SA518390786B1 - نظام لتجهيز جسيم مغطى بشكل مستمر في نطاق واسع - Google Patents
نظام لتجهيز جسيم مغطى بشكل مستمر في نطاق واسع Download PDFInfo
- Publication number
- SA518390786B1 SA518390786B1 SA518390786A SA518390786A SA518390786B1 SA 518390786 B1 SA518390786 B1 SA 518390786B1 SA 518390786 A SA518390786 A SA 518390786A SA 518390786 A SA518390786 A SA 518390786A SA 518390786 B1 SA518390786 B1 SA 518390786B1
- Authority
- SA
- Saudi Arabia
- Prior art keywords
- holes
- product
- gaseous
- annular
- solid
- Prior art date
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims abstract description 102
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 72
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 54
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 20
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 15
- 238000005243 fluidization Methods 0.000 claims description 11
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 11
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 2
- HCUOEKSZWPGJIM-YBRHCDHNSA-N (e,2e)-2-hydroxyimino-6-methoxy-4-methyl-5-nitrohex-3-enamide Chemical compound COCC([N+]([O-])=O)\C(C)=C\C(=N/O)\C(N)=O HCUOEKSZWPGJIM-YBRHCDHNSA-N 0.000 claims 1
- IBDVWXAVKPRHCU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methylprop-2-enoyloxy)ethyl 3-oxobutanoate Chemical compound CC(=O)CC(=O)OCCOC(=O)C(C)=C IBDVWXAVKPRHCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 241000726103 Atta Species 0.000 claims 1
- 241000511343 Chondrostoma nasus Species 0.000 claims 1
- 235000008247 Echinochloa frumentacea Nutrition 0.000 claims 1
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 claims 1
- 101001072091 Homo sapiens ProSAAS Proteins 0.000 claims 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 claims 1
- 240000004072 Panicum sumatrense Species 0.000 claims 1
- 102100036366 ProSAAS Human genes 0.000 claims 1
- 241000949477 Toona ciliata Species 0.000 claims 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 claims 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 claims 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 claims 1
- SFITWQDBYUMAPS-UHFFFAOYSA-N mecloqualone Chemical compound CC1=NC2=CC=CC=C2C(=O)N1C1=CC=CC=C1Cl SFITWQDBYUMAPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 claims 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 9
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 4
- 239000003758 nuclear fuel Substances 0.000 description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 3
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 108010067035 Pancrelipase Proteins 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 229940092125 creon Drugs 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21C—NUCLEAR REACTORS
- G21C3/00—Reactor fuel elements and their assemblies; Selection of substances for use as reactor fuel elements
- G21C3/42—Selection of substances for use as reactor fuel
- G21C3/58—Solid reactor fuel Pellets made of fissile material
- G21C3/62—Ceramic fuel
- G21C3/626—Coated fuel particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/442—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using fluidised bed process
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21C—NUCLEAR REACTORS
- G21C21/00—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of reactors or parts thereof
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21C—NUCLEAR REACTORS
- G21C3/00—Reactor fuel elements and their assemblies; Selection of substances for use as reactor fuel elements
- G21C3/42—Selection of substances for use as reactor fuel
- G21C3/58—Solid reactor fuel Pellets made of fissile material
- G21C3/62—Ceramic fuel
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
- B01J8/0015—Feeding of the particles in the reactor; Evacuation of the particles out of the reactor
- B01J8/004—Feeding of the particles in the reactor; Evacuation of the particles out of the reactor by means of a nozzle
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21C—NUCLEAR REACTORS
- G21C1/00—Reactor types
- G21C1/04—Thermal reactors ; Epithermal reactors
- G21C1/06—Heterogeneous reactors, i.e. in which fuel and moderator are separated
- G21C1/07—Pebble-bed reactors; Reactors with granular fuel
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/30—Nuclear fission reactors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/32—Hydrogen storage
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)
- Glanulating (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Cyclones (AREA)
Abstract
نظام لتجهيز جسيم مغطي بشكل مستمر في نطاق واسع A system for continuously preparing coated particles in a large scale الملخـــص نظام إعداد متواصل لجسيمات مطلية بمقياس كبير يشمل: فرن طلاء coating furnace (1)، وسيلة تبريد cooling facility (2)، جهاز معالجة منتج ثانوي صلب solid by-product treatment device (3)، وجهاز معالجة منتج غازي ثانوي gas by-product treatment device (4) تكون متصلة في تسلسل. فرن الطلاء the coating furnace (1) يستخدم لطلاء الجسيمات. يتم استخدام وسيلة التبريد the cooling facility (2) لتبريد الجسيمات المطلية. يتم استخدام جهاز معالجة المنتجات الصلبة (3) لمعالجة المنتجات الثانوية الصلبة المتولدة في فرن الطلاء أثناء عملية طلاء الجسيمات. ويستخدم جهاز معالجة المنتج الغازي الثانوي gas by-product treatment device (4) لمعالجة المنتجات الغازية الثانوية المتولدة في فرن الطلاء أثناء عملية طلاء الجسيمات. نظام إعداد مستمر للجسيمات المطلية يعمل على حل مشكلة النظام في المجال السابق، يهدف إلى دفعة إنتاج، أي، إعداد دفعة واحدة، لديها فاصل زمني بين دفعتين، حيث تتواجد عملية زيادة درجة الحرارة
Description
نظام لتجهيز جسيم مغطي بشكل مستمر في نطاق واسع A system for continuously preparing coated particles in a large scale الوصف الكامل خلفية الاختراع يتعلق الكشف Jal بجهاز إعداد جسيمات مطلية؛ ويالاخص بنظام إعداد متواصل لجسيمات مطلية بمقياس كبير. عنصر الوقود السيراميكي المستخدم في المفاعل المبرد بغاز عالي درجة الحرارة بطبقة حصى High Temperature Gas-Cooled Reactor (HTR) لديها تركيب بحيث أن الجسيمات المطلية ثلاثية التركيب tri-structural isotropic (TRISO) يتم توزيعها في قالب جرافيتي graphite matrix من منطقة وقود. والضمان الأول للسلامة الأولية لمحطة الطاقة النووية HTR هو أن الوقود النووي the nuclear fuel عبارة عن جسيمات مطلية TRISO والتي تحتوي على قلب وقود نووي nuclear cfuel core 0 طبقة كريون carbon layer متحللة حرارياً؛ طبقة كريون داخلية كثيفة متحللة حرارياً؛ طبقة كرييد السيليكون silicon carbide layer وطبقة كربون خارجية كثيفة متحللة حرارياً. تعتبر جسيمات الوقود المطلية هي جزءِ هام من عنصر الوقود الكروي من 1118. يمكن أن تمنع جسيمات الوقود المطلية بشكل فعال إطلاق منتجات Gad) وذلك لضمان السلامة الفائقة من 11. وبوجه الكشف Jal إلى إعداد متواصل لجسيمات مطلية بمقياس كبير؛ All تتعلق 5 بمجالات إعداد الوقود النووي و 1111. (Lila تتضمن براءات الاختراع المنشورة إعداد جسيمات الوقود المطلية الموجهة أساسا إلى أجهزة الطلاء والأنظمة المساعدة لإنتاج dads مثل براءات الاختراع 201110148907.9 و 8 ووتهدف هذه البراءات إلى إنتاج gl cada إعداد دفعة واحدة؛ والتي لديها فترة زمنية بين دفعتين» حيث تتواجد عملية زيادة درجة الحرارة وعملية انخفاض درجة الحرارة على 0 حد سواء؛ وتكون بمقياس صغيرء بدون اكتمال التكسير خلال البحوث المختبرية ولا يمكن أن
يحقق التحضير الصناعي الحقيقي المستمر. وفي الوقت نفسه فإنها تفشل في إعتبار إنتاجية الجسيمات المطلية والخصائص الاقتصادية للدورة الذرية؛ أي اقتصاد جسيمات الوقود المطلية. الوصف العام للاختراع المشكلة التقنية المراد حلها من خلال الكشف Jal هي نظام في التقنية الصناعية السابقة؛ يهدف إلى إنتاج دفعة؛ أي؛ إعداد دفعة واحدة؛ ذو فاصل زمني بين دفعتين؛ وتكون بمقياس صغيرء بدون اكتمال التكسير خلال البحوث المختبرية ولا يمكن أن يحقق التحضير الصناعى الحقيقى المستمر. ولهذا الغرض؛ فإن الكشف الحالي يوفر نظام تحضير مستمر لجسيمات مطلية بمقياس كبير » يشتمل على: فرن طلاء coating furnace وسيلة تبريد facility عصناهه»» جهاز dallas منتج ثانوي صلب solid by-product treatment device وجهاز معالجة منتج ثانوي غازي gas by-product treatment device مرتبط في تسلسل؛ فرن الطلاء the coating furnace يستخدم لطلاء الجسيمات؛ وسيلة تبريد تستخدم لتبريد الجسيمات المطلية؛ جهاز dallas المنتج الثانوي الصلب يستخدم لمعالجة المنتجات الثانوية الصلبة المتولدة فى فرن الطلاء أثناء عملية طلاء الجسيمات؛ جهاز معالجة المنتج الغازي الثانوي يستخدم لمعالجة المنتجات الغازية الثانوية المولدة في فرن الطلاء أثناء عملية طلاء الجسيمات؛ اختيارياء يتكون فرن الطلاء من فوهة؛ أنبوب تميع وفرن تسخين؛ تتصل الفوهة بطبقة مميعة من أنبوب التميع؛ الطبقة المميعة the fluidized bed عبارة عن طبقة مميعة متعددة الاستدقاق. اختياريا» جهاز معالجة منتج ثانوي صلب يشمل:
فاصل مخروطي «cyclone separator مرشح أول ومرشح ثاني تتصل في تسلسل؛ المرشح الأول يستخدم لترشيح المنتجات الثانوية الصلبة الخشنة الناتجة بواسطة الفاصل المخروطي ¢the cyclone separator وذلك للحصول على منتجات ثانوية وسيطة؛ يستخدم المرشح الثاني لترشيح المنتجات الثانوية المتوسطة الدقيقة الناتجة بواسطة المرشح الأول. اختيارياء جهاز معالجة منتج غازي ثانوي يشمل: جهاز تخزين مؤقت لمنتج غازي ثانوي؛ جهاز فصل منتج غازي ثانوي؛ وجهاز تخزين منتج غازي ثانوي؛ يستخدم جهاز التخزين المؤقت للمنتج الغازي الثانوي لتخزين المنتج الغازي الثانوي بشكل 0 مؤقت لجهاز معالجة المنتج الثانوي الصلب؛ جهاز فصل المنتج الغازي الثانوي يستخدم لفصل المنتجات الغازية الثانوية المخزنة بشكل مؤقت في جهاز التخزين المؤقت للمنتج الغازي الثانوي؛ وذلك للحصول على الأقل على الهيدروجين (Hz) hydrogen والأرجون ¢(Ar) argon يتم استخدام جهاز تخزين المنتج الغازي الثانوي لتخزين الهيدروجين (Ha) الناتج بواسطة 5 جهاز فصل المنتج الغازي الثانوي. اختيارياء تشمل الفوهة: ثقب أوسط middle hole مجموعة من ثقوب حلقية أولية primary loop holes ومجموعة من ثقوب حلقية ثانوية ¢secondary loop holes de gana من الثقوب الحلقية الأولية primary loop holes موزعة بشكل موحد حول الثقب J لأوسط؛ de gana 20 من الثقوب الحلقية الثانوية secondary loop holes موزعة بشكل موحد حول الثقب الأوسط؛ يتم ترتيب مجموعة من الثقوب الحلقية الأولية بين الثقب الأوسط ومجموعة من الثقوب الحلقية الثانوية.
