SE515695C2 - Implantat med beläggning av bentillväxtstimulerande substans för applicering i ben och förfarande vid sådant implantat - Google Patents

Description

25 30 5.15 695 Z Det kan rent allmänt även hänvisas till WO 88/08460 och WO 94/25637. Det hänvisas även till publikationema "Biomaterials, Volume 17, No 4, 1996, K. Van Dijk et al, Influence of annealing temperature on RF magnetron sputtered calcium phosphate coatings, page 405 -page 4l0”; och ”Joumal of Biomedícal Materials Research, Volume 28, 1994, J.G.C. Wolke et al. Study of the surface Characteristics of magnetron-sputter calcium phosphate coatings, page 1477 - page 1484”; och ”Phosphorus Research Bulletin, Volume 6, 1996, Kimihiro Yamashita et al, Bone-Like Apatite Coating of Alumina and Zirconia by RF-Magnetron Sputtering, page 123 - page 126”.

Det är även känt att i anslutning till titanimplantat anordna tjocka, porösa titanoxidskikt som utnyttjas som depåer för bl.a. bentillväxt stimulerande medel/substanser (TS). I anslutning härtill kan hänvisas till den på samma dag av samma sökanden inlämnade svenska patentansökan nr som utgår från de kända arrangemangen enligt publikationema ”Joumal of Biomedícal Materials Research, av Dann et al, Gentamicin sulfate attachement and release from anodized TI-6A1-4V ortopedic materials, Vol. 27, 895-900 (1993)” och ”Journal of Biomedícal Materials Reserach, av Hitoshi Ishizawa och Makoto Ogino, Forrnation and characterization of anodic titanium oxide films containing Ca och P, Vol. 29, 65-72 (1995)”.

Det hänvisas rent allmänt även till US 4 330 891 och 5 354 390.

TEKNISKT PROBLEM Idag vidtages stora ansträngningar med att vidareutveckla och förfina här aktuella implantat, förfaranden och användningar. Vid speciellt ben/käkben med icke helt fullgoda fastväxningsprognoser för implantatet är det angeläget att kunna uppbringa och utnyttja samtliga de möjligheter som idag står till förfogande inom hithörande områden bl.a. det dentala området. Uppfinningen avser att lösa bl.a. denna problematik.

Det föreligger behov av att mera exakt kunna styra utlösningstidema för med- lens/substansernas överförande från implantatskiktet till omgivande benvävnad. Så t.ex. 10 15 20 25 30 515 695 5 kan behov föreligga att få en bättre styrd utlösningsfunktion under bestämd eller optimal tid för medlen respektive substanserna. Uppfinningen löser även detta problem.

I vissa fall är det angeläget att kunna bibehålla den med benstrukturen samverkande ytan på implantatet med föreskriven finhetsgrad även efter beläggningens(-amas) applicering, i syfte att i vissa implantatfall kunna bibehålla förhållandevis små idragningskrafter/iskruvnings-krafter för t.ex. ett tandimplantat i ett käkbenshål.

Uppfinningen löser även detta problem.

Att utnyttja sig av förhållandevis grov porositet kan öka idragningskraften väsentligen, vilket kan vara fördelaktigt i vissa fall, men som man vill kunna undvika i andra fall, speciellt i anslutning till hårda ben. Det kan därvid hänvisas till att man vill att förbättrade läkningsprocesser skall kunna föreligga vid mjuka ben. Uppfinningen löser även detta problem.

Det är även angeläget att kunna utnyttja sig av beprövade metoder för framställningen av hithörande slag av implantat trots att implantatet får från medicinsk synpunkt bättre egen- skaper. Uppfinningen löser även detta problem.

