SE524165C2 - Sammansatt högfrekvensenhet med ett flertal kommunikationssystem för olika frekvensband - Google Patents

Description

25 30 35 524 165 2 resultaten till en automatisk förstärkningsstyrkrets anordnad i var och en av DCS- och GSM- övertöringsvägama, vilket sålunda ökar antalet komponenter som krävs på ett kretssubstrat.

Detta resulterar i en tvåbands eellulär telefonanordning (mobil kommunikationsanordning) med en ökad storlek.

Ett annat problem beskrivs här nedan. Eftersom en antenn, en diplexor, DCS- och GSM-högfrekvensomkopplare, DCS- och GSM-högfrekvensfilter (dvs lågpassfiltret) och DCS- och GSM-riktkopplare är monterade på ett enda kretssubstrat på diskret sätt behövs ytterligare eller som anpassnings-dämpnings- och högfrekvensomkopplarna, mellan anpassningskretsar uppvisar isoleringskarakteristika mellan diplexorn högfrekvensomkopplama och högfrekvensfiltren, samt mellan högfrekvensfiltren och riktkopplarna. Därför ökas ytterligare antalet komponenter, vilket ytterligare ökar den nödvändiga monteringsytan och ökar kretssubstratets storlek. Detta resulterar i en stor tvåbands cellulär telefonanordning (mobil kommunikationsanordning).

Sammanfattning av uppfinningen För att övervinna de ovan beskrivna problemen med tidigare känd teknik föreslås genom de föredragna utföringsforrnema av föreliggande uppfinning en mobil kommunikationsanordning som eliminerar behovet av en anpassningskrets och som innefattar en kompakt krets, samt en sammansatt högfrekvensenhet som används i densamma.

I detta syfte är, vid en föredragen utföringsfonn av föreliggande uppfinning, en mobil kommunikationsanordning försedd med ett flertal kommunikationssystem som utnyttjar olika frekvensband och som innefattar en antenn, en sändare för vart och ett av kommunikationssystemen, samt en mottagare för vart och ett av kommunikationssystemen.

Den mobila kommunikationsanordningen innefattar vidare en diplexor för överföring av sändningssignaler från ett flertal kommunikationssystem till antennen, samt för distribuering av mottagningssignaler som tas emot via antennen till flertalet kommunikationssystem, en högfrekvensomkopplare för vart och ett av kommunikationssystemen för omkoppling av signalerna mellan sändaren och mottagaren, samt en riktkopplare för utvinning av delar av sändningssignalema, samt för sändning av resultaten till en automatisk förstärkningsstyrkrets.

Riktkopplaren är anordnad mellan antennen och multiplexorn.

Den mobila kommunikationsanordningen innefattar dessutom högfrekvensfilter efter högfrekvensomkopplama, vilka är anslutna till mottagarna.

Vid en arman föredragen utföringsform av föreliggande uppfinning innefattar en sammansatt högfrekvensenhet som används i den mobila kommunikationsanordningen en mikrovågskrets högfrekvensenheten definieras genom ett flerskiktssubstrat som tillverkats genom laminering av ett flertal dielektriska skikt, och flerskiktssubstratet högfrekvensomkopplarna och riktkopplaren. som bär på flertalet kommunikationssystem. Den sammansatta innefattar diplexorn, I den sammansatta högfrekvensenheten innefattar företrädesvis diplexom ett 10 15 20 25 30 35 524 165 3 induktanselement och ett kapacitanselement; högfrekvensomkopplaren innefattar ett omkopplingselement, ett induktanselement, och ett kapacitanselement; och riktkopplaren innefattar en primärledning och en sekundärledning. Dessa komponenter ingår antingen i eller på flerskiktssubstratet. Flerskiktssubstratet anslutningsdon för anslutning av dessa komponenter till varandra. är monterade innefattar företrädesvis Följaktligen ger en mobil kommunikationsanordning enligt föreliggande uppfinning en riktkopplare mellan en antenn och en diplexor, vilket på så sätt eliminerar nödvändigheten av separata riktkopplare som anordnas för ett flertal kommunikationssystem. Därför behövs endast en riktkopplare för den mobila kommunikationsanordningen.

En sammansatt högfrekvensenhet enligt föreliggande uppfinning innefattar en diplexor, högfrekvensomkopplare, samt en riktkopplare, vilka är anordnade i ett flerskiktssubstrat som tillverkats genom laminering av ett flertal dielektriska skikt. Därför är anslutningsdonen för diplexom, högfrekvensomkopplarna och riktkopplaren inbyggda i flerskiktssubstratet.

Andra egenskaper, kännetecken, element och fördelar med föreliggande uppfinning kommer tydligare att framgå av nedanstående detaljerade beskrivning av föredragna utföringsforrner av uppfinningen med hänvisning till de bifogade figurema.