اختياريا» يتم توفير موزع غاز gas distributor في الطبقة المميعة؛ موزع الغاز يشمل: تقب مركزي hole ع600؛ مجموعة من الثقوب المستقيمة الحلقية الأولية ومجموعة من الثقوب المائلة الحلقية الثانوية ¢secondary annular slant holes الثقب المركزي على نفس المحور مع الثقب الأوسط من الفوهة؛ مجموعة من الثقوب الحلقية الأولية موزعة بشكل موحد حول الثقب المركزي؛ مجموعة من الثقوب المائلة الحلقية الثانوية موزعة بشكل موحد حول الثقب المركزي؛ مجموعة من الثقوب المستقيمة الحلقية الأولية مرتبة بين الثقب الأوسط ومجموعة من الثقوب المائلة الحلقية الثانوية؛ اختيارياء محور الثقب الأوسط ومحور من الفوهة axis of the nozzle يكون على نفس 0 المستوى؛ أي بدون ميل. اختياريا» الثقوب الحلقية الأولية ومحور من الفوهة axis of the nozzle يتم ترتيبهم على نفس المستوى؛ أي بدون ميل؛ أو بميل 0. وبالمقارنة مع المجال السابق؛ فإن نظام الإعداد المستمر للجسيمات المطلية بمقياس كبير من الكشف Jad) يحل مشكلة أن التقنية الصناعية السابقة تهدف إلى إنتاج دفعة؛ أي إعداد دفعة 5 واحدة؛ لها فترة زمنية بين دفعتين» حيث تتواجد عملية زيادة درجة الحرارة وعملية انخفاض درجة الحرارة على حد سواء؛ وتكون بمقياس صغير؛ بدون اكتمال التكسير خلال البحوث المختبرية ولا يمكن أن يحقق التحضير الصناعي الحقيقي المستمر. شرح مختصر للرسومات الشكل 1 عبارة عن مخطط تركيبي من نظام لإعداد مستمر لجسيمات مطلية بمقياس كبير Lad 20 ت< لتجسيم من ١ لكشف الحالي؛ الشكل 2 عبارة عن مخطط ارتباط لفرن طلاء ووسيلة تبريد وفقا لتجسيم من الكشف الحالى؛
الشكل 3 ple عن مخطط تركيبي لفرن طلاء ذو قطر كبير وفقا لتجسيم من الكشف الحالى؛ الشكل 4 Jia منظر لمقطع A-A لقاعدة أنبوب تميع ذات قطر كبير وفقا لتجسيم الكشف الحالى؛ الشكل 5 عبارة عن مخطط تركيبي لجهاز معالجة منتج ثانوي صلب وفقا لتجسيم الكشف الحالى؛ الشكل 6 عبارة عن مخطط تركيبي لجهاز معالجة المنتج الغازي الثانوي وفقا لتجسيم الكشف الحالى. الوصف التفصيلى:
من أجل شرح أكثر وضوحا للأهداف؛ الحلول dil) وسمات تجسيمات الكشف الحالي؛ سيتم وصف الحلول التقنية في تجسيمات الكشف الحالي بوضوح فيما يلي بالإشارة إلى الرسومات المصاحبة لتجسيمات الكشف sang . Jal أن التجسيمات الموضحة تمثل بعض تجسيمات الكشف الحالى وليس جميعها. واستنادا إلى تجسيمات الكشف الحالى؛ تكون جميع التجسيمات الأخرى الناتجة بواسطة شخص ذو مهارة عادية في المجال بدون أعمال إبداعية ضمن نطاق
5 الحماية من الكشف الحالى.
الشكل 1 يمثل مخطط تركيبي من نظام لإعداد متواصل لجسيمات مطلية بمقياس كبير وفقا لتجسيم؛ يشمل النظام: فرن طلاء 1؛ وسيلة تبريد 2 جهاز dallas منتج ثانوي صلب 3؛ جهاز معالجة منتج غازي ثانوي 4 تكون متصلة في تسلسل. يتم استخدام فرن الطلاء 1 لطلاء الجسيمات» حيث يتم استخدام طريقة ترسيب الأبخرة الكيميائية للطبقة المميعة لعملية الطلاء ؛ يتم استخدام وسيلة التبريد 2 the cooling facility لتبريد الجسيمات المطلية؛ يستخدم جهاز معالجة المنتج الثانوي الصلب 3 لمعالجة المنتجات الثانوية الصلبة المتولدة فى فرن الطلاء أثناء عملية طلاء الجسيمات؛
يتم استخدام جهاز معالجة الغازات الثانوية 4 لمعالجة المنتجات الغازية الثانوية المتولدة فى فرن الطلاء أثناء عملية طلاء الجسيمات. في التجسيم الحالي 6 يتم توفير فرن الطلاء 1 Mia تغذية 5 ليتم طلاء الجسيمات ¢ ودتم تزويد وسيلة التبريد 2 بمنفذ تفريغ 6 للجسيمات المطلية.
فى التجسيم الحالى » يشتمل نظام الإعداد المستمر للجسيمات المطلية بمقياس كبير الموصوف أعلاه على: جهاز توزيع غاز 7. يتم توصيل طرف دخول لجهاز توزيع الغاز 7 بجهاز معالجة المنتج الغازي الثانوي 4؛ يتم توصيل طرف خروج لجهاز توزيع الغاز 7 بفرن الطلاء 1.
