SA517380886B1 - بطانة كاربيد سيليكون مجزأة - Google Patents

بطانة كاربيد سيليكون مجزأة Download PDF

Info

Publication number
SA517380886B1
SA517380886B1 SA517380886A SA517380886A SA517380886B1 SA 517380886 B1 SA517380886 B1 SA 517380886B1 SA 517380886 A SA517380886 A SA 517380886A SA 517380886 A SA517380886 A SA 517380886A SA 517380886 B1 SA517380886 B1 SA 517380886B1
Authority
SA
Saudi Arabia
Prior art keywords
silicon carbide
segment
depression
tubular wall
protrusion
Prior art date
Application number
SA517380886A
Other languages
English (en)
Inventor
إي.، واين أوسبورن،
ويليام، جيه أونستوت،
جيرالد، إيه. زينينجر،
مايكل، في. سبانجلر،
والتر، جيه. ستوبين،
ماثيو، جيه. ميلر،
Original Assignee
آر إي سي سيليكون إنك
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by آر إي سي سيليكون إنك filed Critical آر إي سي سيليكون إنك
Publication of SA517380886B1 publication Critical patent/SA517380886B1/ar

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/18—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles
    • B01J8/1872—Details of the fluidised bed reactor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/02—Apparatus characterised by being constructed of material selected for its chemically-resistant properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/18—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles
    • B01J8/1818—Feeding of the fluidising gas
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/18—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with fluidised particles
    • B01J8/1836—Heating and cooling the reactor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90—Carbides
    • C01B32/914—Carbides of single elements
    • C01B32/956—Silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/029—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition of monosilane
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/03—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition of silicon halides or halosilanes or reduction thereof with hydrogen as the only reducing agent
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B15/00—Fluidised-bed furnaces; Other furnaces using or treating finely-divided materials in dispersion
    • F27B15/02—Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
    • F27B15/04—Casings; Supports therefor
    • F27B15/06—Arrangements of linings
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D1/00—Casings; Linings; Walls; Roofs
    • F27D1/0003—Linings or walls
    • F27D1/0006—Linings or walls formed from bricks or layers with a particular composition or specific characteristics
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D1/00—Casings; Linings; Walls; Roofs
    • F27D1/04—Casings; Linings; Walls; Roofs characterised by the form, e.g. shape of the bricks or blocks used
    • F27D1/045—Bricks for lining cylindrical bodies, e.g. skids, tubes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/00008—Controlling the process
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/00008—Controlling the process
    • B01J2208/00017—Controlling the temperature
    • B01J2208/00106—Controlling the temperature by indirect heat exchange
    • B01J2208/00168—Controlling the temperature by indirect heat exchange with heat exchange elements outside the bed of solid particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/00008—Controlling the process
    • B01J2208/00017—Controlling the temperature
    • B01J2208/00389—Controlling the temperature using electric heating or cooling elements
    • B01J2208/00407—Controlling the temperature using electric heating or cooling elements outside the reactor bed
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/00743—Feeding or discharging of solids
    • B01J2208/00761—Discharging
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/00796—Details of the reactor or of the particulate material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/02—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties
    • B01J2219/025—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties characterised by the construction materials of the reactor vessel proper
    • B01J2219/0263—Ceramic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/02—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties
    • B01J2219/025—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties characterised by the construction materials of the reactor vessel proper
    • B01J2219/0277—Metal based
    • B01J2219/029—Non-ferrous metals

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Abstract

بطانة كاربيد سيليكون مجزأة segmented silicon carbide liner الملخـــص يتعلق هذا الاختراع ببطانات كربيد السيليكون المجزأة Segmented silicon carbide liners للإستخدام في مفاعل الطبقة المميعة fluidized bed reactor لإنتاج مادة محببة مغلفة بعديد السيليكون polysilicon-coated granulate material، وطرق لصناعة وإستخدام بطانات كربيد السيليكون المجزأة segmented silicon carbide liners. كما يتعلق هذا الاختراع بالمواد المرتبطة غير الشائبة Non-contaminating bonding materials لربط أجزاء كربيد السيليكون silicon carbide segments. يُمكن تكوين واحدة أو أكثر من أجزاء كربيد السيليكون silicon carbide segments من كربيد السيليكون المرتبط بالتفاعل reaction-bonded silicon carbide. شكل. 7

Description

ie ‏بطانة كاربيد سيليكون‎
Segmented Silicon Carbide Liner ‏الوصف الكامل‎ خلفية الاختراع يتعلق هذا الإختراع بمواد كارييد السيليكون ‎esilicon carbide‏ مواد رابطة؛ وتصاميم مشتركة لعمل بطانات كاربيد سيليكون مجزأة للاستخدام في ‎Jolie‏ طبقي مميع ‎fluidized bed reactor‏ ‎FBR fluidized bed reactor‏ لصنع مادة حبيبية مغلفة ببولي سيليكون ‎-polysilicon‏ التفكك بالتحلل ‎hall‏ للغاز المحمل بالسيليكون في ‎lish‏ مميعة هو عملية جذابة لإنتاج ‎Jol)‏ سيليكون للصناعات الكهربائية الضوئية وصناعات أشباه الموصلات بسبب كتلة ممتازة ونقل الحرارة؛ زيادة السطح للترسب؛ والإنتاج المستمر. ‎lie‏ مع مفاعل من نوع ‎«Jam‏ يوفر ‎Jolie‏ ‏الطبقة المميعة معدلات إنتاج أعلى ‎EG‏ في ‎gia‏ من استهلاك الطاقة. يمكن أن يكون مفاعل الطبقة المميعة ‎fluidized bed reactor‏ ذاتي ‎Lola‏ لخفض تكاليف العمالة. يعتبر تصنيع جسيمات السيليكون متعددة البللورات ‎polycrystalline silicon‏ بطريقة ترسيب الأبخرة الكيميائية التي تتضمن على الانحلال الحراري ‎pyrolysis‏ للمادة التي تحتوي على السيليكون مثل على سبيل المثال سيلان ‎silane‏ سيلان ثنائي ‎disilane‏ أو هالوسيلانات ‎halosilanes‏ مثل كلوروسيلان ثلاثي ‎trichlorosilane‏ أو كلوروسيلان رباعي ‎tetrachlorosilane‏ في مفاعل طبقي مميع يكون معروف لشخص من أهل المهنة و يتضح بواسطة العديد من المنشورات بما في ذلك 5 براءات الاختراع والمنشورات التالية: البراءة الأمريكية رقم 8,075,692( البراءة الأمريكية رقم 2د البراءة الأمريكية رقم 5,810,934» البراءة الأمريكية رقم ¢5,798,137 البراءة الأمريكية رقم 5,139,762( البراءة الأمريكية رقم 5,077,028 البراءة الأمريكية رقم 7 البراءة الأمريكية رقم 4,868,013 البراءة الأمريكية رقم 4,820,587 البراءة الأمريكية رقم 4,416,913 البراءة الأمريكية رقم 4,314,525 البراءة الأمريكية رقم 3,012,862 0 البراءة الأمريكية رقم 3,012,861 البراءة الأمريكية رقم 2010/0215562 البراءة الأمريكية رقم 2010/0068116 البراءة الأمريكية رقم 2010/0047136؛ ‎sell‏ الأمريكية رقم 2 البراءة الأمريكية رقم 2009/0324479؛ البراءة الأمريكية رقم 1 ).) البراءة الأمريكية رقم 2009/0004090< البراءة الأمريكية رقم
56م البراءة الأمريكية رقم 2008/0056979« البراءة الأمريكية رقم 6م البراءة الأمريكية رقم 2008/0159942« البراءة الأمريكية رقم 0 البراءة الأمريكية رقم 2002/0086530 و البراءة الأمريكية رقم
2002/0081250. يتم ترسيب السيليكون ‎Silicon‏ على جسيمات في مفاعل ‎reactor‏ عن طريق انحلال غاز محمل بالسيليكون ‎decomposition of a silicon-bearing gas‏ تم اختياره من المجموعة التي تحتوي على ‎(Slaw silane SiHs (Saw‏ ثنائي 5116 ‎cdisilane‏ سيلانات عالية الترتيب ‎higher order‏ ‎silanes SinHono‏ كلوروسيلان ثنائي ‎ cdichlorosilane SiHaCl‏ كلوروسيلان ثلاثي ‎ctrichlorosilane SIHCI3‏ سيليكون كلوريد رياعي ‎esilicon tetrachloride SiCls‏ بروموسيلان ثنائي ‎«dibromosilane SiHBr: 0‏ بروموسيلان ثلاثي ‎ctribromosilane SiHBr3‏ سيليكون بروميد رباعي ‎silicon tetrabromide SiBry‏ أيودوسيلان ثنائي ‎SiHal‏ عصما:هلمننك» أيودوسيلان ثلاثي ‎dtriiodosilane 15‏ سيليكون ايوديد رباعي ‎esilicon tetraiodide Sila‏ وخليط منهم. قد يتم مزج ‎J)‏ المحمل بالسيليكون مع واحد أو أكثر من الغازات التي تحتوي على هالوجين؛ تعرف كما أي من المجموعة التي تحتوي على كلورين ‎cchlorine Cla‏ هيدروجين كلوريد ‎hydrogen chloride HCI‏ 5 ؛ برومين ‎cbromine Bra‏ هيدروجين بروميد ‎chydrogen bromide HBr‏ ايودين ‎cdodine In‏ هيدروجين ايوديد ‎chydrogen iodide HI‏ وخليط منهم. قد يتم أيضا مزج الغاز المحمل بالسيليكون مع واحد أو أكثر من غازات أخرى؛ ‎Jie‏ هيدروجين ‎hydrogen Ha‏ و/ أو واحد أكثر من الغازات الخاملة المختارة من نيتروجين ‎nitrogen No‏ هيليوم ‎cargon Ar (sal chelium He‏ ونيون ©060011. في تجسيمات خاصة؛ يكون الغاز المحمل بالسيليكون هو سيلان ©51100؛ ويتم مزج السيلان مع هيدروجين ‎hydrogen 0‏ يتم ادخال الغاز المحمل بالسيليكون؛ مع أي هيدروجين ‎hydrogen‏ مصاحب» غازات تحتوي على هالوجين ‎hydrogen‏ و/ أو غازات خاملة؛ في مفاعل طبقي مميع ويتحلل ‎Wha‏ خلال المفاعل لإنتاج سيليكون الذي يترسب على جسيمات دقيقة ‎Jala seed particles‏ المفاعل ‎reactor‏ ‏هناك مشكلة شائعة في مفاعلات الطبقة المميعة ‎fluidized bed reactors‏ هي تلوث الجسيمات المغلفة بالسيليكون في الطبقة المميعة في درجات حرارة التشغيل المرتفعة بواسطة المواد المستخدمة 5 في بناء المفاعل ومكوناته. على سبيل المثال؛ قد اتضح ان النيكل ‎nickel‏ للانتشار في طبقة السيليكون (على سبيل ‎(JB‏ على الجسيمات المغلفة بالسيليكون) من المعدن الأساسي في بعض سبائك النيكل ‎nickel alloys‏ المستخدمة في ‎oly‏ أجزاء المفاعل. تنشاً مشاكل مماثلة في مفاعلات
الطبقة المميعة مكونة من أجل الانحلال بالتحلل الحراري للغاز المحمل بالجرمانيوم ‎germanium-‏ ‎bearing gas‏ لإنتاج جسيمات مغلفة بالجرمانيوم ‎-germanium-coated particles‏ الوصف العام للاختراع
يتعلق هذا الكشف بتجسيمات لمواد كارييد سيليكون ‎csilicon carbide SiC‏ مواد رابطةء
وتصاميم مشتركة لعمل بطانات كارييد سيليكون مجزأة للاستخدام في مفاعل طبقي مميع ‎fluidized‏
‎bed reactor FBR‏ لصنع بولي سيليكون.
