SA517381582B1 - طريقة لإنتاج جسم مرشح مقولب - Google Patents
طريقة لإنتاج جسم مرشح مقولب Download PDFInfo
- Publication number
- SA517381582B1 SA517381582B1 SA517381582A SA517381582A SA517381582B1 SA 517381582 B1 SA517381582 B1 SA 517381582B1 SA 517381582 A SA517381582 A SA 517381582A SA 517381582 A SA517381582 A SA 517381582A SA 517381582 B1 SA517381582 B1 SA 517381582B1
- Authority
- SA
- Saudi Arabia
- Prior art keywords
- graphene
- layer
- graphite
- holes
- water
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 260
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 148
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 96
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 96
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 28
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 47
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 18
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 6
- KPQFKCWYCKXXIP-XLPZGREQSA-N 1-[(2r,4s,5r)-4-hydroxy-5-(hydroxymethyl)oxolan-2-yl]-5-(methylamino)pyrimidine-2,4-dione Chemical compound O=C1NC(=O)C(NC)=CN1[C@@H]1O[C@H](CO)[C@@H](O)C1 KPQFKCWYCKXXIP-XLPZGREQSA-N 0.000 claims 1
- 235000016068 Berberis vulgaris Nutrition 0.000 claims 1
- 241000335053 Beta vulgaris Species 0.000 claims 1
- 241001155433 Centrarchus macropterus Species 0.000 claims 1
- 241001633942 Dais Species 0.000 claims 1
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 claims 1
- 208000011893 Febrile infection-related epilepsy syndrome Diseases 0.000 claims 1
- 101001086872 Hydrogenobacter thermophilus (strain DSM 6534 / IAM 12695 / TK-6) Phosphoserine phosphatase 1 Proteins 0.000 claims 1
- 241000257303 Hymenoptera Species 0.000 claims 1
- 101100390562 Mus musculus Fen1 gene Proteins 0.000 claims 1
- 101500025412 Mus musculus Processed cyclic AMP-responsive element-binding protein 3-like protein 1 Proteins 0.000 claims 1
- 101100119953 Pyrococcus furiosus (strain ATCC 43587 / DSM 3638 / JCM 8422 / Vc1) fen gene Proteins 0.000 claims 1
- FONRCZUZCHXWBD-VGOFMYFVSA-N n-[3-[[5-chloro-4-(1h-indol-3-yl)pyrimidin-2-yl]amino]phenyl]-3-[[(e)-4-(dimethylamino)but-2-enoyl]amino]benzamide Chemical compound CN(C)C\C=C\C(=O)NC1=CC=CC(C(=O)NC=2C=C(NC=3N=C(C(Cl)=CN=3)C=3C4=CC=CC=C4NC=3)C=CC=2)=C1 FONRCZUZCHXWBD-VGOFMYFVSA-N 0.000 claims 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 37
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 151
- 239000010408 film Substances 0.000 description 61
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 29
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 12
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000002106 nanomesh Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108010067035 Pancrelipase Proteins 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000001574 biopsy Methods 0.000 description 2
- ZCCIPPOKBCJFDN-UHFFFAOYSA-N calcium nitrate Chemical compound [Ca+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ZCCIPPOKBCJFDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229940092125 creon Drugs 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000013505 freshwater Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002116 nanohorn Substances 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000013535 sea water Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000887162 Gallus gallus Gallinacin-5 Proteins 0.000 description 1
- 101000887166 Gallus gallus Gallinacin-7 Proteins 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000737052 Naso hexacanthus Species 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 101000608768 Rattus norvegicus Galectin-5 Proteins 0.000 description 1
- 241000030538 Thecla Species 0.000 description 1
- 241000425571 Trepanes Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- WSNTYJGDOGPZEG-UHFFFAOYSA-N calcium ethanol dinitrate Chemical compound [Ca+2].CCO.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O WSNTYJGDOGPZEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000011852 carbon nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 238000010367 cloning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000006166 lysate Substances 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021392 nanocarbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N nitrate group Chemical group [N+](=O)([O-])[O-] NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZEGRRQOQSUJJK-UHFFFAOYSA-N nitrate;hydrochloride Chemical compound Cl.[O-][N+]([O-])=O AZEGRRQOQSUJJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 238000002429 nitrogen sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000399 optical microscopy Methods 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000008823 permeabilization Effects 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- -1 sulfates Carbonates Chemical class 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D71/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by the material; Manufacturing processes specially adapted therefor
- B01D71/02—Inorganic material
- B01D71/021—Carbon
- B01D71/0211—Graphene or derivates thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D67/00—Processes specially adapted for manufacturing semi-permeable membranes for separation processes or apparatus
- B01D67/0039—Inorganic membrane manufacture
- B01D67/0053—Inorganic membrane manufacture by inducing porosity into non porous precursor membranes
- B01D67/006—Inorganic membrane manufacture by inducing porosity into non porous precursor membranes by elimination of segments of the precursor, e.g. nucleation-track membranes, lithography or laser methods
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D69/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by their form, structure or properties; Manufacturing processes specially adapted therefor
- B01D69/10—Supported membranes; Membrane supports
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D69/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by their form, structure or properties; Manufacturing processes specially adapted therefor
- B01D69/12—Composite membranes; Ultra-thin membranes
- B01D69/1213—Laminated layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D69/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by their form, structure or properties; Manufacturing processes specially adapted therefor
- B01D69/12—Composite membranes; Ultra-thin membranes
- B01D69/1216—Three or more layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/002—Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
- B05D1/005—Spin coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/007—After-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/182—Graphene
- C01B32/184—Preparation
- C01B32/19—Preparation by exfoliation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/182—Graphene
- C01B32/194—After-treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2323/00—Details relating to membrane preparation
- B01D2323/08—Specific temperatures applied
- B01D2323/081—Heating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2323/00—Details relating to membrane preparation
- B01D2323/64—Use of a temporary support
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2325/00—Details relating to properties of membranes
- B01D2325/08—Patterned membranes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2325/00—Details relating to properties of membranes
- B01D2325/24—Mechanical properties, e.g. strength
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2325/00—Details relating to properties of membranes
- B01D2325/28—Degradation or stability over time
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D67/00—Processes specially adapted for manufacturing semi-permeable membranes for separation processes or apparatus
- B01D67/0039—Inorganic membrane manufacture
- B01D67/0053—Inorganic membrane manufacture by inducing porosity into non porous precursor membranes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Filtering Materials (AREA)
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
يتعلق الاختراع الحالي بإنتاج جسم مرشح مقولب molded filter body باستخدام الجرافين graphene الذي به ثقوب تمرير الماء water passage holes بحجم مطلوب بواسطة عملية بسيطة. طريقة لإنتاج جسم مرشح مقولب به طبقة من الجرافين layer of graphene (2) كوسط مرشح filter medium، تتضمن الخطوات التالية: تكوين طبقة من مادة داعمة layer of a support (5) على سطح الجرافيت surface of graphite (1)؛ تكوين ثقوب تمرير الماء water passage holes للمادة الداعمة في طبقة المادة الداعمة layer of the support (5)؛ تقشير peeling طبقة المادة الداعمة layer of the support (5) من الجرافيت (1) في حالة ربط طبقة الجرافين graphene (2) على سطح الجرافيت graphite (1) بطبقة المادة الداعمة 5؛ وتقييد طبقة الجرافين (2) بواسطة التسخين عند درجة حرارة منخفضة لفترة زمنية محددة مسبقا في الهواء الحامل للأكسجين air containing oxygen عند درجة مئوية تتراوح من 160 إلى 250 درجة مئوية وتكوين ثقوب تمرير الماء water passage holes في الجرافينgraphene . شكل 1.
Description
طريقة لإنتاج جسم مرشح مقولب Method for Producing Molded Filter Body الوصف الكامل خلفية الاختراع يتعلق الاختراع الحالي بطريقة لإنتاج جسم مرشح مقولب molded filter body « ويتعلق تحديدا بطريقة لإنتاج جسم مرشح مقولب به مرشح يستخدم الجرافين .graphene تكشف البراءة اليابانية 2013/536077 عن مرشضح ©3118 لإزالة الجبسيمات الدقيقة fine particles 5 مثل الأيونات 1005 من الماء؛ تم استخدام المحاليل الأخرى؛ أو الغاز (gas جسم مرشح مقولب يستخدم الجرافين الذي يتم فيه تكوين ثقوب تمرير الماء الدقيقة . تكشضف البراءة اليابانية 2013/107789 ؛ عن تكوين الجرافين على سطح رقاقة نحاسية copper foil أو ما شابه بواسطة طريقة ترسيب بخار كيميائى chemical vapor deposition CVD البراءة اليابانية 2013/144621 ؛ بناء عليه؛ في الماضي؛ كانت عملية تسمى استنساخ ctranscription 0 يتم فيها نقل الجرافين إلى مادة داعمة layer of the support مطلوية عند استخد ام الجرافين كجسم مرشح مقولب ؛ في عملية نقل ؛ يتم تغليف بولي ميثيل ميث أكريلات PMMA polymethyl methacrylate بالتدويم spin—coated على سطح جرافين مكشوف مكون على رقاقة نحاسية لتكوين غشاء واقي رقيق protective film وتجفيفه؛ ويعد ذلك يتم طفو الغضاء المجفف dried film على محلول النمش etching solution تم تسخينه إلى 50 درجة مثوية باستخدام الرقاقة النحاسية التى تتجه إلى أسفل ؛» وتتم إزالة الرقاقة النحاسية. يلي ذلك» غسل الغشاء الرقيق thin film من PMMA والجرافين بالماء فائق النقاء؛ ويتم كسحه من أجل وضعه على ركيزة سيليكون silicon خاصة بالسطح الذي تم استرطابه ؛ بعد ذلك؛ يتم كسح الغشاء الرقيق باستخدام مادة داعمة مطلوية مصنوعة من راتنج resin أو ما شابه؛ وتجفيفهاء وتتم إزالة الغضاء الواقي من PMMA بواسطة تكرار الغمر في الأسيتون acetone وغمس immersion 20 على نحو بديل عدة مرات. فى النهاية؛ بواسطة تجفيف المادة الداعمة 1 والجرافين» كان من الممكن تحويل الجرافين إلى المادة الداعمة.
في عملية Jal التقليدية oda conventional transfer كان الأمر مهدر للوقت وللعمالة معا مع استهلاك المواد الكيميائية consumption of chemicals وما شابه؛ وكانت الانتاجية منخفضة. فضلا عن ذلك؛ في عملية تكوين forming أو إزالة طلاء removing a coating على سطح طبقة من الجرافين ayer of graphene وكسح أو الفصل detaching باستخدام ركيزة سيليكون أو ما شابه؛ تم إتلاف الجرافين الرقيق thin graphene لأقصى حد في بعض الأحيان. تكشضف البراءة اليابانية رقم 2013/536077 بصورة تقليدية؛ من أجل تكوين ثقوب تمرير الماء في الجرافين» تم تنفيذ طريقة للتدفئة في الهواء عند درجة حرارة عالية تتراوح من حوالي 300 إلى 0 درجة مئوية؛ أو في غاز مختلط من الأكسجين والغاز الخامل النيتروجين nitrogen الآرجون cargon الهيليوم helium أو ما شابه ؛ مع ذلك؛ في هذه الطريقة؛ لا يتم فقط تكسير 0 المقاوم الغشائي الحامل للجرافين بالحرارة؛ ولكن أيضا dam لتخريم الثقب بواسطة تفاعل Glin) الجرافيت reaction of graphite كان من الصعب التحكم في التفاعل؛ وكانت أحجام ثقوب تمرير الماء التي يتم تكوينها في الجرافين أيضا غير متساوية؛ بناء عليه؛ كانت هذه الطريقة غير مناسبة للاستخدام لجسم مرشح مقولب يحتاج إلى ثقوب منتظمة passage holes لتمرير الماء. فضلا عن ذلك؛ يعمل رماد مادة داعمة Jie راتنج وما شابه مكون أثناء الاحتراق على تلوث 5 الجرافين؛ وفي بعض الأحيان يتلف أداء جسم المرشح المقولب. بالإضافة إلى cally كان هناك أيضا مرشح انتقائي للحديد بامستخدام أنبوب بحجم النانو 07 من الكريون carbon ¢ كما هو موصوف في طلب البراءة اليابانية رقم 4 أو قرن بحجم النانو من الكربون ؛ كما هو موصوف في الطلب الدولي رقم 7 بخلاف الجرافين فيما بعد؛ يتم اختصار القرن بحجم النانو من الكربون ذو 0 الجدار الفردي single-walled carbon nanohorn المسماه فيما بعد ب 11ل1//ا5. كطريقة أخرى لتكوين ثقوب تمرير الماء في المادة بحجم النانو من الكريون؛ توجد طريقة يتم فيها ربط نيترات Nitrate بمادة بحجم النانو من الكربون كقياس إمداد أكسجين 0*7/9617؛ وبتم تكوين الثقوب بواسطة التسخين في الوسط المفرغ أو الغاز الخامل عند 300 درجة مئوية كما هو موصوف في طلب البراءة اليابانية رقم 2009/073727.