Kortfattad beskrivning av figurerna Fig. 1 är ett blockschema för en mobil kommunikationsanordning enligt en föredragen utföringsform av föreliggande uppfinning.

Fig. 2 är ett kopplingsschema för en diplexor i en sammansatt högfrekvensenhet som visas i fig. 1.

Fig. 3A och 3B är kopplingsscheman för högfrekvensomkopplare i den sammansatta högfrekvensanordningen som visas i fig. 1.

Fig. 4A och 4B är kopplingsscheman för högfrekvensfilter i den sammansatta högfrekvensenheten som visas i fig. 1.

Fig. 5 är ett kopplingsschema för en riktkopplare som är inbyggd i den sammansatta högfrekvensenheten som visas i fig. 1.

Fig. 6 är en paitiellt sprängd perspektivvy av den sammansatta högfrekvensenheten som visas i fig. 1.

Fig. 7A - 7H är planvyer uppifrån av dielektriska skikt som bildar ett flerskiktssubstrat av den sammansatta högfrekvensenheten som visas i fig. 6.

Fig. 8A - 8F är planvyer uppifrån av ytterligare dielektriska skikt som bildar flerskiktssubstratet hos den sammansatta högfrekvensenheten som visas i fig. 6.

Fig. 8G är en vy underifrån av det dielektriska skiktet som visas i fig. 8F.

Fig. 9 år ett blockschema som visar en del av en typisk tvåbands cellulär telefonanordning (mobil kommunikationsanordning). 10 15 20 25 30 35 524 165 4 Detaljerad beskrivning av föredragna utföringsformer F ig. 1 visar en mobil kommunikationsanordning 10 enligt en föredragen utföringsform av föreliggande uppfinning. Den mobila kommunikationsanordningen 10 är en tvåbands cellulär telefonanordning som uppvisar två kommunikationssystem med olika frekvensband, dvs DCS som är ett 1,8 GHz kommunikationssystem och GSM som är ett 900 MHz kommunikationssystem. Den mobila kommunikationsanordningen 10 innefattar en antenn, en sammansatt högfrekvensenhet 12 som omges av en streckad linje i fig. 1, sändare Tzd och Txg, samt mottagare Rxd och Rxg.

Den sammansatta högfrekvensenheten 12 innefattar första till femte portar Pl - P5, en diplexor 13, högfrekvensomkopplare 14a och 14b, kamfilter l5a och 15b, vilka är högfrekvensfilter, samt en riktkopplare 16.

Diplexom 13 sänder sändningssignaler från de båda kommunikationssystemen, DCS och GSM, till antennen ll, och fördelar de mottagningssignaler som tas emot via antennen ll till de båda kommunikationssystemen DCS och GSM.

Högfrekvensomkopplaren 14a kopplas om för att föra över DCS-signaler från sändaren Txd och till mottagaren Rxd, och högfrekvensomkopplaren 14b kopplas om för att föra över GSM-signaler från sändaren Txg till mottagaren Rxg.

Kamfiltren l5a och 15b är placerade mellan högfrekvensomkopplama 14a och 14b och sändarna Txd respektive Txg, så att den harmoniska distorsion som iörorsakas av sändningseffektförstärkama (ej visade i figurerna) som ingår i sändarna Txd och Txg elimineras.

Riktkopplaren 16 som utvinner delar av DCS- och GSM-sändningssignalema och sänder resultaten till en automatisk förstärkningsstyrkrets (ej visade i figurerna) är anordnad mellan antennen 11 och diplexom 13. DCS- och GSM-sändningssignalerna urskiljs genom ändring av graden av koppling hos riktkopplaren 16 beroende på DCS-frekvensbandet eller GSM-frekvensbandet.

Den första porten Pl motsvarar en första port P41 hos riktkopplaren 16. Den andra och fjärde porten P2 och P4 motsvarar andra portar P32a och P32b hos kamfiltren l5a respektive 15b. De tredje och femte portarna P3 och P5 motsvarar tredje portar P23a och P23b hos högfrekvensomkopplarna 14a respektive 14b.

En första port P11 hos diplexom 13 är ansluten till en andra port P42 hos riktkopplaren 16, och andra och tredje portar P12 och P13 hos diplexom 13 är anslutna till första portar P21a och P21b hos högfrekvensomkopplarna 14a respektive l4b.

Andra portar P22a och P22b hos högfrekvensomkopplarna 14a och 14b är anslutna till första portar P3 la och P31b hos kamfiltren l5a respektive 15b.

