SE441879B - Plasmaetsningsforfarande - Google Patents

Description

7906300-4 2 10 15 20 25 30 kretsar inbegriper att först àstadkommes ett maskerings- skikt inom ett kontinuerligt område av aktiniskt material genom selektiv exponering för strålning; vilket följes av framkallning för selektivt avlägsnande av material, antingen bestrålat eller obestràlat. Sådana maskeringsskikt har ut- nyttjats såsom eller vid framställningen av diskreta masker.

Den maskeríngsteknik som för närvarande användes vid framställning av integrerade kiselkretsar har utvecklats av- sevärt till det nuvarande stadiet varvid linjedimensioner av några få pm kan uppnås regelbundet. Sålunda använda diskreta masker utnyttjas för sekundär upplinjering av mönster i för- brukningsbara fotoresístskikt, som utnyttjas för själva an- ordningsbearbetningarna och som avlägsnas för möjliggörande av successiva bearbetningscykler av likartad natur i varje framställningssteg. .

Det är en allmän uppfattning att maskeringstekniken kommer att ersättas av en ej maskeringsínnefattande teknik (direkt bearbetning) vid en tidpunkt då signifikant högre upplösning fordras. När sådana förfaranden avses kommer den primära snarare än den sekundära upplinjeringen att ske i förbrukningsbara resistskikt som kraftigt häftar vid anord- ningen som utsättes för bearbetning.

Oberoende av om ett maskeringsinnefattande eller maske- ringslöst förfarande användes; och oberoende av inbegripen teknik innefattar ett gemensamt förlopp för all sådan till- verkning selektiv etsning av kontinuerliga skikt av anord- ningsfunktionella material. Hittills har våtetsning, exempel- vis genom användning av vattenhaltiga syramedier givit till- fredsställande resultat. När upplösningen mäste bli mer stringent får därmed sammanhängande begränsningar större be- tydelse. Vätskeformiga medier som reagerar med polykristalli- na eller amorfa skikt ger tillsammans isotrop etsning. Därvid uppstáende underskärning i en utsträckning ungefär lika med skikttjockleken begränsar mellanrummen. Ökande miniatyrisering har medfört att fördelarna med torrbearbetning uppskattas. Etsníng genom momentöverföring, exempelvis genom jonmalning, minimerar föroreningen och till- delar materialavlägsnandet riktning. Höga accelerations- 10 15 20 25 30 35 7906300-4 fält varvid partikelbonbardemang av ytor som bearbetas upp- näs ger ibland upphov till nya problem. Gitterskador vid något stadium av tillverkningen kan vara signifikanta. Torr- bearbetníng kan också vara beroende av plasmaunderlättade reaktioner. Exempelvis är plasmaetsning beroende av avlägs- nande, huvudsakligen pà grund av kemisk reaktion, av mate- rial som skall avlägsnas med plasmabildade etsningsämnen.

I likhet med momentöverföringsförloppen avlägsnas reaktions- produkten ovillkorligen, i detta exempel genom utväljande av systemet så att produkten erhålles i àngtillstànd. I extrem- fallet är emellertid plasmaunderlättad etsning àter väsent- ligen isotrop till sin natur. Bestämírikuüng,-som exempelvis lägges vid reaktiv jonetsning eller till och med vid större tillåtna energier vid plasmaetsning kan fastän den ger en tendens mot anisotropt uppträdande vara skäl. Gitterskador och resisterosion är olämplig av andra andra problem som tillstöter. I likhet med våtetsning kan en exakt slutpunkts- detektering såväl som ojämn etsning fràn bricka till bricka medföra ej endast extrem underskärning utan också etsning av underliggande skikt. Det sistnämnda minskas genom utväl- jande av system med uttalad selektivitet för materialet som etsas.

Ett flertal material användes vid LSI-framställning.

De innefattar ett flertal olika material av elementärt kisel (polykristallint, enkelkristallínt, dopat, icke-dopat) såväl som ett flertal kiselhaltiga föreningar (oxider såväl som nitrider). I likhet med många metoder som ej inbegriper ki- sel utgöres det dominerande plasmaetsningsmedlet av det som härstammar från införande av blandningar av CF4 och 02. Ets- ningsgraden är i allmänhet godtagbar för de flesta material.

