SE449221B - Forfarande for framstellning av kiselnitrid genom omsettning av kiseldioxid, kol och kveve vid en temperatur over 1300?59oc - Google Patents

Forfarande for framstellning av kiselnitrid genom omsettning av kiseldioxid, kol och kveve vid en temperatur over 1300?59oc

Info

Publication number
SE449221B
SE449221B SE8302207A SE8302207A SE449221B SE 449221 B SE449221 B SE 449221B SE 8302207 A SE8302207 A SE 8302207A SE 8302207 A SE8302207 A SE 8302207A SE 449221 B SE449221 B SE 449221B
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
temperature
silica
nitrogen
reaction
pressure
Prior art date
Application number
SE8302207A
Other languages
English (en)
Other versions
SE8302207L (sv
SE8302207D0 (sv
Inventor
T Johansson
Original Assignee
Kemanord Ind Ab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kemanord Ind Ab filed Critical Kemanord Ind Ab
Priority to SE8302207A priority Critical patent/SE449221B/sv
Publication of SE8302207D0 publication Critical patent/SE8302207D0/sv
Priority to AT84850097T priority patent/ATE34370T1/de
Priority to DE8484850097T priority patent/DE3471292D1/de
Priority to EP84850097A priority patent/EP0122897B1/en
Priority to US06/599,702 priority patent/US4530825A/en
Priority to JP59076759A priority patent/JPS59199515A/ja
Publication of SE8302207L publication Critical patent/SE8302207L/sv
Publication of SE449221B publication Critical patent/SE449221B/sv

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/068Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with silicon
    • C01B21/0685Preparation by carboreductive nitridation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Description