Den första porten Pl , den andra porten P2, den tredje porten P3, den fjärde porten P4 och den femte porten P5 hos den sammansatta högfrekvensenheten 12 är anslutna till antennen ll, DCS-sändaren Txd, DCS-mottagaren Rxg, GSM-sändaren Txg respektive GSM-mottagaren Rxg. 10 15 20 25 30 35 524 165 s Fig. 2 är ett kopplingsschema för diplexom 13 i den sammansatta högfrekvensenheten 12 som visas i fig. 1.

Diplexom 13 innefattar induktorer eller induktanselement Lll och L12 och kondensatorer eller kapacitanselement Cl 1-C15. Kondensatorema C11 och C12 är seriekopplade mellan den första porten 11 och den andra porten 12, och förbindelsen mellan kondensatorema C11 och C12 är jordad genom induktom Lll och kondensatorn C13.

En parallellkrets med induktom L12 och kondensatorn C14 är ansluten mellan den första porten P11 och den tredje porten P13, och förbindelsen mellan parallellkretsen och den tredje porten P13 är jordad genom kondensatorn C15.

Med andra ord är ett högpassfilter definierat mellan den första porten Pll och den andra porten P12, vilket har ett passband genom vilket endast DCS-sändnings- mottagningssignalema (inom ett högt frekvensband) överförs, vilket leder till den andra porten P12. Ett lågpassfilter är definierat mellan den första porten Pll och den tredje porten P13, med ett passband genom vilket endast GSM-sändnings-mottagningssignalema (inom ett lågt frekvensband) överförs, vilka signaler leds till den tredje porten P13.

Fig. 3A och 3B är kopplingsscheman som visar DCS-högfrekvensomkopplaren 14a respektive GSM- högfrekvensomkopplaren l4b i den sammansatta högfrekvensenhet 12 som visas i fig. 1.

Enligt vad fig. 3A och 3B, och eflersom DCS- högfrekvensomkopplaren 14a och GSM- högfrekvensomkopplaren l4b har samma kretsstruktur l4b; referensbeteckningama DCS- som illustreras i sker här ingen beskrivning av GSM-högfrekvensomkopplaren som motsvarar referensbeteckningarna för högfrekvensomkopplaren 14a anges emellertid inom parentes.

Högfrekvensomkopplaren 14a (l4b) innefattar dioder eller omkopplingselement Dla och D2a (Dlb och D2b), induktorer eller induktanselement L2la - L23a (L21b - L23b), kondensatorer eller kapacitanselement C2la och C22a (C21b och C22b), och ett motstånd Ra (Rb): Induktom L2la (L2lb) utgörs av en parallell spärrspole, och induktom L22a (L22b) utgörs av en drosselspole.

Dioden Dla (Dlb) är ansluten mellan den första porten P2la (P2lb) och den andra porten P22a (P22b) varvid katoden är inriktad mot den första porten P2la (P2lb). En seriekrets med induktom L2la (L2lb) och kondensatorn C2la (C2lb) är parallellkopplad till dioden Dla (Dlb).

Anoden hos dioden Dla (Dlb), vilken är ansluten till den andra porten P22a (P22b), är jordad genom induktom L22a (L22b), och ett styruttag VCa (Vcb) är anslutet till en nod mellan induktom L22a (L22b) och jord.

Induktom L23a (L23b) är ansluten mellan den första porten P2la (P2lb) och den tredje porten P23a (P23b), och en förbindelse mellan induktom L23a (L23b) och den tredje porten P23a (P23b) är jordad via dioden D2a (D2b) och kondensatorn C22a (C22b).

Förbindelsen mellan katoden hos dioden D2a (D2b) och kondensatorn C22a (C22b) är jordad 10 15 20 25 30 35 524 165 6 genom motståndet Ra (Rb).

Fig. 4A och 4B är kopplingsscheman som visar DCS-karnfiltret eller högfrekvensfiltret 15a respektive GSM-kamfiltret eller högfrekvensfiltret 15b i den sammansatta högfrekvensenheten 12 som visas i fig. l.

Enligt vad som illustreras i fig. 4A och 4B, och eftersom DCS-kamfiltret 15a och GSM-kamfiltret 15b har samma kretsuppbyggnad sker ingen beskrivning av GSM-kamfiltret 15b; de referensbeteckningar som motsvarar referensbeteckningama i DCS-kamfiltret 15a anges emellertid inom parentes.

Kamfiltret 15a (15b) innefattar en spole eller induktanselement L3la (L3lb), och kondensatorer eller kapacitanselement C31a och C32a (C31b och C32b). En parallellkrets med spolen L3 la (L3lb) och kondensatorn C31a (C31b) är ansluten mellan den första porten P31a (P3 lb) och den andra porten P32a (P32b).

Förbindelsen mellan parallellkretsen och den andra porten P32a (P32b) är jordad genom kondensatorn C32a (C32b).