Underskärning är en huvudsaklig olägenhet i samband med ytor innehållande elementärt kisel, i själva verket i samband med de flesta material som skall etsas, etsningsuppträdandet är väsentligen isotropt (den laterala etsningsgraden är ungefär lika med etsningsgraden i en riktning vinkelrät mot ytans plan). Generellt god diskriminering mot en bakgrund av kisel- föreningar (ca 10:1 över oxid eller nitrid) kan medge en viss överetsning men därigenom övervinnes ej profilbegränsningen av mönsterdetaljstorlekïmellanrum.

På- 7906300-4 10 15 20 25 30 35 40 4 Plasmaetsningsförlopp som är speciellt användbara för etsning av ett flertal kiselhaltiga ytor är baserade på an- vändningen av en grupp etsningsmedel som härstammar från in- förandet i plasmat av en specificerad grupp av kompositioner.

Sådana kompositioner som anses utgöra utgångsämnen till (1) aktiva halogenatometsningsmedel och (2) från fluorkol här- stammande ämnen kan betraktas såsom blandningar av sådana komponenter. Vissa av materialen i gruppen utgöres av före- ningar, som nödvändigtvis innehåller ett inflexibelt förhål- lande av de två utgångsämnena, varvid CF3Cl utgör ett exem- pel. Utgångskomponenterna kan helt eller delvis vara förenade med blandningsbestândsdelar som följaktligen ger en flexibi- litet med avseende på relativa mängder. Ett exempel är CZFÖ - C12. Ett flertal ytterligare beståndsdelar kan ingå, exempelvis för stabilisering av plasmat, för att verka såsom spädningsmedel eller såsom bärare.

Etsningsförloppen enligt uppfinningen kännetecknas av god urskíljning (i allmänhet 10:1 eller bättre för kiselrikt material i förhållande till de flesta underliggande material, exempelvis Si02, SiNx såväl som i förhållande till någon or- ganisk resist).

Ett brett intervall av kompositioner samt etsningsbe- tingelser ger förbättrad etsningsprofil i jämförelse med tidi- gare känd isotropetsning. Optimal komposition och optimala betingelser ger regelbundet uppnåbart idealt anisotropt upp- trädande vilket medför att underskärning ej uppkommer varige- nom mycket små mellanrum medges, såsom 2 pm eller mindre.

Uppfinningen hänför sig huvudsakligen till tillverkning av anordningar eller kretsar. De ytmaterial som har studerats är sådana som är av huvudsakligt intresse vid LSI-tillverkning, fastän uppfinningen ej är begränsad till sådana material. Stu- derade material innehöll elementärt kisel, som var dopat eller icke dopat, polykristallint eller monokristallint. Förlopp som inbegriper etsning av verkliga föreningar, såsom kovalent_ bunden Si02 och kiselnitrid utgör ej föredragna utföringsfor- mer huvudsakligen på grund av dålig selektivitet i förhållan- de till vanligen underliggande skikt innehållande elementärt kisel. Material som är lämpliga att etsa innefattar kiselföre- ningar av exempelvis molybden, tantal och volfram, som för dessa ändamål behandlas såsom legeringar av kompositioner inne- 10 15 20 25 30 35 40 7906300-4 hållande elementärt kisel. Primära studier indikerar att andra elementära material är lämpliga, exempelvis germanium, av alla de typer som anges för kisel.

Uppfinningen hänför sig även till etsningshastigheter, ur- skiljning, profil, belastningseffekt, etc. Sådana faktorer är i sin tur beroende på såväl kompositionen som bearbetningsbe- tingelserna och kommer att beröras i det följande.

Uttrycket "kiselhaltig" hänför sig till en sådan kategori av ytor som har omedelbart intresse vid tillämpning av uppfin- ningen. Sådana ytor som i allmänhet användes vid LSI är sådana innehållande vad som kan betraktas såsom elementärt kisel.