. 15. 20. 251 449 221p framgår av patentkraven.e _ _ Genom att enligt uppfinningen arbeta med övertryck av kvävgas vid reaktionen vinnes flera fördelar. Gränstem- peraruren, vid vilken kiselkarbia bi1aas_i stället för ki- selnítrid, höjs med ökande kvävgastryck vilket minskar kar- bidbildningen och möjliggör_användníng av högre reaktions- temperaturer. Reaktionshastigheten för de hastighetsbestäm- mande kvävereaktionernauökar-också. Detta ökar omsättníngs- hastigheten och därmed produktionen. En förbättrad värme-V överföring genom den högre gastätheten ökar omsättningshas- tigheten ytterligare. Vid reaktionen bildad kolmonoxid får ett mindre negativt inflytande på reaktionshastigheten vid högre kvävgastryck. Dessa förbättrade reaktionsbetingelser ökar inte endast produktionen utan även omsättningsgraden så att oxidinnehållet i produkten minskar. Vidare kan ett mindre kolöverskott användas; Reaktionen till kiselnitri- den sker över mellanprodnkter som gynnar bildning av alfa: -fas. Den normalt svârreagerade kiseldioxiden kan omsättas 'snabbare så att amørr kiseiaioxiavinue_nödvändiguvis bens- ver användas. Det är möjligt att driva reaktionen som en tvåstegsprocess där det första steget avser reduktion av en del av kiseldioxiaen till k¿rbia_med hjälp av kolet varefter i ett andra steg.kvävet tillsättes för bildning av niuriaen.
Genom att i denna process merparten av kolmonoxiden bildas under det första steget utspädes kvävgasen mindre av kolmon- oxid i det andra steget vilken fördel bättre tillvaratages _ vid högre kvävgastryckß 30. uYtterligare ändamål och fördelar med uppfinningen kom- mer att framgå av den närmare beskrivningen nedan. 7Deta1jsbeskrivninggav"uppfinningen ' Den i processen använda_kiselråvaran kan vara vilken som helst kiseldioxid;íKristallina kiseldiokider såsom kvarts ' kan användas liksom amorfa. Renhetsgraden bör väljas med hän- ' 35. syn till det tilltänkta användningsområdet för slutprodukten men normalt önskas en renhet överstigande 95 Procent och helst över 99 procent. Samma renhetskrav bör ställas på kol- råvaran. Molförhållandet mellan satsad mängd kol och satsad mängd kiseldioxíd bör_ligga mellan 1,9 och 10, företrädesvis mellan 1,95 och 3, särskilt mellan 1,95 och 2,2. m.
:Ci 10. 15. “2o. 25. 50. 35. 3 i 449i221 Eventuellt kan pulverbädden även innehålla andra kom- ponenter, exempelvis elementärt kisel för att höja kiselmon- oxidhalten under reaktionen eller för att kunna ersätta en del av kolmängden. Alfa-fas kiselnítridpulver i en mängd mel- lan 5 och 50 procent av bäddvikten kan också på normalt sätt >tillsättas för att upprätthålla en god porositct i bädden under reaktionen.
Partikelstorlekarna för de pulverformiga komponenter- na'i bädden bör hållas ünder ca 30 pm och helst mellan 0,1 och 10 pm. i Kvävet kan tillföras i form av ammoniak eller en bland- ning av kvävgas med ínertgas såsom väte eller argon men fö- reträdesvis användes ren kvävgas. Gasen tíllföres lämpligen pulverblandningen kontinuerligt genom genomspolning av reak- torn. Kvävgasen kan tillföras från början av reaktionen men, som ovan antytts, är det även möjligt att tillföra gasen först sedan en del av kiseldioxiden reagerat till karbid med en stökiometrisk mängd kol (3 mol kol per mol omsatt kisel- dioxid) varvid nitrering av bildad karbid och resterande ki- seldioxid äger rum. Partialtrycket av kväve bör, som nämnts, hållas över atmosfärstryck. För att uppnå väsentliga förbätt- ringar i de beskrivna avseendena bör partialtrycket emeller- tid nå11as över 5 bar. sarski1t förde1autigt är att upprätt- hålla ett partialtryck över 20 bar eftersom ända upp till- denna punkt varje ökning av trycket möjliggör en ökning av den använda reaktionstemperaturen med bibehållande av kisel- dioxiden i fast form och utan att gränskurvan för bildning av kiselkarbid överskrides. Fördelar i fråga om värmeöverfö- ring och-reaktionshastíghet kan uppnås även över 20 bar utan att temperaturen höjes men av praktiska skäl bör trycket hål- las under 200 bar och helst även under 50 bar. Med hänsyn till både tryck och temperaturkrav är det särskilt lämpligt att ligga mellan 10 och 30 bar.
Den möjliga reaktíonstemperaturen har tidigare begrän- sats av gränstemperaturen för bildning av kiselkarbid, som _vid.1 bar ligger vid ca 140000. Genom att höja kvävets par-e tialtryck enligt ovan höjes gränstemperaturen och därmed den möjliga reaktionstemperaturen. Lämpligen väljes reaktions- temperaturen över 90 % av gränstemperaturen i grader Celsius 10. 15. 20. 25.
BO. 449 221% vid det valda kvävetrycket; företrädesvis även över 95 % av denna gränstemperatur och helst så nära gränstemperaturen som möjligt. Smälttemperaturen för kiseldioxiden bör dock inte överskridas, vilken för kvarts ligger vid ca 172000' och motsvarande gränstemperatur vid ca 20 bar kvävgastryck.
Lämpliga temperaturvärden ligger därför mellan 1600 och l700°C och särskilt mellan 1650 och 170000; Temperaturangi- velserna gäller pulverbaddens temperatur i den mån tempera- turgradienter förekommer i reaktorn.
För reaktionen användes en övertrycksreaktor med möj- lighet till temperatur- och tryckövervakning och med organ för värmetillförsel, exempelvis organ för yttre värmning, induktionsuppvärmning, ljusbåge eller medel för förbränning.
Den erhållna produkten kan efterbehandlas för avlägs- nande av överskottskol, för avlägsnande av oxider eller and- ra föroreningar; Kraven på renhet bestämmes av den tilltänk- ta användningen. För sintringsändamål år det önskvärt med ett innehåll av alfa-kiselnitrid överstigande 90 viktpro- cent och helst överstigande 95 viktprocent samt med en för- oreningshalt understigande 5 och helst understigande 2 vikt- procent. Den beskrivna processen kan drivas så att dessa krav uppfylles utan efterföljande rening av produkten.
Fignrbeskrivning Figuren visar ett samband mellan gränstemperaturen för bildning av kiselkarbid som funktion av kvävetrycket. Gräns- temperaturen i grader Kelvin och grader Celsius är avsatt på den vertikala axeln och trycket i bar på den horisontella _axeln. Det framgår att_gränstemperaturen tillväxer snabbt med trycket och att tillväxten är mycket snabb upp till ca 10 bar. Gränstemperaturen vid 1 bar är ca lU07°C. I figuren har också inlagts en horisontell linje vid 172000 avseende smältpunkten för kvarts. I Z .
Vid tryck/temperaturkombinationer liggande över gräns- kurvan bildas kiselkarbid enligt sambandet: “2 sioz +g3 c > slíc + zoo Vid tryck/temperaturkombinationer under gränskurvan erhålles kiselnitrid enligt sambandet: V u; (v, 449 221 N 2 + ac + an? --2-->s si3nu + 6co 3 S10 Vid iförffarandet; enligt uppfinningen bör- således tryck- 'ø » och temperaturbetingelser väljas inom, området under gräns- temperaturkurvan varvid dock temperaturvärden över linjen vid kilseldioxidens smältpunkt skall undvikas. För-eträdesvís 5._ väljes också temperaturer överstigande gränstemperaturen vid flbar, Qï»