Det föreligger ofta behov av att kunna påskynda inläkningstiden för ett implantat. Detta kan styras genom lämpligt val av beläggning eller beläggningar. Det föreligger även problem med att rätt kunna balansera den initiala bentillväxtstimulansen och det långsiktiga bibehållandet av den etablerade bentillväxten. För snabb tillväxt kan ge upphov till benbrott och andra komplikationer i bentillväxten. En långsiktig stimulans eller underhållandet av en bentillväxt är väsentlig respektive väsentligt för implantat som skall fungera under lång tid eller många år, utan att krav uppkommer på implantatsbyte.

Uppfinningen löser även denna problematik.

I enlighet med uppfinningen skall bentillväxtstimulerande substans eller medel, här benämnt TS, kunna användas. Som exempel på dylika substanser kan nämnas substanser som tillhör superfamiljen TGF-ß, exempelvis BMP (Bpne Morphogenetic Broteins) . Det 10 15 20 25 30 515 695 1/ kan föreligga problem med att hindra nämnda snabba utlösning av ifrågavarande TS. Det är även angeläget att kunna erhålla en funktionsduglig bärare för TS vid applicering till en från början amorf eller värmebehandlad delvis kristallinsk yta(-or) på implantatet.

Uppfinningen löser även denna problematik.

Det föreligger även behov av att totalt sett få tillgång till ett större utbud och val av im- plantattyper som skall kunna möta olika applikationer på marknaden, jämför implantat för mjuka ben respektive hårda ben, etc. Uppfinningen löser även detta problem.

LÖSNINGEN Det som huvudsakligen kan anses vara kännetecknande för ett implantat enligt uppfinningen är att beläggningen eller beläggningama innefattar en CaP-beläggning med tillfört TS. (CaP = kalciumfosfat och TS= tillväxt stimulerande substans).

I utföringsformer av uppfinningstanken är utlösningstiden för nämnda medel i nämnda be- läggning respektive beläggningar till berört omgivande ben eller vävnad vald genom relationsställning av utlösningstiden för CaP och utlösningstiden för TS. Utlösningstiden för CaP är vald med hjälp av kristalliseringsgraden i CaP. Den totala utlösningstiden kan väljas inom området ett par dagar till flera månader. TS är i en utföringsform applicerat utanpå CaP. I en utföringsforrn kan CaP-beläggningen uppvisa en tjocklek inom området av några få Ångström till 10 pm. I ett annat utföringsexempel kan därvid värden inom området mellan värdena 0,1 um och 20 im användas. Företrädesvis belägges samtliga de partier på ifrågavarande enhet som samverkar med eller är motställt benmaterialet med ifrågavarande beläggning eller skikt. Respektive TS-skikt kan ha en tjocklek inom området några få Ångström och 1 pm.

I en utföringsform består beläggningen eller beläggningarna av ett eller flera skikt av kalci- umfosfatföreningar och ett eller flera skikt av bentillväxtstimulerande substans.

Interfolierat med nämnda skikt kan ingå medel av utlösningsfördröjande slag, t.ex. hyalaronsyra. I ett ytterligare utföringsexempel kan ett eller flera skikt av CaP uppvisa hög 10 15 20 25 30 515 695 6 kristalliseringsgrad, t.ex. 75-100 %, som medför att skiktet respektive skikten har den huvudsakliga uppgiften av att fungera som bärare av skiktet eller skikten för TS och eventuellt det eller de utlösningsfördröjande medlet eller medlen. I en ytterligare utföringsforrn kan ett eller flera skikt av CaP uppvisa en låg eller medelhög kristalliseringsgrad, t.ex. en kristalliseringsgrad mellan något över 0 % och 75 %, som medför att skiktet respektive skikten utöver bärarfunktion för TS och eventuellt skikt för utlösningsfördröjande medel ingår i den bentillväxtbefrämjande funktionen. Skiktet eller skikten av CaP appliceras därvid företrädesvis närmast eller på aktuell eller aktuella ytor på implantatet. På sistnämnda skikt eller på det yttre av sistnämnda skikt kan ett eller flera skikt av TS i sin tur appliceras. I fallet med två eller flera skikt av TS anordnas skikt eller medel med utlösningsfördröjande funktion mellan eller utanför TS-skikten. Åtminstone skiktet eller skikten av TS med eventuellt utlösningsfördröjande medel är utlösningsbart med i benet och/eller i vävnaden naturligt befintliga komponenter. Nämnda skikt och eventuella utlösningsfördröjande medel är anordnade eller valda att åstadkomma benbildning runt implantatet, utan risk för för hastig benuppbyggnad och benbrottstendenser eller andra komplikationer i densamma. Nämnda skikt och eventuella utlösningsfördröjande medel kan även vara anordnade att effektuera en initialt optimal benuppbyggnad kring implantatet i kombination med långsiktig (över flera månader) bentillväxt eller bentillväxten bevarande funktion. I en utföringsform består ett eller flera CaP-skikt av hydroxyappatit eller HA och ett eller flera skikt av den bentillväxtstimulerande substansen består av BMP. Det utlösningsfördröjande medlet kan ha en tjocklek om ca 0,1-1,0 im.