فى مثال Ada فرن الطلاء 1 فى نظام لإعداد متواصل لجسيمات مطلية بمقياس كبير الموصوف أعلاه يشمل : فوهة أنبوب تميع وفرن تسخين . تتصل الفوهة بطبقة مميعة من أنبوب التميع؛ وتكون الطبقة المميعة عبارة عن طبقة مميعة متعددة الاستدقاق. في مثال محدد؛ جهاز معالجة المنتج الثانوي الصلب يشمل: فاصل مخروطي «cyclone separator مرشح أول ومرشح ثاني تتصل في تسلسل؛ المرشح الأول يستخدم لترشيح المنتجات الثانوية الصلبة الخشنة الناتجة بواسطة الفاصل 5 المخروطى؛ وذلك للحصول على منتجات ثانوية متوسطة؛ يستخدم المرشح الثاني لترشيح المنتجات الثانوية المتوسطة الناتجة بواسطة المرشح الأول. وفي مثال محدد؛ يشتمل جهاز معالجة المنتج الغازي الثانوي على: جهاز تخزين مؤقت لمنتج غازي ثانوي؛ جهاز فصل منتج غازي ثانوي؛ وجهاز تخزين منتج غازي ثانوي؛ يستخدم جهاز التخزين المؤقت للمنتج الغازي الثانوي لتخزين المنتج الغازي الثانوي بشكل مؤقت من جهاز معالجة المنتج الثانوي الصلب؛
جهاز فصل المنتج الغازي الثانوي يستخدم لفصل المنتجات الغازية الثانوية المخزنة بشكل مؤقت في جهاز التخزين المؤقت للمنتج الغازي الثانوي؛ وذلك للحصول على الأقل على الهيدروجين (Ha) والأرجون (تح)؛ يتم استخدام جهاز تخزين المنتج الغازي الثانوي لتخزين الهيدروجين (Ha) الناتج بواسطة جهاز فصل المنتج الغازي الثانوي. فى Ja محدد »؛ تشمل الفوهة تقب أوسط مجموعة من الثقوب الحلقية J لأولية ومجموعة من الثقوب الحلقية الثانوية؛ مجموعة من الثقوب الحلقية ا لأولية موزعة يبشكل موحد حول adil) ا لأوسط؛ مجموعة من الثقوب الحلقية الثانوية موزعة بشكل موحد حول الثقب الأوسط؛ يتم ترتيب مجموعة من الثقوب الحلقية الأولية بين الثقب الأوسط ومجموعة من الثقوب الحلقية الثانوية؛ في مثال محدد؛ يتم توفير موزع الغاز في الطبقة المميعة؛ يشتمل موزع الغاز على ثقب مركزي؛ مجموعة من الثقوب المستقيمة الحلقية الأولية ومجموعة من الثقوب المائلة الحلقية الثانوية؛ الثقب المركزي على نفس المحور مع الثقب الأوسط من الفوهة؛ مجموعة من الثقوب الحلقية الأولية موزعة بشكل موحد حول الثقب المركزي؛ مجموعة من الثقوب المائلة الحلقية الثانوية موزعة بشكل موحد حول الثقب المركزي؛ مجموعة من الثقوب المستقيمة الحلقية الأولية مرتبة بين الثقب الأوسط ومجموعة من الثقوب المائلة الحلقية الثانوية. في مثال معين» محور التقب ا لأوسط ومحور من الفوهة يكونوا على نفس المستوى أي بدون ميل.
في مثال معين؛ الثقوب الحلقية الأولية ومحور من الفوهة يتم ترتيبهم على نفس المستوى؛ أي بدون ميل؛ أو بميل 0. فرن الطلاء لنظام إعداد مستمر للجسيمات المطلية بمقياس كبير الموصوف أعلاه يتخذ تصميم بقطر أنبوب تميع كبير فوهة تدريج موزع غاز مع تقوب مائلة متعددة الحلقات وطبقة مميعة مع سطح سفلي من الإستدقاق المتعدد؛ وبالتالي تكون قادرة على استمرار تغليف جسيمات الوقود النووي. أنبوب التميع ذو القطر الكبير من نظام إعداد متواصل لجسيمات مطلية بمقياس كبير الموصوف أعلاه Jia منطقة تميع الجسيمات بقطر يتراوح بين 160 مم - 280 مم. 0 أعلاه Jia تصميم حلقة متوسطة متعدد الدرجات؛ الوسط عبارة عن ثقب coals الحلقة بها 8-4 ثقوب؛ تتميز بأنها توزع بشكل موحد حول ثقب واحد متوسط. موزع الغاز مع ثقوب مائلة حلقية متعددة من نظام إعداد مستمر للجسيمات المطلية بمقياس كبير الموصوف أعلاه Jia تصميم ثقب مركزي وثقوب حلقية مائلة؛ والثقب المركزي على نفس المحور مع الثقب الأوسط من الفوهة الموصوف أعلاه؛ وتكون الثقوب المائلة الحلقية في 5 توزيع دوري. gall السفلي من الطبقة المميعة بسطح سفلي من الإستدقاق المتعدد من نظام dae) مستمر للجسيمات المطلية بمقياس كبير الموصوف أعلاه لديه تصميم مائل متصل مع زوايا متعددة؛ والذي يساعد على انخفاض تجميع الجسيمات وزيادة سرعة دوران الجسيمات . وسيلة التبريد من نظام لإعداد متواصل لجسيمات مطلية بمقياس كبير الموصوف أعلاه Ji 0 تقب واحد بطبقة منبثقة مع قطر داخلي بين 250-160 cae ومادة منه مقاومة للحرارة Lalla) ويفضل مادة سيراميكية .ceramic material وبشير جهاز معالجة المنتجات الغازية الثانوية 4 لنظام إعداد متواصل لجسيمات مطلية بمقياس كبير الموصوف أعلاه إلى جهاز لفصل الأرجون argon والهيدروجين chydrogen يشتمل على خزان تخزين مؤقت للغاز العادم cexhaust gas وغرفة فصل غاز التجميد وغرفة تخزين.
— 0 1 — يشتمل جهاز فصل الغاز الخاص dae] allay متواصل لجسيمات مطلية بمقياس كبير الموصوف أعلاه على جزأين رئيسيين لامتصاص درجات الحرارة المتغيرة وفصل التجميد. جهاز معالجة المنتج الثانوي الصلب 3 من نظام الإعداد المستمر للجسيمات المطلية بمقياس كبير الموصوف أعلاه يتكون من جهاز ترشيح ثلاثي المستويات لإزالة الغبار بشكل مباشرء؛ ترشيح المواد الخشنة بشكل مباشر وترشيح المواد الدقيقة بشكل pile ¢ ووسيلة استبدال تخزين المنتجات الثانوية بشكل مباشر. وسيلة استبدال تخزين المنتجات الثانوية بشكل مباشر من نظام الإعداد المستمر للجسيمات المطلية بمقياس كبير الموصوف أعلاه تمثل تصميم لحاوية بصمام بوابي ذو مرحلتين؛ والتي تكون قادرة على استبدال حاوية التخزين بشكل مباشر بدون وقف عملية فصل الغاز الصلب. يشير غاز التميع إلى الأرجون أو الهيدروجين. تكون تدفقات غاز التميع والتفاعل 400-200 لتر/ دقيقة و 800-400 لتر/ دقيقة درجة حرارة الطلاء تكون بين 1600-1200 درجة مئوية. وتتراوح نسبة غاز التميع/ التفاعل بين 1: 10-1: 1. درجة حرارة بخار السائل بين 55-35 درجة مثوية. تدفق الغاز الذي يحمله البخار السائل تكون بين 20-10 لتر/ دقيقة. نظام إعداد متواصل لجسيمات مطلية بمقياس كبير الموصوف أعلاه له وظائف كما يلى: 1 ( وظيفة طلاء فرن طلاء رأسي مع تصميم قطر موسع؛ فوهة تدريج موزع غاز مع ثقوب حلقية مائلة متعددة/ سطح سفلي من الاستدقاقات المتعددة مثل السمة الرئيسية.
2( وظيفة تفريغ حراري مع نقل الجسيمات الساخنة؛ فصل الغاز الصلب الساخن؛ جهاز Ja توازن الضغط وحملية ترابط وسيلة تبريد فرن الطلاء مثل السمات الرئيسية. يشمل الجسم الرئيسي لنظام تفريغ حراري فاصل مخروطي فعال وما يتصل به من أنابيب وصمامات؛ حيث
— 1 1 — يكون نظام التفريغ الحراري بشكل عام في وسيلة التبريد وضمن نطاق حماية الغاز الخامل inert 5 يتم تحقيق توازن الضغط لنظام التفريغ الحراري بواسطة خزان تفريغ وصمام ثانوي. معايير التحكم في العملية الوسطى للتفريغ الحراري تشمل درجة حرارة التفريغ» درجة التفريغ وسرعة غاز التبريد من وسيلة التبريد؛ درجة حرارة التفريغ تكون بين 1000-600 درجة مثوية؛ درجة التفريغ تكون أقل -89 كيلوياسكال؛ سرعة غاز التبريد لوسيلة التبريد تتراوح بين 400-100 لتر/ دقيقة. 3( عملية إعادة تدوير الغاز مع فصل مباشر متعدد المستوي وتدوير غاز التميع» لغاز 0 التفاعل والمنتج الغازي الثانوي كسمات رئيسية. 4( وظيفة معالجة منتج ثانوي بشكل مباشر مع ترشيح بمستوى ثلاثي؛ إعادة تدوير مباشر وإعادة استخدام المنتجات الثانوية الصلبة كسمات رئيسية. معايير العملية لنظام إعداد متواصل لجسيمات مطلية بمقياس كبير الموصوف أعلاه al 15 1( معايير العملية لعملية الطلاء؛ أي معايير عملية التغذية 10-6 كجم 102 لوقت واحد ¢ تكون على dag التحديد كما يلي : تدفق غاز التميع/ التفاعل؛ درجة حرارة الطلاء « نسبة غاز التميع/ cde lal) وتدفق الغاز الذي يحمله السائل. يكون التجسيم الحالي لغرض التوضيح فقط ولكن لا يحد من معايير العملية المحددة لعملية الطلاء. 2) ارتفاع درجة الحرارة وانخفاض الإنتاج الصناعي المستمر ومعايير التحكم للعملية الوسطي للتفريغ الحراري . التأثيرات المفيدة للكشف الحالى هى: يهدف الكشف الحالى إلى عملية إعداد جسيمات الوقود المطلية بشكل مستمر بمقياس oS والتي يمكن أن تحقق إنتاج مستمر حقيقي من الجسيمات المطلية؛ والتحكم الآلي والتحسين الاقتصادي للإنتاج؛ وتجنب أخطاء التشغيل اليدوي؛
-2 1 — تخفيض احتمالية وقوع الحوادث ومعدل فشل المعدات. الكشف الحالى له dad اقتصادية واضحة وتخفيض ية وقوع الحوادث و١ لي له قد ية وا ومنافع اجتماعية. الشكل 2 يمثل مخطط ارتباط Odd الطلاء ووسيلة التبريد lad لتجسيم حيث؛ أنبوب تغذية حراري 2-1 في فرن الطلاء 1 متصل بصمام تعديل تغذية 3-1؛ يتم توصيل صمام تعديل التغذية 1 —3 مع فاصل مخروطي 1 -4 في وسيلة التبريد 2 يتم توصيل الفاصل المخروطي 4-1 بصمام تعديل مفرغ 5-1؛ يتم توصيل صمام تعديل مفرغ 5-1 مع تجويف تخليق مفرغ 6-1؛ يتم توصيل منفذ هواء 7-1 من وسيلة التبريد 2 مع مبرد غاز 8-1 من وسيلة التبريد 2؛ يتم توصيل مبرد الغاز 8-1 مع مدخل هواء 9-1 من وسيلة التبريد 2 10-1 يشير إلى منفذ تفريغ من وسيلة التبريد 2. الشكل 3 يمثل مخطط تركيبي لفرن Ma ذات قطر كبير وفقا لتجسيم ؛» يتكون فرن الطلاء ذات القطر الكبير: أنبوب تميع ذات قطر كبير 1-1-1 وفوهة 2-1-1؛ حيث القاعدة 3-1-1 من أنبوب التميع ذات القطر الكبير 1-1-1 لديها تصميم ثنائي الإستدقاق؛ يتم تصميم الفوهة 2-1-1 مثل حلقة وسطية. الشكل 4 عبارة عن منظر مقطعي 8-8 لقاعدة أنبوب تميع ذات قطر كبير Wy لتجسيم؛ (Cus ثقب مركزي 4-1-1؛ ثقوب مستقيمة 3-1-1 وثقوب مائلة 6-1-1 للتهوية يتم توفيرها على القاعدة 3-1-1؛ في التجسيم الحالي؛ يتم ترتيب dan ثقوب مستقيمة 5-1-1 حول الثقب المركزي 4-1-1؛ يتم ترتيب أربعة تقوب مائلة 6-1-1 على محيط الثقوب الأربعة المستقيمة 1- 5-1؛ وعدد من الثقوب المستقيمة والثقوب المائلة في التجسيم الحالي تكون فقط للتوضيح؛ لا يحد التجسيم الحالى من عدد الثقوب المستقيمة والثقوب المائلة.