Fig. 5 är ett kopplingsschema för riktkopplaren 16 i den sammansatta högfrekvensenheten 12 som visas i fig. 1.

Riktkopplaren 16 innefattar en primärledning L41 och en sekundärledning L42.

Primärledningen L41 är kopplad till de första och andra portarna P41 och P42 vid sina ändar och sekundärledningen L42 är kopplad till de tredje och fjärde portarna P43 och P44 vid sina ändar.

Den tredje porten P43 är jordad genom ett motstånd R och den fjärde porten P44 är ansluten till en automatisk förstärkningsstyrkrets, även om denna inte visas i figuren.

Fig. 6 är en partiellt sprängd perspektivvy av den sammansatta högfrekvensenheten 12 som visas i fig. 1. Den sammansatta högfrekvensenheten 12 innefattar ett flerskiktssubstrat 17 som är tillverkat genom laminering av ett flertal dielektriska skikt.

Flerskiktssubstratet 17 innehåller spolarna Lll och L12, samt kondensatorerna Cl 1- C15 hos diplexom (se fig. 2); spolama L23a och L23b hos högfrekvensomkopplama 14a och 14b (se fig. 3A och 3B); spolarna L3la och L31b, och kondensatorema C3la (C31b) och C32b hos karnfiltren l6a och l6b (se fig. 4A och 4B); och riktkopplarens primär- och sekundärledningar L41 och L42, även om dessa komponenter inte visas i fig. 6.

På ytan av flerskiktssubstratet 17 är diodema Dla, D2a, Dlb och D2b monterade, liksom även spolarna L21a, L22a, L2lb och L22b, kondensatorema C21a, C22a, C2lb och C22b, och motstånden Ra och Rb hos högfrekvensomkopplarna 14a och 14b (se fig. 3A och 3B) samt motståndet R som är kopplat till den tredje porten P43 i riktkopplaren 16. Dessa komponenter definieras genom chips, varvid dessa chips är monterade på flerskiktssubstratet 17.

Flerskiktssubstratet 17 är försett med tolv yttre uttag Ta-Tl som är anordnade på sidoytor mot bottenytan med hjälp av en teknik såsom screentryck. De tolv yttre terrninalerna Tl-Tl är anslutna till de första till femte portarna P1-P5 hos den sammansatta 10 15 20 25 30 35 524 165 7 högfrekvensenheten 12, styruttagen Vca och Vcb hos högfrekvensomkopplarna 14a och 14b, den fjärde porten P44 ansluten till den automatiska förstärkningsstyrkretsen i riktkopplaren 16, och jord.

En metallkåpa 18 med korta utskott 181 och 182, vilka befinner sig mitt emot varandra, ligger över flerskiktssubstratet 17 fór att täcka chipsen som är monterade på flerskiktssubstratet 17 så att utskotten 181 och 182 är placerade mot de yttre uttagen Tf och Tl som definierar jorden.

Anslutningar mellan riktkopplaren 16 och diplexom 13, mellan diplexom 13 och högfrekvensomkopplarna 14a och 14b, och mellan högfrekvensomkopplama 14a och 14b och kamfiltren 15a och 15b, är anordnade genom genomfóringshålselektroder (ej visade i figurema) etc, inne i flerskiktssubstratet 17.

Fig. 7A - 7H och fig. 8A - 8F är planvyer uppifrån av flertalet dielektriska skikt som definierar flerskiktssubstratet 17 hos den sammansatta högfrekvensenheten 12 som visas i fig. 6. F ig. 8G är en vy underifrån av det dielektriska skiktet som visas i fig. 8F.

Flerskiktssubstratet 17 tillverkas genom laminering av det forsta till fjortonde dielektriska skiktet 17a - 17n i närrmda ordning från toppen, vilka tillverkas av keramik som väsentligen innehåller bariumoxid, aluminiumoxid, och kiseldioxid, och genom bränning av laminatet vid en brärmingstemperatur som inte överstiger 1000°C.

Det första dielektriska skiktet 17a innefattar anliggningsytor La och linjer Li som anordnats på dess översida med användning av en teknik såsom screentryckning. Diodema Dla, Dlb, D2a och D2b, spolama L21a, L21b, L22a och L22b, kondensatorerna C21a, C21b, C22a och C22b, samt motstånden Ra, Rb och R, är monterade på anliggningsytoma La.

I fig. 7G, 8B och 8C är stripledningselektroder Spl-Sp8 anordnade på de övre ytoma hos de sjunde, tionde och elfte dielektriska skikten l7g, 17j och 17k, med användning av en teknik såsom screentryckning.

I fig. 7C-7F och 8E är kondensatorelektroder Cp1-Cp15 anordnade på den övre ytan av de tredje till sjätte och trettonde dielektriska skikten 17c-17f och 17m, med användning av en teknik såsom screentryckning.