Dessa ytor kan vara enkelkristallina eller polykrístallína.

De kan vara dopade till vilken som helst ledningstyp vid vil- ken som helst grad av anordningssignifikans. Kisel kan ingå såsom en del av en íntermetallisk förening, såsom en kisel- förening av molybden, volfram eller titan (och sådana inter- metalliska föreningar skall skiljas från verkliga kemiska föreningar, såsom kovalent bunden SiO2, vilken sistnämnda ej lämpar sig för föreliggande förfarande).

Med uttrycket "aluminiumrik" avses material som innehål- ler åtminstone 50 % materialen inom denna kategori uppvisar etsningsegenskaper förbundna med elementärt aluminium. Vare sig dessa innehåller oavsiktliga föroreningar eller avsiktliga legeringsmaterial aluminium. Dessutom fordras också att kan de avsedda aluminiumrika materialen följaktligen bilda passiveringsytor vid exponering för atmosfärer, som de vanli- gen utsättes för, och bör för övrigt uppvisa ett generellt etsningsuppträdande som är karakteristiskt för elementärt material. Vissa legeringsbeståndsdelar, såsom kisel och kop- par, som bägge vanligen ingår vid LSI-framställning, ingår troligen i små mängder, och då av storleksordningen några få procent. Andra beståndsdelar som i-sig själva liknar alumi- nium kan ingå i större mängder varvíd erhållen komposition fortfarande med fördel kan användas vid tillämpning av före- liggande förfarande.

Etsningsutgångskomposítionen diskuteras med hänvisning till en blandning av CZP6 och C12. Principen för användningen är emellertid tillräckligt generell för att ett antal alter- nativ skall omfattas. Exempelvis kan följaktligen klorid eller klor ersättas med andra halogener, och andra halogenkolföre- 7906300-4 6 10 15 20 ZS 30 35 ningar kan användas.

Materialen som införes i plasmat utgöres av sådana som ger ett aktivt etsningsämne och som dessutom ger ett andra ämne som kan kombineras med det aktiva etsningsämnet i plasmavolymen sålunda att etsningsaktiviteten elimineras eller reduceras signifikant. Det andra ämnet som betecknas rekombinationsämne är företrädesvis kemiskt skilt från det aktiva etsningsämnet. Enligt en sådan föredragen utförings- form utgöres rekombinationsämnet av ett ämne härstammande från en fluorkolförening. Lämplig utgångskomposition kan bestå av en enda förening, såsom CF3Cl eller CF3Br, eller den kan bestå av en blandning innehållande diatomisk halo- gen tillsammans med en fluorkolföreníng. Experimentella re- sultat indikerar att likartade plasmahärstammande ämnen bildas genom den enda föreningen CF5C1 och vid en blandning av 50:50 volymprocent av C2F6 och C12. Följaktligen kan ekvivalenta plasmahärstammande ämnen erhållas från system innehållande tre, två eller till och med en komponent (dvs C2P6- CF3Cl-C12; C2F6- C12; CFsCl* C12; cFsci-czrö; c1=3c1) .

Det är utgångskompositionen som huvudsakligen bestämmer etsningsprofilen. Etsníngsmedel av beskriven typ är relativt okänsliga för variationer i plasmaeffekt och tryck så att de sistnämnda kan utväljas med hänsyn till bearbetningsflexi- bilitet.'Effekt och tryck kan justeras sålunda att önskvärd etsningsgrad uppnås, att ett homogent begränsat plasma bibe- hålles, att bestrålningsskador undvikes (beroende på röntgen- strålning som frigörs från den bestrålade ytan). ldeala anísotropt etsade vertikala väggar erhålles med en komposition innehållande ca 10 volymprocent ekvivalent Cl i förhållande till total mängd Cl plus ekvivalent CF3. Ökande mängder klor har tendens att ge en ökning av etsningsgraden och att också ge en ökning av selektiviteten för ytor som skall etsas i förhållande till många underliggande material, exempelvis kiseloxid och kiselnitrid. En minimal mängd fluor- haltig förening är användbar vid etsning av en godtycklig yt- oxid. Av detta skäl fixeras den ekvivalenta volymprocentmäng- den av Cl till maximalt ca 99 %. Mindre mängd ekvivalent Cl ger en reduktion av etsníngsgraden. För många ändamål är en 10 15 25 30 35 7 7906300-4 minimal ekvivalent Cl-halt ca 5 volymprocent huvudsakligen baserad på etsningsgraden.

