SE523395C2 - Implantat och förfarande och system för tillhandahållande av sådant implantat - Google Patents

Description

annan 10 15 20 25 30 i 523 3%5 u v o n - . . - . » . . s.

I anslutning till implantatinstallationer föreligger det ett framträdande önskemål om att kunna tillmötesgå optimala och högklassiga implantatsresultat. Det finns därvid önskemål om att ha tillgång till en stor mängd parametrar som skall kunna utnyttjas i olika patient- och installationssituationer. På grund av krav från patienter och behandlande personal är inte samtliga parametrar användbara i de olika fallen. Benkvaliteten, patienternas inställ- ning, kostnader, m.m. kan vara begränsande faktorer och även om utvecklingen och förslag till goda resultat går i en riktning kan krav föreligga på att altemativa lösningar skall kunna erbjudas eller användas i de olika individuella fallen. Så t.ex. kan det uppkomma krav på att man vill undvika bentillväxtstimulerande medel, men ändå utnyttja sig av de i anslutning härtill utnyttjade skikten, t.ex. oxidskikten, tillsammans med specifika underliggande skikt. Föreliggande uppfinning avser att lösa bl.a. denna problematik och föreslår en ny lösning på optimala och effektiva implantatinstallationer som representerar specifika urval och unika kombinationer hämtade från ett mycket rikligt komponent- och utförandeuppbåd som förekommer på den allmänna marknaden.

Föreliggande uppfinning bygger på idén att en effektiv inläkning av ett implantat till ett aktuellt ben, t.ex. ett käkben, skall vara effektuerbart och så t.ex. skall en väsentlig stabili- tet för implantatets inläkning i benet kunna uppnås på kort tid, t.ex. redan efter 1-5 dygn.

Uppfinningen löser även detta problem. I en utföringsforrn är det väsentligt att förhindra eller motverka bakterietillväxt vid implantatets utträdesdelar från benet, t.ex. käkbenet. Även detta får sin lösning genom uppfinningen.

Det föreligger även ett behov av att på ett tekniskt-ekonomiskt sätt kunna erhålla en teknisk-ekonomisk väl fungerande tillverkningskedja där man med datoriserad utrustning och maskintillverkningsutrustning kan identifiera det individuella behovet, utföra beställ- ningsfunktioner, och tillverka de identifierade och beställda implantaten med framträdande god noggrannhet. Uppfinningen löser även detta problem.

Det som huvudsakligen kan anses vara kännetecknande för ett förfarande eller ett implantat enligt uppfinningen är att ett antal framställningssteg utnyttjas för respektive berörda ytter- 10 15 20 25 30 523 395 3 yta. Således föreslås bl.a. att en topografi med långvågigt mönster där vågorna utbreder sig väsentligen i impiantatets längdriktning skall framställas medelst skärande bearbetning.

Alternativt eller kompletterande skall dessutom en topografi med medellångt vågmönster där vågoma utbreder sig väsentligen i nämnda längdriktning framställas med laserbombar- demang eller skärande bearbetning som därvid kan innefatta eller utnyttja oscillationsrörelser. Dessutom skall en oxideringsprocess utnyttjas för att framställa ett oxidskikt. Altemativt kan ett blästrings- eller etsningsförfarande utnyttjas för framställning av ett blästrat eller etsat skikt. Enligt uppfinningen utnyttjas åtminstone två av nämnda framställningssteg och därvid användes antingen nämnda skärande bearbetning eller nämnda laserbombardemang respektive skärande bearbetning som skall efterföljas av oxideringsprocessen eller blästrings- eller etsningsförfarandet. I fallet där samtliga tre framställningssteg utnyttjas utföres först den skärande bearbetningen som efterföljes av laserbombardemanget respektive den ytterligare skärande bearbetningen som i sin tur efterföljes av oxideringsprocessen, respektive blästiings- eller etsningsförfarandet.

Ett implantat eller en fixtur enligt föreliggande uppfinning kan anses vara kännetecknad av ettdera av två uppbyggnadsmöjligheter. I det första fallet är på ytan eller dess material anordnat ett underliggande vågmönster med långa eller medellånga vågor och ett utanpå det underliggande vågmönstret anordnat oxidskikt eller blästrat eller etsat skikt. De långa och medellånga vågoma utbreder sig väsentligen i nämnda längdriktning. I det andra fallet utnyttjas ett underliggande vågmönster med långa vågor som i sin tur är anordnat med ett mellanliggande vågmönster med medellånga vågor. Utanpå sistnämnda vågmönster är vidare anordnat ett utanpåliggande oxidskikt eller blästrat eller etsat skikt. Nämnda långa och medellånga vågor utbreder sig väsentligen i nämnda längdriktning.