I fig. 7C, 7H, 8D och SF, är jordelektroder Gpl-GP4 anordnade på översidoma av de tredje, åttonde, tolfte och fjortonde dielektriska skikten 17c, 17h, 171 och 17n, med hjälp av en teknik såsom screentryckning.

I fig. 8G är de yttre uttagen Ta-Tl tryckta och bildade på undersidan 17nu hos det fjortonde dielektriska skiktet 17n med hjälp av en teknik såsom screentryckning.

I fig. 7B, 8A och 8B är ledningarna Li som används som anslutningsdon anordnade på översidoma av det andra, nionde och tionde dielektriska skikten 17b, 17i, och 17j med hjälp av en teknik såsom screentryckning.

Stripledningselektroderna Spl-Sp8, kondensatorelektrodema Cpl-CPl5, sarnt jordelektrodema Gp1-Gp4, definieras var och en genom ledarskikt.

De forsta till trettonde dielektriska skikten 17a-17m har genomfóringshålelektroder 10 15 20 25 30 35 524 165 s Vh som används som anslutningsdon i förutbestämda positioner för att gå genom de första till trettonde dielektriska skikten 17a-17m.

I diplexom 11 är spolama Lll och L12 definierade med hjälpa av stripledningselektrodema Sp7 respektive Sp6. I högfrekvensomkopplama 14a och 14b är spolama L23a och L23b definierade genom stripledningselektrodema Sp4 respektive Sp3.

I högfrekvensfiltren 15a och 15b är spolarna L31a och L31b definierade genom stripledningselektrodema SP8 respektive SPS. I riktkopplaren 16 är primär- och sekundärledningama L41 och L42 definierade genom stripledningselektrodema Sp2 respektive Spl.

I diplexom 11 är kondensatorn C11 definierad genom kondensatorelektrodema Cp2, Cp4 och Cp7; kondensatorn C12 är definierad genom kondensatorelektrodema Cp5, Cp8 och Cpll; jordelektroden Gp4; kondensatorn C14 är definierad genom kondensatorelektrodema Cp7 och kondensatom C13 är definierad genom kondensatorelektroden Cp15 och Cp10; och ; kondensatom C15 är definierad genom kondensatorelektroden Cp13 och jordelektroden Gp4.

I kamfiltret 15a är kondensatom C31 definierad genom kondensatorelektroden Cp3 och Cp9; och kondensatom C32a är definierad genom kondensatorelektroden Cp14 och jordelektroden Gp4. I karnfiltret kondensatorelektroden Cpl och Cp6; och kondensatom C32b är definierad genom kondensatorelektroden Cp12 och j ordelektroden Gp4.

En operation hos den sammansatta högfrekvensenheten 12 som är inbyggd i den 15b är kondensatom C31b definierad genom mobila kommunikationsanordningen 10 som visas i fig. 1 beskrivs här nedan.

För sändning av en DCS-sändningssignal inom 1,8 GHz-bandet tillämpas en spänning på 3V på styruttaget Vca hos DCS-högfrekvensomkopplaren 14a. Då kopplas diodema Dla och D2a in och DCS-sändningssignalen går genom högfrekvensomkopplaren 14a, diplexom 13 och riktkopplaren 16, och överförs från antennen ANT som är ansluten till den forsta porten P1 hos den sammansatta högfrekvensenheten 12.

Samtidigt tillämpas en spänning på OV på styruttaget Vcb hos GSM- högfrekvensomkopplaren 14b för att stänga av dioden Dlb, vilket förhindrar att HSM- sändningssignaler sänds. Diplexom 13 förhindrar att DCS-sändningssignalen går från GSM- sändaren Txg och GSM-mottagaren Rxg. Karnñltret 15a som befinner sig efter DCS- högfrekvensomkopplaren 14a och som är anslutet till DCS-sändaren Txd dämpar distorsionen hos DCS-sändningssignalen, vilken förorsakas av en högeffektfórstärkare (ej visad i figurerna) som är inbyggd i sändaren Txd.

För sändning av en GSM-sändningssignal inom 900 MHz-bandet tillämpas å andra sidan en spänning på 3V på styruttaget Vcb hos GSM-högfrekvensomkopplaren 14b. Då sätts Dlb D2b högfrekvensomkopplaren 14b, diplexom 13 och riktkopplaren 16, och sänds från antennen ANT som är ansluten till den första porten P1 hos den sammansatta högfrekvensenheten 12. diodema och igång och GSM-sändningssignalen går genom 10 15 20 25 30 35 0524 165 9 Samtidigt anbringas en spänning av OV över styruttaget Vca hos DCS- högfrekvensomkopplaren l4a för att stänga av dioden Dla, för att förhindra sändning av DCS-sändningssignalen. Diplexom 13 förhindrar GSM-sändningssignalen från att nå DCS- sändaren Txd och DCS-mottagaren Rxd. Kamfiltret 15b som är anordnat efter högfrekvensomkopplaren l4b och som är anslutet till GSM-sändaren Txg dämpar distorsionen hos GSM-sändningssignalen, vilken förorsakas av en högefïektförstärkare (ej visad i ñgurema) som är inbyggd i sändaren Txg.