وكما جاء للمخترع JINGWEID BAI « واخرون ؛ " شبكة نانوية للجرافين " تكنولوجيا النانو الطبيعية 1 مجموعنة النفشر عن الطبيعة لندن جي بي .5 » دي او أي : 10.1038 / 2010.8. « 1748 - 3387 « ) 20100301( « صفحات 194-190 » )20100214( « إكس بى 002698184 ٠ © حيث يتم وصف إنتاج بنية نانوية جديدة للجرافين new graphene nanostructure 5 - والتي نطلق عليها اسم شبكة نانوية للجرافين graphene nanomesh -
والتي يمكنها فتح فجوة نطاق 5800980 في لوح كبير من الجرافين لإنشاء غلاف رقيق شبه موصل. يتم تحضير الشبكات النانوية nanomeshes للجرافين باستخدام طباعة حجرية لكتلة بوليمر copolymer lithography مشترك (Sag أن تكون فى دوريات متغيرة وعرض عنق منخفض يصل إلى 5 نانومتر NM
0 يصف الطلب الدولي 2008059973 طريقة تشكيل مسام في sale نانوية لكريبون جرافيتي» Cus (Sa تركيز معدل تكوين المسام في جدار المادة النانوية للكريون الجرافيتي ويمكن زيادة كمية من مجموعة تحتوي على الأكسجين»؛ وبخاصة الكريوكسيى 0810077 المراد إدخالها بشكل كبير. كما يتم توفير طريقة إدخال مجموعة تحتوي على الأكسجين في المسام pores الوصف العام للاختراع
المشكلة الفنية : تم إجراء الاختراع الحالى لحل المشكلات المذكورة أعلاه؛ Jiang أحد أهداف مطلوب بواسطة عملية بسيطة. حل المشكلة : فيما can سيتم وصف حل الأهداف المذكورة أعلاه في الاختراع الحالي. يتمثل جانب أول من الاختراع الحالي في طريقة لإنتاج جسم مرشح مقولب به طبقة من الجرافين
0 كوسط مرشح filter medium تتضمن الخطوات التالية: تكوين طبقة من sale داعمة على سطح الجرافيت of the graphite 5011866؛ تكوين ثقوب تمرير الماء للمادة الداعمة في طبقة المادة الداعمة؛ تقضير peeling طبقة المادة الداعمة من الجرافيت فى حالة ريط طبقة الجرافين على سطح الجرافيت بطبقة المادة الداعمة؛ وتقييد طبقة الجرافين بواسطة التسخين عند درجة حرارة
منخفضة لفترة زمنية محددة مسبقا في الهواء الحامل للأكسجين عند درجة تتراوح من 160 إلى 0 درجة مئوية وتكوين ثقوب تمرير الماء في الجرافين. في الاختراع الحالي» قبل aang كل خطوة؛ لا يقتصر ترتيب الخطوات على ترتيب أوصاف الخطوات. بالتبعية؛ يتم تقشضير طبقة المادة الداعمة وطبقة الجرافين من الجرافيت ؛ ويعد ذلك يمكن تكوين تقوب تمرير الماء للمادة الداعمة فى طبقة المادة الداعمة. فضلا عن ذلك يتم تكوين تقوب تمرير الماء للمادة الداعمة مقدما فى طبقة المادة الداعمة؛ xg ذلك يتم ربط المادة الداعمة بالجرافيت؛ ويمكن تكوين طبقة المادة الداعمة على سطح الجرافيت. في جانب GB من الاختراع الحالي؛ تكون المادة الداعمة عبارة عن مقاوم ضوء من نوع سالب type photoresist ©169817/6؛ وخطوة تكوين ثقوب تمرير الماء للمادة الداعمة فى طبقة المادة
0 الداعمة تتضصمن خطوة كف جزءٍ بخلاف هذا gyal لتكوين ثقوب تمرير الماء للمادة الداعمة لمقاوم الضوء. في جانب ثالث من الاختراع الحالي؛ يتم إجراء خطوة تقييد طبقة الجرافين بواسطة التسخين عند درجة حرارة منخفضة وتكوين ثقوب تمرير الماء في الجرافين في الهواء الحامل للأكسجين عند درجة تتراوح من 200 إلى 250 درجة asia
5 يتمثل جانب رابع من الاختراع الحالي في طريقة لإنتاج جسم مرشح مقولب به طبقة من الجرافين وسط مرشح؛ تتضمن الخطوات التالية: تكوين ثقوب تمرير الماء في الجرافين في طبقة من الجرافين على سطح الجرافيت tsurface of graphite تكوين طبقة من مادة داعمة على سطح توجد عليه طبقة الجرافين فى الجرافيت؛ تكوين ثقوب تمرير الماء للمادة الداعمة فى طبقة المادة الداعمة؛ وتقشير طبقة المادة الداعمة من الجرافيت في Alla ربط طبقة الجرافين بطبقة المادة الداعمة.
0 في الاختراع الحالي؛ (Se استبدال خطوة تكوين ثقوب تمرير الماء للمادة الداعمة في طبقة من مادة داعمة بخطوة أخرى بواسطة تغيير الترتيب قبل وبعد الخطوة. بالتبعية؛ يتم تقشير طبقة المادة الداعمة وطبقة الجرافين من الجرافيت dag ذلك يمكن تكوين تقوب تمرير الماء للمادة الداعمة فى طبقة المادة الداعمة. فضلا عن EI يتم تكوين تقوب تمرير الماء للمادة الداعمة مقدما فى طبقة
المادة الداعمة؛ ويعد ذلك يتم ريط المادة الداعمة بالجرافيت؛ ويمكن تكوين طبقة المادة الداعمة على سطح الجرافيت. الآثار المفيدة للاختراع : وفقا لجانب أول من الاختراع الحالي؛ يتم تكوين طبقة من مادة داعمة على سطح الجرافيت؛ يتم تقشير المادة الداعمة من الجرافيت في حالة ربط طبقة الجرافين على سطح الجرافيت بطبقة المادة الداعمة؛ نتيجة لذلك يمكن تكوين طبقة الجرافين بسهولة على المادة الداعمة بدون الحاجة إلى أية خطوات Jie الاستنساخ transcription بالإضافة إلى ذلك» بواسطة تقييد طبقة الجرافين بواسطة التسخين عند درجة حرارة منخفضة لفترة زمنية محددة مسبقا في الهواء الحامل للأكسجين عند درجة تتراوح من 160 إلى 250 درجة مئوية وتكوين ثقوب تمرير الماء في الجرافين»؛ يصبح التفاعل reaction معتدل ويصبح التحكم سهلء 0 ويمكن تكوين الثقوب التي بها حجم مطلوب بانتظام في الجرافين بواسطة التحكم في طول زمن التسخين. فضلا عن «dll بواسطة تسخين الجرافين عند درجة حرارة منخفضة؛ يمكن منع تلف المادة الداعمة؛ بناء cle يمكن أيضا منع اتساخ الجرافين. وفقا لجانب ob من الاختراع الحالي؛ تكون المادة الداعمة SUPPOIt عبارة عن مقاوم ضوءء من نوع cll بواسطة تضمين خطوة كشف أحد الأجزاء بخلاف الجزءِ الخاص بتكوين ثقوب تمرير الماء 5 للمادة الداعمة لمقاوم الضوءٍ في خطوة تكوين ثقوب تمرير الماء للمادة الداعمة في طبقة المادة الداعمة؛ يمكن تكوين جسم مرشح مقولب بدون المرور من خلال عملية نقل تسبب تلف الجرافين. فضلا عن cll) بواسطة استخدام تقنية الطباعة الحجرية الضوتية technique of photolithography لا يتم معها كف فقط part gyal الذي يتم فيه تكوين ثقوب تمرير الماء للمادة الداعمة؛ يمكن التحكم في حجم وشكل ثقوب تمرير الماء للمادة الداعمة التي يتم تكوينها في 0 مقاوم بالتفصيل (detail بهذه الطريقة؛ بينما تتم زيادة المقاومة كمادة داعمة؛ يمكن تكوين ثقوب تمرير الماء للمادة الداعمة التي لها درجة ذات تأثير ضئيل little influence على قدرة الجرافين كمرشح في مقاوم غشائي film resist وفقا لجانب ثالث من الاختراع الحالي» بواسطة تنفيذ خطوة تقييد طبقة الجرافين بواسطة التسخين عند درجة حرارة منخفضة وتكوين ثقوب تمرير الماء في الجرافين» في الهواء الحامل للأكسجين
عند درجة تتراوح من 200 إلى 250 درجة مئوية؛ يمكن تكوين ثقوب تمرير الماء في الجرافين بدرجة موثوقة في الجرافين في فترة زمنية قصيرة نسبيا ٠ وفقا لجانتب رابع من f لاختراع الحالي 3 بواسطة تكوين طبقة من مادة داعمة على سطح توجد عليه طبقة الجرافين في الجرافيت؛ وتقشير طبقة المادة الداعمة من الجرافيت في Alls ربط طبقة الجرافين بطبقة المادة الداعمة؛ يمكن تكوين طبقة الجرافين بسهولة على المادة الداعمة بدون الحاجة إلى أية خطوة مثل الاستنساخ . فضلا عن ذلك»؛ بواسطة تكوين تقوب تمرير الماء في الجرافين في طبقة من الجرافين على سطح الجرافيت ويعد ذلك ربط الطبقة الناتجة بمادة داعمة؛ بواسطة تقشضير طبقة المادة الداعمة من الجرافيت في حالة ريط طبقة الجرافين بطبقة المادة الداعمة؛ يمكن جسم مرشح مقولب به ثقوب تمرير الماء في الجرافين بسهولة. شرح مختصر للرسومات الشكل 1 عبارة عن رسمة تبين طريقة (خطوات) لإنتاج جسم مرشح مقولب وفقا للنموذج الأول من الاختراع الحالي» (أ) عبارة عن مسقط مستوي plan view و(ب) عبارة عن مسقط قطاعي view ا5601008. فضلا عن ذلك؛ يتم توضيح أنها (1) تكون في وقت البدء «start time )2( 5 تكون في وقت ربط الجرافيت graphite ومقاوم غشائي «film resist (3) تكون في وقت كشف time of exposure المقاوم الغخنائي film resist (4) تكون في وقت إظهار time of development المقاوم الغضائي film resist (5) تكون في وقت تقشير time of peeling المقاوم الغضنائي film resist والجرافين graphene من الجرافيت graphite ؛ و(6) تكون في وقت تكوين ثقوب فى الجرافين .time of forming holes in the graphene الشكل 2 عبارة عن رسمة تبين طريقة (خطوات ( لإنتا ج جسم مرشح مقولب lad للنموذ z الثاني من f لاختراع الحالي؛ 0 عبارة عن مسقط مستوي 3 و(ب) عبارة عن مسقط قطاعي . Mad عن ذلك يتم توضيح أنها )1( تكون في وقت cod) )2( تكون في وقت تغليف دوامي لمقاوم سائل؛ )3( تكون في وقت كشف الطبقة المقاومة؛ (4) تكون في وقت إظهار الطبقة المقاومة؛ (5) تكون في
وقت تقشير الطبقة المقاومة والجرافين من الجرافيت؛ 5 )6( تكون في وقت تكوين ثقوب في الجرافين. الشكل 3 عبارة عن رسمة تبين طريقة (خطوات) لإنتاج جسم مرشح مقولب وفقا للنموذج الثالث من f لاختراع الحالى 3 0 عبارة عن مسقط مستوي 3 و(ب) عبارة عن مسقط قطاعى . Mad عن ذلك يتم توضيح أنها )1( تكون في وقت تكوين ثقوب في الجرافيت؛ )2( 5 )3( تكون في وقت ربط الجرافيت ومقاوم (SLE (4) تكون في وقت كشف الطبقة المقاومة؛ (5) تكون في وقت إظهار الطبقة المقاومة؛ و(6) تكون في وقت تقشير المقاوم الغشائي والجرافين من الجرافيت. الشكل 4 عبارة عن رسومات بيانية تبين نتائج اختبار قياس امتزاز النيتروجين measurement SWNH _1the nitrogen adsorption فى بنية جرافين «graphene structure 0 عبارة عن رسم بياني يبين نتائج الاختبار باستخدام ال SWNH المعالج عند 250 درجة مئوية؛ و(ب) عبارة عن رسم بياني يبين نتائج الاختبار باستخدام ال SWNH المعالج عند 200 درجة مئوية. الشكل 5 عبارة عن رسم بياني يبين نتائج اختبار قياس امتزاز النيتروجين ل SWNH المعالج عند 80 1 درجة مثوية. الشكل 6 عبارة عن رسومات بيانية تبين نتائج اختبار قياس كل كمية للأيونات التي تخترق الثقوب 5 المكونة فى انل SWNH ١ 0 عبارة عن رسم بياني يبين نتائج الاختبار باستخدام ال SWNH المعالج عند 250 درجة مئوية؛ و(ب) Ble عن رسم بياني يبين نتائج الاختبار بامستخدام ال SWNH المعالج عند 200 درجة مئوية. J 7 عبارة عن رسم بياني يبين نتائج اختبار قياس كل كمية للأيونات التي تخترق الثقوب المكونة في اذ SWNH يقارن كل درجة حرارة تم عندها تسخين ال SWNH 20 الشكل 8 عبارة عن رسمة توضيحية تبين استخد ام طريقة خاصة بجسم مرشح مقولب ad للنموذ z من الاختراع الحالي. Ble 9 JS عن رسم بياني يبين نتائج اختبار قياس كل كمية للأيونات التي تخترق الثقوب المكونة في الجرافين» يقارن كل درجة حرارة تم عندها تسخين الجرافين.