— 3 1 — في التجسيم الحالى؛ يدخل الغاز في فرن الطلاء في الاتجاه المشار إليه بالسهم 7-1-1 ويترك فرن الطلاء في الاتجاه المشار إليه بالسهم 8-1-1؛ 9-1-1 يشير إلى أنبوب تسخين فرن طلاء والمبيت؛ 10-1-1 يشير إلى فرن طلاء منفذ تغذية جسيمات . الشكل 5 عبارة عن مخطط تركيبي لجهاز معالجة منتج ثانوي صلب وفقا لتجسيم؛ جهاز معالجة المنتج الثانوي الصلب يشمل: فاصل مخروطي أولي 1-2 للفصل الأول من المنتج الثانوي الصلب المخلق بواسطة فرن الطلاء خلال جسيمات الطلاء؛ مرشح كيسي ثانوي 2-2 للفصل الثاني للمنتج الثانوي الصلب بعد الفصل الأول؛ مرشح ثلاثي دقيق 3-2 لترشيح دقيق من المنتج الثانوي الصلب بعد الفصل الثاني؛ صمام بوابي أول 4-2 وصلة غلق أولى 5-2 وخزان نفاية Jol 6-2؛ صمام بوابي ثاني 7-2( وصلة غلق ثانية 8-2 وخزان نفاية ثاني 9-2. الشكل 6 عبارة عن مخطط تركيبي لجهاز معالجة المنتج الغازي الثانوي وفقاً لتجسيم؛ يشتمل جهاز معالجة المنة لمنتج الغازي الثانوي على: حاوية عادم مؤقت عالي الضغط 1-3 وغرفة فصل غاز 2-3؛ حيث تحتوي غرفة فصل الغاز 2-3 على امتصاص الضغط المتقلب 3-3 وفاصل تبريد 4-3؛ جهاز معالجة المنتج الغازي الثانوي يشمل أيضا: جهاز تخزين وتوزيع هيدروجين (Ha) $l 5-3؛ نظام إعادة تدوير الأرجون (Ar) 6-3. يتم طلاء الجسيمات بواسطة نظام لإعداد متواصل لجسيمات مطلية بمقياس كبير 0 الموصوف أعلاه كما يلى: يتم إضافة الجسيمات التي سيتم ea إلى فرن الطلاء؛ يتم إدخال غاز الطلاء والغاز المميع؛ وفي الوقت نفسه يتم جمع منتجات الغاز الثانوية والمنتج الثانوي الصلب؛ بعد اكتماب الطلاء يتم ا لاحتفاظط بالغاز المميع دون تغيير ودتم خفض درجة الحرارة إلى درجة حرارة مناسبة
— 4 1 — (درجة الحرارة المناسبة قد تكون محددة مسبقاً) ؛ يتم إدخال أنبوب التفريغ؛ يتم تعيين سرعة غاز التميع في وسيلة التبريد والتفريغ؛ يتم امتصاص الجسيمات في وسيلة التبريد عن طريق فتح صمام التفريغ حتى يتم امتصاص جميع الجسيمات؛ ثم يتم إضافة الجسيمات ليتم طلائها مرة أخرى إلى فرن الطلاء للطلاء المقبل. بعد | لانتهاء من طلاء الجسيمات بواسطة نظام إعداد مستمر للجسيمات المطلية بمقياس كبير ؛» يستخدم النظام فى عملية طلاء حقيقية لجسيمات الوقود النووي المطلية؛ وذلك لزيادة توضيح تأثير طلاء الجسيمات. يتم تعيين تدفق غاز التميع لفرن الطلاء لتكون 400 لتر/ دقيقة؛ وتدفق غاز الطلاء لتكون 200 لتر/ دقيقة؛ يتم تعيين كمية من الجسيمات المشحونة لتكون 10 كجم؛ يتم تعيين تدفق غاز التبريد لتكون 90 لتر/ دقيقة؛ يتم التعيين الصمام الفراغي ليكون -90 كيلوياسكال ¢ يتم تعيين درجة حرارة التفريغ لتكون 950 درجة متوية؛ يتم تعديل صمام التفريغ والصمام المفرغ بعد اكتمال الطلاء وذلك لاستكمال عملية طلاء التبريد بأكملها. يمكن أن تستوفي المعايير متطلبات التصميم؛ بدون وجود جسيمات سيتم ضغطها أو سحقها. ويهدف الكشف الحالي إلى عملية إعداد جسيمات وقود مطلية بشكل مستمر بمقياس كبير 5 والتي يمكن أن تحقق إنتاج حقيقي متواصل من الجسيمات المطلية والتحكم الألي والتحسين الاقتصادي للإنتاج؛ تجنب أخطاء التشغيل اليدوي؛ تقليل احتمال وقوع الحوادث ومعدل فشل المعدات. إن الكشف الحالي له قيمة اقتصادية واضحة ومنافع اجتماعية؛ وله قابلية تطبيق صناعية قوية. وعلى الرغم من أن تجسيمات الكشف الحالي قد وصفت بالاقتران مع الرسومات المصاحبة؛ يمكن 0 إجراء تعديلات وتغييرات مختلفة بواسطة هؤلاء ذوي المهارة في المجال دون الخروج عن روح ونطاق الكشف؛ وهذه التعديلات والاختلافات تقع ضمن النطاق المحدد بعناصر الحماية المرفقة.