‏بطانات كارييد سيليكون ‎Silicon carbide liners‏ لمفاعل طبقي مميع ‎FBR‏ لإنتاج مادة حبيبية مغلفة بالبولي سيليكون ‎polysilicon-coated granulate material‏ لها سطح مواجة للداخل الذي يحدد جزئيا على الأقل غرفة التفاعل. قد يشمل ‎oda‏ من البطانة على الأقل على ‎SiC‏ رابط تفاعل ‎reaction-‏
‎bonded SiC 0‏ الذي ‎cal‏ على الأقل جزءِ من سطح مواجه للداخل للبطانة؛ مستوى تلوث سطح أقل من 963 ذرية من الإشابة ‎dopants‏ وأقل من 965 ذرية من المعادن الغريبة. في أحد التجسيمات؛ الجزء له مستوي تلوث سطح أقل من 903 ذرية من الإشابة ‎«B‏ لف ‎«Sc «Be «Ga‏ كل صل ‎«As‏ ‏1 و « مشتركة. في تجسيم مستقل؛ الجزء له مستوي تلوث سطح أقل من 961 ذرية من فوسفور ‎phosphorus‏ وأقل من 901 ذرية من بورون ‎‘boron‏
‏15 في أي من التجسيمات المذكورة أعلاه أو كلهاء قد يكون ل ‎SIC‏ ربط التفاعل تركيز معدن متنقل ‎metal concentration‏ منخفض بشكل كافي أن (1) المادة الحبيبية المغلفة ببولي سيليكون ‎polysilicon‏ المنتجة في مفاعل طبقي مميع ‎FBR‏ لديها مستوى تلوث معدن ‎Jae‏ أقل من أو يساوي ‎ppbw 1‏ أو (2) يكون الضغط الجزئي لمعدن متنقل في المفاعل الطبقي المميع ‎FBR‏ أقل من ‎pa 1‏ أثناء تشغيل مفاعل طبقي مميع ‎(FBR‏ أو (3) يكون تلوث المعدن المتنقل > 1 ‎ppbw‏
‏20 والضغط الجزئي للمعدن المتنقل في مفاعل طبقي مميع ‎FBR‏ أقل من 0.1 ‎Pa‏ أثناء العملية. قد تشمل المعادن المتنقلة ألومنيوم ‎<aluminum‏ كروم ‎«chromium‏ حديد 00 نحاس ‎«copper‏ ‏مغنيسيوم ‎cmagnesium‏ كالسيوم ‎ccalcium‏ صوديوم ‎¢sodium‏ تيكل ‎nickel‏ قصدير دن زنك ‎zinc‏ ‏وموليبدينوم ‎molybdenum‏ في أي من التجسيمات المذكورة أعلاه أو كلهاء قد يتم تجهيز ‎SIC‏ ربط التفاعل من سيليكون صنف شمسية ‎solar‏ أو إلكترونية.
‏25 قد يتم بناء بطانات ‎SiC‏ للاستخدام في مفاعل طبقي مميع ‎FBR‏ من العديد من أجزاء ‎SiC‏ ‏مرتبطة مع بعضها مع مادة ربط تشمل ملح ليثيوم. قد تشمل واحدة أو أكثر من الأجزاء على ‎SiC‏
ربط التفاعل. قد تكون ‎sale‏ الربط»ء قبل المعالجة؛ طين مائي ‎aqueous slurry‏ يضم 5000-2500 جزء لكل مليون ليثيوم ‎Jie lithium‏ ليثيوم سيليكات ‎lithium silicate‏ وجسيمات كارييد سيليكون ‎silicon carbide‏ في أي من التجسيمات المذكورة أعلاه أو كلهاء قد تشمل ‎sale‏ الريط كذلك على ألومنيوم سيليكات ‎silicate‏ مسمنسسله. في أي من التجسيمات المذكورة أعلاه أو ‎(lS‏ قد يكون لمادة الريط لزوجة من 3.5 ‎Pars‏ إلى 21 ‎Pas‏ عند '20م. في أي من التجسيمات المذكورة أعلاه أو كلهاء قد تشمل مادة ‎carl‏ بعد المعالجة؛ على 0.6-0.4 وزن % ليثيوم مثل ليثيوم ألومنيوم سيليكات ‎aluminum silicate‏ و97-93 وزن % جسيمات كارييد سيليكون ‎silicon carbide‏ تشمل عملية لبناء بطانة كارييد السيليكون ‎silicon carbide‏ من أجزاء ‎SiC‏ (1) تكوين سطح حافة مغلف واحد على الأقل من خلال تطبيق مادة ربط كما هو مبين هنا لجز على الأقل من سطح حافة ‎edge surface‏ من أول جزءٍ كارييد السيليكون ‎silicon carbide‏ ¢ )2( إحضار على الأقل ‎ga‏ ‏من سطح الحافة من أول ‎gga‏ كاربيد السيليكون في دعامة مع على الأقل جزءِ من سطح حافة من ثاني جزءِ كارييد السيليكون مع على الأقل جزءِ من مادة الريط الموضوعة بين أسطح حافة الدعامة من أول ‎gia‏ كاربيد السيليكون ‎silicon carbide‏ وثاني جزءٍ كارييد السيليكون ‎silicon carbide‏ و )3( تطبيق الحرارة على مادة الربطء في جو خال من المواد الهيدروكريونية؛ لتكوين أول وثاني ‎shal‏ ‏5 كاربيد سيليكون مترابطة. قد يشمل تطبيق الحرارة تعريض أجزاء كاربيد سيليكون الأول والثاني المشتركة في نفس المكان إلى جو عند أول درجة حرارة ‎TT‏ للفترة الاولى من الوقت؛ زيادة درجة الحرارة إلى درجة حرارة 72؛ وتعريض أجزاء كاربيد سيليكون الأول والثاني المشتركة في نفس المكان لدرجة الحرارة الثانية ‎(T2‏ حيث 12> ‎(TT‏ للفترة الثانية من الوقت لعلاج ‎sale‏ الريط. في أي من التجسيمات المذكورة أعلاه أو كلها يمكن أن يسمح لأجزاء ©:5المشتركة في نفس المكان لتجف 0 للترة أولية من الوقت في درجة حرارة الغرفة في الهواء قبل تطبيق الحرارة ‎‘heat‏ ‏في أي من التجسيمات المذكورة أعلاه أو كلهاء عندما يشترك جزأين ‎SIC‏ مع مادة ‎call‏ قد يحدد واحد من سطح حافة من أول جزءِ ‎SIC‏ وسطح حافة مجاور من ثاني ‎ein SIC ea‏ مشترك أنثوي ‎female joint‏ قد يحدد سطح الحافة الآخر من أول جزءِ ‎SIC‏ وسطح الحافة المجاور من ثاني جزء ‎gia SIC‏ مشترك ذكوري ذو أبعاد تعاونية لتتناسب مع ‎gall‏ المشترك الأنثوي. الجزء 5 المشترك الذكوري له أبعاد أصغر من ‎gall‏ المشترك الأنثوي؛ بالتالي تشكيل فراغ ‎space‏ عندما يتم اشتراك جزأين ‎SIC‏ نفس المكان. يتم التخلص من مادة الريط في الفراغ. في بعض التجسيمات؛ تشمل بطانة ‎SIC‏ المجزأة العديد من أجزاء ‎SIC‏ مجمعة رأسيا. أول جزء 5:0 له سطح حافة علوي يحدد واحد من منخفض أول ‎ein‏ مفتوح للأعلى أو بروز أول ‎ga‏
ممتد للأعلى. ثاني ‎SIC ein‏ موجود بالأعلى ومشترك في نفس المكان مع أول جزءِ له سطح حافة سفلي يحدد منخفض ثاني ‎ein‏ مفتوح لأسفل لو يحدد سطح الحافة العلوي لأول ‎oa‏ بروز أول > ممتد للأعلى أو بروز ثاني جزءٍ ممتد للأسفل لو يحدد سطح الحافة العلوي لأول ‎gia‏ منخفض لأول جزء مفتوح للأعلى. يتم تلقي البروز خلال المنخفض. يكون للبروز أبعاد أصغر من المنخفض بحيث سطح المنخفض يكون متباعد عن سطح البروزء ‎aig‏ الفراغ بين المنخفض والبروز. يتم التخلص من كمية مادة الريط خلال الفراغ. قد يحدد كل من أول وثاني ‎SIC shal‏ جدار أنبوبي. الجدار الأنبوبي الأول له سطح علوي حلقي؛ يكون سطح الحافة العلوي ‎gia‏ منه على الأقل؛ ويكون منخفض أول ‎ga‏ هو شق ممتد بطول على الأقل جزءِ من سطح الحافة العلوي أو يمتد بروز أول ‎ga‏ للأعلى من و بطول على الأقل ‎Ha‏ ‏0 من سطح الحافة العلوي لأول جزء. قد يمتد الشق أو البروز حول السطح العلوي الحلقي الكامل. الجدار الأنبوبي الداخلي له سطح سفلي حلقي؛ يكون سطح الحافة ‎aul‏ جزء منه على الأقل؛ ويكون منخفض ثاني جزءِ هو بروز ممتد للأسفل من ويطول على الأقل ‎gn‏ من سطح الحافة السفلي أو يكون منخفض ثاني جزءِ هو شق الذي يحدد بواسطة ويمتد بطول على الأقل جزءِ من سطح الحافة السفلي لثاني ‎ga‏ قد يمتد البروز أو المنخفض حول السطح السفلي الحلقي الكامل. 5 في أي من التجسيمات المذكورة أعلاه أو كلها قد يشمل ‎SIC ha‏ الثاني سطح حافة علوي الذي يحدد منخفض ثاني جزءٍ مفتوح للأعلى. في أي من التجسيمات المذكورة أعلاه أو كلها؛ قد تشمل بطانة ‎SiC‏ المجزأة واحد أو أكثر من أجزاء ‎SIC‏ إضافية. قد يشمل كل جزءِ ‎SIC‏ إضافي على سطح حافة علوي يحدد منخفض مفتوح للأعلى وسطح حافة سفلي يحدد بروز ممتد للأسفل. يتم تلقي البروز خلال منخفض سطح الحافة 0 العلوي ‎SIC gal‏ مجاور موجود أسفل ومشترك في نفس المكان مع جزءِ ‎SIC‏ الإضافي؛ يكون للبروز أبعاد أصغر من منخفض جزءٍ ‎SIC‏ المجاور بحيث يقع الفراغ بين البروز والمنخفض. يتم التخلص من كمية مادة الربط خلال الفراغ. في أي من التجسيمات المذكورة أعلاه أو ‎gl‏ قد تشمل بطانة ‎SIC‏ المجزأة كذلك على جزء ‎SiC‏ طرفيء الذي يكون ‎gall‏ الأعلى للبطانة. في بعض التجسيمات؛ يقع جزءِ ‎SIC‏ الطرفي فوق 5 ومشترك في نفس المكان مع ‎Yau.
JBI SIC gia‏ عن ذلك؛ قد يقع فوق ومشترك مع ‎SiC eh»‏ إضافي؛ الذي يقع فوق جزءِ ‎SIC‏ الثاني. في بعض التجسيمات؛ يكون ‎SIC ga‏ الطرفي له سطح حافة سفلي تحدد بروز جزءِ طرفي ممتد للأسفل متلقي خلال منخفض من جزءِ ‎SIC‏ يقع بجوار
وتحت ‎SIC ga‏ الطرفي؛ يكون للبروز أبعاد أصغر من المنخفض بحيث يقع الفراغ بين البروز والمنخفض. يتم التخلص من كمية ‎sale‏ الريط خلال الفراغ. في بعض التجسيمات؛ تشمل بطانة ‎SIC‏ المجزأة على جدار أنبوبي يضم العديد من أجزاء ‎SIC‏ مشتركة جانبياء كل ‎SIC eda‏ مشترك جانبيا له حواف جانبية وسطح خارجي الذي يكون ‎gr‏ ‏5 من السطح الخارجي للجدار الأنبوبي. يتم التخلص من كمية مادة الريط بين الحواف الجانبية المشتركة في نفس المكان من أجزاء ‎SIC‏ المجاورة. في أحد التجسيمات؛ يشمل كل جزء ‎SIC‏ من الجدار الأنبوبي على سطح حافة جانبية أول الذي يحدد منخفض مفتوح جانبيا بطول ‎gin‏ على الأقل من طول سطح حافة جانبية أول؛ وثاني سطح حافة جانبية الذي يحدد بروز يمتد جانبيا بطول ‎gia‏ على الأقل من ثاني سطح حافة جانبية. 0 يكون للبروز أبعاد أصغر من المنخفض بحيث عندما تشترك الحافة الجانبية الأولى من أول > ‎SIC‏ في نفس المكان مع الحافة الجانبية الثانية من ‎SIC gia‏ مجاورء يتباعد سطح المنخفض من سطح البروز ويقع الفراغ بين المنخفض والبروز. يتم التخلص من كمية مادة الريط خلال الفراغ. في تجسيم آخرء يشمل الجدار الأنبوبي على أجزاء ‎SIC‏ أولى وثانية بديلة مشتركة جانبيا. يشمل كل أول جزءِ ‎SIC‏ على سطح حافة جانبية أول الذي يحدد منخفض مفتوح جانبيا بطول جزءٍ على الأقل من طول سطح ‎Blas‏ جانبية أول» يشمل كل ثاني ‎SIC oa‏ على ثاني سطح حافة جانبية الذي يحدد بروز يمتد جانبيا بطول جزءٍ على الأقل من ثاني سطح حافة جانبية. يكون للبروز أبعاد أصغر من منخفض سطح حافة جانبية أول بحيث؛ عندما تشترك الحافة الجانبية الأولى من أول جزء في نفس المكان مع الحافة الجانبية الثانية. يكون للبروز أبعاد أصغر من المنخفض بحيث؛ عندما تشترك الحافة الجانبية الأولى من أول جزء في نفس المكان مع الحافة الجانبية الثانية؛ يتباعد 0 سطح منخفض أول جزءِ من سطح بروز ‎JE gall‏ ويقع الفراغ بين منخفض الجزء الأول وبروز الجزء الثاني؛ ويتم التخلص من كمية مادة الريط خلال الفراغ. قد تشمل بطانة ‎SiC‏ المجزأة على أول وثاني جدران أنبوبية مجمعة ‎bl)‏ يشمل كل جدار أنبوبي على العديد من أجزاء ‎SIC‏ المشتركة جانبيا كما هو موصوف أعلاه. يتم التخلص من كمية مادة الريط بين ‎SIC shal‏ المشتركة جانبيا المجاورة من كل جدار أنبوبي. بالاضافة الى ذلك؛ يتم 5 التخلص من كمية مادة ‎Jal‏ بين أول وثاني جدران أنبودية. في مثل هذه التجسيمات؛ يشمل كذلك كل ‎SIC ga‏ من أول جدار أنبوبي على سطح حافة علوي الذي يحدد منخفض ‎ga‏ أول جدار أنبوبي مفتوح لأعلى. يشمل ‎AK‏ كل جزء ‎SIC‏ من ثاني جدار ‎gl‏ على سطح ‎dla‏ سفلي الذي يحدد بروز ‎ga‏ ثاني جدار أنبوبي ‎See‏ لأسفل متلقى خلال منخفض جزء أول جدار أنبوبي. يكون
لبروز جزءٍ ثاني جدار أنبوبي أبعاد أصغر من منخفض جزء أول جدار أنبوبي بحيث يقع الفراغ بين البروز والمنخفض؛ عندما تشترك أجزاء الجدار الأنبوبي الأول والثاني في نفس المكان. في بعض التجسيمات المذكورة أعلاه؛ يشمل كذلك كل ‎gga‏ ثاني جدار أنبوبي على سطح حافة علوي الذي يحدد منخفض مفتوح للأعلى. في مثل هذه التجسيمات؛ قد تشمل كذلك بطانة ‎SIC‏ ‏5 المجزأة على واحد أو أكثر من جدران أنبوبية إضافية؛ يشمل كل جدار انبوبي اضافي على العديد من أجزاء ‎SIC‏ اضافية مشتركة جانبيا. يشمل كل جزءِ ‎SIC‏ اضافي على أول حافة جانبية التي تحدد منخفض مفتوح جانبيا بطول ‎gin‏ على الأقل من طوله؛ ثاني حافة جانبية التي تحدد بروز ممتد جانبيا بطول ‎sha‏ على الأقل من طوله» سطح حافة علوي الذي يحدد منخفض مفتوح للأعلى» وسطح حافة سفلي الذي يحدد بروز ممتد للأسفل.