الوصف التفصيلي: Lad بعد؛ سيتم وصف طريقة لإنتاج جسم مرشح مقولب وفقا للنموذج الأول من الاختراع الحالي. في جسم المرشح المقولب؛ يُستخدم الجرافين كمرشح. فى ١ لاختراع الحالى ؛ يتم تكوين طبقة من مادة داعمة على سطح الجرافيت 1 ؛ pg تقشضير المادة الداعمة من الجرافيت 1 في حالة ريط طبقة الجرافين على سطح الجرافيت 1 بطبقة المادة الداعمة؛ نتيجة لذلك يتم تكوين طبقة من الجرافين على سطح المادة الداعمة. باعتباره جرافيت 1؛ يكون من المفضل تحضير الجرافيت graphite بدرجة تبلور مفضلة favorable crystallinity على سبيل المثال» يمكن استخدام الجرافيت متحلل حراريا المتجه بدرجة عالية highly (HOPG oriented pyrolytic graphite 0 أو الجرافيت الجامد .kish graphite فى هذا التموذج؛ يتم تحضير 1 سم2 من HOPG له سمك 1 (ae يتم لصق days لاصق شفاف اعلامة تجارية مسجلة؛ مُصلْع بواسطة شركة alg 3M تقشيره ؛ يتم تقشير السطح القاعدي basal Jig surface إعداد السطح النظيف clean surface من أجل كشفه. على النحو المبين في الشكل 1(1)؛ يُستخدم مقاوم غشائي film resist 3 مصنوع من مقاوم 5 الضوء photoresist كمادة dls لتقييد الجرافين في جسم المرشح المقولب. يكون الأداء المطلوب لمقاوم الضوءٍ المستخدم هنا ثابت بدرجة تكفى لاستخدامه كمادة حاملة؛ تكون عبارة عن مقاوم ضوء من نوع سالب يتم خفض قابلية ذويانه solubility في مظهر بالكشف؛ وعبارة عن راتنج 7650 له مقاومة عالية للحرارة high heat resistance ؛ Jie بولي ايميد «polyimide أو راتنج إيبوكسي .epOXy resin في هذا النموذج» باعتباره مقاوم لحام مصنوع resist 50106 من راتنج إيبوكسي؛ يتم استخدام مقاوم غشائي film resist يسمى ب "487110" مُصِنْع بواسطة Hitachi Chemical Co., .ا يتم استخدامه لغشاء عازل من لوحة مطبوعة printed board أو ما شابه.
— 1 0 —
يكون RAYTEC عبارة عن مقاوم غشائي به بنية ثلاثية الطبقات three-layer structure من
طبقة واقية protective layer 4« طبقة مقاومة resist layer 5 وطبقة مادة حاملة support
layer 6. تكون الطبقة المقاومة 5 عبارة عن طبقة مكونة من مقاوم لحام مصنوع من راتنج
إيبوكسي . يتم تكوين الطبقة المادة الحاملة 6 على سطح واحد للطبقة المقاومة 5 ويحمي الطبقة
5 المقاومة 5 . يتم ربط الطبقة الواقية 4 بالمسطح ا AY للطبقة المقاومة 5 وتلعب دور فى حماية
الطبقة المقاومة 5 لحين ربط الطبقة المقاومة 5 بالجرافيت 1. يمكن تقشضير كل من الطبقة الواقية
4 والطبقة المادة الحاملة 6 من الطبقة المقاومة 5 بواسطة الالتقاط باليد.
يكون المقاوم الغشائي الأكثر سمكا 3 أسهل في الاستخدام كمرشح. بناء عليه؛ يكون من المفضل
استخدامه كمقاوم غشائي سميك قدر الإمكان . في هذا النموذج؛ يُستخدم RAYTEC نموذج رقم : FZ-2730GA 0 له سمك غشاء يبلغ 30 ميكرومتر UM
على النحو المبين في الشكل 2(1)؛ من أجل تكوين جسم مرشح مقولب»؛ Vol يتم ريط مقاوم
غشائي 3 بسطح نظيف من سطح قاعدي للجرافيت 1.
من أجل إزالة الهواء بين المقاوم الغضنائي 3 والجرافيت 1 وربط المقاوم الغضائي 3 والجرافيت 1
ببعضهما البعض بثبات بالضغط تُستخدم أداة تصفيح وسط مفرغ للريط. على سبيل JEL 5 تُتخدم أداة تصفيح لمعالجة شبه موصل؛ مثل MVLP-600 مُصنّع بواسطة MEIKI Co.,
laminator for في الغالب بصورة مناسبة؛ ولكن أداة تصفيح للاستخدام المنزلي Ltd.
simple type laminator أو يمكن استخدام أداة تصفيح من نوع بسيط domestic use
يتم تقشير الطبقة الواقية 4 للمقاوم الغشائي 3 call توضع الطبقة المقاومة 5 على السطح النظيف
للجرافيت 1 من أجل أن تكون في تلامس قريب مع السطح النظيف؛ ويتم وضعها في غشاء أداة 0 تصفيح؛ Sg ربط غشاء أداة التصفيح بضغط الوسط المفرغ لمدة 20 ثانية عند -50 كيلو باسكال
باستخدام أداة تصفيح وسط مفرغ.
.3 من أجل منع كشف المقاوم الغشائي yellow room هذه الخطوة في غرفة صفراء 2a
يلي ذلك»؛ يتم إخراج الجرافيت 1 والمقاوم الغشائي 3 من غشاء أداة التصفيح؛ وزيادة ضغطه عند
4 ميجا باسكال أثناء التسخين لمدة 40 ثانية على لوح تسخين تم تسخينه إلى 80 درجة (gia
— 1 1 —
ويعد ذلك يتم السماح بتبريده cool natural بشكل طبيعي إلى درجة حرارة الغرفة. في هذه
الخطوة؛ ترتبط الطبقة المقاومة 5 بالجرافيت 1.
بعد ذلك؛ يتم ترك المادة الناتجة the resultant matter تستقر عند 25 درجة مئوية لمدة 15
دقيقة. بواسطة تصلب المقاوم الغشائي setting the film 3 (الطبقة المقاومة 5) هناء يمكن تنفيذ
الكشف الموصوف لاحقا بانتظام.
يتم أيضا تنفيذ هذه الخطوات في غرفة صفراء من أجل منع كشف المقاوم الغشائي 3.
يلي ذلك؛ على النحو المبين في الشكل 3(1)؛ بواسطة كشف المقاوم الغشائي 3؛ يتم تثبيت الطبقة
المقاومة 5 للمقاوم الغشائي 3 من أجل عدم إذابتها في مذيب solvent .
في خطوة الكشف؛ يتم chal الإشعاع irradiation عند 180 ملي/جول2 باستخدام وسيلة تدرج stepper 0 على الخط-اً باستخدام مصباح زثبقي ذو ضغط high-pressure mercury le
: على سبيل المثال؛ يمكن استخدام 740-2031 مُصِنْع بواسطة lamp
.ORC MANUFACTURING CO., LTD.
بالإضافة إلى ذلك» في نفس الوقت؛ بواسطة تغطية جزء من السطح المقاوم الغشائي 3 بالكروم
0 ملا يتم كشف الجزء المغطى بالقناع وإزالته بواسطة عملية الإظهار الموصوفة aay 5 1 بناء عليه؛ يمكن تكوين ثقوب تمرير الماء للمادة الحاملة في المقاوم الغشائي 3
على سبيل المثال»؛ يتم وضع مواد دائرية circular chromes مطلية ag SIL كل منها لها قطر deft والأيسر dower والسفلى upper يبلغ 500 ميكرومتر على الجزء العلوي diameter
والأيمن ight بحيث يكون المسافة بين مراكز المواد الدائرية المطلية بالكروم خطوة تبلغ 1000
ميكرومتر؛ وبتم تكوين فجوة 980 تبلغ 500 ميكرومتر على الأقل بين المواد الدائرية المطلية 0 بالكروم (انظر الشكل 4()(1)).
بعد الكشف؛ يتم ترك الغرض المكشوف حتى يستقر عند 25 درجة مئوية لحوالي 30 دقيقة.
يلي ذلك؛ يتم تقشير الطبقة المادة الحاملة 6 للمقاوم الغشائي 3 باليد لكشف الطبقة المقاومة 5.
— 2 1 — يتم أيضا تنفيذ هذه الخطوات في غرفة صفراء من أجل منع الكشف غير اللازم للمقاوم الغشائي 3 يلي ذلك؛ على النحو المبين في الشكل 4(1)؛ يتم إظهار المقاوم الغشائي 3. بواسطة استخدام 71 محلول Sle من كريونات الصوديوم sodium carbonate عند 30 درجة digi باعتباره محلول الإظهار developing solution ؛ يتم إجراء عملية الإظهار لمدة 80 ثانية عند ضغط رش spray pressure يبلغ 0.16 ميجا JIC ul بعد عملية الإظهار ؛ يتم تكرار عملية الغسل cla فائق النقاوة ultra—pure water لمدة 80 ثانية عند 0.12 ميجا JE wb ضغط رش ثلاث مرات. في خطوة الإظهار؛ على سبيل المثال؛ يمكن استخدام جهاز إظهار developing device من نوع dallas رقاقة فردي الى fully automatic single wafer processing type بالكامل 0 مُصنْع بواسطة TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. . بهذه الطريقة؛ يتم كسح الجزءٍ المغطى في وقت عملية الإظهار في الطبقة المقاومة 5 للمقاوم الغشائى 3 alg تكوين تقوب تمرير الماء للمادة الحاملة. يتم أيضا تنفيذ هذه الخطوات في غرفة صفراء من أجل منع كشف المقاوم الغشائي 3. بدلا من تكوين ثقوب تمرير الماء للمادة الحاملة فى الطبقة المقاومة 5 بواسطة هذه الطباعة الحجرية الضوئية؛ يتم تخريم تقوب تمرير الماء للمادة الحاملة مقدما في المقاوم الغشائي 3 (الطبقة المقاومة 5) عند مرحلة تحضير المقاوم الغضنائي 3؛ ويعد ذلك يمكن ربط المقاوم الغضنائي 3 بالجرافيت 1. كطريقة لتخريم ثقوب تمرير الماء للمادة الحاملة مقدما في المقاوم الغخنائي 3؛ يمكن استخدام طريقة تستخدم مثقب خزعة biopsy trepan أو ما شابه. 0 .يلي ذلك؛ يوضع الجرافيت 1 والمقاوم ALS 3 في فرن نظيف clean oven عند 160 درجة مئوية مقدما ونُسخن لمدة 1 ساعة. بواسطة خطوة التسخين هذه؛ تتقدم بلمرة الطبقة المقاومة 5؛ يتم علاج المقاوم الغشائي 3 وبتم تثبيته كيميائيا .chemically stabilized
— 3 1 — بعد ذلك؛ على النحو المبين في الشكل 5(1)؛ يتم تقشضير المقاوم Al dal 3 من الجرافيت 1 بواسطة استخدام tweezers Lidl في نفس الوقت؛ يتم تقشير طبقة الجرافين 2 التي يتم ريطها بسطح الطبقة المقاومة 5 من الجرافيت 1 معا إلى جانب الطبقة المقاومة 5.