Claims (8)
1. نظام إعداد متواصل لجسيمات مطلية coated particles بمقياس كبيرء يشتمل على: فرن طلاء «coating furnace وسيلة تبريد cooling facility جهاز mile dallas ثانوي صلب» موزع غاز يوضع في طبقة مميعة من أنبوب تميع وجهاز معالجة منتج ثانوي غازي؛ فرن الطلاء the coating furnace يستخدم لطلاء الجسيمات؛ وسيلة التبريد the cooling facility تستخدم لتبريد الجسيمات المطلية؛ جهاز معالجة المنتج الثانوي الصلب يستخدم لمعالجة المنتجات الثانوية الصلبة المتولدة في فرن الطلاء the coating furnace أثناء عملية طلاء الجسيمات؛ جهاز معالجة المنتج الغازي الثانوي يستخدم لمعالجة المنتجات الغازية الثانوية المولدة في فرن الطلاء the coating furnace أثناء عملية Da الجسيمات؛ حيث يتم ربط فرن الطلاء؛ وسيلة التبريد؛ وجهاز معالجة المنتجات الثانوية الصلبة؛ وجهاز معالجة الغازات الثانوية بالتسلسل؛ حيث فرن الطلاء the coating furnace يشتمل على فوهة nozzle أنبوب تميع fluidization tube وفرن تسخين furnace ع160008؛ يتم توصيل الفوهة بطبقة مميعة fluidized bed من أنبوب التميع fluidization tube عطا» الطبقة المميعة the fluidized bed عبارة عن طبقة مميعة متعددة الاستدقاق «multi-taper fluidized bed 5 تشمل الفوهة: ثقب أوسط ¢middle hole مجموعة من ثقوب حلقية أولية primary loop holes ومجموعة من ثقوب حلقية ثانوية ¢secondary loop holes Cua مجموعة من الثقوب الحلقية الأولية primary loop holes موزعة بشكل موحد حول الثقب الأوسط ¢the middle hole 0 مجموعة من الثقوب الحلقية الثانوية secondary loop holes موزعة بشكل موحد حول الثقب الأوسط ¢the middle hole و يتم ترتيب مجموعة من الثقوب الحلقية الأولية primary loop holes بين الثقب الأوسط the middle hole ومجموعة من الثقوب الحلقية الثانوية «secondary loop holes موزع الغاز gas distributor يشمل: ثقب مركزي ccenter hole مجموعة من الثقوب المستقيمة الحلقية 5 الأولية ومجموعة من الثقوب المائلة الحلقية الثانوية ¢secondary annular slant holes الثقب المركزي the center hole على نفس المحور مع الثقب الأوسط the middle hole من الفوهة؛
مجموعة من الثقوب الحلقية الأولية primary loop holes موزعة بشكل موحد حول الثقب المركزي ¢the center hole de gana من الثقوب JBL الحلقية الثانوية secondary annular slant holes موزعة بشكل موحد حول الثقب المركزي ¢the center hole مجموعة من الثقوب المستقيمة الحلقية الأولية مرتبة بين الثقب المركزي the center hole ومجموعة من الثقوب المائلة الحلقية الثانوية .secondary annular slant holes
2. النظام La, لعنصر الحماية 1؛ حيث جهاز معالجة المنتج الثانوي الصلب يشمل: فاصل مخروطي «cyclone separator مرشح first filter Js! ومرشح ثاني second filter 0 تتصل في تسلسل؛ المرشح الأول the first filter يستخدم لترشيح المنتجات الثانوية الصلبة الخشنة الناتجة بواسطة الفاصل المخروطي cyclone separator عطاء lig للحصول على منتجات ثانوية وسيطة intermediate by-products يستخدم المرشح الثاني the second filter لترشيح المنتجات الثانوية المتوسطة intermediate by- products 5 الدقيقة الناتجة بواسطة المرشح الأول the first filter
3. النظام Gg لعنصر الحماية 1؛ حيث يشتمل جهاز dallas المنتج الغازي الثانوي the gas by- product treatment device على: حوض تخزين مؤقت mitdtemporary storage tank غازي ثانوي» جهاز فصل منتج غازي ثانوي؛ 0 وغرفة تخزين منتج غازي ثانوي؛ يستخدم حوض التخزين المؤقت للمنتج الغازي الثانوي the gas by-product temporary storage device لتخزين المنتج الغازي الثانوي بشكل مؤقت لجهاز معالجة المنتج الثانوي الصلب؛ جهاز فصل المنتج الغازي الثانوي يستخدم لفصل المنتجات الغازية الثانوية المخزنة بشكل مؤقت في حوض التخزين المؤقت للمنتج الغازي الثانوي؛ وذلك للحصول على الأقل على الهيدروجين hydrogen (H) 5 والأرجون ¢(Ar) argon يتم استخدام غرفة تخزين المنتج الغازي الثانوي لتخزين الهيدروجين (Ha) hydrogen الناتج بواسطة جهاز فصل المنتج الغازي الثانوي.
4 النظام وفقًا لعنصر الحماية 1 حيث محور الثقب الأوسط the middle hole ومحور من الفوهة axis of the nozzle يكون على نفس المستوى؛ أي بدون ميل.
5. النظام وفقًا لعنصر 1؛ Gua الثقوب الحلقية الأولية primary loop holes ومحور من الفوهة axis of the nozzle 5 تكون على نفس المستوى؛ أي بدون ميل»؛ أو بميل 0.
6. نظام لإعداد متواصل لجسيمات مطلية بمقياس كبير؛ يشمل: فرن طلاء مهياً لطلاء الجسيمات؛ وسيلة تبريد مهيأة لتبريد الجسيمات المطلية؛ 0 نظام معالجة منتج ثانوي صلب يشتمل على فاصل مخروطي» ومرشح أول ومرشح ثان مرتبط بالتسلسل؛ ويتم تكوين المرشح الأول لترشيح المنتجات الثانوية الصلبة التي تم الحصول عليها بواسطة فاصل مخروطي؛ من أجل الحصول على المنتجات الثانوية الوسيطة ويتم تكوين المرشح الثاني لترشيح المنتجات الثانوية الوسيطة التي تم الحصول عليها بواسطة المرشح الأول؛ نظام معالجة المنتجات الثانوية الصلبة الذي تم تكوينه لمعالجة المنتجات الثانوية الصلبة المتولدة في فرن الطلاء 5 أثناء عملية طلاء الجسيمات؛ نظام معالجة غاز ثانوي يشتمل على خزان تخزين مؤقت OLD جهاز فصل غاز ثانوي وجهاز تخزين غاز ثانوي؛ تم تكوين خزان تخزين مؤقت للغاز لتخزين المنتجات الثانوية للغاز بشكل مؤقت لجهاز معالجة المنتجات الثانوية الصلبة؛ تم تكوين جهاز فصل الغاز عن المنتج lll لفصل المنتجات الثانوية الغازية المخزنة بشكل مؤقت في خزان التخزين المؤقت للغازء وذلك للحصول على 0 الأقل على الهيدروجين Ho والأرجون (Ar وغرفة تخزين الغاز المنتج الثانوي التي تم تهيئتها لتخزين الهيدروجين Ha الذي تم الحصول عليه بواسطة جهاز فصل الغازات الثانوية؛ نظام معالجة الغازات الثانوية المهياً لمعالجة الغازات الثانوية الناتجة في فرن الطلاء أثناء عملية طلاء الجسيمات؛ و موزع غاز موضوع في طبقة مميعة لأنبوب تمييع؛ يشتمل موزع الغاز على ثقب مركزي؛ ومجموعة من الثقوب الحلقيّة الأولية المستقيمة؛ ومجموعة من الثقوب المائلة الحلقيّة الثانوية؛ يكون الثقب 5 المركزي على نفس المحور مع الثقب الأوسط من الفوهة؛ يتم توزيع عدد الثقوب المستقيمة الحلقية الأولية بشكل موحد حول الثقب المركزي؛ ing توزيع عدد الثقوب المائلة الحلقية الثانوية بشكل موحد حول الثقب (Gall ويتم ترتيب مجموعة الثقوب المستقيمة الحلقية الأولية بين الثقب المركزي ومجموعة من الثقوب المائلة الحلقية الثانوية.
— 1 8 — حيث يتم ربط فرن الطلاء؛ وسيلة التبريد؛ جهاز معالجة المنتجات الثانوية الصلبة وجهاز معالجة الغازات الثانوية بالتسلسل. 7 النظام Lg لعنصر الحماية 6 Cus يشتمل فرن الطلاء على فوهة؛ أنبوب تميع وفرن تسخينء يتم ربط الفوهة بطبقة مميعة لأنبوب التميع» وتكون الطبقة المميعة عبارة عن طبقة مميعة متعددة الاستدقاقات.
8. النظام Gg لعنصر الحماية 7 حيث تشتمل الفوهة على: ثقب clan gio مجموعة من ثقوب ala أولية primary loop holes ومجموعة ثقوب dala ثانوية annular “holes لإ56000081» Cus يتم توزيع 0 العديد من الثقوب الحلقية الأولية بشكل موحد حول QED الأوسط ومجموعة من الثقوب الحلقية الثانوية secondary annular holes موزعة بشكل موحد حول الثقب الأوسط ودتم ترتيب مجموعة الثقوب الحلقية الأولية بين الثقب الأوسط ومجموعة الثقوب الحلقيقس الثانوية. 9 النظام FEE لعنصر الحماية 8 ¢ Cua يكون محور الثقب J لأوسط ومحور من الفوهة axis of the nozzle 5 على نفس المستوى؛ أي بدون ميل.