Respektive vågmönster- och skiktkombination är därvid företrädesvis anordnad att åstadkomma värden eller data på en eller flera parametrar, Lex. ytarea, ytvolym och Ra- och PV-värden, som gäller för aktuell implantatsituation. Vid optimal ytareaökning och/eller optimal ytvolymsökning, är respektive yta utförd med ett underliggande vågmönster etablerat med skärande bearbetning, ett mellanliggande mönster etablerat med laserbombardemang eller ytterligare skärande bearbetning och ett utanpåliggande skikt 10 15 20 25 30 -523 3954 etablerat med oxideringsprocess eller blästring eller etsning. I fallet med underliggande vågmönster åsiadkunuriet med skärande bearbetning innefattar detta väsentligen parallellt sig sträckande spår eller nedsänkningar valda med ett djup inom området 25-200 pm, företrädesvis 50-150 pm. Vid t.ex. gängad yta eller gängade ytor följer spåren respektive gängspiral i implantatets huvudriktning. Under- och mellanliggande vågmönster som etableras med laserbombardemangeller ytterligare skärande bearbetning innefattar på motsvarande sätt väsentligen parallellt sig sträckande spår eller nedsänkningar, vilka kan anta djup inom området 10-75 pm och diametrar om 75-150 pm. Det utanpåliggande mönstret kan anordnas på känt sätt. Respektive ytteryta kan utföras med olika vågmönster- och skiktkombinationer utefter sin längdsträckning. Vid implantatets utträdesdel ur ifrågavarande ben, t.ex. käkben, ingår på denna en vågmönster- och skiktkombination som ger en förhållandevis liten ytarea- eller ytvolymsökning i förhållande till ytor med nämnda vågmönster- och skiktkombination eller vågmönster- och skiktkombinationer.

Det som huvudsakligen kan anses vara kännetecknande för ett system enligt uppfinningen är att den inledningsvis omnämnda datainfonnationen är anordnad att initiera eller verk- ställa ovanpå varandra anordnade vågmönster- och skiktkombinationer på en eller flera av respektive implantatsytteryta som sträcker sig i implantatets längdriktning.

Datainfonnationen kan därvid vara anordnad att initiera en första vågmönster- och skiktkombination som innefattar dels ett underliggande vågmönster med långa vågor med hjälp av skärande bearbetning eller ett underliggande vågmönster med medellånga vågor med hjälp av laserbombardemang eller ytterligare skärande bearbetning, dels ett utanpåliggande oxidskikt I en altemativ möjlighet kan datainforrnationen initiera en andra vågmönster- och skiktkombination med ett underliggande vågmönster med långa vågor med hjälp av skärande bearbetning, med ett mellanliggande vågmönster med medellånga vågor åstadkomna genom laserbombardemang eller skärande bearbetning och ett utanpåliggande skikt åstadkommet genom oxidationsprocess, etsning eller blästring.

I en utföringsform är de inledningsvis Omnämnda första organen anordnade att relationsställa olika benpartier, tex. käkbenspartier, till olika vågmönster- och skiktkombinationer. De första organen kan därvid vara anordnade att relationsställa hårt me. v uw n - u u 10 15 20 25 30 523 395 5 ben eller benparti till vågmönster- och skiktkombinationer med endast två ovanpå varandra aaioidiiade vågiiiüiister som uppvisar förhållandevis låg area- och/eller volymökning relativt implantat med nämnda vågmönster- och skiktkombinationer. De första organen kan även vara anordnade att relationsställa medelhåit ben eller benpaiti till vågmönster- eller skiktkombination med ett eller två ovanpå varandra anordnade vågmönster samt skikt som ger förhållandevis stor area- och/eller volymförstoring jämfört med fallet med implantat med vågmönster- och skiktkombinationer. De första organen kan även vara anordnade att relationsställa mjukt ben till endast våg- och skiktmönster med tre ovanpå varandra anordnade vågmönster och skikt, osv. Ytterligare utföringsforrner av systemet enligt uppfinningen framgår av de efterföljande underkraven till systemet.