Ett förfarande enligt uppfinningen kan huvudsakligen anses vara kännetecknat av att nämnda delar på enheten respektive hela enheten belägges med CaP som genom värmebe- handling kan ges en bestämd grad av kristallisering samt TS.

Företrädesvis tillföres först CaP och värmebehandlas, varefter TS tillföres, t.ex. genom att enheten eller dess aktuella delar som skall förses med beläggning doppas i ett bad med TS.

Alternativt kan TS droppas eller penslas på implantatet. 10 15 20 25 30 515 695 6 I en föredragen utföringsform åstadkommes i fallet med flera TS-skikt det första skiktet genom doppning i eller pådroppning eller påpensling av 'TS-lösning med en vald koncentration. Det andra skiktet åstadkommes efter torkning av det första skiktet genom pådroppning eller påpensling av TS-lösning med den valda eller en andra koncentration som skiljer sig från den första koncentrationen. Ett eventuellt tredje skikt åstadkommes efter torkning av det andra skiktet genom pådroppning eller påpensling av TS-lösning med en koncentration som är samma som eller skiljer sig från tidigare nämnda koncentrationer, osv. Utlösningsfördröjande medel kan appliceras, t.ex. genom pensling, på respektive aktuella torkade skikt. CaP-skiktet kan appliceras med hjälp av s.k. sputtring av CaP- substans på en eller flera implantatsytor som kan vara amorfa eller värmebehandlade och därvid kristallinska. CaP-skiktet kan utföras med fördjupningar som underlättar kvarhållningen av utanpåliggande TS-skikt. Ett sålunda med skikt av CaP och utanförliggande TS-skikt appliceras i förgängat hål i käkbenet eller motsvarande i en föreslagen utföringsform. Andra appliceringsmetoder för TS än de nämnda kan utnyttjas, t.ex. sprayning. Ett skikt med framträdande hög koncentration av BMP kan även utnyttjas.

En användning enligt uppfinningen vid implantat av hithörande slag kännetecknas huvud- sakligen av att CaP och TS användes i nämnda beläggning eller beläggningar.

FÖRDELAR Genom uppfinningen dubbelutnyttjas i och för sig kända medel som har bentillväxt befrämjande karaktär och som åtminstone delvis naturligt redan förefinns i människokroppen. Utnyttjandet av framträdande porösa oxidskikt i själva implantatmaterialet som depå för tillväxtstimulerande substans eller substanser har tvingat bort fackmannen från förslag i enlighet med föreliggande uppfinning, främst på grund av att i vissa fall idragningskraften för implantatet i hålförsett ben fått ökats. Detta är i och för sig ingen nackdel om det totala sortimentet som skall möta olika behov på marknaden beaktas. Utlösningstidema kan enligt uppfinningen väljas med stor exakthet. Det utanpå CaP-beläggningen applicerade TS uppvisar ofta större flyktighet än CaP. Härigenom kan TS förse omgivande käkben med bentillväxt stimulerande funktion i ett inledningsskede, l0 15 20 25 30 515 695 7 '»«-- »i _ vilken funktion efterhand övertages av CaP-beläggningen. I ett utföringsexempel betjänar ett och samma implantat två på avstånd från varandra placerade vävnadsställen.