0. النظام Udy لعنصر الحماية 8؛ حيث تكون فتحات الحلقة الأولية ومحور الفوهة على نفس المستوى؛ أي بدون edie أو بميل 0. ٠ 1 1 20 النظام La, لعنصر الحماية 6 ¢ حيث يشتمل موزع الغاز على تقب مركزي ومجموعة من الثقوب الحلقيّة الأولية المستقيمة ومجموعة من الثقوب المائلة الحلقيّة الثانوية؛ يكون الثقب المركزي على نفس المحور مع الثقب الأوسط من الفوهة؛ يتم توزيع مجموعة الثقوب المستقيمة الحلقية الأولية بشكل موحد حول الثقب المركزي؛ وبتم توزيع عدد الثقوب المائلة الحلقية الثانوية بشكل موحد حول الثقب المركزي وبتم ترتيب مجموعة الثقوب المستقيمة الحلقية الأولية بين الثقب المركزي ومجموعة
.secondary annular slant holes التقوب المائلة الحلقية الثانوية 5
RRNA NN NN NNN § ¥ ¥ & 3 2 3 3 3 ¥ 3 & 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 2 ¥ 1 ¥ x
¥ . 1 ASR x 8 3 4 i 8 ; & § § ; i 3 ¥ 8 ¥ 3 3 5 ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ 8 : 2 & ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ 3 ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ 3 ¥ ¥ § ¥ 8 § ¥ ممما ا ل 3 } 3 3 3 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8 3 ا 3 3 Ra SRNR 3 ® 3 } 3 3 8 3 3 8 3 3 : 8 3 3 8 3 3 8 2 } : 3 3 3 8 3 3 8 3 3 8 3 3 8 3 3 8 3 3 8 3 3 8 3 3 8 3 3 8 3 3 8 3 3 8 3 3 3 3 8 5 8 8 3} 2 3 5 5 ال 3 3 3 3 2 2 8 ا اال 5 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 ¥ 3 & 0 3 ¥ : 3 ¥ : 3 ¥ 8 3 & ¥ x RN & IN & 3 Ix ¥ ¥ 3 8 * خا ات : Xe 3 Fo & y N ¥ 3 & 3 1 : 3 % احا ص * 3 Ne 8 3 & 3 8 8 : ¥ 3 8 § } ¥ 3 8 5 i 1 8 اا 8 i 3 5 3 a 5 ا 4 8 8 3 EEE RR § 3 Sp 3 YN 3 3 ¥ ا 5 x ® 3 8 ْ ¥ ¥ 3 5 RY = + 5 8 ٍ ¥ 3 5 > * 3 : ¥ 3 > 3 + 8 3 3 & 3 5 2 : ¥ 3 5 : ¥ 3 5 1 8 ¥ 3 5 0 اا 3 5 ¥ 3 اخ 3 5 الل 3 5 8 انلا 3 5 1 “8 3 5 ٌُ oF 3 5 ا : 3 5 3 3 gi 3 5 : 3 5 : 3 3 5 8: 3 5 2 3 3 5 * 5 3 § 3 3 y ¥ y 3 ¥ 3 8 8 ¥ 3 5 ¥ 3 5 ¥ 3 5 ¥ 3 5 ¥ 3 5 ¥ 3 5 ¥ 3 5 ¥ 3 5 ¥ 3 5 ¥ 3 5 ¥ 3 5 ¥ 3 5 3 + 8 8 احج جح جه تا جا 8 3 85 اتج ب 3 3 3 3 3 3 3 3 NNN جه هه جه EEE EEE جه هه جه جه هه نجه هه جه ANN NNN
0 : : ع ال« ال ٍ اع ام ا YE fre 5 احا ا دا ؟ ؟ EI 3 = 3 8 at, 8 i 1 3 3 للج SRG ERE : \ profiled} : { i we 3 3 & 3 3 3 3 3 ججح ل اس ال ججح ا ص 8 3 x 3 3 u 3 x by 3 ¥ 8 اجاج الخ 80 8 3 3 3 ¥ Pee dX I 3 3 = Ren A 3 3 ¥ 3 RE الا + 3 3 3 ¥ 8 Ee aX J ¥ 3 & DIR 3 ¥ احا TRE Rothe) « i 5 8 EN 3% FoR: & 3 8 “8 > 3 ¥ § 3 ل ماتخ x 3 3 امج ص < i i 3 3 § Pam sR u & A x 3 x 3 u & A x 3 3: 3 & i 3 5 : 3 3 ¥ 8: 3 ارخ : 3 2 الإ ا i & i xX © 3 I: 5 3 ¥ § ¥ * § 3 جد ؟ ¥ 3 8 8 ل 4 X 3 § § FF 9 تمي 8: 3 ¥ § x 5 > م 3 & i xX £ YE 3 3 ¥ i xX £ ع 3 3 & i xX £ م ا 3 - A an a 3 X 3 ¥ 8 3 8 “ 3 5 oN a x + ¥ 3 & -؟ a x 3 ¥ 3
& . xX 8 8 3 3 & = 8 a x 8 ¥ 3 & 8 a x 8 ¥ 3 & 8 a x 8 ¥ 3 & 8 a x 8 ¥ 3 & 8 a x 8 ¥ 3 & 8 a x 8 ¥ 3 & : 3 8 8 3 3 o 3 A an 6 8 “8 3 8 # ب : A 2 3 x: 3 & i xX £ $ 3 & i xX 8 8 3 3 & : : 3 8 8 3 3 ¥ Vo RX § ¥ * 3 3 i & : i xX £ $ 3 & 8 a x 8 ¥ 3 & 8 a x 8 ¥ 3 & 8 a x 8 ¥ 3 & 8 a x 8 ¥ 3 & 8 a x 8 ¥ 3 & i xX 8 8 3 3 1 ¥ a 8 a 3 & i xX 8 8 3 3 & 8 a x 8 ¥ 3 u 8 A a 3 x 3 3 o A an A x X 3 3 o A an A x X 7: “8 x A x 3 ¥ 5 3 o A an A x X ص “8 3 3 1 2 8 ne 3 > ¥ § Fd ¥ i Ese N = 3 ¥ 3 FF 2 ¥ > جح + 8 8 8 5 6 3 3 2 3 ¥ i xX £ 8 3 3 3} & 8 xX 8 مج 3 3} NE ¥ 3X 8 م 3 3 3] الع x 8 hy 3 3 3 XE 8 A; BS 3 3 3} 8 xX £ 3 3 3} NE 8 A; 8 3 3 3} Ni & oN 8 8 3 3 x § i £ i § yi 3 i xX £ 3 3 3 3} ¥ i 3 8 3 3 3 3} 3 i xX £ 3 3 3 3} o & a A 3 2 X Ey o & a A 3 2 X Ey & i xX £ 3 3 3 3} & 8 A; 8 3 3 3 3} & i xX £ 3 3 3 3} & i xX £ 3 3 3 3} & i xX £ 3 3 3 3} & i xX £ 3 3 3 3} & i xX £ 3 3 3 3} & i xX £ 3 3 3 3} & i xX £ 3 3 3 3} “8 A an a 3 & wn x x & i xX £ 3 3 3 3} & 8 & 8 3 3 3 3 3} u i A a 3 0 !ّ 3 3 2 ¥ § ¥ * 3 لاحي 0؟ 3 3] 3 3] & i xX £ 3 * 3 3 3} & i xX £ 3 3 3 3} & 8 A; 8 3 3 3 3} & 8 A; 8 3 3 3 3} & i xX £ 3 3 3 3} & i xX £ 3 3 3 3} & i xX £ 3 3 3 3} & i xX £ 3 3 3 3} o & a A 3 2 X Ey & i د 8 3 3 3} “8 A an ~ 3 wn x x “8 A an oN 3 wn x x u 8 x x 3 3 3 8 8 3 أ + 8 2 & 8 A; : 8 3 3 3 3} = x a 3 2) 3 3 3 x & i xX 3 3 3 3 3} 8 % A 3 0 3 5 8 8 i 3 RY & i 3 Sevens : “8 4 8 3 #مسحا ا 0 8 3 > 0 i 3 & i xX 3 1S 3 § 3 A % & pS 3 8 5 A : 3 § 8 3 ماد i 3 § ¥ A; CE 3 3 & § xX مال“ 3 3 ¥ i x NE 3 3 امج 5س الج ةا 1 2 8 3 7 الا 8 3 = 8 3 ا TY amd 3 i ا ٍ 3 المحم ا ممم 3 dB OR
8 ان aR 8 ا 0" نا ال & RR ا ا ا ا ال ا 5 ل 8 اط 1 3 : 3 : * 1 8 1 5 8 5 % 3 ّ ّ ; & > : 5 جم © احا جيه 5 جيم ؟ © 5 : 5 0: 4 i 8 8 X = 3 :
y . 8 y 8 y 8 y 8 y 3 i Y 8 y Bi X 3 3 y y a . 8 i ; : y ] % 3 8 i ] 8 % x 3 : 1 i ؟ § 1 «© !| ow 3 i io i Bi x 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 ) y 3 3 ; y 3 3 ! : y 3 3 : x x 3 8 3 i i 3 a 8 جد 15 جما + i 3 3 ae Bi x 3 a i 3 3 oF i 3 3 on 8 3 3 3 y 3 3 . x x 3 ب i 3X 3 i 3 oes Bi x يخ i 3 Ra i 3 3 i 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 y 3 3 . Le © 3 3 : 3 : x 3 3 3 [x y 3 3 ? x 3 3 i 3 3 RE جم 3 3 om os 8 dl i § : امم xX 3 ال مما X 3 hi Nach 3 3 =X 3 ; 1 3 y 3 3 y . a: i 3 > اع ow # ال oo} ام اع جا كت sisi, ¥ RE م الاي 3 ¥ Moa FFTs 1 x RE Sa 3 i ek Se 3 y Son iE § i Poy 3 y FEY د y IF 8 : y IF 8 5 3 x 8 8+ 5 IY 8 خٍ Iv + - It . i IY 8 a - 8 م ا Sr i it i HE 1 y Iv 5 3 k Bi 8 5 3 y 5 ] % IVEY : 1 x EE] i Tyas : ات ال تتا IEE 53:5 ذا I a 1 ا : 1 3 5 IEEE Yama owe x > 6 3 v Be يخ سي ؟ Yaw
& TE يدا ol PE av 5 $ 3 . 2% - الفا جع« Sama 8 0 1 0 a عم ل Neng, & Pow Powe الى ااا حي ّ ual We 0 8ج يي Sass 3 oF Nie 8 8ن Me اا a i & a No م 8 Neds RX PERS WW : oF 7 8 ل لي 1 AF > WEE 8 : Sh & RRA SS ا > & 3 Se : Las SN Xe 8 <0 4# 0 § 2غ : 8 : & : >“ 8 i عض 3 & Rg ال : J SN & 0 8 ا & 3 8 Roo § & & 8 ابح Pos SR 3 : SIR & 5 ب الي "١ م 1:8: : Sy 0" « & wd OR SW 3 SRR EON يحي 8 80 2 ARN STN ا ب 8 ا ا ا 0 XN ل 5 : § 8 & 8 : الا 070 لشي 8 ال 3د ل + TR xr الي CE 3 SR Ne ل Cia LR a الي ااا AN a > ا 7 كي ا Noo Net Shae Ra a 1 :: : ا : AR 3 1 = N 8 i : § Lo Se 3 3 Nor 1 A S&T F X gon y X 2 Reo oF 1 YN Sa Naa 8 لخ 0 wn 8 Bo 8 Ro & : 5 Rai CS ae : : & Nn Ul اا الي 1 واد ال ا 8 ا a Me 8 : Me La ا كل اللا Seng Rods Nooo sl ا ا ال Noo Trae Ng 8 8 8 Ra STINE rn ay SR REIS & Nn TE ايج 1 RS oa : a AS GE ae a RI “Rey 8 : Na, & a & : Ro i ب 8 > 3 ّ ٌ ١ ١ os ! »هس ! م ّ Pomme 1 ام de