10 في أي من التجسيمات المذكورة أعلاه أو كلهاء قد تشمل كذلك بطانة ‎SIC‏ المجزأة على جدار أنبوبي طرفي يضم عد وافر من أجزاء ‎SiC‏ الطرفية المشتركة جانبيا. يشمل كل ‎SIC ga‏ طرفي على أول حافة جانبية التي تحدد منخفض مفتوح جانبيا بطول ‎eda‏ على الأقل من طوله؛ ثاني حافة جانبية التي تحدد بروز ممتد جانبيا بطول جزء على الأقل من طوله؛ وسطح حافة سفلي الذي يحدد بروز ممتد للأسفل متلقي في منخفض مفتوح للأعلى من جزءِ جدار انبوبي يقع تحت ‎SIC ea‏
الطرفي.
في أي من التجسيمات المذكورة أعلاه أو ‎lS‏ قد يمتد عضو محتجز واحد على الأقل حول السطح الخارجي الأسطواني من كل جدار أنبوبي يضم من العديد من أجزاء ‎SIC‏ المشتركة جانبيا. قد يكون للعضو المحتجز معامل خطي من التمدد الحراري مماثل ل ‎Jie SIC‏ معامل خطي من تمدد حراري يتراوح من 105/6 ‎x‏ 2 إلى 10/16 ‎x‏ 6. في بعض التجسيمات؛ يتم ‎oly‏ العضو المحتجز
0 -_من الموليبدينوم أو سبائك الموليبدينوم.
يشمل مفاعل الطبقة المميعة لانتاج مادة حبيبية مغلفة بالبولي سيليكون على وعاء له جدار خارجي؛ وبطانة كارييد سيليكون كما هو موضح هناء يتم وضع البطانة لخارج الجدار الخارجي بحيث يحدد السطح الداخلي للبطانة جز من غرفة التفاعل. قد تكون البطانة ‎Lise SiC‏ جزئيا على الاقل من ‎SIC‏ ربط التفاعل. قد يتم بناء البطانة ‎SIC‏ من أجزاء ©51. في أي من التجسيمات المذكورة
5 أعلاه أو كلهاء؛ قد يشمل كذلك ‎Jolie‏ طبقي مميع ‎FBR‏ على سخان واحد على الأقل يقع بين الجدار الخارجي وبطانة كاربيد سيليكون المجزأة؛ مدخل واحد على الأقل له فتحة في موقع قبول وجود الغاز الأولي الذي يضم الغاز المحمل بالسيليكون في غرفة التفاعل؛ العديد من مداخل غاز التميع؛ حيث
كل مدخل غاز تميع له فتحة منفذ في غرفة التفاعل؛ منفذ واحد على الأقل لإزالة جسيمات منتج مغلف بالسيليكون من الوعاء. سيصبح ما سبق وغيره من خصائص ‎Ley‏ الاختراع أكثر وضوحا من الوصف التفصيلي التالي؛ الذي يقدم مع الإشارة إلى الأشكال المرفقة. شرح مختصر للرسومات الشكل 1 يمثل منظر مرتفع مقطعي تخطيطي لمفاعل الطبقة المميعة. الشكل 2 يمثل منظر مائل تخطيطي لبطانة مجزأة تشمل مجموعة أجزاء مجمعة. الشكل 3 يمثل منظر مقطعي جزئي تخطيطي؛ مأخوذ بطول خط 3-3 من الشكل 2 يوضح الرابطة بين اثنين من أجزاء كارييد سيليكون مشتركة رأسيا. الشكل 4 ‎Jia‏ منظر ممدد تخطيطي لأول ‎gia‏ كارييد سيليكون وثاني ‎gia‏ كارييد سيليكون من البطانة المجزأة من الشكل 2. الشكل 5 ‎Jia‏ منظر مقطعي تخطيطي؛ مأخوذ بطول خط 5-5 من الشكل 2؛ من جزءِ من بطانة مجزأة توضح ثلاثة أجزاء كاربيد سيليكون مشتركة رأسيا. الشكل 6 يمثل منظر مرتفع تخطيطي ‎ial‏ كارييد سيليكون طرفي. الشكل 7 يمثل منظر مائل تخطيطي لبطانة مجزأة تشمل مجموعة أجزاء متصلة جانبيا. الشكل 8 يمثل منظر مائل تخطيطي لجزءٍ واحد من البطانة التي تشمل مجموعة أجزاء متصلة جانبيا. الشكل 9 يمثل منظر مقطعي جزئي تخطيطي؛ مأخوذ بطول خط 9-9 من الشكل 7 يوضح الرابطة بين اثنين من أجزاء كارييد سيليكون مشتركة جانبيا. الشكل 10 يمثل منظر مائل تخطيطي لبطانة مجزأة تشمل مجموعة أجزاء متصلة ‎bud)‏ يتألف كل منهم من أجزاء متصلة جانبيا وتضم عناصر احتفاظ. الشكل 11 يمثل منظر مائل تخطيطي لبطانة مجزأة تشمل مجموعة ‎shal‏ جدار أنبوبي مجمعة؛ يشمل كل جزء جدار أنبوبي مجموعة أجزاء متصلة جانبيا. الشكل 12 يمثل منظر ممدد تخطيطي لأجزاء من اثنين من أجزاء جدار مجمعة مشتركة في 5 نفس المكان.
الشكل 13 يمثل منظر مائل تخطيطي لجزء واحد من جزءٍ الجدار الانبوبي الطرفي من الشكل 11. الشكل 14 ‎Jia‏ منظر مائل تخطيطي للبطانة المجزأة من الشكل 11؛ حيث يحيط العديد من عناصر الاحتفاظ بأجزاء الجدار الانبوبي المشترك رأسيا. الوصف التفصيلي: يتعلق هذا الكشف بتجسيمات مواد كاربيد السيليكون؛ مواد رابطة؛ وتصاميم مشتركة لعمل بطانات كارييد سيليكون مجزأة للاستخدام في مفاعل طبقي مميع لصنع بولي سيليكون. قد يشمل مفاعل الطبقة المميعة ‎FBR‏ لصنع بولي سيليكون حبيبي على بطانة مواجهة للداخل في غرفة التفاعل. تمنع البطانة تلوث حبيبات البولي سيليكون الناجم من مكونات التفاعل 0 الموجودة خارج البطانة. يتم بناء البطانة من مادة غير ملوثة؛ مثل كارييد سيليكون. مع ذلك؛ قد لا يسمح تصنيع وحدود تصميم المفاعل من تجهيز قطعة بطانة كارييد سيليكون واحدة. على سبيل المثال؛ قد لا يكون من الممكن صنع قطعة بطانة كارييد سيليكون واحدة كبيرة بشكل كافي للنطاق التجاري 21. وفقا لذلك؛ قد يتم تجميع بطانة كارييد السيليكون من العديد من أجزاء كارييد السيليكون. ‎Lan‏ الحاجة لتصاميم مشتركة ومواد ربط مناسبة لبناء بطانات كارييد 5 ميليكون مجزأة. بالاضافة إلى ذلك؛ يؤخذ في الاعتبار نقاء كارييد السيليكون. على سبيل المثال؛ يتم تجهيز بعض كاربيدات السيليكون باستخدام إضافات بورون نيترايد؛ التي تنتج تلوث بورون غير مرغوب لحبيبات البولي سيليكون تحت ظروف التفاعل خلال مفاعل طبقي مميع ‎FBR‏ ‏1. تعريفات واختصارات تقدم التفسيرات التالية للمصطلحات والاختصارات لوصف أفضل للكشف الحالي وتوجيه ذوي 0 المهارة العادية في المجال في ممارسة الكشف ‎all‏ كما هو مستخدم هنا "؛ ‎"Cll‏ تعني "تشمل" وتشمل صيغ المفرد ‎a"‏ أو ‎"an"‏ أو ‎"the!‏ مجموعة إشارات ما لم يملي السياق خلاف ذلك بوضوح. يشير المصطلح "أو" إلى عنصر واحد من العناصر البديلة المذكورة أو مزيج من عنصرين أو ‎SST‏ ‏ما لم يدل النص على خلاف ذلك بوضوح. ما لم يوضح غير ذلك؛ كل المصطلحات التقنية والعلمية المستخدمة هنا لها نفس المعنى كما 5 يفهم عادة واحد من ذوي المهارة العادية في المجال التي ينتمي ‎ad)‏ هذا الكشف. على الرغم من أنه يمكن استخدام أساليب ومواد مماثلة أو مساوية لتلك الموصوفة هنا في ممارسة أو اختبار الكشف
الحالي؛ يتم وصف الأساليب والمواد المناسبة أدناه. تكون المواد؛ الأساليب»؛ والأمثلة توضيحية فقط ولا تهدف إلى أن تكون حصرية. تتضح خصائص أخرى من الكشف من الوصف التفصيلي التالي عناصر الحماية. ما لم يذكر خلاف ذلك؛ ‎Gl‏ جميع الأرقام التي تعبر عن كميات المكونات؛ النسب المئوية؛ درجات الحرارة؛ الأزمنة؛ وبالتالي؛ كما هو مستخدم في المواصفات أو عناصر الحماية يجب أن تكون مفهومة كما يتم تعديلها بواسطة المصطلح "حوالي”. وفقا لذلك؛ ما لم ينص على خلاف ذلك؛ بشكل ضمني أو صريح؛ تكون المعايير العددية المحددة تقريبية حيث تعتمد على بحث الخصائص المطلوية؛ حدود الكشف في ظل ظروف الاختبار/ الأساليب القياسية؛ أو كليهما. عندما تكون التجسيمات المميزة مباشرة ويشكل صريح من التقنية السابقة التي تمت مناقشتها؛ تكون أرقام التجسيم 0 غير تقريبية إلا إذا ذكرت كلمة "حوالي". ما لم يحدد خلاف ذلك؛ تفهم جميع النسب المئوية التي تشير إلى تركيبة أو مادة أنها نسبة بالوزن» ‎el‏ 96 (وزن/ وزن). على سبيل المثال؛ تركيبة تشمل %2 ليثيوم تشمل 2 جم ليثيوم لكل 0 جم من التركيبة. حيث لوحظ بوضوح انه قد تكون النسب المئوية التي تشير إلى مادة هي نسب مثوية ‎(yd‏ أي؛ عدد الذرات لكل 100 ذرة. على سبيل المثال؛ مادة تشمل 961 فوسفور ذري 5 تشمل ذرة فوسفور واحدة لكل مائة ذرة في المادة. بشكل مماثل؛ يتم فهم التركيزات الموضحة كأجزاء في المليون ‎(ppm)‏ أو أجزاء في البليون ‎(ppb)‏ انها في مصطلحات الوزن ما لم يوضح خلاف ذلك؛ على سبيل ‎ga 1 (JU)‏ لكل مليون ‎I=‏ مجم/كجم. حيث لوحظ بوضوح؛ انه قد يتم التعبير عن التركيزات ‎ppma Jie‏ (جزء لكل مليون ذري) أو 0008 على سبيل المثال» 1 ‎ppma‏ = 1 ذرة في 0 ذرة. من أجل تسهيل استعراض التجسيمات المتنوعة للكشف»؛ يتم تقديم التفسيرات التالية لمصطلحات خاصة: قابل: ذرة قادرة على قبول الكترون (إشابة نوع م)؛ بالتالي تنتج فتحات في رابطة التكافؤ في ذرات السيليكون؛ تشمل القابلات على مجموعة عناصر ‎«Ill‏ مثل ‎«Ga <Al (B‏ أيضا ‎.Sc Be‏ نسبة ذرية: نسبة الذرات في المادة؛ أي؛ عدد الذرات في عنصر محدد لكل 100 ذرة في 5 المادة. مانح: ذرة قادرة على منح الكترون لتعمل كناقل شحنة في كارييد السيليكون (إشابة نوع ‎fn‏ ‏تتشارك الاريع الكترونات المتبقية مع السيليكون؛ تشمل المانحات على مجموعة عناصر 7؛ مثل ل ‎¢As P‏ أيضا ‎.Sb «Cr «Ti‏