Bromíd och/eller brom kan användas i stället för klorid/ klor. Därvid är de relativa mängderna av ekvivalenta utgångs- dvs CSFS, användas. Emellertid kan signifikanta mängder av sådana homo- loger och speciellt av ännu högre homologer medföra polymer- avsättning som kan hindra etsning. komponenter samma som ovan. Homologer av CZFÖ, kan Lämpligen kan ett flertal ytterligare beståndsdelar tillsättas. Sådana beståndsdelar kan tjäna såsom spädningsme- del, bärare, etc. Lämpligen innefattas helium, speciellt när brom eller en bromid utgör en signifikant del av kompositio- nen. Det har visat sig att erhållna plasma är "polariserbara", varvid de har tendens att medföra icke homogenitet. Helium i mängder av upp till ca 30 % åstadkommer en omfördelning av elektroner som medför ett mer homogent plasma. Högre helium- halt är lika effektiv men medför reducerad etsningsgrad.

Ett utgångsämne som i allmänhet ej föredrages men som ger vissa fördelar med etsníngssystemct enligt uppfinningen består helt enkelt av diatomisk halogen (C12 eller Brz) med eller utan spädningsmedel. Sådana blandningar varvfliargmitjänar såsom spädningsmedel är i vissa avseenden likartade ekviva- lenta blandningar innehållande CF3-utgångsämne i ekvivalent mängd. Trolig närvaro av ytoxid är en komplikation vid ett sådant enkomponentetsningsmodel. Sådan oxid som ej angripes av halogenatomer kan avlägsnas genom initiell eller konti- nuerlig tillförsel av en fluorhaltig komponent (exempelvis CZF6).

Av ett flertal experiment framgår att det primära ets- ningsämnet är halogenatomer, exempelvis kloratomer. Fastän CF3 eller plasma-härstammande ämnen därav i sig själva kan utgöra ett sekundärt etsningsmedel fungerar de huvudsakligen såsom rekombinationsämne (samt för initiell etsning av even- tuell ytoxid). Av spektroskopíska studier framgår att CF3Cl utgör slutprodukten för C2F6- C12-utgångsmaterialet.

En fördel som uppnås med vilket som helst av de beskrivna etsningsmedlen är höggradig selektivitet, såväl med avseende på troliga underliggande material som med avseende på resist.

Ytterligare en fördel som framgår av den amerikanska patent- 7906300-4 ¿ 10 15 20 25 30 35 40 skriften 4 208 241 av ytarean som undergâr etsning. Eliminering av denna "be- lastningseffekt" är gemensam för samtliga kompositioner en- ligt uppfinningen.

Profilreglering, speciellt då uppnående av ídeala aniso- är etsningsgradens relativa oberoende tropa vertikala väggar, möjliggöres genom användning av de föredragna kompositionerna. De allmänna fordringarna för ani- sotrop etsning beskrives i den amerikanska patentansökningen 929 549. Kortfattat kan nämnas att profílreglering beror på ytkemi varvid kraven uppfylls genom närvaro av kolvätebase- rade polymermateríal, exempelvis vilken som helst för övrigt lämplig organisk resist tillsammans med effekt- och tryck- värden sådana att önskvärd balans mellan ytrekombination och etsning åstadkommas. Profilreglering kan åstadkommas genom användning av en blandning som lämpligen utgöres av två ke- miskt distinkta ämnen, varvid det ena tjänar såsom primärt effektivt etsningsmedel och det andra såsom rekombinations- medel. Fluorkolföreningar som beskrivits ovan har visat sig rekombinera med etsningsämnen i omedelbar närhet av resist- kanten, varvid väggar etsas under mindre etsning (varigenom underskärning reduceras).