FIGURFÖRTECKNING En för närvarande föreslagen utföringsform av anordning, förfarande och användning enligt uppfinningen skall beskrivas i nedanstående under samtidig hänvisning till bifogade ritningar där figurer 1-4 figur 5 figur 6 figur 7 figur 8 figurer 9-9a figurer 10-12 principiellt visar olika steg för att belägga implantat med CaP-skikt och TS-skikt, i vertikalvy och genomskäming visar förstorat i förhållande till figurema 1-4 ett aktuellt implantat applicerat i hålupptagning i käkben, i diagramforin visar utlösningsfunktioner hos kombinationen CaP och TS ikäkben, i vertikalvy och genomskäming och förstorat i förhållande till figuren 5, visar på en aktuell ytdel påförda CaP- och TS-skikt, i vertikalvy och genomskäming och förstorat i förhållande till figuren 7 visar TS:s integrering med CaP-skiktets kristallstruktur, i vertikalvyer och genomskämingar och förstorat visar CaP och TS applicerade som multilagerskikt, i vertikalsnitt och förstorat visar utlösningsfunktionen för multilager i vävnad eller käkben i människokroppen, 10 15 20 25 30 515 695 8 figur 13 i vertikalsnitt och förstorat visar ett alternativt utförande med multilager, och figurer 14-15 i vertikalsnitt visar olika exempel på benbildning i vävnad eller ben; DETALJERAD UTFÖRINGSFORM I figuren 1 visas med 1 en enhet i form av ett implantat. Implantatets ytdelar la skall helt eller delvis förses med film- eller skiktliknande beläggning-ar). En första beläggning appliceras på känt sätt i en kammare 2, i vilken beläggningsapplicering sker medelst s.k.

”RF-sputtering”. Det hänvisas härvid till den inledningsvis nämnda publikationen WO 98/48862. I kammaren 2 appliceras en eller flera kalciumfosfatföreningar 3 till enhetens aktuella yta eller ytdelar.

Efter appliceringen av aktuell beläggning underkastas enheten 1 (dess ytdelar la) vänne- behandling, vilken i enlighet med figur 2 kan ske i en kammare eller ugn 4. Temperaturer (t.ex. 600°C) och tider för behandling i mättad vattenånga kan väljas i enlighet med nämnda publikation. Syftet med värrnebehandlingen är att helt eller delvis kristallisera den i kammaren 2 påförda beläggningen, som därvid kan väljas med en tjocklek av i ovan nämnt slag, företrädesvis inom området 0,1 prn-IO im.

I föreliggande exempel räknas kristalliseringsgraden i %, varvid kristalliseringsgraden 0% är hänförbar till röntgenamorf yta där ifrågavarande komstorlek är högst ca 50 nm.

Efter genomförd behandling i ugnen 4, överföres enheten 1 till en station 5 enligt figuren 3.

Stationen innefattar en behållare 6 med TS 7, t.ex. BMP, i vilket enheten eller dess aktuella ytdelar doppas under en vald tid som väljes i beroende av TS-typ, utlösningsfunktion, tork- tid och/eller annan parameter (exempel på tid kan vara 30-60 minuter). Genom neddopp- ningen appliceras utanpå det kristalliserade CaP-skiktet TS som eventuellt kan åtminstone delvis insugas i kristall-strukturen. I altemativa utföringsforrner och appliceringsmetoder kan TS appliceras kompletterande eller altemativt i andra skeden i beläggningsapplice- 10 15 20 25 30 5.15 695 “I ringen. Så t.ex. är det möjligt att TS kan föras in redan i skedena enligt figurerna 1 och . . . . Q . /eller 2, vilket symboliskt angetts med streckade pilar P1 och P2. TS-skiktet kan i en annan utföringsform av uppfinningen appliceras på annat sätt, t.ex. medelst pådroppning, påpensling och/eller påsprayning.