إشابة: شوائب دخلت المادة لتعديل خصائصها؛ عناصر قابلة ومائحة تستبدل عناصر في الشبكة البللورية للمادة؛ على سبيل المثال» شبه موصل. سيليكون صنف الكتروني: السيليكون صنف الكتروني؛ أو صنف شبه موصلء له نقاء على ‎JV‏ 99.99999 وزن 96؛ مثل نقاء من 99.9999999-99.9999 وزن % سيليكون. قد لا تشمل نسبة النقاء شوائب معينة؛ مثل كربون وأكسجين. يشمل السيليكون صنف الكتروني عادة على أقل من أو يساوي 0.3 ‎cppba B‏ أقل من أو يساوي 0.3 ‎cppba P‏ أقل من أو يساوي 0.5 ‎ppma‏ ‎Ji «Cc‏ من 50 ‎ppba‏ معدن سائب ‎Ae)‏ سبيل المثال ‎«Na «Mo «Zn «Cu «Ni Fe «Cr «Ti‏ كل ‎(Ca‏ أقل من أو يساوي 20 ‎ppbw‏ معادن سطح؛ أقل من أو يساوي 8 ‎(Cr ppbw‏ أقل من أو يساوي 8 ‎(Ni ppbw‏ أقل من أو يساوي 8 ‎ppba‏ 118. في بعض الأمثلة؛ يشمل السيليكون صنف 0 الكتروني على أقل من أو يساوي 0.15 ‎<B ppba‏ قل من أو يساوي 00.15 000 أقل من أو يساوي 4 ‎C‏ مندم؛ أقل من 10 ‎ppbw‏ معدن سائب» أقل من أو يساوي 0.8 ‎ppbw‏ معادن سطح؛ أقل من أو يساوي 0.2 ‎«Cr ppbw‏ أقل من أو يساوي 0.2 ‎(Ni ppbw‏ أقل من أو يساوي ‎Na ppba 0.2‏ معدن غريب: كما هو مستخدم ‎(bs‏ يشير المصطلح 'معدن غربب" إلى أي معدن موجود في 5 كارييد سيليكون؛ غير السيليكون. ‎Linear coefficient of thermal expansion :LCTE‏ معامل خطي للتمدد ‎(hall‏ قياس التغيير الجزئي في طول المادة لكل درجة تغير في درجة الحرارة. معدن متنقل: كما هو مستخدم ‎cls‏ يشير المصطلح "معدن ‎"Jae‏ إلى ذرة معدنية أو أيون مدني الذي قد يهاجر خارج المادة (على سبيل ‎(Jaa‏ خارج كارييد السيليكون) أو يتبخر في ظروف 0 تشغيل مفاعل طبقي مميع وبساهم بتلوث المنتج. تشمل المعادن المتنقلة على مجموعة معادن ‎JA‏ ‏مجموعة معادن 118 مجموعة معادن ‎(ITA‏ معادن انتقالية؛ وكاتيونات منها. كارييد سيليكون ريط التفاعل ‎:Reaction-bonded silicon carbide (RBSIC)‏ قد يتم انتاج كارييد سيليكون ريط التفاعل عن ‎Goh‏ تفاعل كريون مسامي أو جرافيت مع سيليكون منصهر. بدلا من ذلك؛ قد يتم تشكيل كارييد سيليكون ربط التفاعل ‎RBSIC‏ من خلال تعريض خليط من حبيبات 5 دقيقة من كارييد السيليكون وجسيمات الكريون إلى سيليكون سائل أو متبخر في درجات حرارة عالية حيث يتفاعل السيليكون مع الكريون لتشكيل كارييد سيليكون إضافي؛ الذي يريط جسيمات كارييد السيليكون الأصلية معا. غالبا ما تحتوي كاربيد سيليكون ريط التفاعل ‎RBSIC‏ على فائض مولي من سيليكون غير متفاعل؛ الذي يملا الفراغات بين جسيمات كاربيد السيليكون؛ ويمكن أن يشار إليها
كما 'كارييد سيليكون مسلكن.” في بعض العمليات؛ يمكن استخدام الملدنات أثناء عملية التصنيع وإحراقها بعد ذلك. السيليكون الشمسي: عبارة عن سيليكون له درجة نقاء على الأقل 9699.999 وزن ذري. علاوة على ذلك؛ يكون السيليكون صنف شمسي له عادة تركيزات محددة من العناصر التي تؤثر على الأداء الشمسي. وفقا لجهاز شبه موصل وقياس مواد عالمية ‎SEMI‏ 017017-0611؛ قد يتم تصميم سيليكون السيليكون الشمسي بالرمز فئة ‎IV‏ على سبيل المثال؛ يحتوي سيليكون السيليكون الشمسي بالرمز فئة ‎TV‏ على أقل من 1000 ‎ppba‏ ناقل ‎«(Al «B)‏ أقل من 720 ‎ppba‏ مائح ‎<P)‏ ىل ‎«(Sb‏ ‏أقل من 100 ‎ppma‏ كربون» أقل من 200 ‎ppba‏ معادن انتقالية ‎«Zn «Cu «Ni «Fe «Cr ¢Ti)‏ ‎«(Mo‏ وأقل من 4000 ‎ppba‏ ألكيل ومعادن ألكيل أرضية.
تلوث السطح ‎Surface contamination‏ يشير تلوت السطح إلى تلوث (أي ‎٠‏ عناصر غير مرغوبة؛ أيونات؛ أو مركبات) خلال طبقات السطح في المادة؛ ‎gia Jie‏ كارييد سيليكون. تشمل طبقات السطح على طبقة ذرية خارجية أو جزيئية في المادة كما طبقات ذرية/ جزيئية تمتد للداخل لعمق 25 ميكروميتر في المادة. قد يحدد تلوث السطح عن طريق أسلوب ‎edad‏ لكن لا يقتصر على؛ المجهر الإلكتروني؛ التحليل الطيفي للأشعة السينية مشتت الطاقة ‎energy dispersive x-ray‏
‎espectroscopy 5‏ أو مطياف الكتلة ثانوي الأيون ‎.secondary ion mass spectrometry‏ ‎TI‏ مفاعل طبقي مميع
‏الشكل 1 يمثل رسم تخطيطي مبسط لمفاعل طبقي مميع 10 لإنتاج جسيمات مغلفة بالسيليكون. يمتد المفاعل 10 بشكل عام عمودياء له جدار خارجي 20 محور مركزي ‎Al‏ وقد يكون له أبعاد مستعرضة والتي تختلف عند ارتفاعات مختلفة. المفاعل المبين في الشكل 1 له خمس
‏0 مناطق» ‎VAT‏ لاختلاف الأبعاد المستعرضة عند ارتفاعات مختلفة. يمكن تحديد غرفة التفاعل بواسطة جدران مختلف الأبعاد المستعرضة؛ التي قد تتسبب في التدفق التصاعدي للغاز من خلال المفاعل ليكون على سرعات مختلفة عند ارتفاعات مختلفة. تزرع الجسيمات المغلفة بالسيليكون عن طريق التحلل بالتحلل الحراري للغاز المحمل بالسيليكون داخل غرفة المفاعل 30 وترسب السيليكون على الجسيمات داخل طبقة مميعة.
‏25 تقدم واحد او أكثر من أنابيب الإدخال 40 لقبول الغاز الرئيسي؛ على سبيل المثال؛ غاز محمل بالسيليكون أو خليط من الغاز المحمل بالسيليكون؛ هيدروجين و/ أو غاز خامل (مثل هيليوم؛ أرجون) في غرفة المفاعل 30. يشمل المفاعل 10 كذلك على واحد أو أكثر من أنابيب الإدخال الغاز المميع 50. يوصل الهيدروجين الاضافي و/ أو الغاز الخامل داخل المفاعل من خلال أنبوب
(أنابيب) مدخل مميع 50 لتقديم تدفق غاز كافي لتمييع الجسيمات خلال طبقة المفاعل. في بداية الإنتاج وأثناء العمليات العادية؛ يتم إدخال جسيمات دقيقة في المفاعل 10 من خلال أنبوب إدخال الجسمات الدقيقة 60. يتم حصاد الجسيمات المغلفة بالسيليكون عن طريق الإزالة من مفاعل 10 من خلال واحد أو أكثر من الأنابيب منفذ المنتج 70. قد تمتد البطانة 80 عموديا من خلال المفاعل 10. في بعض الترتيبات؛ تكون البطانة متحدة المركز مع جدار المفاعل 20. البطانة الموضحة 80 هي عموما اسطوانة دائرية الشكل؛ أي بطانة أنبوبية. في بعض التجسيمات؛ يمتد تركيب المسبار 0 إلى غرفة المفاعل 30. يتضمن المفاعل 10 كذلك على واحد أو أكثر من أجهزة التسخين. في بعض التجسيمات؛ يتضمن المفاعل مجموعة دائرية من سخانات 100 تقع بتكثف حول غرفة المفاعل 0 بين بطانة 80 و الجدار الخارجي 20. في بعض الأنظمة؛ يستخدم العديد من سخانات اشعاعية 0 100 مع سخانات 100 متباعدة على مسافة واحدة من بعضها البعض. تختلف درجة الحرارة في المفاعل في أجزاء مختلفة من المفاعل. على سبيل المثال؛ عندما تعمل مع سيلان مثل مركب يحتوي على السيليكون والذي ينتشر منه السيليكون في تصنيع جسيمات البولي سيليكون» تكون درجة الحرارة في المنطقة 1» أي؛ في منطقة القاع» هي درجة حرارة الغرفة إلى 100 درجة مئوية (الشكل 1). في المنطقة ‎oI‏ أي؛ منطقة التبريد؛ تتراوح درجة الحرارة عادة من 5 700-50 درجة مئوية. في المنطقة ‎IT‏ المنطقة الوسطى» تكون درجة الحرارة على ‎lls‏ تقريبا كما هو الحال في المنطقة ‎gall IV‏ المركزي من المنطقة ‎(IV‏ أي؛ منطقة التفاعل والبداية؛ تبقى عند 760-620 درجة مثوية؛ ومميز أكثر عند 690-660 درجة مثوية؛ مع درجة حرارة متزايدة إلى 900-0 درجة مئوية بالقرب من جدران المنطقة ‎(IV‏ أي؛ منطقة مشعة. ‎gall‏ العلوي من منطقة ‎sf »7‏ منطقة إخماد؛ له درجة حرارة 450-400 درجة ‎Adie‏ ‏20 يتم إنتاج الجسيمات الحبيبية المغلفة بالبولي سيليكون بواسطة تدفق الغاز الذي يحتوي على السيليكون من خلال مفاعل الطبقة المميعة الذي ‎ging‏ على جزىء ‎BY‏ داخل غرفة المفاعل في ظل ظروف كافية لإحداث الانحلال الحراري للغاز الذي يحتوي على السيليكون وترسب طبقة السيليكون متعدد البللورات على جزىء البذرة لتشكيل جسيمات مغلفة بالبولي سيليكون. يمكن أن تكون الأسطح المتصلة بالجسيمات الدقيقة و/ أو جسيمات مغلفة بالسيليكون في 5 غرفة المفاعل 30 هي مصدر لتلوث المنتج. المعادن ‎dill)‏ على سبيل المثال؛ تكون عرضة للتأكل بالاحتكاك من الاتصال مع جسيمات مغلفة بالسيليكون المميع. يشير المصطلح "التآكل بالاحتكاك" لبلي ونقل المواد بين الأسطح المعدنية التي تكون على اتصال مباشر مع الحركة النسبية. يمكن أن تكون الجسيمات المغلفة بالسيليكون ملوثة بواسطة المعدن المنقول.