حيث يمكن أن تكون هناك حالة يتم فيها تصفح طبقة الجرافين 2 مرتبطة بالطبقة المقاومة 5 بسمك مرغوب فيه أو سمك أكبر 3 يتم تكرار لصق شريط لاصق شفاف علامة تجارية مسجلة الحاجة. يمكن تقشير الجرافين شيئا فشيئا في spn لصق وتقشير شريط لاصق شفاف؛ بناء عليه؛ يمكن ضبط طبقة الجرافين 2 إلى السمك المطلوب.
0 يمكن إقرار سمك طبقة الجرافين 2 باعتباره تفاوت اللون بواسطة مجهر بصري؛ بناء عليه؛ يمكن ضبط السمك أثناء التحقق من السمك. بالتالي حيث يتم الحصول على طبقة الجرافين 2؛ تكون طبقة فردية مرغوية؛ ولكن يمكن أن تكون عدة طبقات مقبولة. بهذه الطريقة» لا تقتصر خطوة تقشير الطبقة المقاومة 3 والجرافين 2 المرتبط بالطبقة المقاومة 5 من الجرافيت 1 على هذه النقطة الزمنية. على سبيل المثال» يمكن تقشير الطبقة المقاومة 5 من الجرافيت 1 قبل كشف الطبقة المقاومة 5 بعد ربط المقاوم SLSR 3 بالجرافيت 1. فضلا عن ذلك؛ بعد كشف الطبقة المقاومة 5؛ يمكن تقشير الطبقة المقاومة 5 من الجرافيت 1 قبل عملية الإظهار. علاوة على ذلك؛ يعد إظهار الطبقة المقاومة 5 3 يمكن تقشير الطبقة المقاومة 5 من الجرافيت 1 قبل التسخين عند 60 1 درجة مثوية لمدة 1 ساعة. يلي ذلك؛ على النحو المبين في الشكل 6(1)؛ يتم تكوين ثقوب تمرير الماء في الجرافين للسماح للماء بالمرور من خلال الجرافين 2. تكون ثقوب تمرير الماء في الجرافين هذه مطلوبة ليكون لها
— 4 1 — حجم يمكن السماح بمرور الماء من خلاله؛ ولكن لا يمكن السماح بمرور الشوائب والأيونات impurities and ions من خلاله. يتم اختراق تخريم الثقب بواسطة التسخين لفترة زمنية محددة مسبقا في الهواء عند 160 إلى 250 درجة مثوية. فى المواصفة الحالية؛ لا يقتصر التعبير 'فى الهواء the air 0" على غاز مختلط mixed gas من حوالي 720 اوكسجين وحوالي 780 نتروجين. لا يتم تقييد الغازات الأخرى المتضمنة other Wil contained gases are أنه يتم تضمين 71 أو أكثر من اوكسجين ¢ وبتم قبول غاز مختلط يحتوي على غاز نادر rare gas وغازات gal على نطاق واسع. بصورة تقليدية » تم أيضا اعتبار أنه لا يتم إجراء تخريم الجرافين 2 عند درجة حرارة منخفضة تبلغ 0 أقل من 300 درجة Asie مع ذلك؛ لا يتم تكسير المقاوم الغشائي 3 عند درجة حرارة منخفضة تتراوح من 160 إلى 250 درجة مثوية؛ ويفتح الثقب تدريجيا ببطء في الجرافين 2 وينتشر؛ بناء عليه؛ بناء على طول زمن التسخين ‘ يتم التحكم في حجم تقب تمرير الماء في الجرافين . بالإضافة إلى ذلك»؛ عندما يتم فتحتثقوب تمرير الماء في الجرافين في الهواء عند ما يتراوح من 200 إلى 250 درجة مثوية؛ لا يتم 5 تتكوين الرماد؛ sly عليه؛ يمكن فتح ثقوب تمرير الماء في الجرافين بينما يتم الحفاظ على المسطح النظيف. عندما تكون درجة الحرارة أقل من 160 درجة مئوية؛ لا يمكن تكوين ثقوب تقريبا في الجرافين 2 حتى إذا تم إجراء عملية التسخين لفترة زمنية طويلة. فضالا عن ذلك»؛ عندما تبلغ درجة الحرارة 250 درجة Lge أو أكثر ؛» يصبح التفاعل سريع؛ وبصعب التحكم فى الثقب بالحجم المطلوب»؛ وتصبح أحجام الثقوب غير منتظمة. علاوة على ذلك؛ يُفضل ضبط درجة الحرارة للتسخين عند درجة حرارة متخفضة تسخين من 200 إلى 250 درجة مئوية تحديدا.
— 5 1 — على سبيل المثال» عندما يتم وضع الجرافين 2 في الهواء عند 200 درجة Lge لمدة 20 ساعة لتكوين ثقوب تمرير الماء في Chall يمكن أن يزيل جسم المرشح المقولب الناتج بهذه الطريقة الملح (salt ماء sea water al الإنتاج الماء العذب fresh water بالإضافة إلى ذلك؛ يُشار إلى التعبير 'فترة زمنية محددة مسبقا" باعتباره الزمن اللازم للقيام بعملية تكوين ثقوب تمرير الماء في الجرافين 2 في حالة الحفاظ على الجو عند ما يتراوح من 160 إلى 250 درجة مثوية. بالإضافة إلى ذلك؛ كمادة حاملة؛ يُستخدم المقاوم الغشائي 3 في المثال الموصوف أعلاه؛ ولكن يمكن استخدام أية مادة طالما أن المادة لا تؤثر على المعالجة بالتسخين عند درجة حرارة منخفضة للجرافين 2 ويمكن أن تدعم الجرافين 2 كمرشح. على سبيل المثال» الراتنج أو المواد الأخرى التي 0 لها قابلية التصاق بالجرافين 2 كمادة حاملة؛ أو الراتنج أو المواد الحاملة الأخرى (Kang استخدام مادة لاصقة ذات حساسية للضغط مقاومة للحرارة فى توليفة أو ما شابه. على النحو المبين في الشكل 8؛ بالتالي يمكن استخدام جسم المرشح المقولب الناتج كمرشح لجهاز تنقية ماء يستخدم مرشح غشاء. على سبيل المثال؛ يتم قطع جسم المرشح المقولب إلى شكلي دائري قطره 1.27 سنتمتر باستخدام 5 مثقب حرفي pial بواسطة «Carl Jimuki Co., Ltd. أو ما شابه. يتم ربط جسم المرشضح المقولب بالجانب الأسفل لمرشضح غشاء قطره 1.27 ستتمتر؛ مع اتجاه الطبقة المقاومة 5 لجسم المرشضح المقولب هذا إلى الجانب في الأعلى؛ ومع اتجاه طبقة الجرافين 2 إلى الجانب الأسفل؛ ودتم وضعه على حامل مرشح غشاء 7. كما هو الحال مع مرشح الغشاء «the membrane filter على سبيل المثال؛ يمكن استخدام "Isopore 6110 0 الذي له قطر مسام يبلغ 0.2 ميكرومتر ؛ مُصِنْع بواسطة (Merck KGaA الذي يكون عبارة عن مرشح غشاء بولي كريونات .polycarbonate membrane كما هو الحال مع حامل مرشح the membrane filter (Lali 7( على سبيل المثال» يمكن استخدام 5104/1076" مُصِنّْع بواسطة Merck KGaA
— 1 6 —
من أجل ترشيح محلول filtering the solution باستخدام جهاز تنقية الماء such a water
purification device ؛ يتم وضع محلول مثل ماء البحر water 568 يتم ترشيحه في محقنة
syringe 8« وبتم توصيل المحقنة 8 بحامل مرشح الغشاء 7« بواسطة دفع المحقنة 8 وترشيح
المحلول filtering the solution ويمكن الحصول على الماء الذي يتم منه إزالة الشوائب
.can be obtained والأيونات 5
في النموذج الأول» بواسطة تقييد الجرافين 2 بواسطة التسخين عند درجة حرارة منخفضة لفترة زمنية
محددة ue في الهواء الحامل للأك._جين عند درجة تتراوح من 160 إلى 250 درجة مثوية ¢
وتكوين ثقوب تمرير الماء في الجرافين» يصبح التفاعل معتدل ويصبح التحكم سهل؛ ويمكن تكوين
dl التي بها حجم مطلوب بانتظام في الجرافين 2 بواسطة التحكم في طول زمن التسخين. 0 فضلا عن cell بواسطة تسخين الجرافين 2 عند درجة حرارة منخفضة؛ يمكن منع تلف المادة
الحاملة؛ بناء عليه؛ يمكن أيضا منع اتساخ الجرافين 2.
بالإضافة إلى ذلك؛ باعتبارها المادة الحاملة؛ بواسطة ربط مقاوم غشائي 3 مصنوع من مقاوم ضوء
من نوع سالب بالجرافين 2؛ يمكن تكوين جسم مرشح مقولب بدون المرور من خلال عملية نقل
تسبب تلف الجرافين 2.
oda يتم فيه تكوين ثقوب تمرير الماء للمادة الحاملة في المقاوم الغخنائي 3؛ ويتم كشف الجزء
الآخرء يمكن التحكم في حجم وشكل ثقوب تمرير الماء للمادة الحاملة التي يتم تكوينها في المقاوم
ALS) 3 بالتفصيل. بهذه الطريقة؛ بينما تتم زيادة المقاومة كمادة حاملة؛ يمكن تكوين ثقوب
تمرير الماء للمادة الحاملة al لها درجة ذات تأثير Jb ua على قدرة الجرافين 2 كمرشح في 0 المقاوم الغشائي 3.
النموذج الثاني :
النموذج الأول؛ يتم تغليف مقاوم سائل من نوع سالب بالتدويم على سطح الجرافيت 1 لتكوين طبقة
مقاومة 5 في النموذج الثاني.
— 7 1 — فضلا عن ذلك؛ في النموذج الثاني أيضاء يتم تحضير الجرافيت 1 المشابه لذلك المذكور في النموذج الأول؛ ang كشف السطح النظيف باستخدام شربط لاصق شفاف. في النموذج glo AGH على النحو المبين في الشكل 2(2)؛ يتم تكوين طبقة مقاومة 5 على السطح النظيف للجرافيت 1. يكون من المرغوب أن يتمتع المقاوم بنفس الأداء مثل ذلك الخاص بالنموذج الأول باستثناء أن
يكون مقاوم سائل. كما هو الحال Jie مقاوم سائل resist لوأناوااء يتم استخدام 8-لا5 3050 % مُصنْع بواسطة «MicroChem Corp. يكون عبارة عن راتنج أساسه ايبوكسى .epoxy—based resin باستخدام مغطي دوامي SPIN coater مقاوم سائل يتم تغليف بالتدويم عند 3000 دورة في
0 الدقيقة لمدة 20 ثانية لتكوين طبقة مقاومة 5 ذات claw 50 ميكرومتر على الجرافيت 1. بعد التغليف الدوامي spin coating يتم إجراء التجفيف اللين عند 95 درجة مثئوية لمدة 20 دقيقة باستخدام لوح تسخين لعلاج الطبقة المقاومة 5 . يتم تنفيذ هذه الخطوات في غرفة صفراء من أجل منع كشف الطبقة المقاومة 5. يلي ذلك؛ على النحو المبين في الشكل 2 (3)؛ يتم كشف الطبقة المقاومة 5 وتثبيتها.
5 تتم معالجة الطبقة المقاومة 5 بالإشعاع عند 200 ملي/جول2 باستخدام وسيلة تدرج على الخط- أ ai ax EXP-2031) بواسطة (ORC MANUFACTURING CO., LTD. باستخدام مصباح زثبقي ذو ضغط -high—pressure mercury lamp Je بالطريقة المشابهة كما في النموذج الأول» بواسطة تغطية جزءِ من سطح الطبقة المقاومة 5 بالكروم «chromium يتم تكوين ثقوب تمرير الماء للمادة الحاملة (انظر الشكل 4()(2)).
0 بعد cca SSH يتم التجفيف اللين للغرض المكشوف عند 65 درجة مئوية لحوالي 5 دقائق. في نفس الوقت؛ تتم بلمرة الراتنج؛ ولا تتم إذابة الجزء المكشوف حتى عند إظهاره. يتم أيضا تنفيذ هذه الخطوات في غرفة صفراء من أجل منع الكشف غير اللازم للطبقة المقاومة 5.