Stationen 5 kan innefatta ytterligare utrustning för ytterligare behandling av implantatet 1.

Således kan i en delstation 5' ytterligare TS-substans påförs för emående av dubbla TS- lager eller TS-skikt på implantatets 1 yta. Detta andra förfarande kan ske medelst pensling 7', pådroppning 7” eller sprayning 7”'. Koncentrationen av TS i lösningen kan i de olika påföringsfallen vara samma eller olika. Påförandet kan ske medelst pensel 6°, munstycke 6” respektive spray-enhet 6'”. Stationen enligt figuren 3 kan innefatta en ytterligare delstation 5” där medelst utrustning 6”” utlösningsfördröjande viskoelastiskt material, t.ex. hyalaronsyra 7"” appliceras, t.ex. medelst pensling eller sprayning, i ett eller flera lager på implantatets 1 yta(-or). Stationen enligt figuren 3 kan innefatta ytterligare delstation 5”', osv, där ytterligare applicering av TS-skikt och/eller fördröjningsskikt appliceras på motsvarande sätt som på delstationen 5' '.

Figur 4 visar den färdigbehandlade enheten 1. Implantatet kan således efter behandling i stationen enligt figuren 3 vara försedd med olika lager eller skikt vilket symboliserats med hjälp av beteckningama 1 som har ett enkellager av TS, 1' som har ett dubbellager av TS, 1" som har dubbellager av TS och fördröjningslager, 1'” som har ytterligare lager, osv.

Alternativt kan applicering av CaP- och TS-skikten appliceras med annan stationsuppsätt- ning och det kan därvid hänvisas till möjligheten med plasmasprutningsbar CaP inklude- rande TS..

I enlighet med figur 5 kan utgöras av ett med gänga(-or) lb försett skruvplantat avsett att vara iskruvbart i ett käkben 8 som härvid försetts med hålupptagning 8a för implantatets iskruvning. Uppfinningen fungerar även på andra typer av implantat. Efter appliceringen i benet utlöses TS och CaP till benstrukturen i enlighet med nedanstående. Denna utlösning har symboliserats med pilar 9 och 10. Enheten/implantatet är i utföringsexemplet utfört i titan, dvs biokompatibelt material. 10 15 20 25 30 51.5 695 /0 . » - ~ . i Figur 6 visar exempel på valbara utlösningsfunktioner för TS respektive CaP. I diagrammet representerar horisontalaxeln tiden h och vertikalaxeln mängden m, varvid kurvoma således representerar avgiven mängd/tidsenhet. Kurvan ll avser att illustrera en eftersträvad utlösningsfunktion från implantat med multilager av TS och utlösningsfördröjande medel enligt ovan. Ifrågavarande lager kan anses vara utlösta vid tiden h”. Beroende på kristalliseringsgraden i Cap-skiktet(-en) kan detta/dessa överta försörjningen av bentillväxtstimulansen eller effektuera bentillväxtupprätthållning. Kurvan 12 representerar CaP-skikt med amorf eller lågkristallinsk karaktär som fortsätter utlösning av benstimulansfunktion till benet. Kurvan 13 representerar en medelhög grad av kristallisering, t.ex. 25-75 %. Kurvan 14 representerar en hög grad av kristallisering, varmed här menas 75-100 %. Vid 100 % kristallisering fungerar skiktet som bärare av företrädesvis ytbundet TS. Initialt hög bentillväxtstimulans som åtföljes av långsiktig stimulans och bentillväxtupprätthållning kan således uppnås. Nedbrytnings- eller utlösningsfunktionema är eller kan även relationsställas till aktuell surhetsmiljö. Den initiala bentillväxtstimulansen önskas vara snabb så att tidema fastläkning och protes- applicering kan minskas i förhållande till tidigare. Bentillväxtstimulansen får dock ej vara för snabb så att kollaps uppkommer i det tillväxta benet. Uppfinningen kan lösa detta problem med möjlighet till noggrant val av utlösningstidema. Tiden hl kan väljas exempelvis till 2-4 veckor. Den långsiktiga stimulansen kan väljas till månader eller år efter inlläkningsperioden.