Genom det i ovanstående föreslagna kan sofistikerade och väl preciserade behandlings- metoder och implantatsuppbyggnader utnyttjas effektivt i den stora floran av existerande bentyper. Benbildnings- och inläkningsfunktionema kan stimuleras effektivt oavsett ben- strukturen. Ett fördelaktigt arrangemang för hela behandlingskedjan med tand- läkare/tandkirurg, tandtekniker och den maskinella tillverkningen kan tillhandahållas.

För närvarande föreslagna förfarande, implantat och system enligt uppfinningen skall beskrivas i nedanstående med samtidig hänvisning till bifogade ritningar där figur 1 schematiskt och förstorat visar delar av ett första underliggande vågmönster som åstadkommits medelst skärande bearbetning, figur la schematiskt visar ett andra vågmönster, förstorat i förhållande till figuren l och som åstadkommits med laserbombardemang, figur lb schematiskt visar förstorat i förhållande till figurerna 1 och la ett skikt åstadkommet medelst oxidation, figur 1c i längdsnitt visar delar av ett gängförsett implantat med spår och upphöjningar, 10 15 20 25 30 figur 2 figur 3 figur 4 figur 5 figur 6 figur 7 figur 8 ñgur 9 2523 3956 i vertikaisnitt visar ett implantat 1 ett delvis angivet käkben, i vertikalvy visar delar av en yttre gänga på ett implantat, van/id gängytter- ytan är utförd med underliggande spår belagda med ett mellanliggande våg- mönster erhållet genom laserbombardemang samt ett utanpå sistnämnda vågmönster applicerat eller färdigställt oxidskikt, i vertikalvy och förstorat i förhållande till figur l visar delar av en yttergänga på ett implantat anordnat underliggande mellanvågmönster etablerat med laserbombardemang och ett utanpå detta mönster applicerat eller framställt oxidskikt, i vertikalvy och ytterligare annan skala visar vågmönster med våghöjd eller vågdjup om ca 75 um, i vertikalvy visar vågmönster åstadkommet med skärande bearbetning och spårdjup av 125 um och ytterbeläggning i form av oxidskikt, i perspektiv snett utifrån visar ett första utförande på ett utanpåliggande oxidskikt, i blockschemaform visar olika vågmönsterkombinationer, visar ett system för relationsställning av vågmönster till olika benpartier i käkben samt organ för identifikation, överföring och tillverkning av implan- tat. peso: 10 15 20 25 30 523 395 7 I figur 1 är en ytterytdel på en gänga på ett implantat visad med 1. Ytan innefattar en 'oasstruktur som på kant sätt är framställd medelst skärande bearbetning, Lex. svarvning, fräsning eller blästring. Basstrukturen är utförd med ett underliggande vågmönster med långa vågor. Våglängden A är vald inom området 75-250 um. Ytterytan l är krusad eller vågad med ett andra vågmönster 3 som visats utsprängt och förstorat i figuren la i förhållande till figuren 1. Våglängden B för vågorna eller upphöjningama i det andra mönstret är valt inom området 50-100 um och vågorna är förenade via spår eller nedsänkningar 4. Detta mellanskikt är åstadkommet med laserapplicering. I utföiingsexemplet enligt figuren 1, la och lb är den krusade ytterytan 3 i sin tur försedd med ett ytterskikt som utgöres av ett oxidskikt 5 som visats utsprängt i figur 5 och i stark förstoring i förhållande till figuren lb. Spårdjupet C i vågmönstret 1 kan väljas i området 25-200 um, företrädesvis 75-150 um. Vågmönstret enligt figuren 1 kan vara väsentligen regelbundet eller något oregelbundet och kan anses sträcka sig utefter implantatets väsentliga huvudlängdriktning, dvs. i en med en med huvudiiktningen parallell riktning som visats med en pil 6. Utbredningen fortgår utefter gängomas ytterytor, dvs. något zick- zack-format utefter längdsträckningen. Vågfonnen kan även utbreda sig utefter gängade eller ogängade konade ytterytor.

Vågmönstret enligt figuren la kan ha väsentligen motsvarande utbredningsmönster som det underliggande mönstret eller skilja sig från dettas utbredningsmönster. Spårdjupet D i detta mönster kan väljas inom området 10-75 um.