— 1 8 —
بعد الكشخف» يتم ترك الغرض المكشوف the exposed matter حتى يستقر عند 25 درجة
مئوية لحوالي 30 دقيفقة.
يلي ذلك؛ على النحو المبين في الشكل 4(2)؛ يتم إظهار الطبقة المقاومة 5.
بالنسبة لعملية الإظهار؛ يُستخدم مظهر phat SU-8 بواسطة .MicroChem Corp.
يتم وضع مظهر SU-8 في صينية تم فيها وضع الطبقة المقاومة 5؛ ويتم تأرجح الصينية لحوالي
8 دقيقة. حيث يكون المظهر SU-8 عبارة عن مذيب عضوي corganic solvent يتم تنفيذ
العمل فى مسودة.
بعد عملية الإظهار» يتم غمس الطبقة المقاومة 5 فى مظهر SU-8 تم تحضيره clas تم تأرجحه
لحوالى 10 ثانية؛ وبعد ذلك تم غمسه وتم تأرجحه لحوالى 10 ثانية. بعد ذلك؛ تم أخذ الطبقة 0 1 المقاومة 5 والجرافيت 1 وتجفيفها .
بهذه الطريقة؛ يتم جرف الجزءٍ المغطى في وقت عملية الإظهار في الطبقة المقاومة 5 بعيداء sing
تكوين حامل ثقوب تمرير الماء.
يتم أيضا تنفيذ هذه الخطوات في غرفة صفراء من أجل منع كشف الطبقة المقاومة 5.
على النحو المبين في الأشكال 5(2) و6(2)؛ يتم تنفيذ الخطوات من خطوة تقشير الطبقة المقاومة 5 5 وطبقة الجرافين 2 من الجرافيت 1 إلى خطوة تكوين ثقوب تمرير الماء في الجرافين 2 بنفس
الطريقة كما في النموذج الأول.
(Sa أيضا تغيير العلاقة بين قبل ويعد خطوة تقشير الطبقة المقاومة 5 وطبقة الجرافين 2 من
الجرافيت 1 بالطريقة المشابهة كما في النموذج الأول.
فضلا عن ذلك» في النموذج الثاني» بواسطة تغليف دوامي للجرافيت 1 باستخدام مقاوم سائل 0 مصووع من مقاوم ضوء من نوع سالب لتكوين طبقة مقاومة 5 كمادة حاملة؛ يمكن تكوين جسم
مرشح مقولب بدون المرور من خلال عملية نقل تسبب تلف الجرافين.
— 9 1 — بالإضافة إلى cally بواسطة استخدام تقنية الطباعة الحجرية الضوئية التي يتم فيها وضع قناع على ga يتم فيه تكوين ثقوب تمرير الماء للمادة الحاملة في الطبقة المقاومة 5؛ ويتم كف gall الآخرء يمكن التحكم في حجم وشكل ثقوب تمرير الماء للمادة الحاملة التي يتم تكوينها في المقاوم الغشائى بالتفصيل. النموذج الثالث : في النموذج الأول؛ يتم ربط الجرافيت 1 بالمقاوم الغشائي 3 وبتم تقشير الجرافين 2؛ وبعد ذلك يتم تكوين تقوب تمرير الماء في الجرافين 2 ٠ مع ذلك في النموذج الثالث» قبل ربط الجرافيت 1 بالمقاوم الغشائي 3؛ يتم تكوين ثقوب تمرير الماء في الجرافين في الجرافيت 1. في النموذج الثالث؛ Yel على النحو المبين في الشكل 1(3))؛ يتم تكوين ثقوب تمرير الماء في 0 الجرافين في الجرافيت 1. يتم تغليف محلول Jill نيترات الكالسيوم calcium nitrate ethanol solution بالتدويم 8010-0 على سطح نظيف خاص بالسطح القاعدي للجرافيت 1 بواسطة استخدام مغطي دوامي» ويعد ذلك يتم تجفيفه عند 100 درجة مئوية. بعد ذلك؛ عندما يتم تسخين المادة المجففة the resultant dried matter الناتجة تحت جو من الغاز الخامل atmosphere of inert 5 9885 عند 300 درجة مثئوية لمدة 10 دقائق بواسطة استخدام فرن لافع muffle furnace ؛ تتم أكسدة ذرات الكريون carbon atoms فى الجرافيت graphite 1 بواسطة ذرات الأكسجين oxygen atoms في نيترات الكالسيوم .calcium nitrate بهذه الطريقة؛ يمكن تكوين ثقوب تمرير الماء في الجرافين من الطبقات العلوية العديدة على السطح القاعدي للجرافيت 1. 0 بالإضافة إلى نيترات؛ يمكن استخدام هيدروكلوريد؛ كبربتات؛ كربونات أو ما شابه للتغليف الدوامي للجرافيت 1 لتكوين ثقوب تمرير الماء فى الجرافين water passage holes من بينهاء يُفضل نيترات وكربونات يتم تحللها وإزالتها بواسطة المعالجة بالحرارة heat treatment للكبريتات والهيدروكلوريد hydrochloride والتى تظل فى الجرافيت 1 aang إزالتها.
— 0 2 — يمكن أن يكون الفلز alkali metal المتضمن في الملح salt عبارة عن أي فلز قلوي»؛ فلز أرضي قلوي alkaline earth metal ؛ لانثانيد danthanide ومعدن transition metal Jum) مع ذلك؛ يُستخدم الجرافيت 1 كمرشح للماء؛ بناء عليه؛ يكون من المفضل أن يتم استبعاد لانثانيد وفلز ثقيل مع التأكيد على السلامة. فضلا عن ذلك» في ضوءٍ سهولة AY) في حالة تركه في الجرافيت 1؛ يكون ملح يستخدم فلز قلوي أو فلز أرضي قلوي بدلا من معدن انتقالي مفضلاً.
فضلا عن ذلك»؛ كطريقة لتكوين ثقوب تمرير الماء فى الجرافين فى الجرافيت 1؛ بالإضافة إلى هذاء يمكن استخدام قياس فيزيائي لطريقة لإشضعاع السطح القاعدي للجرافيت 1 مع شعاع أيون مركز focused ion beam 718 طريقة بواسطة dallas بالبلازما plasma treatment « أو ما شابه.
0 يلي ذلك؛ على النحو المبين في الأشكال 2(3) و3(3)»؛ يتم تقفير الطبقة الواقية 4 للمقاوم الغنائي 3 cally توضع الطبقة المقاومة 5 على السطح القاعدي placed on the basal csurface الذي تم فيه تكوين ثقوب تمرير الماء فى الجرافين؛ للجرافيت 1 من أجل أن تكون في تلامس قريب مع السطح القاعدي؛ وتوضع فى غشاء أداة تصفيح Vacuum —bonded ؛ alg ربط غشاء أداة التصفيح بضغط الوسط المفرغ لمدة 20 ثانية عند -50 كيلو باسكال (kPa)
5 باستخدام أداة تصفيح وسط مفرغ.
2 هذه الخطوة في غرفة صفراء من أجل منع كشف المقاوم الغشائي 3.
يلي cally يتم إخراج الجرافيت 1 والمقاوم الغشائي 3 من غشاء أداة التصفيح؛ وزيادة ضغطه عند 4 ميجا باسكال أثناء التسخين لمدة 40 ثانية على لوح تسخين تم تسخينه إلى 80 درجة (gia ويعد ذلك يتم السماح بتبريده بشكل طبيعي إلى درجة حرارة الغرفة. في هذه الخطوة»؛ ترتبط الطبقة
0 المقاومة 5 بالجرافيت 1. بعد ذلك؛ يتم ترك المادة الناتجة تستقر عند 25 درجة gic لمدة 15 دقيقة. بواسطة تصلب المقاوم الغشائي 3 (الطبقة المقاومة 5) clin يمكن تنفيذ الكشف الموصوف لاحقا بانتظام. يتم أيضا تنفيذ هذه الخطوات في غرفة صفراء من أجل منع كشف المقاوم الغشائي 3.
— 2 1 —
يلي ذلك؛ على النحو المبين في الشكل 4(3)؛ يتم كشف الطبقة المقاومة 5 وتثبيتها.
تتم dallas الطبقة المقاومة 5 بالإشعاع عند 200 ملي/جول2 باستخدام وسيلة تدرج على الخط- أ
sas EXP-2031 بواسطة ORC MANUFACTURING CO., LTD. باستخدام مصباح
زثبقي ذو ضغط عالٍ.
5 بالطريقة المشضابهة كما في النموذج الأول» بواسطة تغطية جزءِ من سطح الطبقة المقاومة 5
بالكروم؛ يتم تكوين ثقوب تمرير الماء للمادة الحاملة انظر الشكل 5)3( .
بعد (Ca BSN يتم التجفيف اللين للغرض المكشوف عند 65 درجة مئوية gal 5 دقائق. في نفس
الوقت؛ تتم بلمرة الراتنج؛ ولا تتم إذابة الجزء المكشوف حتى عند إظهاره.
يتم أيضا تنفيذ هذه الخطوات في غرفة صفراء من أجل منع الكشف غير اللازم للمقاوم الغشائي 3. 0 بعد الكشف؛ يتم ترك الغرض المكشوف حتى يستقر عند 25 درجة مئوية لحوالي 30 دقيقة.
بعد ذلك؛ يتم تقشير الطبقة المادة الحاملة 6 للمقاوم الغشائي 3 باليد لكشف الطبقة المقاومة 5.
يلي ذلك؛ على النحو المبين في الشكل 5(3)؛ يتم إظهار المقاوم الغشائي 3.
بواسطة 241 ام 1 " محلول le من كريونات الصوديوم عند 0 3 درجة Lge باعتباره محلول
الإظهار» يتم إجراء عملية الإظهار لمدة 80 ثانية عند ضغط رش يبلغ 0.16 ميجا باسكال. بعد عملية الإظهار 1 يتم تكرار عملية الغسل بماء فائق النقاوة لمدة 80 ثانية عند 0.12 ميجا باسكال
ضغط رش ثلاث مرات .
في خطوة الإظهار» على سبيل (JU يمكن استخدام جهاز إظهار من نوع معالجة رقاقة فردي
. TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. بواسطة phat الى بالكامل
بهذه الطريقة؛ يتم كسح الجزء المغطى في وقت عملية الإظهار في الطبقة المقاومة 5 للمقاوم الغشائى 3 alg تكوين تقوب تمرير الماء للمادة الحاملة.
يتم أيضا تنفيذ هذه الخطوات في غرفة صفراء من أجل منع كشف المقاوم الغشائي 3.
— 2 2 — بدلا من تكوين ثقوب تمرير الماء للمادة الحاملة فى الطبقة المقاومة 5 بواسطة هذه الطباعة الحجرية الضوئية؛ يتم تخريم ثقوب تمرير الماء للمادة الحاملة مقدما في المقاوم الغشائي 3 الطبقة المقاومة 5 عند مرحلة تحضير المقاوم الغنائي 3؛ ويعد ذلك يمكن ربط المقاوم Saal 3 بالجرافيت 1. كطريقة لتخريم ثقوب تمرير الماء للمادة الحاملة مقدما في المقاوم AL ball 3؛ يمكن استخدام طريقة تستخدم مثقب خزعة أو ما شابه. يلي cell يوضع الجرافيت 1 والمقاوم الغخنائي 3 في فرن نظيف عند 160 درجة مئوية مقدما ونسخن لمدة 1 ساعة. بواسطة خطوة التسخين coda تتقدم بلمرة الطبقة المقاومة 5؛ يتم علاج المقاوم الغشائي 3 وبتم تثبيته كيميائيا. 0 بعد ذلك؛ على النحو المبين في الشكل 6(3)؛ يتم تقشير المقاوم الغضنائي 3 من الجرافيت 1 بواسطة استخدام ملاقط. في نفس الوقت؛ يتم تقشير طبقة الجرافين 2 التي يتم ريطها بسطح الطبقة المقاومة 5 من الجرافيت 1 معا إلى جانب الطبقة المقاومة 5. حيث يمكن أن تكون هناك حالة يتم فيها تصفح طبقة الجرافين 2 مرتبطة بالطبقة المقاومة 5 بسمك مرغوب فيه أو سمك أكبر يتم تكرار لصق days لاصق شفافعلامة تجارية مسجلة؛ مُصنْع تقشير الجرافين شيئا فشيئا في ضوءء لصق وتقشير شريط لاصق شفاف؛ بناء cde يمكن ضبط طبقة الجرافين 2 إلى السمك المطلوب. (Sa إقرار سمك طبقة الجرافين 2 باعتباره تفاوت اللون بواسطة مجهر بصري؛ بناء عليه؛ يمكن 0 ضبط السمك أثناء التحقق من السمك. بالتالي حيث يتم الحصول على طبقة الجرافين 2؛ تكون طبقة فردية مرغوبة؛ ولكن يمكن أن تكون عدة طبقات مقبولة.