Figuren 7 visar i kraftig uppförstoring en del le av enheten 1. lfrågavarande del lc kan ut- göras av ett parti på en gänga, vars yta ld skall beläggas med ett eller flera CaP-skikt 15 och utanpå och i detta applicerat eller applicerade TS-skikt 16. Det skall härvid bemärkas att uppfinningen tillmötesgår även krav på stor ytfinhet på ytan ld (jfr nämnda publikation).

Figur 8 avser att visa i ytterligare förstorat skick hur kristallstrukturen 15' i viss mån sugit åwgrme. 10 15 20 25 30 515 695 ,-. . . , . . ,, 1.. . ,. , , , . »_ . 1 ...t -. v I, i å I in .a -1.-..

I figuren 9 är ett CaP-skikt visat med 17. Skiktet är applicerat på aktuell metall, t.ex. titan 18, på en yta 18a som kan vara bearbetad med större eller lägre finhetsgrad. Skiktet 17 kan ha en kristalliseringsgrad av 0-100 %. På skiktets 17 ytteryta l7a är applicerat ett första skikt 19 av TS. Detta åtföljes av ett andra skikt 20 av utlösningsfördröjande medel, på vil- ket ett andra skikt 21 av TS är applicerat. Ett tredje skikt 22 av TS är i sin tur applicerat på skiktet 21. Den visade skiktuppbyggnadskonbinationen är endast ett exempel.

Enligt figuren 9a kan även CaP-skiktet enligt figur 9 indelas i två eller flera skikt 17°, 17” som därvid kan utföras med samma eller olika kristalliseringsgrader. Skiktet 17” uppbär ett TS-skikt på sin utsida, osv.

Figurema 10, 11 och 12 visar det tidsberoende nedbrytningsförloppet av de olika skikten i ben eller vävnad. Nedbrytande komponenter i vävnaden eller benet är symboliserade med pilar 24. Den initiala bentillväxtstimulansen är symboliserad med pilar 25, vilken stimulans således initieras medelst yttersiktet 21' av TS. Titanet eller motsvarande har betecknats 18”.

I figur 11 har bentillväxten startats och visats med 24a. I skedet enligt figuren 11 har ytter- skikten 21' och 20' enligt figuren 10 helt eller delvis utsöndrats. I skedet enligt figuren 12 har även skikten 19', 20” och delar av skiktet 17"' utsöndrats och resulterat i bentillbygg- naden 24a'.

Nämnda komponenter börjar således nedbrytningen med det yttersta skiktet, varefter följer att nedbrytningen fortsätter successivt, skikt för skikt, tills CaP-skiktet frilägges och utsättes för komponenterna.

I figur 13 anger 26 ett CaP-skikt och 27 metallen i implantatet. Skiktet 26 kan förses med försänkningar 26a, 26b eller annan oregelbunden ytterstruktur som kan härbärgera TS-skikt 28, 29, 30 av olika geometriska sträckningar utefter CaP-skiktets ytteryta, osv.

Ifigurema 14 och 15 har två implantat 1”” och 1”'” med olika ursprunglig skiktuppbygg- nad initierat bentillväxtuppbyggnader 31 respektive 32, 33, 34, 35, 36. Den första uppbygg- 515 695 š3ïfišäkï¿ïVQ /2 .. _, naden 31 har strumpliknande karaktär, medan den andra har en mera Ö-formad karaktär.