يسبب ‎JST‏ بالاحتكاك أيضا بلي وتمزق المكونات المعدنية؛ مما يؤدي إلى توقف المفاعل كما يتم استبدال المكونات أو تكون الأسطح المعدنية أرضية أو تصنع لإعادتها إلى حالة لإعادة استخدامها. بالتالي؛ هناك حاجة لتحسين أسطح المفاعل من شأنها أن تتحمل بشكل أفضل ظروف المفاعل؛ الحد من تلوث المنتج؛ أو كليهما.
البطانة الغير ملوثة؛ لها سطح مواجه للداخل الذي يحدد على الأقل جزئيا غرفة التفاعل ويقلل تلوث المنتج. تمنع البطانة تلوث الحبيبية المغلفة بالبولي سيليكون الناشئة من مكونات المفاعل الموجود خارج البطانة. تشمل مواد البطانة المناسبة؛ لكن لا تقتصر على كارييد سيليكون غير ملوث. يمكن لبطانات كاربيد السيليكون؛ مع ذلك؛ أن تشكل تحديات عند العمل مع مفاعلات طبقة مميعة ذات نطاق تجاري (و2885). على سبيل المثال؛ قد يحول تصنيع و/ أو قيود تصميم المفاعل دون
0 استخدام بطانة ‎SIC‏ ذات قطعة واحدة. وفقا لذلك؛ قد يتم بناء بطانة ‎SIC‏ من الأجزاء التي اشتركت لتشكيل البطانة. تمتد بطانة ‎SIC‏ من خلال ‎gia‏ على الأقل من المنطقة ‎(IV‏ أي؛ منطقة التفاعل والبداية؛ من مفاعل طبقي مميع ‎FBR‏ بشكل مميز؛ تمتد البطانة من خلال طول المنطقة ‎JV‏ قد تمتد البطانة كذلك من خلال المناطق ‎CID dD ol‏ 7؛ أو أي مزيج منها. في بعض الأمثلة؛ تمتد البطانة من 5 خلال ‎ga‏ على الأقل من المنطقة ‎oT‏ المنطقة ‎(IIT‏ المنطقة ‎IV‏ وعلى الأقل ‎ga‏ من منطقة ؟ كما هو موضح في الشكل 1. 1. بطانات كارييد سيليكون يتم بناء بطانات كاربيد السيليكون لمفاعلات الطبقة المميعة بشكل مميز من ‎SIC‏ التي لا تسبب تلوث كبير للمنتج عندما تتعرض بطانة ‎SiC‏ لظروف تشغيل من ‎Jolie‏ طبقي مميع ‎‘FBR‏ ‏0 في بعض التجسيمات؛ تم بناء جزءِ على الأقل من البطانة من ‎SiC‏ ريط التفاعل ‎RBSIiC‏ ‏في بعض التجسيمات؛ يكون لسطح مواجه للداخل من جزءٍ من البطانة التي تضم ‎lS‏ ‏سيليكون ربط التفاعل ‎RBSIC‏ مستويات تلوث سطح أقل من 73 ذري من مواد إشابة وأقل من 75 ذري من المعادن الغريبة. تشمل مواد الإشابة في كارييد سيليكون ربط التفاعل ‎RBSIC‏ على ‎(B‏ ل ‎«Be «Ga‏ ع5 ‎PN‏ ده ‎«Cr‏ أو أي مزيج منها. في بعض التجسيمات؛ يكون الجزء له مستوى 5 تلوث سطح أقل من 73 ذري من مواد إشابة ‎B‏ لف ‎Sc «Be «Ga‏ كل ‎«Cr 5 Ti ¢As P‏ مشتركين. يكون للسطح المواجه للداخل من ‎ola‏ البطانة المصنوعة من كاربيد سيليكون ربط التفاعل ‎RBSIC‏ بشكل مميز مستوى تلوث سطح تضم أقل من 71 ذري من فوسفور وأقل من 71 ذري من بورون.
يستحسن أن يكون لكاربيد سيليكون ريط التفاعل ‎RBSIC‏ تركيز معادن متنقلة منخفض بشكل كافي حيث أن المادة الحبيبية المغلفة بالبولي سيليكون المنتجة في مفاعل الطبقة المميعة لها مستوى تلوث معدن متنقل من > 1 ‎ppbw‏ كما تم قياسه بواسطة التحليل الطيفي لكتلة البلازما المضافة بالحث ‎(ICPMS)‏ واستنادا إلى الكتلة الكاملة من الحبيبة. للألمنيوم؛ قد يؤدي مستوى التلوث من 1 ‎ppbw 5‏ أو أكثر عندما يكون الألومنيوم موجود في ‎RBSIC‏ بتركيز كافي بحيث أن الضغط ‎Hal)‏ ‏للألمنيوم في ‎FBR‏ هو 1 على الأقل ‎Pa‏ على سبيل ‎(Jal)‏ على الأقل 1 ‎Pa‏ عند ظروف التشغيل داخل مفاعل طبقي مميع ‎FBR‏ للعناصر الأثقل (مثل؛ ‎Fe‏ :©)؛ قد تحدث مستويات تلوث منتج غير مرغوب فيها في الضغوط الجزئية المنخفضة. في بعض التجسيمات؛ يكون كارييد سيليكون ريط التفاعل ‎RBSIC‏ لديه تركيز معدن متنقل منخفض بشكل كافي بحيث أن مجموع الضغط الجزئي 0 المعدن متنقل في مفاعل طبقي مميع ‎FBR‏ أقل من 0.1 ‎Pa‏ لمجموع كل الضغوط الجزئية لمعدن متنقل أثناء تشغيل ‎Jolie‏ طبقي مميع ‎FBR‏ تشمل المعادن المتنقلة الألومنيوم؛ الكروم؛ الحديد؛ النحاس؛ المغنيسيوم؛ الكالسيوم؛ الصوديوم؛ النيكل؛ القصديرء الزنك؛ والموليبدينوم. يتم حساب الضغط الجزئي على أساس مستوى التلوث المقاس بواسطة 100145 في المواد الحبيبية. يمكن تقدير ضغوط ‎HA‏ من معادن بواسطة معادلة عصتمامخح: ‎logp(atm) = A + BT! + Cxlog(T) + 14103, 15‏ حيث م0 هي ضغط بخار معدن ‎(atm)‏ 1 هي درجة الحرارة في كلفنات» ‎CB A‏ و 0 هي ثوابت مكون معينة ‎«Thermochemical Processes Principles and Models «Alcock)‏ ‎٠ (p- 38 »2001 «Butterworth-Heinemann‏ يفترض الحساب أنه يتم دمج كل الأبخرة من الشوائب الخاصة في المواد الحبيبية. يمكن افتراض أبخرة الشوائب للانصياع لقانون الغاز المثالي. يتم حساب 0 المولات أو كتلة الشوائب في المفاعل مع قانون الغاز المثالي. ثم يتم حساب التركيز في المواد الحبيبية باستخدام الكتلة الكلية للمادة الحبيبية في ‎Jolie‏ طبقي مميع ‎FBR‏ ‏في بعض التجسيمات؛ يكون كارييد سيليكون ربط التفاعل ‎RBSIC‏ هو ‎SiC‏ مسلكن منتج بواسطة تعريض خليط حبيبات دقيقة من كارييد السيليكون وجسيمات الكريون إلى سيليكون سائل أو مبخر في درجات حرارة عالية. في تجسيمات معينة؛ يكون السيليكون السائل أو المبخر هو سيليكون صنف شمسي أو الكتروني. 7. بطانات مجزأة أ. أجزاء مجمعة رأسيا
قد تشمل بطانة كاربيد سيليكون مجزأة 80 للاستخدام في مفاعل طبقي مميع لإنتاج مادة حبيبية مغلفة بالبولي سيليكون على أول ‎SiC ein‏ 82؛ ثاني جز ‎SiC‏ 84 مجمع على قمة أول ‎ex‏ ‏82( وكمية مادة ريط 110 مستبعدة بين أسطح حافة مشتركة في نفس المكان لأول وثاني ‎shal‏ ‎SiC‏ (الأشكال 2 و3). يشير أيضا أول» أو أسفل ‎SIC eda‏ 82؛ إلى ‎eda‏ بادىء؛ له سطح حافة علوية أول ‎on‏ 82ب يحدد منخفض أول ‎sia‏ مفتوح للأعلى 82ج. في بعض التجسيمات؛ يكون لأول جزءِ ‎SiC‏ سطح حافة منخفض الذي يكون مسطح (أي؛ لا يشمل سطح الحافة المنخفض على منخفض أو بروز)؛ بالتالي تسهيل غلق محكم للغاز عندما يتم ادخال البطانة 80 في غرفة مفاعل الطبقة المميعة. يقع ثاني جز ‎SIC‏ 84 فوق ومشترك في نفس المكان مع أول جزء ‎SIC‏ 82. يكون لثاني جزء ‎SIC‏ 84 سطح حافة منخفض ثاني ‎ga‏ 84د يحدد بروز ثاني ‎gin‏ ممتد للأسفل 84ه 0 مستلم خلال منخفض أول جزءء 82ج. يكون منخفض أول ‎oa‏ 82ج وبروز ثاني ‎gin‏ 84ه هو أجزاء مشترك أنثوي وذكري؛ على التوالي. في بعض الأمثلة؛ أجزاء المشترك لها تكوين لسان وشق؛ حيث يتوافق منخفض أول جزءِ 82ج مع الشق ويتوافق بروز ثاني جزءِ 84ه مع اللسان. يكون بروز ثاني جزء 84ه له أبعاد أصغر من منخفض أول جز 82ج بحيث؛ عند استلام البروز 84ه في المنخفض 282( يتباعد سطح منخفض أول ‎ein‏ عن سطح بروز ثاني جزء ويقع 5 الفراغ بين بروز ثاني جز 84ه ومنخفض أول جزء 82ج. الفراغ له حجم مناسب لاستيعاب حجم مادة الريط. على الرغم من أنه يمكن لمادة ‎Tal‏ ربط ‎Jol‏ جزءِ ‎SIC‏ إلى ثاني ‎oa‏ ©:5 في حالة عدم وجود فراغ» يسهل الفراغ حتى توزيع مادة الربط ويسمح لمادة الربط الزائدة لتتدفق ويمكن ‎Lally)‏ ‏كما يتم تطبيق الضغط على أجزاء ‎SiC‏ ‏في حالة عدم وجود فراغ بين المنخفض والبروز؛ قد لا توزع مادة الربط بالتساوي؛ تخلق نقاط 0 عالية ومنخفضة. تخلق منطقة عالية من مادة الريط مع منطقة اتصال صغيرة منطقة ضغط عالي أو ضغط حيث يتم جلب أجزاء ‎SIC‏ إلى دعامة؛ الذي قد يسبب في كسر جزء ‎SIC (shal)‏ بعض الأمثلة؛ يكون الفراغ له ارتفاع ‎hy‏ يقاس عموديا» من 0.8-0.2 ‎cae‏ مثل ارتفاع 0.6-0.4مم. يتم التخلص من مادة الربط 110 داخل الفراغ بين بروز ثاني جز 84ه ومنخفض ‎ea Jl‏ 82ج. في بعض التجسيمات؛ تضم مادة الربط 0.7-0.4وزن 96 ليثيوم كما ليثيوم ألومنيوم سيليكات وكاربيد 5 السيليكون كما تم وصفه أدناه. قد تشمل مادة الريط كذلك على ألومنيوم سيليكات. يفهم الشخص ذو المهارة العادية في المجال أنه؛ في ترتيب بديل؛ يمكن أن يمتد البروز للأعلى من الجزء السفلي وقد يقع المنخفض على سطح الحافة السفلى من ‎hall‏ العلوي؛ أي؛ قد يحدد سطح الحافة العلوي لأول جزء 82ب بروز أول جزءِ ممتد للأعلى 82ج وقد يحدد سطح الحافة السفلي