Föredragna ämnen för uppnående av profilreglering ford- rar i allmänhet större proportionella mängder av fluorkol än vad som ingår i CF3Cl.

Under det att ett flertal kompositioner lämpar sig för bearbetning innehåller de flesta av omedelbart intresse kísel.

Kiselhaltíga material, som beskrivits ovan, omfattar manga av material som är användbara för LSI och andra typer av integre- rade kretsar. Ett flertal andra elementära material, såväl som variationer därav analoga med dem baserade på kísel kan bearbetas.

Såsom indikerats skräddarsys bearbetningsbetingelserna i stor utsträckning med hänsyn till praktiska synpunkter, såsom etsningsgrad, plasmahomogenitet, etc. För de flesta ifråga- kommande skikttjocklekarna uppnås lämpliga etsningsgrader inom effektgränsvärden av från 0,5 watt/cms till 1 watt/cm3 och inom tryckgränsvärden av från 0,1 till 1,0 torr.

Det förtjänar att framhållas att kompositioner som ger ideala anisotropa väggar vid given effekt och tryck kan tvingas närma sig isotropi genom minskning av effekt och tryck. 10 20 25 30 35 9 7906300-4 Fastän det ej är en speciellt signifikant effekt i dessa system står den iakttagna trenden i markerad kontrast till vad som varit allmänt vedertaget inom denna teknik, nämli- gen att anisotropi gynnas genom ríktningsbestämningen som pàlägges genom större fält-beroende hastighet.

I belysande syfte beskrives kortfattat plasmaetsnings- betingelser som normalt råder med för närvarande använda reaktorutformningar. Av ett flertal skäl användes reaktorer med parallella plattor i stor utsträckning inom industrin.

Avancerade utformningar garanterar flödesmönster som ger skälig etsningshomogenitet från bricka till bricka. Se exem- pelvis A.R. Reinberg, "Etching for Pattern Definition" (H.G. Hughes och M.J. Rand, utgivare), The Electrochemical Society, Inc. Princeton, N.J., 1976; J.Vac. Sci. Technol., lå, 266, (1977).

System av parallella plattor innefattar par av plattor och R.G. Poulsen, inneslutna i ett lämpligt vakuumhölje. Effekt, vanligen i radíofrekvensomrádet (exempelvis 13,56 MHz) anbringas på drivplattan för initiering och upprätthållande av en urladd- ning emellan plattorna, varvid den icke drivna plattan van- ligen hàlles vid jordpotential. Det har indikerats tidigare att med "plasmaetsning" avses ett flertal förfaranden som van- ligen betecknas på annat sätt. I detta syfte är det enda kra- vet att primärt avlägsnande av ytmaterial som skall etsas sker genom kemisk reaktion,i stället för genom momentutbyte,med plasmahärstammande aktiva etsningsämnen. Nomenklaturvaria- tioner kan exempelvis uppstå beroende på den relativa storle- ken av elektroder såväl som placering av brickorna (antingen på den drivna eller icke drivna elektroden Celektrodernall.

Enligt det förfarande som vanligen betecknas reaktiv jonets- ning är den drivna elektroden väsentligt mindre än den mot- stående elektroden och materialet_som skall etsas placeras på den drivna elektroden. Enligt det förfarande som vanligen be- tecknas plasmaetsning är elektroderna nästan symmetriska och materialet som skall etsas placeras på den icke drivna elek- troden. Sådana apparatvariationer samt variationer av betin- gelserna såsom effekt, tryck, etc. omfattas av uppfinningen under förutsättning att det grundläggande kravet (primärt av- lägsnande gemom kemisk reaktion....) uppfylles. 10 15 20 25 30 '10 7906300-4 Parametrar som regleras i dessa reaktorer är: etsnings- gaskomposition, tryck, inloppsflödeshastighet, effekt, av- stånd mellan elektroderna och substrattemperaturer. Typiska intervall för dessa parametrar är: tryck 10-3 - 2,0 torr; flödeshastighet 10-S00 sccm; effekt 100-3000 W; elektrod- diameter 43,3 cm, elektrodavstànd S-50 mm; och substrattem- peratur 25-zso°c. önskvärda plasmaetsningsbetingelser som anses åskåd- liggöra föredragen användning diskuteras i dct följande.