Karakteristiskt är att bentillväxtfunktionen erhåller mycket god osseokonduktivitet kring eller osseointegration med implantatet respektive implantatdelama, vilket garanterar för god inläkning i benstrukturen.

Uppfinningen är inte begränsad till den i ovanstående såsom exempel visade utföringsfor- men utan kan underkastas modifikationer inom ramen för efterföljande patentkrav och upp- finningstanken.

Claims (22)

10 15 20 25 30 515 695 /8 PATENTKRAV

1. Implantat (1) för applicering i ben (8), Lex. käkben i främst människokrop- pen, och innefattande i aktuellt ben applicerbar enhet som är utförd i biokompatibelt mate- rial, företrädesvis titan, k ä n n e-t e c k n a t därav, att det åtminstone på sina med benet samverkbara ytdelar är försett med beläggning(-ar) som innefattar kalciumfosfatföreningb ar), här kallat CaP, och därpå applicerad bentillväxtstimulerande substans (protein), här kallat TS.

2. Implantat enligt patentkravet 1, k ä n n e t e c k n a t därav, att utlösnings- tiden (h) för nämnda medel i nämnda beläggning(-ar) till berört ben eller vävnad är vald genom relationsställning av utlösningstiden för CaP och utlösningstiden för TS.

3. Implantat enligt patentkravet 2, k ä n n e t e c k n a t därav, att utlösnings- tiden för CaP är vald med hjälp av kristalliseringsgraden i CaP, varvid högre kristalliseringsgrad ger längre utlösningstid, och vice versa.

4. Implantat enligt patentkravet 3, k ä n n e t e c k n a t därav, att kristallise- ringsgraden i CaP är vald att ge en total utlösningstid av åtminstone 2-4 veckor upp till flera månader.

5. Implantat enligt något av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n at därav, att CaP-beläggningen har en tjocklek inom området några Ångström och 10 um, företrädesvis mellan 0,1 um - 20 um. och att respektive TS-skikt har en tjocklek mellan några få Ångström och l um.

6. Implantat enligt något av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n a t därav, att samtliga partier på nämnda delar är försedda med beläggning(-ar). 10 15 20 25 30 5.15 695 /1/

7. Implantat enligt något av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n at därav, att beläggningen(-arna) består av ett eller flera skikt (17, l7', l7”) av kalciumfosfatföre- ningar och ett eller flera skikt (19, 21, 22) av bentillväxtstimulerande substans TS.

8. Implantat enligt något av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n at därav, att beläggningen(-ama) innefattar ett eller flera skikt (19, 21, 22) av TS och eventuellt CaP och utlösningsfördröj ande medel (20), t.ex. hyalaronsyra.

9. Implantat enligt något av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n at därav, att ett eller flera skikt av CaP (17”, 17', 17”) uppvisar hög kristalliseringsgrad som medför att skiktet respektive skikten har den huvudsakliga uppgiften att fungera som bärare av skiktet(-en) (19, 21, 22) för TS och eventuellt det eller de utlösningsfördröj ande medlet(-n) (20, 20', 20”).

10. Implantat enligt något av Föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n at därav, att ett eller flera skikt (17, 17', l7”) av CaP uppvisar en låg eller medelhög kristalli- seringsgrad som medför att skiktet respektive skikten utöver bärarfunktion för TS (19) och eventuellt skikt (20) för utlösningsfördröjande medel ingår i den bentillväxtbefrärnjande funktionen.

11. 1 1. Implantat enligt något av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n at därav, att skiktet eller skikten (17, 17', 17”) av CaP är belägna närmast eller på aktuell eller aktu- ella ytor (18a) på implantatet och att ett eller flera skikt (19, 21, 22) av TS i sin tur är belä- get eller belägna på CaP-skiktet (17) respektive det yttersta CaP-skiktet (l7”).

12. Implantat enligt något av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n at därav, att i fallet med två eller flera skikt (19, 21) av TS skikt eller medel (20”, 20”) med utlös- ningsfördröj ande funktion för TS är interfo1ierat(-de) med TS-skikten.