Claims (10)

10. 15. a* a449 221
1. 'Patentkrav' 1- Förfarande för framställning av kiselnitrid genom omsättning av kiseldioxid, kol oth kväve vid temperaturer* över ca 1300°C, 'k äln n e tee"c k n a-t _ därav, att ett partialtryck av kväve överstigande atmosfärstryck'upprättá hâlles under reaktionen ooh att temperaturen hâlles under gränstemperaturen för omvandling av kiselnitrid till kisel~ karbid vid det aktuella trycket.
2. K 2. Förfarande enligt krav 1 varvid omsättningen sker vid en temperatur över 1407°C. K
3. Förfarande-enligt krav 1, krä n n e tre c k n a t därav, att trycket överstiger 5 bar. K
4. Förfarande enligt krav 3, k ä n nde t e c k n a t därav, att trydket hållas över 20 bar.
5. Fdrfarande enligt krav 1,_k ä n n e t e c k n a t därav, att temperaturen hâlles under kiseldioxidens smält- *punkt. zo. 25. 30.
6. Förfarande: enligt krav '1, k ä n n e tue c k n a t därav, 'att temperaturen hålles strax 'under gränstempera~ turen. 1 _ _ _
7. Förfarande enligt krav 1, k ä n n e"t e c k n a t därav, att molförhâllandet kiseldioxid till kol hâlles mellan 1,9:1 och 10:1 i reaktorn. I
8. Förtarande enligt krav 7, k ä n n e t e c k n a t därav, att moLförhâLlandet_hâlles mellan 1,9S;1 och 2,2:1. -
9.-Förfarande enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a t därav, att kvävgasen tillföras under- den senare delen av ,reaktionen. k
10. Éörfarande enligt krav 9, k ä nzn e t e c k n a t därav, att kvävgasen -tillföras efter det att len del av kiseldioxiden reagerat till kárbid med kol i molförhâllandet 3 mol per mol omsatt kiseldioxid. <1: '91
SE8302207A 1983-04-19 1983-04-19 Forfarande for framstellning av kiselnitrid genom omsettning av kiseldioxid, kol och kveve vid en temperatur over 1300?59oc SE449221B (sv)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE8302207A SE449221B (sv) 1983-04-19 1983-04-19 Forfarande for framstellning av kiselnitrid genom omsettning av kiseldioxid, kol och kveve vid en temperatur over 1300?59oc
AT84850097T ATE34370T1 (de) 1983-04-19 1984-03-26 Verfahren zur herstellung von siliziumnitrid.
DE8484850097T DE3471292D1 (en) 1983-04-19 1984-03-26 A process for the production of silicon nitride
EP84850097A EP0122897B1 (en) 1983-04-19 1984-03-26 A process for the production of silicon nitride
US06/599,702 US4530825A (en) 1983-04-19 1984-04-12 Process for the production of silicon nitride
JP59076759A JPS59199515A (ja) 1983-04-19 1984-04-18 窒化ケイ素の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE8302207A SE449221B (sv) 1983-04-19 1983-04-19 Forfarande for framstellning av kiselnitrid genom omsettning av kiseldioxid, kol och kveve vid en temperatur over 1300?59oc

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE8302207D0 SE8302207D0 (sv) 1983-04-19
SE8302207L SE8302207L (sv) 1984-10-20
SE449221B true SE449221B (sv) 1987-04-13

Family

ID=20350885

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE8302207A SE449221B (sv) 1983-04-19 1983-04-19 Forfarande for framstellning av kiselnitrid genom omsettning av kiseldioxid, kol och kveve vid en temperatur over 1300?59oc