Därvid hänvisas allmänt till för närvarande tillgänglig apparatur. Det är dock mycket troligt att förbättrad appa- ratutformning också kommer att ge den förväntade effekten.

Fastän följande diskussion är relevant med hänsyn till för närvarande tillgänglig teknik är uppfinningen följaktligen ej begränsad med avseende på teknik som kan utvecklas i framtiden.

Vid reaktorutformningar är det signifikant att förelig- gande förfarande kan ge önskvärda profiler vid plasmatryck av storleksordningen 0,1 torr. Detta står i motsatsförhàllande till många tidigare kända förfaranden varvid ideal anisotrop etsning endast genomförts vid lägre tryck. Detta tryckvärde bestämmer den ungefärliga gränslinjen mellan visköst flöde (vid högre tryck) och icke visköstatom-, jon- eller molekyl- flöde vid lägre tryck. Visköst flöde betecknar de betingelser varvid kollision är mer sannolik inuti plasman än mellan plasman och en fast yta. Det betecknar följaktligen för en typisk plasmaeffektdensitet tröskelvärdet varunder väsentlig strálningsskada kan uppstå.

Plasmaeffekter av flera W per cms kan uppnås. Effekter väsentligt överstigande 1 W/cmz ger upphov till problem med icke-homogenitet och plasmastabiliteten är svår att upprätt- hålla vid tryck av storleksordningen 1,0 torr och högre.

En tredje parameter som har samband med de två först- nämnda, nämligen tryck och effekt, är etsningsgraden. Från kommersiell synpunkt utgör denna en signifikant faktor som ibland bestämmer genomflödet. Den är också signifikant efter- som långsammare etsning nödvändigtvis innebär längre perio- der av resistexponering. Beroende på tjockleken av skiktet 10 15 20 ZS 30 11 79oeso0-4 som skall etsas kan resisterosion som normalt är vid en sig- nifikant nivå bli begränsande. För många litografiska för- lopp är praktiska resísttjocklekar ej mycket större än nedan definierade medeldimensioner. Det är skäligt att fastlägga ett mínimivärde för etsningshastigheten vid 300 Å/min eller företrädesvis vid 500 Å/min. Etsningsurskiljning, såsom mellan konventionella material som skall etsas och de mer beständi- ga av polymerresisterna, är i allmänhet tillräcklig för med- en effektiv resistfraktíon vid sådana etsningsgrader. För relativt tjocka skikt som skall givande av kvarhållning av etsas, nämligen skikt av storleksordningen pm innebär dessa synpunkter att etsningsgrader väsentligt överstigande S00 Å/min föredrages. i Följande exempel har endast genomförts i en radialflö- desreaktor av den typ som beskrivits ovan vid diskussion av bearbetningsbetingelserna.

EXEMPEL 1 Vid 400 W, 0,35 torr, 30 mm elektrodavstånd, 25°C temperatur för den icke drivna lägre elektroden, användes en blandning av 15 volymprocent C12 och 85 volymprocent CZPÖ vid en reaktantflödeshastíghet av 175 sccm. En etsningsgrad av 950 Å/min uppnåddes i fosfordopat polykisel.

EXEMPEL 2 När betíngelserna i exempel 1 utnyttjades för 90 volymprocent C12 och 10 volymprocent C P6 i reaktantbland- 2 ningen erhölls en etsningsgrad av 3440 Å/min.

EXEMPEL 3-8 Dessa exempel genomfördes samtliga under be- tíngelserna angivna i exempel 1 och 2. De presenteras i tabellform. I samtliga fall utgjordes reaktanterna av en tvä- komponentblandning av C12 och CZFÖ.