13. Implantat enligt något av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n at därav, att åtminstone skiktet (19) eller skikten av TS med eventuellt utlösningsfördröjande medel 10 15 20 25 30 515 695 /5 (20) är utlösningsbart med i benet och/eller vävnaden naturligt befintliga komponenter (24).

14. Implantat enligt patentkravet 13, k ä n n e t e c k n at därav, att nämnda skikt och eventuella utlösningsfördröjande medel är anordnade eller valda att åstadkomma ben- bildning (31) i omgivande vävnad runt implantatet utan risk för för hastig benuppbyggnad och benbrottstendenser i densamma.

15. Implantat enligt något av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n at därav, att nämnda skikt och eventuella utlösningsfördröjande medel är anordnade att effektuera en initialt optimal benuppbyggnad (24a') kring implantatet i kombination med långsiktig (över flera månader) bentillväxt eller bentillväxten bevarande funktion.

16. Implantat enligt något av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n at därav, att ett eller flera CaP-skikt (17, l7°, 17”) innehåller hydroxyapatit eller HA och att ett eller flera skikt (28, 29, 30) av den bentillväxtstimulerande substansen består av en substans tiilhörande superfamiljen TGF-ß.

17. Förfarande för att på implantat (1) för applicering i ben (8), främst i människokroppen, och innefattande en enhet i biokompatibelt material (18) applicera beläggning(-ar) med medel (substans) åtminstone vid enhetens med benet samverkbara ytdelar, k ä n n e t e c k n a t därav, att nämnda delar på enheten respektive enheten belägges med kalciumfosfatförening(-ar), här kallat CaP, som är röntgenamorft eller tilldelas en bestämd grad av kristallisering i kombination med en därpå applicerad bentillväxtstimulerande substans (protein), här kallad TS.

18. Förfarande enligt patentkravet 18 , k ä n n e t e c k n at därav, att CaP först tillföres och kristalliseras helt eller delvis i ett eller flera skikt (17, 17°, 17”) och att sedan TS appliceras i ett eller flera skikt (19, 21, 22), Lex. genom att enheten respektive delarna doppas i bad med TS. 10 15 20 515 695 /ó

19. Förfarande enligt patentkravet 18, k ä n n e t e c k n at därav, att i fallet med flera TS-skikt (19, 21, 22), det första skiktet âstadkommes genom doppning i eller pådroppning av TS-lösning (7) av en vald koncentration, att det andra skiktet åstadkommes efter torkning av det första skiktet genom pådroppning eller påpensling av TS-lösning (7') av nämnda valda eller en andra koncentration som skiljer sig från den första koncentrationen, och att ett eventuellt tredje skikt åstadkommes efter torkning av det andra skiktet genom pådroppning eller påpensling av TS-lösning av en nämnda valda eller en tredje koncentration som skiljer sig från den första och/eller andra koncentrationen, osv.

20. Förfarande enligt patentkravet 17, 18 eller 19, k ä n n e t e c k n a t därav, att utlösningsfördröjande medel, t.ex. hyalaronsyra (7”) eller annan viskoelastisk substans, appliceras, t.ex. genom pensling, på respektive aktuella skikt.

21. Förfarande enligt något av patentkraven 17-20, k ä n n e t e c k n a t därav, att respektive CaP-skikt (17, 17', 17”) appliceras med hjälp av sputtring av CaP-substans på ursprunglig(-a) väsentligen amorf(-a) implantatyta(-or) och därefter följande värmebe- handling.

22. Förfarande enligt patentkravet 21, k ä n n e t e c k n a t därav, att vid be- handling av implantatmaterial av titan appliceringen och värmebehandlingen av CaP (26) utföres så att fördjupningar (26a, 26b) erhålles i CaP-skiktet, vilka fördjupningar bidrar till att öka utanpåliggande TS-skikts (28, 29, 30) fasthållning i CaP-skiktet (26).