Oxidskiktet 5 enligt figuren lb kan väljas enligt känd teknik och uppbyggnad. Vågmönstret 5 kan i en utföringsforrn vara oregelbundet. Pordjupet F kan varieras och väljes inom området 0,01-10 um, företrädesvis 2-4 um.

Uppñnningen är användbar på implantat 7 i dentala sammanhang, t.ex. i anslutning till käkben 8, vilket i figuren 2 visats med den trabekulära delen 8 och den kortikala delen 9. lrnplantatet har en eller flera yttergängor 7a och en utträdesdel 7b från käkbenets 9a ovanyta 9b. En till implantatet förankringsbar protetisk konstruktion är symboliserad med 10. Olika vågmönsterkombinationer kan utnyttjas på gängytan(-orna) och utträdesdelens 7b arna: 10 15 20 25 30 523 395 8 ytteryta 7b', av vilka den sistnämnda utföres företrädesvis med vågmönster som ger liten yrojamnhetsfunktion for att motverka bakterieansamling i inläkningsprocessen.

Implantatets längdaxel är visad med 7c.

I figuren 3 visas en topografi baserad på mönster- och skiktkombination med underliggande vågmönster med långa vågor 11 med mellanliggande spår 12 med djup om cirka 75 um. Spåren sträcker sig väsentligen parallellt på gängoma och följer dessas 'stigning i implantatets huvudsakliga längdsträckning. Mönster- och skíktkombinationen har angivits med 13 och kan även innefatta ett mellanliggande vågmönster (jfr figurerna 1, la och lb) med medellånga eller korta vågor som åstadkommes medelst laserutrustning.

Dessutom kan ingå ett utanpåliggande oxidskikt.

Figur 4 avser att ange en mönsterkombination som är baserad på med laserbombardemang åstadkomna mellanlånga vågor och ett med en oxidationsprocess åstadkommet utanpåliggande oxidskikt.

Figurerna 5 och 6 avser att illustrera med ett vågmönster med långa vågor erhållna med maskinbearbetning och med 75 um spårdjup respektive en mönster- och skiktkombination med maskinframställt (svarvat) vågmönster med 125 um spår och belagt med oxidskikt.

I figuren 7 har utformningen på ett oxidskikt 14 visats mera i detalj. Oxidskiktet följer det underliggande vågmönstrets form, dvs. mönsterform, vilken angivits med 15. På skiktets ovansida föreligger ett i och för sig känt por- och åsarrangemang.

I figuren 8 visas ett antal mönster- och skiktkombinationer som uppvisar olika egenskaper.

I en första mönsterkombination 16 ingår en långvågig topografi som åstadkommits medelst maskinbearbetning och framtagning av spår om 75 pm i enlighet med ovan. Den långvågiga topografin tjänar som underliggande vågmönster, på vilket ett oxidskikt applicerats med hjälp av en oxideringsprocess, vilken kan vara av i och för sig känt slag, jämför de inledningsvis omnämnda hänvisningama. annan 10 15 20 25 30 šszs 3951 9 Ien andra mönsterkombination 17 utnyttjas en dubbelvågstopografi som innefattar ett våg- mönster med medellänga vägor. Detta vågmönster kan på i och för sig känt sätt utföras med hjälp av laserutrustning, medelst vilken ifrågavarande implantatytteryta eller gängytteryta bombarderas. På mönstret med medellånga vågor är i detta fall anordnat ett oxidskikt som påföres på i och för sig känt sätt med en oxideringsprocess.

Ett ytterligare topografiarrangemang visas med 18. I detta fall har ursprungsytan på implantatet eller dess gänga tagits fram genom skärande bearbetning, t.ex. svarvning, fräsning eller blästring, så att ett långvågigt vågmönster med spår om 75 um bildas. Ett mellanliggande vågmönster med medellång topografi som åstadkommes Lex. med nämnda laserbombardemang är anordnat på det första vågmönstret. I sin tur är ett oxidskikt anordnat på nämnda mellanliggande skikt.