För mottagning av DCS- och GSM-mottagningssignaler anbringas därefter en spärming av OV över styruttaget Vca hos DCS-högfrekvensomkopplaren l4a för att stänga av diodema Dla och D2a, och en spärming av OV anbringas över styruttaget Vcb hos GSM- högfrekvensomkopplaren l4b för att stänga av diodema Dlb och D2b. Detta förhindrar att DCS-mottagningssignalen på oönskat sätt leds till DCS-sändaren Txd och förhindrar även att GSM-mottagningssignalen på oönskat sätt leds till GSM-sändaren Txg.

Diplexom 13 förhindrar både DCS-mottagningssignalema från att på oönskat sätt nå GSM-nätet och GSM-mottagningssignalema från att på oönskat sätt föras över till DCS-nätet.

Följaktligen anordnas i en mobil kommunikationsanordning enligt den illustrerade utföringsforrnen en riktkopplare mellan en antenn och en diplexor, vilket på så sätt utesluter separata riktkopplare för flera kommunikationssystem. Följaktligen kräver den mobila kommunikationsanordningen en enda riktkopplare. Detta ger en förenkling av tråddragningen förenkling av kommunikationsanordning för att uppnå en produktion till låg kostnad. Dessutom är förluster hos sändare och ger en produktionsstegen för en mobil i trådarna i hög grad begränsade till inlänkningsdämpningen vid sändning, vilket resulterar i en mobil kommunikationsanordning med höga prestanda.

Eftersom separata riktkopplare inte behövs för flera kommunikationssystem och den mobila kommunikationsanordningen kräver en enda riktkopplare erhålls en mobil kommunikationsanordning med en i hög grad minskad storlek. som är anordnat efter en På motsvarande sätt dämpar ett kamfilter högfrekvensomkopplare och som är anslutet till en sändare distorsionen hos sändningssignalema, vilken förorsakas av en högeffektförstärkare som är inbyggd i sändaren.

Detta minskar i hög grad inlänkningsförlusten i en mottagare.

En sarmnansatt högfrekvensenhet enligt den illustrerade utföringsformen definieras genom ett flerskiktssubstrat som tillverkas genom laminering av ett flertal dielektriska skikt, och flerskiktssubstratet innefattar en diplexor, högfrekvensomkopplare, kamfilter och en riktkopplare. Detta möjliggör anslutningar bland diplexom, högfrekvensomkopplarna, kamfiltren och riktkopplaren som kan utföras inne i flerskiktssubstratet. Därför erhålls en kompakt högfrekvensenhet och kompakt kommunikationsanordning som innefattar en sådan kompakt sammansatt högfrekvensenhet. sammansatt sålunda en mobil På motsvarande sätt är en diplexor, högfrekvensomkopplare, kamfilter och en riktkopplare inbyggda i ett flerskiktssubstrat som tillverkats genom laminering av ett flertal 10 15 20 25 30 35 ' 524 165 10 dielektriska skikt. Detta underlättar anpassningen mellan riktkopplaren och diplexom, mellan diplexorn och högfrekvensomkopplarna, samt mellan högfrekvensomkopplarna och karnfiltren. Ingen anpassningskrets behövs sålunda för att åstadkomma anpassning mellan riktkopplaren och diplexom, mellan diplexom och högfrekvensomkopplarna, samt mellan högfrekvensomkopplarna och kamfiltren. Detta resulterar i en t o m ärmu mer kompakt sammansatt högfrekvensenhet.

Det här använda högfrekvensfiltret är ett kamfilter som är i stånd till dämpning endast i närheten av de andra och tredje övertonerna, vilka det är önskvärt att dämpa, och minskar således påverkan av grundpassbandet. Jämfört med ett filter såsom ett lågpassfilter eller ett bandpassfilter för dämpning av hela övertonsbandet minskas därefter i hög grad inlänkningsförlusten i grundpassbandet så att de totala förlustema minskas i hög grad hos en sammansatt högfrekvensenhet.

Vid den illustrerade utföringsformen innefattar en diplexor och ett karnfilter vardera spolar och kondensatorer; en högfrekvensomkopplare innefattar dioder, spolar och kondensatorer; och en riktkopplare innefattar en primärledning och en sekundärledning.

