17) och uppvarmningernedlet (14) ar inrättad att kontrollera lcrietallstrulduren av det deponerade materialet
SE0402432A 2004-10-08 2004-10-08 Anordning och metod för att tillverka solceller SE527733C2 (sv)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0402432A SE527733C2 (sv) 2004-10-08 2004-10-08 Anordning och metod för att tillverka solceller
AU2005292714A AU2005292714A1 (en) 2004-10-08 2005-10-06 Apparatus and method of manufacturing solar cells
EP05789660A EP1797593A1 (en) 2004-10-08 2005-10-06 Apparatus and method of manufacturing solar cells
SG200906653-1A SG156617A1 (en) 2004-10-08 2005-10-06 Apparatus and method of manufacturing solar cells
PCT/SE2005/001476 WO2006038875A1 (en) 2004-10-08 2005-10-06 Apparatus and method of manufacturing solar cells
KR1020077008019A KR20070103359A (ko) 2004-10-08 2005-10-06 태양 전지 제조 장치 및 방법
CN200580034270A CN100583462C (zh) 2004-10-08 2005-10-06 制造太阳能电池的装置和方法
US11/664,982 US8058090B2 (en) 2004-10-08 2005-10-06 Apparatus and method of manufacturing solar cells
JP2007535643A JP2008516445A (ja) 2004-10-08 2005-10-06 太陽電池の製造装置および方法
IL182326A IL182326A0 (en) 2004-10-08 2007-03-29 Apparatus and method of manufacturing solar cells

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0402432A SE527733C2 (sv) 2004-10-08 2004-10-08 Anordning och metod för att tillverka solceller

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE0402432D0 SE0402432D0 (sv) 2004-10-08
SE0402432L SE0402432L (sv) 2006-04-09
SE527733C2 true SE527733C2 (sv) 2006-05-23

Family

ID=33434207

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE0402432A SE527733C2 (sv) 2004-10-08 2004-10-08 Anordning och metod för att tillverka solceller

Country Status (10)

Country Link
US (1) US8058090B2 (sv)
EP (1) EP1797593A1 (sv)
JP (1) JP2008516445A (sv)
KR (1) KR20070103359A (sv)
CN (1) CN100583462C (sv)
AU (1) AU2005292714A1 (sv)
IL (1) IL182326A0 (sv)
SE (1) SE527733C2 (sv)
SG (1) SG156617A1 (sv)
WO (1) WO2006038875A1 (sv)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009005297B4 (de) * 2009-01-16 2013-05-08 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten mittels Vakuumbedampfung
EP2219231A1 (en) * 2009-02-12 2010-08-18 Excico France Method and apparatus for irradiating a photovoltaic material surface by laser energy
DE102009033417C5 (de) * 2009-04-09 2022-10-06 Interpane Entwicklungs-Und Beratungsgesellschaft Mbh Verfahren und Anlage zur Herstellung eines beschichteten Gegenstands mittels Tempern
US20130029450A1 (en) * 2010-04-19 2013-01-31 Korea Institute Of Industrial Technology Method for manufacturing solar cell
CN103824649B (zh) * 2014-01-25 2016-11-09 陕西师范大学 一种利用电磁加热优化透明导电氧化物薄膜质量的方法
US9978896B2 (en) * 2015-09-15 2018-05-22 Sunpower Corporation Encapsulant bonding methods for photovoltaic module manufacturing