I figuren 9 är en överkäke angiven med 19 och en underkäke med 20. I figuren har tänder indikerats med 21 respektive 22. Ifrågavarande käkben kan innefatta olika partier 19a, 19b, 19c, 19d och 19e. De olika partierna har olika hårdhetsgrader och bör i installationer med implantat behandlas olika för att i respektive fall erhålla fullgoda installationsresultat. Såle- des behöver det hårda partiet 19a implantat med ett lägre Ra-värde. Bentillväxt och inläkning är i detta fall mindre beroende av Lex. ytarea och ytvolym på implantatet med benet samverkbara ytor. Partiema 19b och 19d representerar medelhårt ben, där andra överväganden då det gäller pararneterval kan bli aktuella. Partierna 19c och l9e representerar mjukbenspartier där det återigen kan bli aktuellt med implantat med stor area och stor volym mot ifrågavarande benstruktur. I enlighet med figuren 9 föreligger därvid databaserade utrustningar 23, 24, medelst vilka identifikationer av käkbensstatus, implantattyp, etc. kan identifieras och utvärderas. Utrustningama 23 och 24 medger även att analys av ifrågavarande implantatsituation kan ske och att eventuella justeringar eller virtuella applikationer kan framtas för att tillmötesgå ifrågavarande situation. Nämnda analys, kompletteringar, m.m. kan utföras med utgångspunkt från personalens erfarenheter.

Biblioteksfunktioner kan även utnyttjas och har symboliserats med 23a och 24a. I närnnda biblioteksfunktioner kan erfarenheter, standardfunktioner, algoritmer, etc., vara lagrade och nämnda definition, analys och/eller inhämtningsbara vid komplettering. .oprn 10 l5 20 25 30 -w-øfl . u 523 395 u» u - v. . u nu v u u . - .- . .a _ a - . . . n» n. u. . . . . 10 n ø 1 nu s u o . n . u u -u Avläsningsfunktioner kan föreligga för de olika benpartiema, vilket illustrerats med pilar 25, 26 och27. Benpartiema och käkbenen enligt figuren 9 kan vara hänförbara till olika patienter och de heldragna och streckade pilarna visar att respektive patient eller patientgrupp kan utnyttja och betjänas av de olika utrustningama 23 och 24, vilka kan utgöras av i och för sig känt slag.

Figur 9 anvisar även fallet där sålunda identifierade, analyserade och/eller kompletterade installationer eller implantat, implantattyper, etc. kan utföras för att ingå i en beställnings- infonnation il som är symboliserad med heldragna pilar. Beställningen kan övergå till en central enhet som betjänar ett antal tandläkare eller till en central enhet 28 som är avdelad för en viss grupp av tandläkare, kirurger, etc. Överföringen av informationen il kan i en utföringsfonn ske via de allmänna tele- och/eller datanäten på i och för sig känt sätt. Den centrala enheten 28 innefattar eller utnyttjar i sin tur en maskinpark 29 som från enheten 28 eller direkt från utmstningama 23, 24 erhåller datainformation (datafiler), medelst vilken de olika maskinutrustningarna är styrbara. Datainformationen i2 är i figuren symboliserad med heldragna pilar. De heldragna pilama eller kommunikationerna för datainforrnationen eller datainformationerna il, i2 kan vara dubbelriktad. Maskin- eller framställningsenheten kan innefatta eller utnyttja olika typer av utrustningar. Så t.ex. kan utrustning 30 som effektuerar skärande bearbetning som ger vågmönster med spårdjup om 75 um användas. I figuren 9 har en utrustning 31 anordnats för att effektuera skärande bearbetning som ger vågmönster med spårdjup om 125 um. I en utrustning 32 effektueras laserbehandling av ytterytor och i en utrustning 33 åstadkommes oxidskikt på ifrågavarande ytterytor med hjälp av en oxideringsutrustning. Utrustningen 32 kan alternativt representera skärande bearbetning som kan arbeta med oscillationsrörelser på känt sätt. Alternativt kan utrustningen 33 representera en blästringsanläggning, exempelvis en sandblästringsanläggning av känt slag, eller en etsningsanläggning som utnyttjar syra (fluorvätesyra) och salpetersyra på känt sätt. Därvid kan utnyttjas en blandning HF som utgöres av ”hydrofluoric acid” + salpetersyra.