; Bo LEE oy 3 E EE \ 3 0 1 SSRN RING SRR RD CaS Sa ادن اش لا ل ا RRC, SR EMMI pete ww as 3 EER 3 i Saal TX 3 1 ¥ 3 5 Saas 3 SCREENS 3 ارا ؟ § اكه وا م 3 k 3 RR 3g اد i 3 RUSE § | 1 ا لت ot a : 3 0 بي > يد RSA 3 SR 3 SRR 3 ATT 3 ST RRS NRG . i DRERDREIA concansie EI لخ 5 ل 3 rib pr 8 جاتب لمان اللي 8 اجيج الت : TOO ot مين 5 AEE] X ل ا oo FINITE ا اتج وي اج 2 SFE AEN AR الك 5 ROE $NA SR 23 AC pte TORREY RUS 3 EE ¥ EOE INR ONY A ESE NE الست RR Noa 3 3 ERNE PAGE SAE كيلاية © : اللاي Ease) oda NR الت IN ATE اي 8“ ORY RG SN 5 حي i F NL SRY © iOFSEEREARXNR ® لكي ا ANGE BARRE 08 08 TOD ا#سخ لخد 0 تاج بيج ة: EME ؛ § 0 مش لمكا ER 8 iE اليا NA BR 3 iE § 3% SN ® COR RAEN 3 Fahd TRAE DY RR § Ra مح مضت 3 ¥ ? : 3 ¥ i 5 0 ا 3 # 8 3 : 3 i ¥ 1 3 # 3 # Fosse المأ اا * x #8 المج يي x & 0 ¥ م | % $ 0 ome © x § EY 3 * >“ Sg # ا 5 Troms + + مخ 1: & الت : FF RY § TERY 3 __- EY a 3 5 5 0 > م i : ا : x 5 ل : 1 3 # اا 0 8 8 § i wf 5 3 3 3 >“ 0 3 ا 3 3 a > 3 : 5 i 3 ¥ 3 4 بٍْ ليبا الا ب م امسا > 8 3 3 3 : 3 Tome ge 3 3} : . Ra الخ : Ry § 5 3 ةا يم 3 3 3 3 3 y Rock 3 ) pet 3 3 3 : gest § 3 1 x الاي
را ينا 1 % SO oad 3 % = 3 ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ + ¥ الاح الس ا ¥ 8 8 + ¥ 8 $ ¥ ¥ 8 3 ¥ ¥ 8 ¥ ¥ ¥ 8 8 ¥ ¥ 8 8 ¥ ¥ 8 8 ¥ ¥ 8 8 ِ 8 ¥ 8 x - 8 ¥ 5 ا 8 : 8 5 Vow + § § { يآ { Loa 3 8 8 3 by 8 1 8 ¥ ¥ 8 8 ¥ ¥ 8 8 ¥ ¥ 8 8 ¥ ¥ 8 8 ¥ ¥ 8 ¥ ¥ ¥ 8 $ ¥ ¥ 8 3 3 3 ال د ل AEA LEELA AAEM ARR AAR 2 8 X T 8 < ¥ ¥ os 3 ¥ .> ا ي « ¥ t Toon ad +} تج + NE ie ؟ : SP اللا ا اما Ev ae I ¥ 8 1 \ i + 3 + ¥ 3 ¥ { ¥ 3 ¥ { ¥ 3 ¥ { ¥ 3 ¥ { ¥ 3 ¥ { ¥ 3 ¥ { ¥ 3 ¥ { ¥ + { x اج ح ددح كج ججح حك احج الححح كح جح ججح الاح احاح تكح 1 الح كح ححا F 8 8 5 3 8 + i & ¥ 3 ¥ ¥ 8 + i ® ¥ ¥ ¥ ¥ 8 + i ® ¥ ¥ 8 ¥ 8 + i ® ¥ § 8 ¥ 8 + i ® ¥ $ 8 ¥ 8 + i ® ¥ ¥ 8 ¥ 8 + i ® ¥ ¥ 8 ¥ 8 + i ® ¥ ¥ 8 ¥ 8 + i ® ¥ ¥ 8 ¥ 8 + i ® ¥ ¥ 8 ¥ 8 + i ® ¥ ¥ 8 ¥ 8 + i # : ¥ ¥ ® 8 + + ¥ نج ب + i ® Rd Redd i ¥ . 3 x A x 3 ol ov 3 w البح a os 3 x اح ؟ الا ممصا الال ّ جا ج بج ًُ 8 8 i 3 Tow 3 م 8 i x 8 8 & 3 ٌ + i & ¥ ¥ 8 ¥ 8 + i ® ¥ ¥ 8 ¥ 8 + i ® ¥ ¥ 8 ¥ 8 + i ® ¥ 3 8 ¥ 8 + i ® ¥ ¥ 8 ¥ 8 + i ® ¥ ¥ 8 ¥ 8 + i ® ¥ ¥ 8 ¥ 8 + i ® ¥ ¥ 8 ¥ 8 + i ® ¥ ¥ 8 ¥ 8 + i ® ¥ ¥ 8 ¥ 8 + i ® ¥ ¥ 8 ¥ 8 + i E ¥ ¥ 8 ¥ 8 + i & : 3 ¥ x 3 ¥ ارجح ح كح كح كح كك كك كحلا المح حك كحك كك كك حلالاا دح ُ الا 3 ¥ مغر ¥ { ¥ { i oem +) w ¥ { ¥ { ¥ { ¥ { BA EE AES SAAS
الحاضهة الهيلة السعودية الملضية الفكرية Swed Authority for intallentual Property pW RE .¥ + \ ا 0 § ام 5 + < Ne ge ”بن اج > عي كي الج دا لي ايام TEE ببح ةا Nase eg + Ed - 2 - 3 .++ .* وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها of سقوطها لمخالفتها ع لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف ع النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية. »> صادرة عن + ب ب ٠. ب الهيئة السعودية للملكية الفكرية > > > ”+ ص ب 101١ .| لريا 1*١ uo ؛ المملكة | لعربية | لسعودية SAIP@SAIP.GOV.SA
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510438361.9A CN105139897B (zh) | 2015-07-23 | 2015-07-23 | 一种大规模连续制备包覆颗粒的系统 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SA518390786B1 true SA518390786B1 (ar) | 2023-02-26 |
Family
ID=54725214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SA518390786A SA518390786B1 (ar) | 2015-07-23 | 2018-01-23 | نظام لتجهيز جسيم مغطى بشكل مستمر في نطاق واسع |
Country Status (14)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20180374589A1 (ar) |
| EP (1) | EP3327729B1 (ar) |
| JP (1) | JP2018525625A (ar) |
| KR (1) | KR102086750B1 (ar) |
| CN (1) | CN105139897B (ar) |
| BR (1) | BR112018001333B1 (ar) |
| CA (1) | CA2993261C (ar) |
| HU (1) | HUE056311T2 (ar) |
| MY (1) | MY187147A (ar) |
| PL (1) | PL3327729T3 (ar) |
| RU (1) | RU2681305C1 (ar) |
| SA (1) | SA518390786B1 (ar) |
| WO (1) | WO2017012323A1 (ar) |
| ZA (1) | ZA201801127B (ar) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105139897B (zh) * | 2015-07-23 | 2017-08-11 | 清华大学 | 一种大规模连续制备包覆颗粒的系统 |
| CN110097989B (zh) * | 2018-01-31 | 2022-11-18 | 中国辐射防护研究院 | 一种用于球床高温气冷堆的去石墨粉尘污染方法 |
| CN108675300B (zh) * | 2018-06-15 | 2020-10-27 | 清华大学 | 一种核壳结构纳米复合颗粒及其制备方法、其制备装置 |
| CN111441035B (zh) * | 2020-04-07 | 2021-12-14 | 清华大学 | 包覆颗粒制备系统 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT951004B (it) * | 1970-08-17 | 1973-06-30 | Kernforschungsanlage Juelich | Dispositivo per la volatilizzazione clorurativa del torio e o dell ura nio |
| US4053559A (en) * | 1976-06-14 | 1977-10-11 | Westinghouse Electric Corporation | Production of uranium dioxide |
| US4053375A (en) * | 1976-07-16 | 1977-10-11 | Dorr-Oliver Incorporated | Process for recovery of alumina-cryolite waste in aluminum production |
| DE3021037C2 (de) * | 1980-06-03 | 1982-06-16 | Kernforschungsanlage Jülich GmbH, 5170 Jülich | Vorrichtung und Verfahren zum Entladen eines Wirbelschichtofens für die Beschichtung von Hochtemperaturreaktor (HTR)-Brennstoffen |
| DE3322159A1 (de) * | 1983-06-21 | 1985-01-03 | Metallgesellschaft Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren zur abtrennung von schadstoffen aus abgasen |
| DE3617428A1 (de) * | 1986-05-23 | 1987-11-26 | Krupp Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur herstellung elektrisch leitender feuerfester baustoffe und verwendung dieser baustoffe |
| SU1560564A1 (ru) * | 1988-02-23 | 1990-04-30 | Украинский Государственный Институт По Проектированию Металлургических Заводов | Способ нанесени огнеупорного покрыти |
| US5386647A (en) * | 1991-04-01 | 1995-02-07 | Amax Coal West, Inc. | Thin, self-cleaning gas distribution deck in fluidized bed dryer |