بهذه الطريقة؛ لا تقتصر خطوة تقشير الطبقة المقاومة 5 والجرافين 2 المرتبط بالطبقة المقاومة 5
من الجرافيت 1 على هذه النقطة الزمنية.
على سبيل المثال؛ يمكن تقشير الطبقة المقاومة 5 من الجرافيت 1 قبل كشضف الطبقة المقاومة 5
بعد ربط المقاوم AL Ga 3 بالجرافيت 1. فضلا عن ذلك؛ بعد كشف الطبقة المقاومة 5؛ يمكن تقشير الطبقة المقاومة 5 من الجرافيت 1 قبل عملية الإظهار. علاوة على ذلك؛ يعد إظهار الطبقة
المقاومة 5 3 يمكن تقشير الطبقة المقاومة 5 من الجرافيت 1 قبل التسخين عند 60 1 درجة مثوية
لمدة 1 ساعة.
في النموذ z الثالث ؛ تم بالفعل تكوين ثقوب تمرير الماء في الجرافين في الجرافين 2 المرتبط بالطبقة
المقاومة 5 ٠ مع ذلك؛ عندما يكون حجم تقوب تمرير الماء فى الجرافين أكبر ؛» بعد ذلك؛ يمكن
0 إجراء عملية تسخين ذات درجة حرارة متخفضة في الهواء عند 160 إلى 250 درجة مئوية حتى يصبح الحجم بمثابة حجم مطلق . في النموذ z الثالث ؛ يتم تكوين تقوب تمرير الماء في الجرافين في طبقة من الجرافين 2 على سطح الجرافيت 1 ¢ ويدعد ذلك يتم ربط الطبقة الناتجة بالمقاوم الغشائى 3 ‘ بواسطة تقشير الطبقة المقاومة 5 من الجرافيت 1 في حالة ربط طبقة الجرافين 2 بالطبقة المقاومة 5؛ يمكن جسم مرشح مقولب
به ثقوب تمرير الماء في الجرافين بسهولة. بالإضافة إلى ذلك؛ بواسطة ربط مقاوم غشائي 3 مصنوع من مقاوم ضوءٍ من نوع سالب بالجرافين 2 كمادة حاملة؛ يمكن تكوين جسم مرشح مقولب بدون المرور من خلال عملية نقل تسبب تلف الجرافين 2.
جزء يتم فيه تكوين ثقوب تمرير الماء للمادة الحاملة في المقاوم الغخنائي 3 ؛ alg كنف الجزء الآخرء يمكن التحكم في حجم وشكل ثقوب تمرير الماء للمادة الحاملة التي يتم تكوينها في المقاوم الغشائى 3 بالتفصيل. اختبار gal: اختبار لقياس تأثير الاختراع الحالي.
بالنسبة لاختبار القياس؛ استُخدم قرن بحجم النانو من الكربون أحادي الجدار single-walled .(SWNH) carbon nanohorn يكون ل SWNH نفس البنية الأساسية مثل ذلك الخاص بالجرافين» ولكن يتم تكوينه في شكل مخروطي .conical shape في هذا LEA) تم قياس الكمية الممتزة من النيتروجين عند 77 كيلو بواسطة استخدام جهاز قياس امتزاز» Autosorb—iQ مُصِنْع بواسطة .Quantachrome Instruments Japan G.K يتم إمداد غاز النيتروجين إلى خارج (SWNH ويعد فترة زمنية محددة مسبقاء ثقاس كمية غاز النيتروجين. في Alla إذا كانت هناك ثقوب يمكن أن يمر النيتروجين من خلالها على السطح المحيطي ل «(SWNH حيث يدخل النيتروجين داخل ال SWNH ويمتز إلى الجدار الداخلي؛ يتم اكتشاف امتزاز النيتروجين بواسطة التفاوت بين كمية النيتروجين الواردة وكمية النيتروجين خارج ال SWNH 0 بعد الاختبار» (Kang استيعاب قطر الثقوب وعددها. في الشكل 4()؛ SWNH الذي لم تتم معالجته؛ تم تحضير SWNH الذي تمت معالجته لمدة 20 ساعة في الهواء عند 250 درجة مثوية؛ 5 SWNH الذي تمت معالجته لمدة 70 ساعة في الهواء عند 250 درجة مئوية؛ وبالنسبلة لكل منهم؛ تم إمداد النيتروجين أثناء تغيير المضغط الجوي النسبي؛ وتم قياس امتزاز النيتروجين. 5 باستخدام ال SWNH الذي تمت معالجته saad 20 ساعة؛ تمت زيادة امتزاز النيتروجين بدرجة كبيرة من ضغط منخفض إلى ضغط مرتفع مقارنة باذ SWNH الذي لم تتم معالجته؛ وتم إدراك أنه يتم تكوين الثقوب التي يمر النيتروجين من خلالها. بالإضافة إلى ذلك؛ تمت زيادة الكمية الممتزة من ال SWNH الذي تمت معالجته لمدة 70 ساعة مقارنة بكمية ال SWNH الذي تمت معالجته لمدة 20 ساعة؛ ويعني هذا أن عدد ال SWNH 0 الذي يتم فيه فتح الثقوب قد زاد. بمعنى؛ يكون هذا بسبب Bal) عدد الثقوب المكونة؛ ونتيجة لذلك تزيد نسبة ال SWNH الذي يتم فيه فتح الثقوب»؛ وتتم زيادة الكمية الممتزة. بالتبعية؛ تم إدراك أن عدد الثقوب قد زاد. في الشكل 4(ب)؛ تم تحضير SWNH الذي لم تتم معالجته؛ SWNH الذي تمت معالجته لمدة 0 ساعة في الهواء عند 200 درجة مثوية؛ SWNH الذي تمت معالجته لمدة 70 ساعة في
— 5 2 — الهواء عند 200 درجة مثوية؛ SWNH الذي تمت معالجته لمدة 100 ساعة في الهواء عند 200 درجة مئوية؛ 5 SWNH الذي تمت معالجته لمدة 150 ساعة في الهواء عند 200 درجة مئوية؛ بالنسبة لكل منهم؛ تم إمداد النيتروجين أثناء تغيير الضغط الجوي النسبي؛ وتم قياس امتزاز النيتروجين.
عندما تتم معالجة ال SWNH عند 200 درجة مئوية؛ على الرغم من أن الكمية لا تكون بنفس القدر عند المعالجة عند 250 درجة مئوية؛ تتم زيادة امتزاز الكريون حيث يتم تمديد زمن المعالجة. بمعنى؛ يمكن فهم أن كلما طال زمن المعالجة؛ كلما زادت عدد الثقوب. في الشكل 5؛ تم تحضير SWNH الذي لم تتم معالجته؛ SWNH الذي تمت معالجته لمدة 20 ساعة في الهواء عند 180 درجة مئوية؛ 5 SWNH الذي تمت معالجته لمدة 70 ساعة في الهواء
0 عند 180 درجة (Augie وبالنسبة لكل منهم؛ تم إمداد النيتروجين أثناء تغيير الضغط الجوي النسبي؛ وتم قياس امتزاز النيتروجين. باستخدام ال SWNH الذي تمت معالجته لمدة 50 ساعة؛ زاد امتزاز النيتروجين من ضغط منخفض إلى ضغط مرتفع مقارنة بال SWNH الذي لم تتم معالجته؛ وتم إدراك أنه يتم تكوين الثقوب التي يمر النيتروجين من خلالها. 5 .من الناحية الأخرى؛ باستخدام ال SWNH الذي تمت معالجته لمدة 70 ساعة؛ لم تتم زيادة امتزاز النيتروجين إلى حد كبير مقارنة بكمية ال SWNH الذي تمت معالجته لمدة 50 ساعة. بالتبعية؛ aaj أنه تتم زيادة عدد الثقوب بالكاد عند 180 درجة مئوية حتى إذا تمت زيادة زمن المعالجة. يلى ذلك؛ بالنسبة للجرافين الذي يتم فيه تكوين gill ثقاس انتقائية الأيون. حيث يكون نصف القطر الأيونى الممياً من الكاتيون عبارة عن +نا > Rb+ > K+ > Na+ > 0 +08 كما قاس انتقائية الأيون للمرشح الذي يستخدم الجرافين وفقا لنفاذية كل أيون. في الاختبار تم وضع 24 مجم من SWNH في 6 ملي لتر من محلول مختلط من (Li فلل «K (Rb و05 عند 20 ميكرومول/لترء؛ وتم ترك الخليط الناتج حتى يستقر عند 30 درجة Baal ge 4 ساعة؛ وبعد ذلك تم قياس تركيز الأيون الخاص بالخليط بواسطة كروماتوجراف أيون. إذا
— 2 6 —
كانت الكاتيونات تلتصق بالجزءٍ الداخلى من SWNH من خلال الثقوب المفتوحة فى ال ¢SWNH
يتم تقليل تركيز الأيون المقاس. وتوضح الأشكال 6ل) و6(ب) نتائج قياس كمية الأيونات التي
اخترقت الثقوب من تغيير التركيز.
في الشكل 6لا)؛ تم تحضير SWNH الذي تمت معالجته لمدة 20 ساعة في الهواء عند 250
درجة مثوية؛ SWNH الذي تمت معالجته لمدة 70 ساعة فى الهواء عند 250 درجة مثوية؛
SWNH الذي تمت معالجته لمدة 100 ساعة في الهواء عند 250 درجة مئوية؛ ووضعه في
نتيجة لذلك؛ تم إدراك أنه يتم إنفاذ جميع الكاتيونات بغض النظر عن طول زمن المعالجة.
بالتبعية؛ جد أنه عندما تتم معالجة SWNH عند 250 درجة Augie لمدة 20 ساعة أو AS) 0 تصبح الثقوب المكونة في ال SWNH أكبر ولا يكون لا SWNH انتقائية أيون.
في الشكل 6(ب)؛ تم تحضير SWNH الذي تمت معالجته sad 20 ساعة في الهواء عند 200
درجة مثوية؛ SWNH الذي تمت معالجته لمدة 50 de lw فى الهواء عند 200 درجة مثوية؛
SWNH الذي تمت معالجته لمدة 70 ساعة في الهواء عند 200 درجة SWNH (gic الذي
تمت معالجته لمدة 100 ساعة فى الهواء عند 200 درجة مثوية؛ SWNH الذي تمت معالجته لمدة 50 1 ساعة في الهواء عند 200 درجة مثوية؛ ووضعه في محلول مختلط.
نتيجة لذلك» جد أنه باستخدام ال SWNH الذي تمت معالجته لمدة 20 ساعة؛ بالكاد يتم اختراق
الأيونات التي لها نصف قطر أيوني ممياً كبير Jie أيونات Li وأيونات (Na وبتم اختراق الأيونات
التى لها نصف قطر أيونى Lise صغير مثل أيونات K أيونات «Rb وأيونات .Cs
من الناحية الأخرى» ؤجد أنه باستخدام ال SWNH الذي تمت معالجته لمدة 50 ساعة أو أكثر؛ تصبح الثقوب أكبر ؛» ag اختراق جميع J لأيونات .
يبين الشكل 7 مقارنة انتقائية أيون لكل درجة حرارة تسخين بواسطة توحيد زمن المعالجة حتى 20
ساعة.