De olika utrustningama 30, 31, 32 och 33 kan utföras på i och för sig känt sätt och det hänvisas till den allmänna och kända tekniken, se även de inledningsvis omnämnda ini-n 10 15 523 395m referenserna. Ett ifrågavarande ämne för framställning av implantat eller fixtur behandlas for att uppnâ de i ovanstående omnamnda mönsterkombinationerna, varvid implantatet eller motsvarande överförs till de olika delutrustningarna 30, 31, 32 och 33 via förbindelse eller transport som angivits med 34. De olika behandlingsstegen har symboliserats med 35, 36, 37 och 38. Äterkoppling av det behandlade eller framställda implantatet till den centrala enheten 28 och till tandläkare, kirurg, sjukhus, etc. har symboliserats med 39. Den centrala enheten kan utgöra ett mellansteg som mottar beställningar och ombesörjer framställningen i maskinparken 29 samt återfår framställda eller behandlade implantat som tillbakalevereras till patientbehandlande distans. Utbredningsriktningen(-ama) för ett våg- mönster kan räknas från en ytbörjan, t.ex. gängbörjan, och avslutas vid yt- eller gängslutet.

Uppfinningen är inte begränsad till den i ovan såsom exempel visade utföringsformen utan kan underkastas modifikationer inom ramen för efterföljande patentkrav och uppfinnings- tanken. Det hänvisas härvid även till den på samma dag med samma sökanden inlärnnde svenska patentansökningen ”Förfarande för att åstadkomma ytstruktur på implantat samt sådant implantat”.

Claims (15)

nnsao 10 15 20 25 30 523 395 12 PATENTKRAV

1. l. Förfarande för framställning av implantat som utföres med en eller flera i implantatets längdriktning sig sträckande ytterytor, k ä n n e t e c k n a t av två eller samtliga av följande framställningssteg för berörd ytteryta, a) att medelst skärande bearbetning framställes en topografi med långvågigt mönster där vågorna utbreder sig väsentligen i nämnda längdriktning, b) att medelst laserbombardemang eller skärande bearbetning, tex. innefattande oscillationsrörelser, framställes en topografi med medellångt vågmönster där vågoma utbreder sig företrädesvis väsentligen i nämnda längdfiktning, c) att medelst en oxideringsprocess, eller ett blästrings- eller etsningsförfarande, framställes ett oxidskikt respektive ett blästrat eller etsat skikt, och och att vid utnyttjandet av två av nämnda framställningssteg, antingen nämnda skärande bearbetning enligt a) eller nämnda laserbombardemang eller skärande bearbetning enligt b), och att vid utnyttjandet av efterföljes av oxideningssprocessen, samtliga tre frarnställningssteg den skärande bearbetningen enligt a) efterföljes av laserbombardemanget eller den skärande bearbetningen enligt b) som i sin tur efterföljes av oxideringsprocessen respektive blästrings- eller etsningförfarandet.

2. Implantat med en eller flera ytterytor som sträcker sig i dess längdriktning k ä n n e t e c k n a t därav, att berörd ytteryta är uppbyggd enligt något av följande alternativ: a) av ett underliggande vågmönster med långa eller medellånga vågor samt av ett utanpå nämnda vågmönster anordnat oxidskikt, eller blästrat eller etsat 10 15 20 25 30 523 zøsß skikt, varvid de långa och företrädesvis även de medellånga vågoma utbreder sig väsentligen i namnda langdriktning, eller b) av ett underliggande vågmönster med långa vågor, av ett på nämnda våg- mönster anordnat vågmönster med medellånga vågor, och av ett på nämnda vågmönster anordnat utanpåliggande oxidskikt, eller blästrat eller etsat skikt, varvid nämnda långa och även nämnda medellånga vågor utbreder sig väsentligen i nämnda längdriktning .

3. Implantat enligt patentkravet 2, k ä n n e t e c k n a t därav, att respektive vågmönster- och skiktkombination är anordnad att åstadkomma värden (data) på en eller flera parametrar, t.ex. ytarea, ytvolym och Ra- och PV-värden, som gäller för aktuell implantatsituation.

4. Implantat enligt patentkravet 2 eller 3, k ä n n e t e c k n a t därav, att vid optimal ytareaökning och/eller optimal ytvolymsökning, jämfört med konventionellt implantat utan nämnda vågmönsterkombinationer, ytan är utförd med ett underliggande vågmönster etablerat med skärande bearbetning, ett mellanliggande mönster etablerat med laserbombardemang eller skärande bearbetning samt ett utanpåliggande mönster åstadkommet med oxidationsprocessen eller ett blästrings- eller etsningsförfarande..