لثاني ‎gia‏ 84د منخفض أول جزءِ ممتد للأعلى 82ج وقد يحدد سطح الحافة السفلي لثاني ‎ga‏ 54د منخفض مفتوح للأسفل 84ه. مع ذلك؛ يكون الترتيب الموضح في الشكل 3 أكثر ملاءمة للإبقاء على مادة ‎bli‏ غير معالجة؛ والتي قد تكون طين أو عجينة. في بعض الأمثلة؛ يشمل أول جزءِ ‎SIC‏ 82 على أول جدار أنبوبي 82 له سطح علوي حلقي 82ب (الشكل 4). سطح الحافة العلوي لأول ‎gia‏ 82ب هو على الأقل جزءِ من السطح العلوي الحلقي» ومنخفض أول ‎ein‏ 82ج هو شق الذي يحدد بواسطة ويمتد بطول على الأقل جزءِ من سطح الحافة العلوي لأول جز 82ب. في بعض التجسيمات؛ يمتد المنخفض 82ج كحلقة حول السطح العلوي الحلقي بالكامل. يشمل ثاني جزءِ ‎SIC‏ على أول جدار أنبوبي 1184 سطح سفلي ‎ila‏ 84د (الشكل 4). سطح الحافة السفلي لثاني ‎gia‏ 84د هوعلى الأقل جزء من السطح السفلي الحلقي؛ ويمتد بروز ثاني جزء 84ه لأسفل من ويطول على الأقل ‎edn‏ من سطح الحافة السفلي لثاني ‎ga‏ 84د. في بعض التجسيمات؛ يمتد البروز 84ه كحلقة حول السطح السفلي الحلقي الكامل 384د. في بعض التجسيمات؛ تشمل بطانة كاربيد السيليكون المجزأة على واحد أو أكثر من ‎shal‏ ‏كاربيد سيليكون اضافية. في المثال الموضح في الشكل 2 تشمل البطانة 80 على ثلاثة أجزاء 5 كاربيد سيليكون 82؛ 84؛ 86. قد يكون لكل من الأجزاء تكوين أنبوبي؛ أو اسطواني بشكل كبير. في بعض الترتيبات؛ كل جزءِ له نفس المنطقة المستعرضة؛ تشكل اسطوانة رأسية ‎Lovie‏ تتجمع. مع ذلك ليس مطلويا أن تكون جميع الأجزاء لها مناطق مماثلة مستعرضة. بدلا من ذلك؛ قد تختلف الأجزاء في منطقة مستعرضة بحيث أن البطانة المجزأة قد يكون لها أقطار مختلفة عند ارتفاعات مختلفة. يفهم الشخص ذو المهارة العادية في المجال أن البطانة المجزأة يمكن أن تشمل ‎OE‏ ثلاثة؛ 0 أربعة؛ أو أكثر من أربعة أجزاء. يتم تحديد عدد أجزاء ‎SIC‏ على الأقل جزئياء من خلال الارتفاع المطلوب للبطانة وارتفاع الأجزاء الفردية. قد تحدد قيود التصنيع ارتفاع أجزاء ‎SIC‏ الفردية. كما هو موضح في الشكل 5؛ فإن جز ‎SIC‏ 84 الذي يقع بين اثنين من أجزاء ‎SIC‏ مجاورة 2 86 41 سطح حافة علوي 84ب يحدد منخفض ‎sha‏ مفتوح للأعلى 84ج وسطح حافة سفلي 84 يحدد بروز جزءِ ممتد للأسفل 84ه. يتم استلام البروز 84ه داخل منخفض سطح حافة علوي 5 82ج محدد بواسطة سطح حافة علوي 82ب من جزء ‎SIC‏ مجاور 82 يقع تحت ومشترك في نفس المكان مع ‎SIC all‏ 84. البروز 84ه له أبعاد أصغر من المنخفض 82ج من جزءٍ كاربيد السيليكون المجاور 82 بحيث يتباعد منخفض سطح ‎ohn‏ كاربيد السيليكون المجاور 82ج من سطح البروز 84ه ويقع الفراغ بين البروز 84ه والمنخفض 82ج من جزءٍ كاربيد السيليكون المجاور 82
يتم التخلص من حجم مادة الريط 110 داخل الفراغ. بشكل مماثل يستلم المنخفض 84ج بروز 86ه محدد بواسطة سطح حافة سفلي 68د من جزءِ ‎SIC‏ مجاور 76 يقع فوق ومشترك في نفس المكان مع جزءِ ‎SiC‏ 84. البروز 86ه له أبعاد أصغر من المنخفض 84ج بحيث يتباعد سطح المنخفض 4ح من سطح البروز 86ه ويقع الفراغ بين البروز 86ه والمنخفض 84ج. يتم التخلص من حجم مادة ‎Judi‏ 110 داخل الفراغ. في بعض التجسيمات؛ تشمل بطانة ‎SiC‏ المجزأة على العديد من أجزاء ‎SIC‏ مجمعة رأسيا بالتبادل بين أجزاء لها بروز على كل من أسطح الحافة العلوية والسفلية وأجزاء لها منخفضات على كل من أسطح الحافة العلوية والسفلية. في بعض الأمثلة؛ تشمل بطانة ‎SiC‏ المجزأة 80 على ‎SIC gia‏ طرفي أو علوي؛ على سبيل المثال» جزء 86 من الشكل 2 الذي له لسان أو شق فقط على السطح الحلقي المواجه للأسفل. تبين 0 الأشكال 5 و 6 قمة ‎gall‏ الطرفي 86 الذي له سطح حافة سفلي لجزءِ طرفي 08 يحدد بروز جزء طرفي يمتد للأسفل 886 يتم استلام بروز ‎all‏ الطرفي 86ه داخل منخفض جزءٍ مجاور؛ على سبيل ‎(Jha)‏ منخفض ثاني ‎oa‏ 284( وله أبعاد أصغر من منخفض ‎gall‏ المجاور بحيث يتباعد سطح منخفض الجزءٍ المجاور بعيدا من سطح بروز الجزء الطرفي 86ه ‎aig‏ الفراغ بين بروز الجزء الطرفي 86ه ومنخفض ‎glad)‏ المجاور. يتم التخلص من حجم مادة الريط 110 داخل الفراغ. لا 5 يحتاج ‎gall‏ الطرفي ‎SIC‏ 86 أن يكون له سطح حافة علوي يحدد منخفض أو بروز؛ بدلا من ذلك يكون سطح الحافة العلوي مستوي بشكل كبير كما هو مبين في الشكل 2. على الرغم أن الأشكال 2 و5 توضح جزءِ ‎SIC‏ طرفي 86 مشترك في نفس المكان مع ثاني جزء ‎SIC‏ 84؛ يفهم الشخص ذو المهارة العادية في المجال أن واحد أو أكثر من ‎SIC shal‏ الاضافية قد تتجمع في طبقات بين أجزاء 84 و86. بشكل مميزء كل ‎gia‏ اضافي له تكوين مماثل جوهرياً 0 لجزءِ 84 مع منخفض جزءٍ مفتوح للأعلى محدد بواسطة سطح حافته العلوي وبروز جزءٍ ممتد للأسفل محدد بواسطة سطح حافته السفلي. لكن الترتيبات الأخرى تكون محتملة. قد يكون لكل ‎oa‏ معطى منخفض ‎gla‏ مفتوح للأعلى محدد بواسطة سطح حافته العلوي و/ أو منخفض ‎sia‏ مفتوح للأسفل محدد بواسطة سطح حافته السفلي وقد يكون له بروز جزء ممتد للأعلى محدد بواسطة محدد بواسطة سطح حافته العلوي و/ أو بروز جزءِ ممتد للأسفل محدد بواسطة سطح حافته السفلي. يقع ‎SIC ey‏ 5 الطرفي 86 فوق؛ مشترك في نفس المكان مع؛ وتقع على جزءِ ‎SIC‏ المجاور تحته على الفور. في بعض التجسيمات؛ يتم تشكيل واحد أو أكثر من أجزاء كاربيد السيليكون من ‎SIC‏ ربط تفاعل؛ كما هو موضح أعلاه؛ الذي له مستوى تلوث سطح أقل من 961 ذري بورون وأقل من 961 ذري فوسفور. قد يكون كارييد سيليكون ربط التفاعل ‎RBSIC‏ خالي إلى حد كبير من البورون
والفوسفور. كما هو مستخدم هناء "خالي إلى حد كبير" يعني أن كاربيد سيليكون ريط التفاعل ‎RBSIC‏ ‏يشمل ما مجموعه أقل من 72 ذري من البورون والفوسفور» مثل ما مجموعه أقل من 71 ذري ‎B‏ ‏و©. بشكل مميز؛ يكون كارييد سيليكون ربط التفاعل ‎RBSIC‏ له أيضا تركيز معدن متنقل كافي منخفض لتوفير ضغط جزئي لمعدن متنقل أقل من 1 ‎X‏ 106 أجواء في نطاق درجة حرارة تشغيل لمفاعل الطبقة المميعة. ب. أجزاء متصلة جانبيا قد ‎Jods‏ بطانة ‎SIC‏ مجزأة 200 للاستخدام في ‎Jolie‏ طبقي مميع لإنتاج مادة حبيبية مغلفة بالبولي سيليكون على الأقل جدار انبوبي 210 له سطح خارجي حلقي ويبضم العديد من ‎SiC shal‏ مشتركة جانبيا 212 214 216 218 220 (الشكل 7). يتم التخلص من حجم مادة الربط بين 0 أسطح حافة جانبية مشتركة في نفس المكان لكل زوج من أجزاء ‎SIC‏ المجاورة. تشمل البطانة ‎Abed)‏ 200 في الشكل 7 على جدار انبوبي 210 الذي يشمل أجزاء ‎SiC‏ ‏مشترك جانبي 212 214 216 218 220؛ كل ‎ga‏ له حواف جانبية وسطح خارجي الذي يحدد جزءِ من السطح الخارجي من الجدار الأنبوبي 210. يفهم الشخص ذو المهارة العادية في المجال؛ مع ذلك؛ أن البطانة قد تشمل على أكثر أو أقل أجزاء ‎SIC‏ مشتركة ‎Laila‏ قد يكون من 5 المفضل لاستخدام أقل أجزاء لتقليل التلوث من ‎sale‏ ربط مستخدمة لريط الأجزاء. مع ذلك؛ قد يتم تحديد عدد الأجزاء أيضا جزئيا بواسطة سهولة التعامل عند تجميع البطانة. كما هو موضح في الشكل8؛ كل جزءِ ‎(SIC‏ على سبيل المثال؛ ‎gia‏ مثالي 212؛ يشمل على (1) سطح خارجي ‎R12‏ يحدد ‎gia‏ من السطح الخارجي الحلقي من الجدار الأنبوبي 210؛ )2( سطح حافة جانبية أول 212و يحدد منخفض مفتوح جانبيا 210 بطول على الأقل ‎on‏ من 0 طول سطح حافة جانبية أول 5212 ¢ و(3) ثاني سطح حافة جانبية 212ح يحدد بروز ممتد جانبيا 2 بطول على الاقل جزءِ من طول ثاني سطح حافة جانبية 212ح. في بعض التجسيمات؛ يمتد المنخفض 212ز والبروز 212ط بطول الطول الكامل سطح حافة جانبية أول 212و و ثاني سطح حافة جانبية 212 على التوالي. يكون المنخفض 212ز والبروز 212ط هو أجزاء اتصال أنثى ‎Shy‏ على التوالي. في بعض الأمثلة؛ ‎shal‏ الإتصال لها تكوين لسان وشق؛ حيث يتوافق 5 المنخفض 212ز مع الشق والبروز 212ط يتوافق مع اللسان. قد يحدد واحد أو كلا أسطح الحواف الجانبية من أي ‎ga‏ معطى منخفض مفتوح جانبيا. وقد يحدد واحد أو كلا أسطح الحواف الجانبية من من أي جزءِ معطى بروز ممتد جانبيا. في بعض التجسيمات؛ كل ‎SiC ga‏ له سطح حافة
منخفض يكون مسطح (أي؛ لا يشمل سطح الحافة المنخفض على مخفض أو بروز)؛ بالتالي تسهيل
غلق محكم للغاز عندما يتم ادخال البطانة داخل غرفة مفاعل الطبقة المميعة. بروز الحافة الجانبي الثاني 212ط لكل ‎gga‏ له أبعاد حافة أصغر من منخفض سطح الحافة الجانبي الأول 212ز لكل جزء. ‎(UN Gy‏ بالاشارة إلى الشكل 9؛ عنما تتجاور أول حافة جانبية 212و من أول جزه ‎SiC‏ 212 مع ثاني حافة جانبية 214ح من ‎SIC ea‏ مجاور 214 يتباعد سطح منخفض ‎shall‏ الأول 212ز بعيدا عن سطح بروز الجزءِ المجاور 214ط وبقع الفراغ بين منخفض الجزءٍ الأول 212 و بروز ‎gall‏ المجاور 214ط. يتم التخلص من حجم مادة الربط 205 داخل الفراغ بين منخفض الجزء الأول 212ز و بروز ‎all‏ المجاور 214ط. في بعض ‎AY)‏ ‏يكون للفراغ عرض ‎wy‏ مقاس ‎lil‏ من 0.2 - 0.8 مم؛ ‎die‏ عرض من 0.4 - 0.6 مم. يتم
0 التخلص من مادة الريط 205 داخل الفراغ بين منخفض ‎gall‏ الأول 212ز و بروز الجزءٍ المجاور 4. في بعض التجسيمات؛ تشمل ‎dal) sale‏ على 0.4 - 0.7 وزن 96 ليثيوم كما ليثيوم ألومنيوم سيليكات وكاربيد سيليكون كما هو موصوف أدناه. قد تشمل مادة الريط كذلك على ألومنيوم سيليكات.