Dessa komponenter är vidare anordnade i eller monterade på ett flerskiktssubstrat och är anslutna till varandra genom anslutningsdon som är anordnade inne i flerskiktssubstratet.

Detta minskar i hög grad förlusterna beroende på tråddragningen bland komponenterna.

Sålunda minskas i hög grad de totala förlustema hos en sammansatt högfrekvensenhet samtidigt som en mobil kommunikationsanordning med höga prestanda och som innefattar en sådan sammansatt högfrekvensenhet erhålls.

På motsvarande sätt och eftersom stripledningselektroder som definierar spolar är anordnade i ett flerskiktssubstrat uppstår en våglängdsminskningseffekt, som gör det möjligt att i hög grad minska längden hos stripledningselektrodema. Detta minskar i hög grad inlänkningsförlusten i stripledningselektrodema, vilket gör att en kompakt sammansatt erhålls. Därför erhålls kommunikationsanordning som är kompakt och uppvisar höga prestanda och som innefattar högfrekvensenhet med låga förluster även en mobil en sådan sammansatt högfrekvensenhet.

Vidare används chipsspolar med höga Q-faktorer som parallella spärrspolar och drosselspolar i högfrekvensomkopplare och de är monterade på ett flerskiktssubstrat. Sålunda ett flertal frekvensbandkommunikationssystem. Detta gör det möjligt att enkelt ändra utfominingen kan chipsspolar som har samma form användas i olika beroende på olika frekvensband och utforrrmingen kan ändras på kortare tid, vilket resulterar i en minskad tillverkningskostnad. De parallella spärrspolarna och drosselspolama med höga Q-faktorer gör det dessutom möjligt för passbandet att vara bredare och att uppnå mindre förluster. Även om en illustrerad utföringsform har beskrivits i vilken en mobil kommunikationsanordning och en sammansatt högfrekvensenhet använder en kombination av DCS och GSM är det självklart för fackmarmen att kombinationen av DCS och GSM inte är 10 15 ' 524 165 11 begränsande och att andra altemativa kombinationer kan användas. Andra kombinationer innefattar en kombination av PCS (personkommunikationstjänster) och AMPS (avancerade mobila telefontjänster), en kombination av DECT (europeisk digital trådlös telefon) och GSM, samt en PHS (personhandtelefonsystem) och PDS (persondigitalcellulär). Även om den illustrerade utföringsformen avser två kommunikationssystem kan tre kombination av eller fler kommunikationssystem uppvisa samma fördelar. Även om en sammansatt högfrekvensenhet som används i en mobil kommunikationsanordning är bildad av ett flerskiktssubstrat vid den illustrerade utföringsformen skulle en mobil kommunikationsanordning som innefattar diskreta komponenter Förpackade på ett kretssubstrat uppvisa samma fördelar. Även om föredragna utföringsformer av föreliggande uppfinning har beskrivits betraktas olika sätt att utföra de här beskrivna principema som att de omfattas av de följande kraven. Därför underförstås här att omfattningen av föreliggande uppfinning inte begränsas på armat sätt än vad som definieras i patentkraven.

Claims (14)

10 15 20 25 30 35 ~ 524 165 12 ø ~ ø . . . . . o . n. Patentkrav

1. Sarnrnansatt högfrekvensenhet vilken används i en mobil kommunikations- anordning med ett flertal kommunikationssystem som stödjer olika frekvensband, vilken mobil kommunikationsanordning innefattar: en antenn; en sändare för vart och ett av nämnda flertal kommunikationssystem; en mottagare för vart och ett av nämnda flertal kommunikationssystem; flertal kommunikationssystem till nämnda antenn, och för distribuering av mottagningssignaler som en diplexor för sändning av sändningssignaler från nämnda tas emot via nämnda antenn till nämnda flertal kommunikationssystem; vart och ett av nämnda flertal kommunikationssystem, för omkoppling av signalerna mellan nämnda sändare och nämnda en högfrekvensomkopplare för mottagare; och en riktkopplare för utvinning av delar av sändningssignalema och för sändning av resultaten till en krets för automatisk fórstärkningsstyrning, varvid nämnda riktkopplare är anordnad mellan närrmda antenn och nämnda diplexor, på så sätt att nämnda diplexor är anordnad mellan nämnda riktkopplare och nämnda högfrekvensomkopplare; varvid nämnda sammansatta högfrekvensenhet innefattar en mikrovågskrets som bär på nämnda flertal kommunikationssystem, och definieras genom ett flerskiktssubstrat som tillverkas genom laminering av ett flertal dielektriska skikt, varvid nämnda flerskiktssubstrat är försett med nämnda diplexor, nämnda högfrekvensomkopplare och nämnda riktkopplare.