| EP0658219B1 (en) * | 1993-06-01 | 1999-03-24 | Advanced Ceramics Corporation | Fluidized bed reactor arrangement for forming a metal carbide coating on a substrate containing graphite or carbon |
| US5569329A (en) * | 1995-06-06 | 1996-10-29 | Carbomedics, Inc. | Fluidized bed with uniform heat distribution and multiple port nozzle |
| DE19542309A1 (de) * | 1995-11-14 | 1997-05-15 | Metallgesellschaft Ag | Verfahren zur Herstellung von Aluminiumoxid aus Aluminiumhydroxid |
| MY116855A (en) * | 1996-02-28 | 2004-04-30 | Air Prod & Chem | Argon recovery from silicon crystal furnace |
| EG23499A (en) * | 2002-07-03 | 2006-01-17 | Advanced Plastics Technologies | Dip, spray, and flow coating process for forming coated articles |
| US6955703B2 (en) * | 2002-12-26 | 2005-10-18 | Millennium Inorganic Chemicals, Inc. | Process for the production of elemental material and alloys |
| ATE400877T1 (de) * | 2004-03-01 | 2008-07-15 | Pebble Bed Modular Reactor Pty | Kernbrennstoff |
| JP4155580B2 (ja) * | 2004-08-25 | 2008-09-24 | 原子燃料工業株式会社 | 高温ガス炉用被覆燃料粒子製造装置用ガス導入ノズル |
| SE529547C2 (sv) * | 2004-12-08 | 2007-09-11 | Pullman Ermator Ab | Anordning för uppsamling av stoftpartiklar eller restmaterial |
| JP4354903B2 (ja) * | 2004-12-27 | 2009-10-28 | 原子燃料工業株式会社 | 高温ガス炉用被覆燃料粒子の製造装置 |
| US20090064580A1 (en) * | 2007-09-12 | 2009-03-12 | Nicoll David H | Venturi inserts, interchangeable venturis, and methods of fluidizing |
| TW201043327A (en) * | 2009-03-30 | 2010-12-16 | Taiyo Nippon Sanso Corp | Pressure swing adsorbing type gas separating method and separation device |
| JP5387154B2 (ja) * | 2009-06-12 | 2014-01-15 | 株式会社Ｉｈｉ | グリセリン改質装置および改質方法 |
| EP2305371A1 (en) * | 2009-09-10 | 2011-04-06 | Stamicarbon B.V. | Process for producing granules |
| CN102760503B (zh) * | 2011-04-28 | 2015-02-18 | 清华大学 | 一种气体分布装置及颗粒包覆方法 |
| FR2977259B1 (fr) * | 2011-06-28 | 2013-08-02 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif a profil specifique de reacteur de type lit a jet pour depot par cvd |
| CN103357869B (zh) * | 2013-07-24 | 2015-04-15 | 清华大学 | 用于颗粒包覆的设备和系统 |
| CN105139897B (zh) * | 2015-07-23 | 2017-08-11 | 清华大学 | 一种大规模连续制备包覆颗粒的系统 |
| CN204865735U (zh) * | 2015-07-23 | 2015-12-16 | 清华大学 | 一种大规模连续制备包覆颗粒的系统 |
-
2015
- 2015-07-23 CN CN201510438361.9A patent/CN105139897B/zh active Active
-
2016
- 2016-01-22 US US15/747,091 patent/US20180374589A1/en not_active Abandoned
- 2016-01-22 JP JP2018503543A patent/JP2018525625A/ja active Pending
- 2016-01-22 KR KR1020187004939A patent/KR102086750B1/ko active IP Right Grant
- 2016-01-22 CA CA2993261A patent/CA2993261C/en active Active
- 2016-01-22 PL PL16827016T patent/PL3327729T3/pl unknown
- 2016-01-22 RU RU2018106335A patent/RU2681305C1/ru active
- 2016-01-22 BR BR112018001333-1A patent/BR112018001333B1/pt active IP Right Grant
- 2016-01-22 HU HUE16827016A patent/HUE056311T2/hu unknown
- 2016-01-22 WO PCT/CN2016/071785 patent/WO2017012323A1/zh active Application Filing
- 2016-01-22 MY MYPI2018700288A patent/MY187147A/en unknown
- 2016-01-22 EP EP16827016.3A patent/EP3327729B1/en active Active
-
2018
- 2018-01-23 SA SA518390786A patent/SA518390786B1/ar unknown
- 2018-02-19 ZA ZA2018/01127A patent/ZA201801127B/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MY187147A (en) | 2021-09-04 |
| EP3327729A4 (en) | 2019-04-17 |
| CA2993261A1 (en) | 2017-01-26 |
| WO2017012323A1 (zh) | 2017-01-26 |
| KR20180048621A (ko) | 2018-05-10 |
| RU2681305C1 (ru) | 2019-03-06 |
| CA2993261C (en) | 2021-12-28 |
| EP3327729B1 (en) | 2021-08-04 |
| CN105139897A (zh) | 2015-12-09 |
| ZA201801127B (en) | 2019-09-25 |
| PL3327729T3 (pl) | 2022-01-03 |
| CN105139897B (zh) | 2017-08-11 |
| HUE056311T2 (hu) | 2022-02-28 |
| US20180374589A1 (en) | 2018-12-27 |
| BR112018001333B1 (pt) | 2022-06-28 |
| KR102086750B1 (ko) | 2020-03-09 |
| BR112018001333A2 (pt) | 2018-09-11 |
| JP2018525625A (ja) | 2018-09-06 |
| EP3327729A1 (en) | 2018-05-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SA518390786B1 (ar) | نظام لتجهيز جسيم مغطى بشكل مستمر في نطاق واسع | |
| Hemsworth et al. | Overview of the design of the ITER heating neutral beam injectors | |
| US20140112427A1 (en) | Completely passive cooling system for reactor core after accident of large-scale pressurized water reactor nuclear power plant | |
| CN102741940A (zh) | 制造两种不同放射性同位素的方法和设备 | |
| Wu et al. | Design optimization and analysis of CN HCCB TBM-set | |
| CN106710661A (zh) | 一种适用于超高流强氘氚聚变中子源的高压差气态靶装置 | |
| JP2013032270A (ja) | 純度要件を満たすために不活性ガスを用いるホウ素粉末のジェットミル | |
| Melott et al. | Neutrino-lifetime constraints from neutral hydrogen in the galactic halo | |
| CN103533740B (zh) | 用于中子产生装置的靶装置、加速器驱动的中子产生装置及其束流耦合方法 | |
| CN202595259U (zh) | 磁控溅射设备 | |
| Chambers | Planet formation | |
| AU2009275518B2 (en) | Slag discharge from reactor for synthesis gas production | |
| CN204865735U (zh) | 一种大规模连续制备包覆颗粒的系统 | |
| CN104326269B (zh) | 一种针对高温高压粉体颗粒冷却减压连续排放方法 | |
| CN105114972B (zh) | 一种煤粉均匀输送管道及均分器 | |
| US3075909A (en) | Reactional vessel | |
| Jensen et al. | Accelerator-based conversion (ABC) of reactor and weapons plutonium | |
| US4343761A (en) | Heat transport system | |
| CN217746969U (zh) | 一种用于黄磷熔渣干法离心粒化的渣粒冷却装置 | |
| Ohtsuki et al. | Binary scission configurations in fission of light actinides | |
| Ikezoe | The future plan for the applications of RI produced in the proton-induced spallation-reaction | |
| Nagame | Nuclear chemistry of transactinide elements | |
| Wada et al. | Dissipative dynamics of the synthesis of superheavy elements | |
| Iwamoto | Hugging fusion and related topics | |
| Hatsukawa | Delayed fission |