في بعض التجسيمات؛ تشمل بطانة ‎SIC‏ المجزأة على العديد من أجزاء ‎SIC‏ بديلة لها منخفضات مفتوحة جانبيا على كلا أسطح الحواف الجانبية وأجزاء ‎SIC‏ لها بروزات ممتدة جانبيا
5 على كلا أسطح الحواف الجانبية. بعبارة أخرى» جزءِ 212 على سبيل المثال؛ قد يكون له أول حافة جانبية 212و تحدد منخفض مفتوح جانبيا 212ز وثاني حافة جانبية 212ح تحدد منخفض مفتوح جانبيا 212ط. أجزاء بديلة؛ على سبيل المثال؛ ‎ga‏ 214 قد يكون له أول حافة جانبية 214و تحدد بروز ممتد جانبيا 214ز وثاني حافة جانبية 214ح تحدد بروز ممتد جانبيا 214ط.
قد يتم تشكيل واحد أو أكثر من أجزاء كاربيد السيليكون من ‎SiC‏ ربط التفاعل؛ كما هو
0 موضح أعلاه؛ الذي له مستوى تلوث سطح أقل من 961 ذري من بورون وأقل من 961 ذري فوسفور. في بعض التجسيمات؛ يشتق كارييد سيليكون ربط التفاعل ‎RBSIC‏ بشكل كبير من البورون والفوسفور. على نحو مفيد؛ يكون لكارييد سيليكون ربط التفاعل ‎Lad RBSIC‏ تركيز معدن متنقل منخفض بشكل كافي لتوفير ضغط ‎ia‏ لمعدن متنقب أقل من 1 ‎x‏ 10 " جوي في نطاق درجة حرارة التشغيل لمفاعل الطبقة المميعة.
في بعض التجسيمات؛ يمتد على الاقل عضو احتفاظ واحد 230 حول السطح الخارجي الحلقي من الجدار الأنبوبي 210 (الشكل 10). كما هو موضح في الشكل 10 قد يمتد العديد من أعضاء الإحتفاظ 230 حول السطح الخارجي الحلقي من الجدار الأنبوبي 210. بشكل مرغوب؛ يتم ‎oly‏ عضو الاحتفاظ 230 من مادة لها معامل خطي من التمدد الحراري ‎linear coefficient of‏
‎thermal expansion (LCTE)‏ مماثل الى حد كبير للمعامل الخطي من التمدد الحراري ‎LCTE‏ ‏كاربيد السيليكون. اذا كانت قيم معامل خطي من التمدد الحراري ‎LCTE‏ لعضو الاحتفاظ وال ‎SIC‏ ‏مختلفة الى حد كبير؛ فإنه سيكون لعضو الاحتفاظ وال ‎SIC‏ مقادير مختلفة من التمدد تحت ظروف التشغيل في مفاعل الطبقة المميعة؛ بالتالي يمكن أن يجعل عضو الاحتفاظ غير فعال أو يكسر ‎SiC JLCTE SiC 5‏ هو 3.9 -- 4.0 ‎Ak [210 x‏ بعض الامثلة؛ يتم ‎oly‏ عضو الاحتفاظ من مادة لها ‎LCTE‏ يتراوح من 2 ‎x 6 Mk /°10 x‏ 10 "/ 1 كما يتراوح ‎LCTE‏ من 3 ‎x‏ £10[ »ا إلى 5 »10 "/ »1 أو من 3.5 » 10 "1 إلى 5 ‎k /" 10 x‏ تشمل مواد مناسبة لعضو الاحتفاظ لكن لا تقتصر ‎Jo‏ مولبيدنيوم ‎(k [10 x 4.9 = LCTE)‏ وسباتك مولبيدنيوم معينة (على سبيل المثال؛ مولبيدنيوم ‎TZM‏ - 99.2 - 99.5 وزن % ‎Mo‏ 0.5 وزن % ‎Ti‏ و0.08 وزن % ‎(Zr‏
10 ج- أجزاء متصلة جانبيا ورأسيا
كما هو موضح في الشكل 11,؛ قد تشمل بطانة ‎SIC‏ المجزأة 300 للاستخدام في مفاعل طبقي مميع لانتاج مادة حبيبية مغلفة لالبولي سيليكون على (1) أول جدار انبوبي 310 ايضا يشار اليه كجدار بادىء؛ له سطح خارجي اسطواني وبشمل على العديد من أجزاء ‎SIC‏ متصلة جانبيا (على سبيل المثال» أجزاء 311» 312» 313)» كل ‎eda‏ له حواف جانبية وسطح خارجي الذي يكون جزءٍ من السطح الخارجي لجدار الانبوبي 310؛ (2) ثاني جدار انبوبي 320 يقع فوق ويجاور أول جدار انبوبي 310؛ ثاني جدار انبوبي 320 له سطح خارجي اسطواني ويشمل على العديد من أجزاء ‎SIC‏ مجاورة جانبيا (على سبيل المثال» أجزاء 321 322 323( كل ‎gia‏ له حواف ‎dla‏ وسطح خارجي الذي يكون ‎ga‏ من السطح الخارجي لجدار الانبوبي 320؛ (3) حجم مادة الربط (غير موضح) موجودة بين كل زوج من أجزاء ‎SiC‏ متصلة جانبيا قريبة من أول جدار انبوبي 310؛ )4( 0 حجم مادة الريط غير موضح) موجودة بين كل زوج من أجزاء ‎SIC‏ متصلة جانبيا قريبة من أول جدار انبوبي 320؛ (5) حجم مادة الريط التي تشمل على ملح ليثيوم؛ مادة الريط (غير موضح)
الموجودة بين ‎Jol‏ وثاني جدران انبوبية 310 320. تشمل البطانة الممثلة 300 الموضحة في الشكل 11 على ستة أجزاء ‎SiC‏ متصلة جانبيا في كل جدار انبوبي. على سبيل المثال؛ يشمل الجدار الانبوبي 330 على أجزاء ‎SiC‏ 331 - 5 336. يفهم الشخص زو المهارة العادية في المجال؛ مع ذلك؛ أن كل جدار انبوبي قد يشمل على ‎iS‏ أو أقل من أجزاء ©:5. قد يتم وضع أجزاء كل جدار انبوبي بحيث ان الحواف الجانبية لكل جزء ‎SIC‏ تكون متداخلة أفقيا بالنسبة للحواف الجانبية لأجزاء ‎SIC‏ القريبة رأسيا مع الجزءِ. على سبيل المثال» تتباعد الحواف الجانبية 322و 322ح من الجزءِ 322 عن الحواف الجانبية لأجزاء 312
3 تحت وأجزاء 332( 333 فوق. يوفر الترتيب المتداخل على نحو مفيد قوة ميكانيكية إضافية للبطانة 300. بالاشارة الى الشكل 11 و12؛ في بعض التجسيمات؛ يشمل كل ‎(SIC gia‏ مثل ‎era‏ مثالي 312 من أول جدار انبوبي 310 على (1) سطح خارجي 3128 يحدد جزءِ من السطح الخارجي الحلقي من الجدار الأنبوبي 310 (2) اول سطح حافة علوي جزءٍ جدار انبوبي 312ب يحدد ‎Jol‏ ‏منخفض ‎gla‏ جدار انبوبي مفتوح للأعلى 3120 )3( سطح حافة جانبية أول 312و يحدد منخفض مفتوح جانبيا (غير موضح) بطول على الأقل ‎ein‏ من طول أول سطح حافة ‎ils‏ 312و» و(4) ثاني سطح حافة جانبي 312ح يحدد بروز ممتد جانبيا 312ط بطول على الأقل جزءِ من طول ثاني سطح حافة جانبي 2312 البروز 312ط له أبعاد أصغر من أول منخفض سطح حافة جانبي. في 0 بعض التجسيمات؛ كل ‎SIC oa‏ من أول جدار انبوبي 310 له سطح حافة منخفض يكون مسطح (أي؛ لا يشمل سطح الحافة المنخفض على مخفض أو بروز)؛ بالتالي تسهيل غلق محكم للغاز عندما يتم ادخال البطانة داخل غرفة مفاعل الطبقة المميعة. ‎dad‏ كل جزءِ ‎Jie SIC‏ جزءِ مثالي 322؛ من ثاني جدار انبوبي 320 على (1) سطح خارجي 3128 يحدد جزءِ من السطح الخارجي ‎lal‏ من الجدار الأنبوبي 320 (2) اول سطح 5 حافة ‎ils‏ 322و يحدد منخفض مفتوح جانبيا 322ز بطول على الأقل جزءِ من طول أول سطح حافة جانبي 322« (3) ثاني سطح حافة جانبية 322ح يحدد بروز ممتد جانبيا (غير موضح) بطول على الأقل ‎ea‏ من طول أول سطح حافة جانبي 312و؛ و(4) ثاني سطح حافة جانبي 312ح يحدد بروز ممتد جانبيا 312ط بطول على الأقل جزء من طول ثاني سطح حافة جانبي 322ح؛ البروز له أبعاد أصغر من أول منخفض سطح حافة جانبي ‎B12‏ ¢ و(5) ثاني سطح حافة منخفض 0 لجزء جدار انبوبي 322د يحدد ثاني بروز جدار انبوبي ممتد للأسفل 322ه مستلم خلال أول منخفض ‎sia‏ جدار انبوبي 3122 وله أبعاد أصغر من أول منخفض ‎ein‏ جدار انبوبي ©312. عندما يتجاور أول سطح حافة علقي ‎gal‏ جدار انبوبي 312ب وثاني سطح حافة منخفض ‎gal‏ جدار انبوبي 322د رأسياء يتباعد سطح أول منخفض ‎gia‏ جدار انبوبي 3120 عن سطح ثاني بروز جزء جدار انبوبي 322ه وبقع الفراغ بين ثاني بروز جزءِ جدار انبوبي 322ه و أول منخفض جزءٍ جدار 5 انبوبي 3120 يتم التخلص من حجم مادة ‎all‏ الموجودة بين أول وثاني جدران ‎dues)‏ 310 320 خلال الفراغ بين ثاني بروز ‎eda‏ جدار انبوبي 322ه وأول منخفض جزء جدار انبوبي 3120 في بعض الامثلة؛ تشمل بطانة ‎SIC‏ المجزأة كذلك على واحد على الأقل عضو احتفاظ 340 ممتد حول السطح الخارجي الحلقي لأول جدار انبوبي 310 ‎og‏ الاقل واحد عضو احتفاظ 340
ممتد حول السطح الخارجي الحلقي لثاني جدار انبوبي 320 (الشكل 13). كما هو موضح في الشكل 13؛ قد تشمل بطانة ‎SIC‏ المجزأة عبى عد وافر من اعضاء الاحتفاظ 340 الممتدة حول كل ‎J‏ جدار انبوبي وثاني جدار انبوبي. في بعض التجسيمات؛ يشمل كل ‎gd‏ من ثاني جدار انبوبي 320؛ مثل جزء مثالي 322؛ كذلك على سطح حافة علوي 322ب الذي يحدد منخفض ثاني ‎gia‏ جدار انبوبي مفتوح للأعلى 2ج (الشكل 11). قد تشمل البطانة ‎SIC‏ المجزأة 300 كذلك على جدار انبوبي طرفي 330 يقع فوق ومجاور ‎SU‏ جدار انبوبي 320 (لأشكال 10( 13). يشمل الجدار الانبوبي الطرفي 330 على العديد من أجزاء ‎SIC‏ الطرفية المتصلة جانبيا (على سبيل المثال؛ أجزاء 332 334؛ 336). كما هو موضح 0 في الشكل 13؛ يشمل كل جزءِ ‎SIC‏ طرفي؛ ‎ha Jie‏ مثالي 332 على (1) أول سطح حافة ‎a‏ ‎ils‏ 332و يحدد منخفض مفتوح جنبيا 332ز بطول على الاقل جزء من طول ‎Jol‏ سطح ‎Bla‏ ‏جزء جانبي 332و؛ (2) ثاني سطح حافة جزءِ جانبي 3321 يحدد بروز ممتد جانبيا 1332 بطول على الاقل جز من طول ثاني سطح حافة ‎gia‏ جانبي ‎332h‏ البروز 332ط له أبعاد أصغر من أول ‎ga‏ منخفض سطح حافة جانبي 322« و(3) سطح حافة منخفض ‎gia‏ 322د يحد بروز ‎Sn‏ ‏5 جدار انبوبي طرفي ممتد للأسفل 332ه مستلم خلال ثاني منخفض ‎gia‏ جدار انبوبي 332ج وله أبعاد أصغر من ثاني منخفض جزء جدار انبوبي 332ج. عندما يكون سطح الحافة المنخفض لجزء الجدار الانبوبي الطرفي 332د وسطح الحافة العلوي ‎SB‏ جزءِ ‎las‏ انبوبي 322ب متجاورين رأسياء فان سطح منخفض ثاني جزءٍ جدار انبوبى 332ج يكون متباعد سطح بروز جزءٍ الجدار الانبوبي الطرفي 332ه ‎aig‏ الفراغ بين بروز ‎eda‏ الجدار 0 الانبوبي الطرفي 332ه ومنخفض ثاني ‎gia‏ جدار انبوبى 332ج. يتم التخلص من حجم الماده الرابطة التي تشمل على ملح الليثيوم خلال الفراغ بين بروز ‎ga‏ الجدار الانبوبي الطرفي 332ه ومنخفض ثاني ‎gia‏ جدار انبوبى 332ج. فى بعض التجسيمات؛ تتضمن بطانة كاربيد السيليكون المجزأه طبقة أو اكثر من الطبقات الاضافية للجدران الانبوبيه. فى المثال المبين فى الشكل 11؛ تتكون البطانه 300 من ثلاث جدران 5 انبوبيه 310 320 330؛ وبتكون كل جدار انبوبى من العديد من اجزاء كاربيد السيليكون المتصلة أفقياء كمثال 312 314 316 322» 324 326» 332 336. ‎agi‏ الشخص ذو المهارة العادية في المجال أن البطانة المجزأة قد تشمل اثنان» ثلاثة؛ ‎can‏ أو أكثر من أربعة جدران أنبوبيه؛ كل جدار أنبوبي يتألف من العديد من اجزاء كارييد السيليكون.