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6486344A (en) * 1987-09-29 1989-03-31 Victor Company Of Japan Information recording carrier and production thereof
US4824489A (en) * 1988-02-02 1989-04-25 Sera Solar Corporation Ultra-thin solar cell and method
JP2784841B2 (ja) * 1990-08-09 1998-08-06 キヤノン株式会社 太陽電池用基板
US5714404A (en) * 1993-11-18 1998-02-03 Regents Of The University Of California Fabrication of polycrystalline thin films by pulsed laser processing
US5456763A (en) * 1994-03-29 1995-10-10 The Regents Of The University Of California Solar cells utilizing pulsed-energy crystallized microcrystalline/polycrystalline silicon
JP3841866B2 (ja) * 1996-03-04 2006-11-08 三菱電機株式会社 再結晶化材料の製法、その製造装置および加熱方法
DE69734183T8 (de) * 1996-10-15 2007-03-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma Sonnenzelle und Herstellungsverfahren
JPH1174206A (ja) 1997-08-27 1999-03-16 Japan Steel Works Ltd:The 多結晶半導体の製造方法および製造装置
US6258620B1 (en) * 1997-10-15 2001-07-10 University Of South Florida Method of manufacturing CIGS photovoltaic devices
JP2000068520A (ja) * 1997-12-17 2000-03-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体薄膜、その製造方法、および製造装置、ならびに半導体素子、およびその製造方法
AU2002233930A1 (en) 2000-11-16 2002-05-27 Solarflex Technologies, Inc. System and methods for laser assisted deposition
JP3900924B2 (ja) * 2001-04-03 2007-04-04 トヨタ自動車株式会社 ステアリング装置の支持機構
FR2839201B1 (fr) * 2002-04-29 2005-04-01 Electricite De France Procede de fabrication de semi-conducteurs en couches minces a base de composes i-iii-vi2, pour applications photovoltaiques
JP2004063924A (ja) 2002-07-31 2004-02-26 Mitsubishi Heavy Ind Ltd レーザアニール方法及び装置
JP2004193490A (ja) 2002-12-13 2004-07-08 Seiko Epson Corp レーザー照射装置、レーザーの照射方法、及び半導体装置の製造方法
US20050072461A1 (en) * 2003-05-27 2005-04-07 Frank Kuchinski Pinhole porosity free insulating films on flexible metallic substrates for thin film applications
TW200503061A (en) * 2003-06-30 2005-01-16 Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd Crystallization method, crystallization apparatus, processed substrate, thin film transistor and display apparatus
US7115304B2 (en) * 2004-02-19 2006-10-03 Nanosolar, Inc. High throughput surface treatment on coiled flexible substrates

Also Published As

Publication number Publication date
SE0402432L (sv) 2006-04-09
WO2006038875A1 (en) 2006-04-13
SG156617A1 (en) 2009-11-26
AU2005292714A1 (en) 2006-04-13
SE0402432D0 (sv) 2004-10-08
US8058090B2 (en) 2011-11-15
CN100583462C (zh) 2010-01-20
KR20070103359A (ko) 2007-10-23
EP1797593A1 (en) 2007-06-20
CN101036236A (zh) 2007-09-12
IL182326A0 (en) 2007-07-24
JP2008516445A (ja) 2008-05-15
US20090011535A1 (en) 2009-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104651792B (zh) 一种柔性基材单面连续卷绕磁控溅射镀膜自动生产线
CN105428457B (zh) 一种工业化沉积cigs太阳电池吸收层的方法及设备
CN1056009C (zh) 对诸如玻璃盘的脆性非金属表面进行构形的方法
DE69603978T2 (de) Magnetaufzeichnungsvorrichtung
US20070204740A1 (en) Automatic instrument for fabricating prepared slide of tissue section and automatic prepared slide fabricating method
CN108890128B (zh) 一种激光多束流复合温度场焊接装置
SE527733C2 (sv) Anordning och metod för att tillverka solceller
KR101577857B1 (ko) 레이저-스코어되고 만곡된 유리 리본으로부터의 유리 시트의 분리
JP2017507886A (ja) 金属結晶質基板上での、パルスレーザーを用いた大面積のグラフェンの合成方法
EP0124829A1 (de) Verdampfervorrichtung mit Strahlheizung zum Aufdampfen mehrerer Materialien
CN103993269B (zh) 镀膜装置及镀膜方法
US11002697B2 (en) Robotic infrared thermographic inspection for unitized composite structures
CN102918186A (zh) 使用叠加扫描元件的单次扫描线扫描结晶法
EP2539483A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum schnellen heizen und kühlen eines substrates und sofort anschliessender beschichtung desselben unter vakuum
TW201039956A (en) Laser scribing platform with moving gantry
DE102011004441A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten
CN104659071B (zh) 一种amoled显示面板制作方法及制作装置
DE102012001980A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur reaktiven Wärmebehandlung
WO2019061963A1 (zh) 激光切割方法
CN107611076A (zh) 一种衬底吸附平台
JP2006297678A (ja) 水圧転写装置
CN107757887A (zh) 一种用于海景拍摄的安全型智能化无人机
DE69221449T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung einer zylindrischen Aussenfläche einer Scheibe zur Herstellung eines Informationsträgers und mit diesem Verfahren oder Vorrichtung hergestellter Informationsträger
CN211247199U (zh) 铝管表面树脂涂覆系统
US11760065B2 (en) Resin coated metal sheet for container