5. Implantat enligt patentkravet 2, 3 eller 4, k ä n n e t e c k n a t därav, att i fallet med underliggande vågmönster åstadkommet med skärande bearbetning detta inne- fattar väsentligen parallellt sig sträckande spår eller nedsänkningar valda med djup inom området 25-200 um., företrädesvis 50-150 pm.

6. Implantat enligt något av patentkraven 2-5, k ä n n e t e c k n a t därav, att i fallet med under- eller mellanliggande vågmönster åstadkommet med laserbombardemang detta innefattar parallellt sig sträckande spår eller nedsänkningar valda med djup inom området 10-75 um. øpuaa 10 15 20 25 30 523 395n šfifiüfäkš-"iii" - -:soon 1

7. Iinplaiitat enligt något av patentkraven 2-0, k ä n n e t e c k n a t därav, att respektive ytteryta är utformad med olika vågmönster- och skiktkombinationer utefter sin längdriktning.

8. Implantat enligt något av patentkraven 2-7, k ä n n e t e c k n a t därav, att dess anslutningsdel till protetisk uppbyggnad vid benkant är försedd med vågmönster- och skiktkombination som ger en förhållandevis liten ytarea- eller ytvolymsökning i förhållande till implantat med nämnda kombinationer.

9. Irnplantat enligt något av patentkraven 2-8, k ä n n e te c k n at därav, att de långa och medellånga vågoma är regelbundna.

10. Implantat enligt något av patentkraven 2-9, k ä n n e t e c k n a t därav, att vågorna i ett eller flera vågmönster är regelbundet eller oregelbundet avtagande utanför nämnda längdriktning.

11. System för att tillhandahålla implantat avsett eller avsedda för olika behand- lingssituationer och innefattande första organ för identifiering och eventuell analys och/eller förändring av respektive implantat, andra organ för överföring av datainforniation (il och/eller i2) relaterad till identifieringen och den eventuella analysen och/eller förändringen och tredje organ som i beroende av nämnda datainfonnation är anordnad att framställa respektive implantat, k ä n n e t e c k n a t därav, att datainfonnationen är anordnad att initiera eller verkställa ovanpå varandra anordnade vågmönster- och skiktkombinationer på en eller flera av implantatsytterytor som sträcker sig i implantatets längdiiktning, och att datainfonnationen därvid är anordnad att initiera en första vågmönsterkombination som innefattar dels ett underliggande vågmönster med långa vågor åstadkomma med skärande bearbetning eller ett underliggande vågmönster med medellånga vågor åstadkomna med laserbombardemang eller skärande bearbetning, dels ett utanpåliggande skikt åstadkommet med oxideringsprocess eller blästring eller etsning, . uovlcn 10 15 20 o u. | - n ø nu 523 395 Ü eller en andra vågmönster- och skiktkombination med ett underliggande vågmönster med långa vågor åstadkomma med skärande bearbetning, med ett mellanliggande vågmönster med medellånga vågor åstadkomna med laserbombardemang eller skärande bearbetning och ett utanpåliggande skikt åstadkommet genom oxideringsprocess.

12. System enligt patentkravet 11, k ä n n e t e c k n at därav, att de första orga- nen är anordnade att relationsställa olika benpartier, t.ex. käkbenspartier, till olika våg- mönster- och skiktkombinationer.

13. System enligt patentkravet 11 eller 12, k ä n n e t e c k n a t därav, att de första organen är anordnade att relationsställa hårt ben eller benparti till vågmönster- och skiktkombination med endast ett vågmönster och utanpåliggande skikt som ger förhållandevis låg area- och/eller volymsförstoring relativt implantat med nämnda vågmönsterkombinationer.

14. System enligt patentkravet 11, 12 eller 13, k ä n n e te c k n a t därav, att de första organen är anordnade att relationsställa medelhårda ben eller benpartier till våg- mönsterkombinationer med ett eller två ovanpå varandra anordnade vågmönster samt utanpåliggande skikt som ger förhållandevis stor area- och/eller volymsförstoring.

15. System enligt något av patentkraven 11-14, k ä n n e t e c k n at därav, att de första organen är anordnade att relationsställa mjukt ben till endast vågmönsterkombinatio- ner med två ovanpå varandra anordnade vågmönster samt utanpåliggande skikt. n u f u o ~ | . u ø ø u n e nu