تم تحضير SWNH الذي تمت معالجته لمدة 20 ساعة في الهواء عند 140 درجة gia
SWNH الذي تمت معالجته لمدة 20 ساعة في الهواء عند 160 درجة SWNH (gic الذي
— 7 2 — تمت معالجته لمدة 20 ساعة في الهواء عند 180 درجة مثوية؛ SWNH الذي تمت معالجته Baal 0 ساعة في الهواء عند 200 درجة مئوية؛ 5 SWNH الذي تمت معالجته لمدة 20 ساعة في الهواء عند 250 درجة Lge ¢ ووضعه في محلول مختلط. تم إدراك أنه باستخدام ال SWNH الذي تمت معالجته عند 140 درجة مئوية؛ لا يتم فتح الثقوب إلى حد كبيرء ولا يتم اختراق الأيونات إلى حد كبير. تم إدراك أنه باستخدام ال SWNH الذي تمت معالجته عند 160 درجة مئوية وال SWNH الذي تمت معالجته عند 180 درجة مئوية؛ تكون الثقوب صغيرة؛ وتمر فقط كمية صغيرة من الأيونات من خلالها. فضلا عن ذلك؛ تم إدراك أن كميات (Rb (Kalas و05 تكون صغيرة أيضاء ولا يتم اكتساب انتقائية الأيون. 0 .تم إدراك أنه باستخدام ال SWNH الذي تمت معالجته عند 200 درجة مئوية؛ تكون كميات نفاذ Nag Li صغيرة وتكون كميات نفاذ (Rb (K و05 كبيرة؛ ولا يتم اكتساب انتقائية الأيون. تم إدراك أنه باستخدام ال SWNH الذي تمت معالجته عند 250 درجة مئوية؛ تكون كميات نفاذ جميع الأيونات كبيرة. بالإضافة إلى ذلك؛ في الأشكال 8 و9؛ على النحو الموصوف أعلاه؛ تم ضبط جسم المرشح المقولب الذي به الجرافين 2 الناتج في النموذج الأول في حامل مرشح غشاء 5 7 وتم اختراق المحلول المختلط من Rb (K (Na (Li و05 عند 20 ميكرومول/لتر من محقنة 8» وتم قياس تركيز الأيون الخاص بناتج النفاذ. كما هو الحال مع الجرافين؛ تم تحضير الجرافين الذي تمت معالجته عند 160 درجة Baal gia del 0 الجرافين الذي تمت معالجته عند 200 درجة مئوية لمدة 20 ساعة؛ والجرافين الذي تمت معالجته عند 250 درجة مئوية لمدة 20 ساعة. نتيجة لذلك؛ على النحو المبين في الشكل 9,؛ احتوى الجرافين الذي تمت معالجته عند 160 درجة مئوية على تقوب صغيرة؛ ولم يتم السماح له باختراق كل الأيونات إلى حد كبير. جد أنه لم يتم السماح للجرافين الذي تمت معالجته عند 200 days مثوية باختراق Nag Li حد كبيرء وتم السماح له باختراق كل .Cs (Rb
aaj أن الجرافين الذي تمت معالجته عند 250 درجة مئوية احتوى على ثقوب كبيرة؛ وتم السماح له باختراق جميع الأيونات. قائمة بالإشارات المرجعية 1 الجرافيت Graphite 5 2 الجرافين Graphene 3 المقاوم الغشائي Film resist 4 الطبقة الواقية Protective layer الطبقة المقاومة Resist layer 6 طبقة المادة الحاملة Support layer 0 7 حامل مرشح غشاء Membrane filter holder 8 محقنة Syringe
Claims (1)
- عناصر الحماية1. طريقة لإنتاج جسم مرشح مقولب molded filter body به طبقة من الجرافين graphene (2) كوسط مرشح 116١ medium تشتمل على الخطوات التالية: - تكوين طبقة sale داعمة support layer )6( على سطح الجرافيت graphite )1(¢ - تكوين ثقوب تمرير الماء water passage holes للمادة الداعمة في طبقة المادة الداعمة (6)؛ - تقشير طبقة المادة الداعمة support layer (6) من الجرافيت graphite (1) في dis توصيل dak الجرافين graphene (2) على سطح الجرافيت graphite )1( بطبقة المادة الداعمة support layer (6)؛ و - تقييد طبقة الجرافين graphene (2) عن طريق التسخين عند درجة حرارة منخفضة لفترة زمنية 0 محددة مسبقا في الهواء الحامل للأكسجين air containing oxygen عند درجة من 160 إلى 250 درجة مئوية وتكوين ثقوب تمرير الماء water passage holes في الجرافين graphene )2(2. طريقة لإنتاج جسم مرشح مقولب molded filter body وفقًا لعنصر الحماية 1؛ حيث تكون 5 المادة الداعمة support layer عبارة عن مقاوم ضوء من نوع سالب negative type photoresist « و تتضمن خطوة تكوين تقوب تمرير الماء 110165 water passage للمادة الداعمة في طبقة المادة الداعمة support layer )6( خطوة كشف gia بخلاف هذا الجزء لتكوين ثقوب تمرير الماء water passage holes للمادة الداعمة لمقاوم الضوء .photoresist 203. طريقة لإنتاج جسم مرشح مقولب Gi; molded filter body لعنصر الحماية 1؛ حيث يتم إجراء خطوة تقييد طبقة الجرافين graphene (2) عن طريق التسخين عند درجة حرارة منخفضة وتكوين ثقوب تمرير الماء water passage holes في الجرافين graphene (2) في الهواء الحامل للأكسجين air containing oxygen عند درجة من 200 إلى 250 درجة مئوية.4. طريقة لإنتاج جسم مرشح مقولب molded filter body به طبقة من الجرافين graphene (2) كوسط مرشح filter medium ؛ تشتمل على الخطوات التالية: - تكوين ثقوب تمرير الماء water passage holes في الجرافين graphene (2) في طبقة من الجرافين (2) على سطح الجرافيت graphite )1(¢ - تكوين طبقة من sale داعمة support layer (6) على سطح توجد عليه طبقة الجرافين graphene )2( في الجرافيت graphite )1(¢ - تكوين ثقوب تمرير الماء water passage holes للمادة الداعمة في طبقة المادة الداعمة support layer (6)؛ و - تقشضير طبقة المادة الداعمة )6( من الجرافيت graphite (1) في حالة ربط طبقة الجرافين graphene 0 )2( بطبقة المادة الداعمة support layer (6).N a م Fo I LES 8 وب الح سس 0 Er N i Th geet 8 aoa. حل i x i Vou Een ا وا ا 04 Tey Ft الاح } vo \ RON ا H N Eo NR SR i rd y & 5 H Soe Ral حيري = 1 ارد للش خلا i.Re a 7: ا ال اي اط 1 : N 1 1 1 ER — ] RN creer oe XE 3 N وا الوا اراق الا المح اهام Ba SN #7 و لم ey 1 ومس a O08 8 8 5 7 ب i Bet i i IO (5 1000 Mar اد ع : 1 نه وات i Cr الحا § > a I 8 سر و ادم اد »ا سا ا SEER ل جا وووها م B 8 8 ا 7ق ما 8 =: FREY EA اا “الات ححا حا ماج 1 i احج الح 1 ER 80008 ATTY 0 و مج SE 5 8 1 S$ td oa H SESS SN oY: a Sly Foi + كا LF Rad fd 5 1 م era ea NIE BTR 8 = N i IRR Bo H = & ¢ Y iF a. أ 2 X fa x H FE N ad = ry اللا جا 1 8 عد 8 ال 0" لاي ادب ب 8 ال ال a ل 8 nang 15% OG beet ad ebb ا REE ¥ (IR CI i 0 1 © no) 1 مج اج SW SE Ey SEL £23 ood Slain 0 ا 0ت إٍْ 8 نم وت > - 0 ب fie on Son لالط (3) [900 a iy Qaag ا ندج تا SE٠ 3 3 ٠ OSA 8 ال أ 07 ب ا : L 3 ¥ | oe EH 0 TNs PSP 1 H X 4 1 - Theme ججح i on تت المح Re at S 0 | : SN. een oi ىس | © a 2 1 ذه ES i ماي اا را es ed - bor الم 1 ررس AR Lo RT 4 8 3 Pres ما x 727722 Nai y TT Ly CRC RHEE {oh fon obra PERERA ooo sy DRE J <I on i . 1 EEE, L318 © © Ted 8 ل 0 85 00 SEE يحم; EE + حا art J i Was « A OER a ATE EGU اهن hE Fal SOIREE REE ERE RS ف 1 0 لت ل تت ل ل ل N ? : k ? i : : i RE EY : B Ii ناد Eada mF 8 ; 1 PEN heaton 1 i i } H H ole Ae H : BS 8 H Yo ال HN a 8: FLIER ES nod ل ال SE SEE i ما LS مم EL ل بام ا HEE SRE TCR +؟ i H 2 HI Edie I Au RIE JR الا ا جد «جعاخجةعة : 1 5 ERE NR eit ا ; : { EE EE 5 : 1 ب ايح : : ُ 4 “Ey تق نه هالا Te bn ا es REE ا ِ 2 :2 : 3 م 0 Posey 3 : 1 : " 8 k 3 g : 58 ان م § > 3 : 2 : FS Ry Ny a H يا 1 اين 1 م ا : 8 بج = 3 : FO wT 0 I'S 3 8 ا ل 9 —— 8 ¥ , جج 5 : Rr a . & AS Boga Be le he ne ann aE ad EY | > N 8 ا ب 0 Fi ب Ny 8 الي الب : 8 0 اين ايب : : 3 ا اير ae : ; £ Mia 3 ao vs : د 5 3 oe af i ito ; ; ge N a : 2 no LN 3 a : : ا ا Nas : : of لحي . 2 ول ايع Nt 8 : : ب ُ 8 يي 8 را بج 3 & COR را ال EO ST PRUNE ل ENS HERERO 58 الل HN 1 Ei en 5 : : N 0 : i i a 1 2 N > مألل > ا Ere a 3 tye ل المت ا aa. oP BO + . كن جات لين 5 Fo FIRES Phat) g NE : EY ا الل EE اما SOF + بنش لتجالقجة لكلف ء 0: Yoav ; ¥ 3 E 3 سيت مجع مدا م : §3 3. EER LE CR = p 3 FRc LN 3. 7 2 3 EEL 0 FEN 1: K N لعا الما اج اذا ازا ب : 1 مه ا دا Ro 8 RIE J FX FS 3 : Seer 4 وا اا الحلا eS ok TE EIEN TES ELAS URMUPPIS SUNNIRSURPRR. Bt i i > ل م ل RRS لحت Bi 0 1 ل ل ل 7 : 3 Iie ار ا ay 4 by 3 8 id Bik اللعاظة TG 1 xd ~4 Id = 2 : ie 8 {eee ادك فباقة ne 0 ل ERE د الجن ححصت FR ا ال ا ا ا ال حي FRR. 0 i : : : 1 A H 8 : be : ل 8 Is i : : i : و FE he H 8 bs : : ل FH ل 3 : : 8 : 0 hy ا : : : Lend dl De EE RE SESE 2: AA spn ges “1 H ; : 58 ا 0 : ل ا ا : ب a 3 : BH i Loo “i i i م مي ا 5 i ; aor ال ل N 8 ب مهن الم ب يي i ااا ا : جين “ve N AREY pn He Is > هارا نل 0ج TY تس ا المي ااا 1 pa : ; 0 رج SAT - aA - ا a Ee ERE 8 ل : ال اي ما 3 ل يي : 8 : R} ig ب SR د 3 toa XY Soy ta i ar A بقع I (BPD wl dais : £ a Bo ud عدا دخ ا SEL ا + LR دك المعابعة لجا و . 1 : AN, 8 : 3 8: N . Pose whi Ee =F ? :i . Son Aleit Jak E 8 : i sl Hn i 1 : 1! : ل EL Vie mE i 3 1 wif 1 Soy تت المعاجة i N : ا ETE an ا Cw wa ei ا ee vi a ee en لاع اله i ماع Toe ] 1 1 : :1 . محا aed TE R : ome 0 ! : H i E : 8 1 1 : : ; المح 0 : : N : 0 + 0 : ياد : : : : Boa 3 FY CO ST UC UU SU SR J TPS: R 3 h 8 : i : | : Wg > ع H : i 8: 1 8 i 2 3 ! H : +3 i : : . + i 8 8 ] 0 : : : : ar Fe BE CNS: SARTO APN ENSUE TIUE SS VIVO INU لح ا لات JI Je i Fon : BS h 1 ty N 0 N : Reo 8 : : i / 8: 4 : الاي > : : : ل. : se RE rg : ل hae be ae 3 ; يم : مدو يبي : i : i سيل bi RX N : $a > N : 4 N ; : ; : N : hy . © i . - 0 1 : vet 4 Sh Nr د J ا x « Vas i EP BG 2 عاش اليج لج و بيت 7+ شكل ب 5 ًِ ل ا م # TOA dee كل اوداع lai SWRH me 1 = a ~ hb 3 الت ا الت :الات الت لمت N N ابن 4 ا H 5 : i 7 1 8 ساق SN : : i 1] i 0 1 : : 1 NEE : : : 1 ل View | a. اا ال ١ ل د لذ ال قد 2 الا 1 NS J SE BE انا Eo 1 : 0 SI BEE gt 1 E SHEE : 5ج 0 i BR i Ny : BIg EA ل يع : 3 TORE BNE Soe boi AN نآ © 1 EN 8 8 A H fk yn 8 ل 8 1 : COA CBE gE 32 1 : وي AN 5 Begs : لديم 4 N i 53 OA N ل BEES :ا RR i 1 ب" 0 De BE Re vo. NL BBN NER LL SE ا BONG REE Re ow} 1 نا ا اي ا لالم : لل wn 1 Na CRE NN : 8 dE oh VEN : ليا al Bom + 0 SEN Bs SE BEN co OBACER CO BRM ب VAN : لديا ل لت Ma Be 4 N AR RC NE ا بن ؟ ا : : A © 2 كط تخ 8# ا ليق ال iS BF FR BE ع 5 : م اام شي ا ا ا .3000 ا j BE OSI CRE NEE . ام [ 5s NE: RR : لماه © A I انا N Na : Ne SEE 8 1 ل كته 2 3 URE OBE NN BE Ra A ا REN BER BE EE BE EE EE = uae NdEN GARBER Li Ha 0 Ra fs . ah Pre LS w= Sea a. 3 Yama? - عا عد لي نب EL SVN ا SEE اد ع iF & اد العا . =r § KH 1 i 7 3 8 0 بيو 1 : : i A NE ECE ; : : i 7 i Lg : BN R 0 ov 1 Mater § : { 3) ER 00 اا [XS 0: : : 81 ٍ 8 Foie Ws SF naa en a a ا Se 80 ل مت : : 1 Es Vy اساقة ل Yad : : : SE AEE i | J. “ EE ساعة + I : ال RE اانه الا aaa wy NE A ل SIR IRE | FRE: : VE RES CI ٍ ans 1 ب N i Pol ab Baa : A N : 2 0 SO : Ba 3 [1 0 8 i pry od 3 = i 8 NE 0 04 8 : 8 8 i Tec SE RRR NEEL RE EE 5 N تج BE 8 FR 0 ER 3 N RE ان 0 NSE SE FE Yatra wh 1 8 لق الاك الام a) RE i Wy 840 RE 0 HAE Ne a i 1 88 Za TE NRE Fs 2 Rag 3 1 د ا ا لأ Sean و LN ا ا RENN ا Bhim ال ا = ا أ اا لغ اه ءا ا ما fu] UPR ERE SOE Be $f Raa 5 wma bib a : HE NE SANE Be 33 NREL NER SEE] N N RAE i AEE IY N BRE of: BREE RLF 1 لم 71 © شخ NE; EE SNR REN MOSER REY i Ha ¥ Ris Ge - SadiaLE سال اما women a الباع 8 RELL نج SE St 1 ص oF Bele Ta الفا .ندند or مي ESE SUTTON re : NA. NTRS TEE CUCL LLLEeery : : - ™ : 1 : ٍ “ ARE : : : EE : : 0 * FI IN : : : 3 EAN 5 Vx : : : 5 : 0 ا« ee meee ee 4 Vv = 08 اذ ا ا ا ا nn لاا ل iy 2) 3 : : \ 0 ل اليب 5+ : : : 0 0 8 : ال 3 5 : : £3 : 8 8 3 ب : : Hi N 23 لالد سس ا Su N A 1 : 2 SARE 850007707 NSH 8 | 1 8: Eh 8 2 : 8 88 8 ٍ ٍْ ْ 1 Nf RN a : : SE Rel 8 : 8 RE RS " : 8 iE RE RX13 . : 8 iE Ra ع ص في 3 88 8 ty ; 8 RE FREE Nl een WE A ا ا 8 ي oF {I of I. i 8 8 HE 8 bY 1 ال ا ل نا لج 8 8 : ال EN لاد ال احا ا ; 1 Rho RR eo EERE ااا J RR b SAR N 8 NE الا AR a, CER Ei Ng 8 a 1 ل § SE أي لا اا 5 8 ا TH Ran ا wm BNE 0٠ EN REE RE oF ck SNE al ENE BN DEERE SNE A . لي اااي ااا را سنا لاسا 8 : 5 N A حا وكيد ا ا واوا ل نا لان نع 5 ف Gs “ يس 8 ا pet انوع شكلم 7" Sat 3 A عم Toe أ ا lt اا 0 ال ا sind { Re Kg, 5 SN 2 1 p Nesey i الامج EI & 5 BUN 5 pe { ما الال SS SI SIE SE TSO DEANS I TONERS SIN 0 : 3 E ١: Ra y £3 لبن تا et SX Hy اح يي I" — Laila SOE Se Gn Sl ee RR a AER EE Sr RR SENT REE SST-8 3- ٍ إ: 0 | | شكل 5 رشح حراقين Flee خلة ele Ya قٍِ شاع -0 0 ثم[ ييBN £, Tas : ; ; ' اbe I TRACE EE 0 : ESE ee rt ذا eB J RY 3 | | NN i ض هه = ان ا نا ذأ NN RE 3 إٍْ ا :ْ ل 0 ْ, 0 ْ: 0 0 =n ام ا لاه = = 0 1 oF { \ N : \ 1 : 3ل" ْ لج : _ الجخ HF a 0 J ! 8 ' LL _ ' ب LA a tig 8لاله الهيلة السعودية الملضية الفكرية ا Sued Authority for intallentual Property RE .¥ + \ ا 0 § 8 Ss o + < م SNE اج > عي كي الج TE I UN BE Ca a ةا ww جيثة > Ld Ed H Ed - 2 Ld وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها of سقوطها لمخالفتها ع لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف ع النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية. Ad صادرة عن + ب ب ٠. ب الهيئة السعودية للملكية الفكرية > > > فهذا ص ب 101١ .| لريا 1*١ v= ؛ المملكة | لعربية | لسعودية SAIP@SAIP.GOV.SA
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014245907 | 2014-12-04 | ||
| PCT/JP2015/082511 WO2016088560A1 (ja) | 2014-12-04 | 2015-11-19 | フィルター成形体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SA517381582B1 true SA517381582B1 (ar) | 2020-10-26 |
Family
ID=56091510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SA517381582A SA517381582B1 (ar) | 2014-12-04 | 2017-05-22 | طريقة لإنتاج جسم مرشح مقولب |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10464025B2 (ar) |
| EP (1) | EP3260191B1 (ar) |
| JP (1) | JP6588923B2 (ar) |
| CN (1) | CN106999863B (ar) |
| AU (1) | AU2015356243B2 (ar) |
| SA (1) | SA517381582B1 (ar) |
| TW (1) | TWI682897B (ar) |
| WO (1) | WO2016088560A1 (ar) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2018361094A1 (en) * | 2017-10-30 | 2020-04-02 | Kotobuki Tsushou Co., Ltd. | Method for manufacturing molded filter body |
| CN111617556B (zh) * | 2020-06-12 | 2022-02-15 | 上海支米空气净化科技有限公司 | 过滤材料及其制备方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002097008A (ja) | 2000-09-20 | 2002-04-02 | Japan Science & Technology Corp | 単層カーボンナノチューブの開孔方法 |
| JP3854294B2 (ja) | 2002-05-27 | 2006-12-06 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 高密度カーボンナノホーンとその製造方法 |
| US20040060867A1 (en) * | 2002-09-27 | 2004-04-01 | Bmc Industries, Inc. | Membrane support devices and methods of manufacturing |
| JP5515293B2 (ja) * | 2006-11-17 | 2014-06-11 | 日本電気株式会社 | カーボンナノ材料の壁面開孔方法およびカーボンナノ材料の開孔への酸素含有基導入方法 |
| JP2009073727A (ja) | 2007-08-29 | 2009-04-09 | Olympus Corp | カーボンナノチューブ加工方法及びそれによって加工されたカーボンナノチューブ |
| US7993524B2 (en) | 2008-06-30 | 2011-08-09 | Nanoasis Technologies, Inc. | Membranes with embedded nanotubes for selective permeability |
| US8268180B2 (en) * | 2010-01-26 | 2012-09-18 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Methods of fabricating large-area, semiconducting nanoperforated graphene materials |
| US8361321B2 (en) * | 2010-08-25 | 2013-01-29 | Lockheed Martin Corporation | Perforated graphene deionization or desalination |
| CN102180439B (zh) * | 2011-03-31 | 2013-05-22 | 华中科技大学 | 一种表面集成石墨烯的碳微结构及其制备方法 |
| CN103718296B (zh) | 2011-07-29 | 2016-09-07 | 富士通株式会社 | 石墨烯纳米网的制造方法和半导体装置的制造方法 |
| JP5926035B2 (ja) | 2011-11-21 | 2016-05-25 | Ｊｘ金属株式会社 | グラフェン製造用銅箔及びグラフェン製造用銅箔の製造方法、並びにグラフェンの製造方法 |
| JP2013144621A (ja) | 2012-01-16 | 2013-07-25 | Panasonic Corp | グラフェン膜、グラフェン膜の製造方法、グラフェンデバイス、およびグラフェンデバイスの製造方法 |
| US9463421B2 (en) | 2012-03-29 | 2016-10-11 | Lockheed Martin Corporation | Planar filtration and selective isolation and recovery device |
| US9120677B2 (en) * | 2012-04-02 | 2015-09-01 | National Institute Of Aerospace Associates | Bulk preparation of holey graphene via controlled catalytic oxidation |
| KR20140096863A (ko) * | 2013-01-29 | 2014-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 그래핀 패턴 형성 방법 |
| SG11201510807VA (en) * | 2013-05-01 | 2016-02-26 | Koninkl Philips Nv | Method of manufacturing a partially freestanding graphene crystal film and device comprising such a film |
| KR102232418B1 (ko) * | 2014-04-29 | 2021-03-29 | 엘지전자 주식회사 | 그래핀 멤브레인 및 그 제조 방법 |
| JP6545688B2 (ja) * | 2014-08-11 | 2019-07-17 | 国立大学法人信州大学 | フィルター成形体の製造方法 |
-
2015
- 2015-11-19 AU AU2015356243A patent/AU2015356243B2/en not_active Ceased
- 2015-11-19 US US15/531,510 patent/US10464025B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-11-19 CN CN201580065584.3A patent/CN106999863B/zh active Active
- 2015-11-19 EP EP15866261.9A patent/EP3260191B1/en not_active Not-in-force
- 2015-11-19 WO PCT/JP2015/082511 patent/WO2016088560A1/ja active Application Filing
- 2015-11-19 JP JP2016562376A patent/JP6588923B2/ja active Active
- 2015-11-23 TW TW104138710A patent/TWI682897B/zh not_active IP Right Cessation
-
2017
- 2017-05-22 SA SA517381582A patent/SA517381582B1/ar unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3260191A1 (en) | 2017-12-27 |
| JPWO2016088560A1 (ja) | 2017-10-19 |
| TWI682897B (zh) | 2020-01-21 |
| US10464025B2 (en) | 2019-11-05 |
| CN106999863B (zh) | 2020-06-16 |
| US20170304779A1 (en) | 2017-10-26 |
| AU2015356243B2 (en) | 2020-06-11 |
| AU2015356243A1 (en) | 2017-06-08 |
| EP3260191A4 (en) | 2018-07-25 |
| TW201632459A (zh) | 2016-09-16 |
| CN106999863A (zh) | 2017-08-01 |
| EP3260191B1 (en) | 2019-08-21 |
| WO2016088560A1 (ja) | 2016-06-09 |
| JP6588923B2 (ja) | 2019-10-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| AU2019204970B2 (en) | Method for perforating carbon nanomaterial, and method for producing filter molded article | |
| RU2009122518A (ru) | Удаление диоксида углерода из воздуха | |
| SA517381582B1 (ar) | طريقة لإنتاج جسم مرشح مقولب | |
| CN109689922A (zh) | 蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模、蒸镀掩模制备体、蒸镀图案形成方法、有机半导体元件的制造方法、有机el显示装置的制造方法 | |
| WO2009038208A1 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置 | |
| JP6715470B2 (ja) | フィルター成形体の製造方法 | |
| TW201039052A (en) | Pellicle | |
| US11666866B2 (en) | Carbon nanomembranes on porous materials | |
| JP3017244B2 (ja) | 複数の重金属イオンを同時に除去する方法 | |
| TWI316508B (en) | Method for preparing carbon nanotubes | |
| JPS6425411A (en) | Semiconductor device | |
| JPS60239375A (ja) | 多孔質セラミツク薄膜並びにその製造法 |