2. Sammansatt högfrekvensenhet enligt patentkrav 1, där nämnda diplexor innefattar ett induktanselement och ett kapacitanselement, nämnda högfrekvensomkopplare innefattar ett omkopplingselement, ett induktanselement och ett kapacitanselement, och nämnda riktkopplare innefattar en primärledning och en sekundärledning; varvid flerskiktssubstratet innefattar omkopplingselementet, induktanselementet, kapacitanselementet, primärledningen och sekundärledningen; och anslutning av flerskiktssubstratet dessutom innefattar anslutningsorgan för omkopplingselementet, induktanselementet, kapacitanselementet, primärledningen och sekundärledningen.

3. Sammansatt högfrekvensenhet enligt något av patentkraven 1 eller 2, vilken vidare innefattar högfrekvensfilter, varvid nämnda högfrekvensfilter är anordnade efter nämnda högfrekvensomkopplare och är anslutna till nämnda mottagare.

4. Sammansatt högfrekvensenhet enligt något av patentkraven 1 - 3, där nämnda flertal kommunikationssystem innefattar DCS och GSM. 10 15 20 25 30 524 165 13 - . - . . ~ . . o ~ en

5. Sarnmansatt högfrekvensenhet enligt något av patentkraven 1 - 4, varvid ett kamfilter är anordnat mellan nämnda sändare och nämnda högfrekvensomkopplare.

6. Sarnmansatt högfrekvensenhet enligt något av patentkraven 1 - 5, varvid nämnda riktkopplare innefattar en port.

7. Sammansatt högfrekvensenhet enligt något av patentkraven 1 - 6, varvid nämnda diplexor innefattar spolar eller induktanselement och kondensatorer.

8. Sammansatt högfrekvensenhet som används i en tvåbands cellulär telefonanordning försedd med två kommunikationssystem som stödjer olika frekvensband, vilken tvåbands cellulär telefonanordning innefattar: en antenn; en sändare för vart och ett av de båda kommunikationssystemen; en mottagare för vart och ett av de båda kommunikationssystemen; från de båda kommunikationssystemen till nämnda antenn, och för distribution av mottagningssignaler en diplexor för sändning av sändningssignaler som tagits emot via nämnda antenn till de båda kommunikationssystemen; en högfrekvensomkopplare för vart och ett av de båda kommunikationssystemen, för omkoppling av signalerna mellan nämnda sändare och nämnda mottagare; och en riktkopplare för utvinning av delar av sändningssignalerna och för sändning av resultaten till en krets för automatisk förstärkningsstyrning, varvid nämnda riktkopplare är anordnad mellan nämnda antenn och nämnda diplexor, på så sätt att nänmda diplexor är anordnad mellan nänmda riktkopplare och nämnda högfrekvensomkopplare; varvid nämnda sammansatta högfrekvensenhet innefattar en mikrovågkrets som bär på de båda kommunikationssystemen, och definieras genom ett flerskiktssubstrat som tillverkats genom laminering av ett flertal dielektriska skikt, varvid flerskiktssubstratet är försett med nämnda diplexor, nämnda högfrekvensomkopplare och nämnda riktkopplare.

9. Sammansatt högfrekvensenhet enligt patentkrav 8, där nämnda diplexor innefattar ett induktanselement och ett kapacitanselement, nänmda högfrekvensomkopplare innefattar ett omkopplingselement, ett induktanselement och ett kapacitanselement, och nämnda riktkopplare innefattar en primärledning och en sekundärledning; varvid flerskiktssubstratet innefattar omkopplingselementet, induktanselementet, kapacitanselementet, primärledningen och sekundärledningen; och flerskiktssubstratet induktanselementet, dessutom innefattar anslutningsorgan för anslutning av omkopplingselementet, kapacitanselementet, primärledningen och sekundärledningen. 10 524 165 14 ~ ~ a . - n ~ Q o » n»

10. Sarmnansatt högfrekvensenhet enligt något av patentkraven 8 - 9, vilken vidare innefattar högfrekvensfilter, varvid nämnda högfrekvensfilter är anordnade efter nämnda högfrekvensomkopplare och är anslutna till nämnda mottagare.

11. Sammansatt högfrekvensenhet enligt något av patentkraven 8 - 10, varvid nämnda båda kommunikationssystem innefattar DCS och GSM.

12. Sammansatt högfrekvensenhet enligt något av patentkraven 8 - 11, varvid ett kamfilter är anordnat mellan nämnda sändare och nämnda högfrekvensomkopplare.

13. Sammansatt högfrekvensenhet enligt något av patentkraven 8 - 12, varvid nämnda riktkopplare innefattar en port.

14. Sammansatt högfrekvensenhet enligt något av patentkraven 8 - 13, varvid nämnda diplexor innefattar spolar eller induktanselement och kondensatorer.