Exempel Volymprocent C12 Etsningsgrad (Å/min) 3 25,9 1700 4 19,4 1240 5 13,8 800 6 12,0 760 7 10,0 600 s 7,5 _sso EXEMPEL 9 Icke dopat enkelkristallínt kisel etsades i en reaktantblandning av CF3Br och 30 volymprocent He vid en ef- fekt av 500 W och för övrigt under de i exempel 1 angivna be- tingelserna. Etsningsgraden var 606 A/min. 'sossoo-4 12 EXEMPEL 10 Enkristallkísel etsades i CP3Cl vid en effekt av 200 W och en flödeshastíghet av 200 sccm samt för övrigt under betingelserna í exempel 1. Etsningshastigheten var 193 Å/min.

Claims (13)

13 7906300-4 Patentkrav

1. Förfarande för framställning av ett föremål och inne- fattande åtminstone en operation varunder föremålet som fram- ställes omfattar en yta av material varav åtminstone en del skall etsas, varvid föremålet etsas i en plasmaomgivning inne- sluten i en apparat, vilket plasma är bildat genom påläggande av ett elekuiskt fält över en gasformig reaktant mellan två elektroder, varvid materialet som skall etsas innefattar en kisel- haltig komposition, etsningen huvudsakligen beror på kemisk reaktion med materialet som skall etsas, och etsningen genomfö- res sålunda att åtskillnad uppnås mellan de kiselhaltiga kompo- sitionerna (såsom elementärt Si, dopat eller icke dopat, eller' utgörande en del av en intermetallisk förening) och kiselföre- ningar (såsom SiO2, SiNx), k ä n n e t e c k n a t därav, att för reglering av etsningsriktningen relativt en vertikal profil av väggar i ett parti eller ett område som utsättes för etsning, utväljes den gasformiga reaktanten i förväg, sålunda att den innehåller en motsvarighet till en blandning av åtminstone en halogenid och en halogen, som i plasmat ger den kemiska reaktio- nen, varvid halogeniden utgöres av en fluorkolförening och den gasformiga reaktanten uppvisar ett ekvivalent fluorkollhalogen- atom-förhållande som är större än det som ingår i CP3Cl.

2. Förfarande enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a t därav, att såsom halogenen användes C12 eller Brz.

3. Förfarande enligt krav 1 eller Z, k ä n n e t e c k - n a t därav, att såsom fluorkolföreningen användes klorfluor- kol eller bromfluorkol.

4. Förfarande enligt krav 3, k ä n n e t e c k n a t därav, att såsom fluorkolföreningen användes CF3Cl eller CF3Br.

5. Förfarande enligt krav 4, k ä n n e t e c k n a t därav, att den gasformiga reaktanten innehållande CF3Br också innehåller helium.

6. Förfarande enligt krav 1, 2 eller 3, k ä n n e - t e c k n a t därav, att fluorkolföreningen väsentligen utgöres av C2F6.

7. Förfarande enligt krav 6, k ä n n e t e c k n a t därav, att halogenen väsentligen utgöres av C12.

8. Förfarande enligt något av föregående krav, k ä n n e t e c k n a t därav, att materialet som skall etsas 5 V.. j; L 7906300-4 14 huvudsakligen består av elementärt kisel.

9. Förfarande enligt krav 8, k ä n n e t e c k n a t därav, att materialet innehåller åtminstone en silicid.

10. Pörfarande enligt krav 8, k ä n n e t e c k n a t därav, att materialet som skall etsas innefattar polykrístallin kisel.

11. Förfarande enligt krav 10, k ä n n e t e c k n a t därav, att det polykristallina kislet är dopat.

12. Förfarande enligt krav 10, k ä n n e t e c k n a t därav, att det elementära kislet utgöres av en enkrístall.

13. Förfarande enligt något av föregående krav 1-12, k ä n n e t e c k n a t därav, att de utvalda områdena motsvarar områden som blottlagts genom öppningar i ett överliggande mas- keringsskikt, som väsentligen utgöres av ett maskeríngsskíkt av en organisk resist.