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4530825A (sv)
EP (1) EP0122897B1 (sv)
JP (1) JPS59199515A (sv)
AT (1) ATE34370T1 (sv)
DE (1) DE3471292D1 (sv)
SE (1) SE449221B (sv)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60235706A (ja) * 1984-05-09 1985-11-22 Central Glass Co Ltd シリコン系セラミツクス粉末の連続製造方法
JPS6112915A (ja) * 1984-06-25 1986-01-21 Tokushu Muki Zairyo Kenkyusho 実質的にSi,N及びOからなる連続無機繊維とその製造法
US4582696A (en) * 1985-04-15 1986-04-15 Ford Motor Company Method of making a special purity silicon nitride powder
JPS61295212A (ja) * 1985-06-24 1986-12-26 Kawasaki Steel Corp 窒化けい素粉末の製造方法
US5219537A (en) * 1990-04-03 1993-06-15 Phillips Petroleum Company Production of nitride products
US5160719A (en) * 1990-07-24 1992-11-03 Eaton Corporation Process for nitriding silicon containing materials
US5250278A (en) * 1991-06-19 1993-10-05 Phillips Petroleum Company Method for producing a ceramic product
US6007789A (en) * 1992-11-03 1999-12-28 Eaton Corporation Method of nitriding silicon
EP0817874B1 (en) * 1995-03-31 2003-05-28 Hyperion Catalysis International, Inc. Carbide nanofibrils and method of making same
US5814290A (en) * 1995-07-24 1998-09-29 Hyperion Catalysis International Silicon nitride nanowhiskers and method of making same
DE102010009502A1 (de) * 2010-02-26 2011-09-01 Spawnt Private S.À.R.L. Verfahren zur Herstellung von Harnstoff

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1054901A (en) * 1909-11-23 1913-03-04 Basf Ag Compounds containing silicon and nitrogen and process of producing such compounds.
US3855395A (en) * 1972-09-06 1974-12-17 Univ Utah Production of silicon nitride from rice hulls
GB1470171A (en) * 1974-07-31 1977-04-14 Lucas Industries Ltd Method of producing silicon nitride
JPS5238500A (en) * 1975-09-22 1977-03-25 Toshiba Corp Production of alpha-silicon nitride powder
JPS53102300A (en) * 1977-02-18 1978-09-06 Toshiba Corp Preparation of type silicon nitride powders
JPS603033B2 (ja) * 1977-12-19 1985-01-25 株式会社井上ジャパックス研究所 窒化硅素製造方法
JPS55113603A (en) * 1979-02-19 1980-09-02 Toshiba Corp Manufacture of alpha silicon nitride powder
JPS583964A (ja) * 1981-06-30 1983-01-10 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 金属溶射が可能な絶縁層の形成方法
DE3266050D1 (en) * 1981-10-12 1985-10-10 Sumitomo Electric Industries Method for sintering silicon nitride

Also Published As

Publication number Publication date
EP0122897A3 (en) 1985-08-14
EP0122897A2 (en) 1984-10-24
US4530825A (en) 1985-07-23
EP0122897B1 (en) 1988-05-18
JPS59199515A (ja) 1984-11-12
SE8302207L (sv) 1984-10-20
DE3471292D1 (en) 1988-06-23
ATE34370T1 (de) 1988-06-15
SE8302207D0 (sv) 1983-04-19
JPH0375484B2 (sv) 1991-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3933985A (en) Process for production of polycrystalline silicon
SE449221B (sv) Forfarande for framstellning av kiselnitrid genom omsettning av kiseldioxid, kol och kveve vid en temperatur over 1300?59oc
JPS6112844B2 (sv)
US4619905A (en) Process for the synthesis of silicon nitride
US4346068A (en) Process for preparing high-purity α-type silicon nitride
Johnsson et al. Carbothermal synthesis of TaC whiskers via a vapor-liquid-solid growth mechanism
US3758672A (en) Manufacture of silicon carbide
US4208215A (en) Method for enhancing the crystallization rate of high purity amorphous Si3 N2 powder by intimate contact with a titanium containing material
EP0206795B1 (en) Method of producing silicon nitride powders
JPS6111886B2 (sv)
JP2660650B2 (ja) α型炭化珪素の製造方法
JPS5930645B2 (ja) 高純度α型窒化珪素の製造法
JPS6111885B2 (sv)
JPH0649565B2 (ja) α型窒化ケイ素粉末の製造方法
JPS5973412A (ja) 窒化けい素粉体の製造方法
JPH03353B2 (sv)
JPS5891018A (ja) 窒化物微粉末の製造方法
JPS6131311A (ja) 炭化珪素粉末の製法
JP2635695B2 (ja) α−窒化ケイ素粉末の製造方法
JPH0463802B2 (sv)
JPS63151603A (ja) 窒化けい素粉末の製造方法
JPS62143805A (ja) 窒化珪素粉末から塩素および/またはフツ素を除去する方法
JPS6126600A (ja) β型炭化ケイ素ウイスカ−の製造方法
정용권 Study of Producing α-Si3N4 Powder by Low-temperature Vapor-phase Reaction Method
JPH0218310A (ja) ジルコニウム系セラミック粉末の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed

Ref document number: 8302207-9

Effective date: 19910117

Format of ref document f/p: F