يتم تحديد عدد الجدران الانبوبية؛ على الاقل ‎Lise‏ بواسطة الارتفاع المطلوب للبطانة وارتفاع الجدران الانبوبية الفردية. قد تحدد قيود التصنيع ارتفاع أجزاء ‎SIC‏ الفردية المتصلة جانبيا لتكوين
جدران انبوبية فردية. سيكون لكل جدار انبوبي اضافي بشكل مميز تكوين ‎flee‏ الى حد كبير للانبوبي 320 من الشكل 11. يشمل كل جدار انبوبي اضافي له سطح خارجي حلقي على العديد من أجزاء كربيد السيليكون الاضافية المتصلة جانبيا. كما هو موضح في الشكل 12 للجزء ‎SiC‏ الممثل 322 يشمل كل ‎SIC ea‏ اضافي على (1) سطح خارجي 3228 يحدد ‎eda‏ من السطح الخارجي الحلقي من الجدار الانبوبي 320 (2) سطح ‎dla‏ علوي 322ب الذي يحدد منخفض مفتوح للأعلى 332ج؛ (3) سطح حافة منخفض 322د يحدد بروز ممتد للأسفل 322ه (2) أول سطح حافة جانبي 322و
0 يحدد منخفض مفتوح جانبيا 322ز بطول على الاقل جزءِ من طول أول سطح حافة جانبي 322و؛ و(4) ثاني سطح حافة جانبي 322ح يحدد بروز ممتد جانبيا 322ط بطول على الاقل ‎on‏ من طول ثاني سطح حافة جانبي 2322 البروز 322ط له أبعاد أصغر من منخفض أول سطح ‎Bla‏ ‏جانبي 312ز.
. مواد الربط
مواد ريط مناسبة لربط أجزاء كارييد سيليكون (1) توفر وصلة لها قوة ميكانيكية كافية لتحمل ظروف التشغيل (كمثال» اجهادات الذبذبة) ‎Jala‏ مفاعل طبقي مميع؛ (2) تكون مستقره ‎Lbs‏ عند درجات حرارة التشغيل داخل ‎FBR‏ عند المعالجة؛ (3) توفر وصلة والتى تكون على الأقل محكمة العزل لتسرب الغازات إلى حد ‎cle‏ و(4) لا تنتج مستويات غير مرغوب فيها لملوثات المنتج. تشمل مواد الريط القابلة للمعالجة على ملح ليثيوم قد يوفر لها خصائص مطلوية.
فى بعض التجسيمات» تشمل مواد الريط القابلة للمعالجة على 2500 - 5000 ‎ppm‏ ليثيوم؛ مثل من 3000 - 4000 ‎ppm‏ ليثيوم ‎Jithium‏ فى بعض التجسيمات؛ يكون ملح الليقيوم ‎lithium‏ ‎salt‏ هو سيليكات الليثيوم ‎lithium silicate‏ قد تكون مواد الربط الغير معالجة معلق مائى أو معجون يشمل سيليكات الليثيوم. قد تشمل مواد الريط كذلك على مواد ‎Alle‏ (حشو). حيث لا تنتج مواد الحشو تلوث ملموس (خطير) للمنتج اثناء عملية مفاعل طبقي مميع ‎FBR‏ على نحو مفيد؛ يكون
لمواد الحشو معامل تمدد حرارى مماثل لكاربيد السيليكون ‎silicon carbide‏ لتقليل أو منع فصل مادة الريط من أسطح كاربيد السيليكون عند تسخينه. تتضمن مواد الحشو على جسيمات كارييد سيليكون. يمكن أن تتضمن مواد ‎hall‏ على عامل تركيز لتوفير لزوجة ‎viscosity‏ مطلوية. على نحو مفيد يكون لمادة الربط اتساق انتشار مع اللزوجه الكافيه للحد من السيولة أو التنقيط من الأسطح المبطنة.
فى بعض التجسيمات؛ يكون لمواد الريط لزوجة من 3.5 ‎Pars‏ إلى 21 ‎Pas‏ عند 20 "م؛ مثال اللزوجة من 5 - 20 ‎Pas 15 - 5 Pas‏ أو 0 - 15 ‎Pass‏ عند 20"م. فى بعض الامثلة؛ تشمل مادة الريط على مسحوق سيليكات ‎١‏ لألومينيوم ‎aluminum silicate powder‏ كعامل تركيز. تكون سيليكات الألومينيوم مستقرة عند درجات حرارة التشغيل وليس من السهوله تخفيضها بالهيدروجين. بالتالى تكون سيليكات الألومينيوم عامل تركيز مناسب وغير ملوث. فى تجسيمات معينة؛ يكون لمادة ‎dal‏ لزوجة مناسبة ‎Laie‏ تتواجد سيليكات الألومينيوم ‎aluminum silicate‏ فى تركيز كافى لتوفير ‎ppm 2000 — 700‏ ألومينيوم؛ ‎Jie‏ من 1000 - 1500 ‎ppm‏ ألومينيوم ‎.aluminum‏ ‏عند المعالجة؛ قد تشمل مواد الربط على ليثيوم ألومينيوم سيليكات ‎lithium aluminum‏ ‎esilicate‏ وكارييد سيليكون ‎silicon carbide‏ ؛ مثل 0.4 — 0.7 وزن % ليثيوم و93 - 97 وزن % 0 كاربيد سيليكون. فى بعض التجسيمات؛ يكون لمادة الريط المعالجة قوه كافية لتوفير الروابط التى يمكن أن تقاوم حمل كتلة على الأقل 5 كجم. فى بعض الامثلة؛ تكون ‎sale‏ الربط معلق مائى يتكون من 2500 - 5000 ‎ppm‏ ليثيوم كسيليكات ليثيوم. يكون للمعلق لزوجة من 3.5 ‎Pars‏ إلى 21 ‎Pars‏ عند 20"م. فى تجسيمات معينة؛ تكون مادة ‎Jal‏ معلق مائى يتكون من 3000 - 4000 ‎ppm‏ ليثيوم كسيليكات ليثيوم؛ 1000 - ‎ppm 1500 5‏ ألومينيوم ‎Jie‏ سيليكات ألومينيوم» ومساحيق كارييد سيليكون. على نحو مفيد؛ لاتطلق ‎sale‏ الريط المعالجة مواد ضارة من الملوثات عند التعرض لظروف تشغيل داخل المفاعل الطبقي المميع ‎(FBR‏ على وجه التحديد؛ لاتطلق مادة الريط كميات ملموسة (مؤثره) من البورون؛ الفسفور او ألومينيوم أثناء عملية ‎elie‏ طبقي مميع ‎(FBR‏ على نحو مفيد؛ لاتطلق ‎sale‏ الربط المعالجة مركبات غير مستقرة حراريا من عناصر المجموعة 1171 أو الفلزات 0 الإنتقالية أثناء عملية مفاعل طبقي مميع ‎FBR‏ فى بعض التجسيمات؛ تتضمن ‎sale‏ الربط الغير معالجة على أقل من 50 ‎ppm P‏ أقل من40 ‎cppm P‏ أقل من 30 ‎P‏ صسمم وأقل من 10 ‎ppm B‏ أقل من 5 8 ‎ppm‏ أقل من 1 ‎ppm B‏ فى بعض التجسيمات؛ تشمل مادة الريط المعالجة على 4 - 0.7 وزن % ليثيوم؛ بالدرجة الأولى كما ليثيوم ألومنيوم سيليكات؛ وكاربيد سيليكون. فى بعض التجسيمات؛ تشمل مادة الربط المعالجة 0.4 - 0.6 وزن 96 ليثيوم؛ بالدرجة الأولى كما ليثيوم 5 ألومنيوم سيليكات؛ وكاربيد سيليكون. فى بعض الأمثلة؛ تشمل مادة الربط المعالجة على 0.4 - 0.6 وزن % ليثيوم؛ بالدرجة الأولى كما ليثيوم سيليكات؛ و93 - 97 وزن 96 كارييد سيليكون. قد تشمل ‎sale‏ الريط المعالجة أيضا على ليثيوم ألومنيوم سيليكات ‎aluminum silicate‏ مستطاتل ألومنيوم سيليكات ‎caluminum silicate‏ كريستويليت ‎«cristobalite (SiO2)‏ أو تركيبة منهم . فى بعض الأمثلة؛
تشمل ‎sale‏ الربط المعالجة على 1.8 - 2.4وزن 96 ليثيوم ألومنيوم سيليكات؛ 2.0 - 2.5وزن % ألومنيوم سيليكات؛ و 0.4 -0.8 وزن 96 كريستويليت. فى بعض الأمثلة؛ تشمل مادة ‎Jan)‏ المعالجة على1.8 - 2.4وزن 96 ليثيوم ألومنيوم سيليكات؛ 2.0 - 2.5وزن 96 ألومنيوم سيليكات؛ و 0.4 - 8 وزن 96 كرستويليت. فى أمثلة معينة؛ تشمل ‎sole‏ الربط المعالجة على 0.5 وزن 96 ليثيوم كماهو محدد بواسطة نمط حيود أشعة ‎x-‏ للطور المعالج وباستخدام نسبة الشدة المرجعية القياسية ‎standard reference intensity ratio (RIR)‏ طريقة القياس الكمي للطون ‎R.
Jenkins and R.
L.)‏ ‎«John Wiley & Sons «Introduction to X-Ray Powder Diffractometry «Snyder‏ .عمل 1996« ‎.(p. 374‏ فى أحد التجسيمات»؛ تحتوى مادة الربط المعالجة على 0.5 وزن % ليثيوم كما ليثيوم ألومنيوم 0 سيليكات»؛ 95 وزن 96 كاربيد سيليكون» 2.1 وزن 96 ليثيوم ألومنيوم سيليكات؛ 2.3 وزن 96 ألومنيوم سيليكات؛ 0.6 وزن 906 كريستويليت. إعداد بطانة كارييد السيليكون المجزئة ‎VI‏ ‏يتم ربط جزئين كربيد سيليكون بتطبيق مادة الريط كما هو مبين هنا على الأقل جزءِ من سطح حافة من أول جزءِ كارييد سيليكون لتشكيل سطح حافة مغلف. يتم جلب على الأقل ‎on‏ من 5 سطح حافة أول جزءِ كربيد سيليكون داخل الدعامة مع ‎ga‏ على الأقل من سطح ‎Bla‏ ثاني جزء كربيد السيليكون مع على الأقل جزءِ مادة الربط الموضوعة بين أسطح الدعامة لأول ‎ga‏ كاربيد السيليكون وثاني ‎gia‏ كارييد سيليكون. يتم بعد ذلك التسخين ‎sald‏ الربط لتشكيل جزئين كاربيد السيليكون الأول والثانى. يمكن أن تطبق الحرارة فى بيئة محيطة خالية من الهيدروكربونات؛ بمعنى أنه؛ فى هواء أو 0 تيتروجين. تشكل التجسيمات لمادة الريط المبينة ربط كافى بعد التسخين بدون أي تطلب لخطوة تبريد . فى بعض الأمثلة؛ تطبق مادة ‎Jal)‏ على الأقل على ‎gia‏ من سطح حافة أول جزءٍ كاربيد سيليكون ‎SIC‏ وعلى الاقل على ‎eda‏ من سطح حافة ثاني جزءٍ كارييد سيليكون ©:5. يتم تطبيق مادة ‎Jas i‏ لسطح الحافة (أسطح) بأى عملية مناسبة تتضمن الانتشار؛ العصر؛ المسح؛ أو الصقل لمادة 5 الربط على سطح (أسطح) الحافة. فى بعض الأمثلة؛ تطبق ‎sole‏ الربط باستخدام ملعقة؛ حقنة؛ أو حقيبة للعصر مع فتحة أو فوهة مرفقة. بعد جلب أسطح الحافة لأول وثانى جزءِ كربيد السيليكون داخل الدعامة؛ يتم إزالة مادة الريط الزائدة؛ بمثل المسح؛ قبل تسخين جزءٍ ‎an‏ السيليكون لمعالجة مادة الريط. على نحو مفيد؛ تحدد الحواف المجاورة لجزئي كربيد السيليكون الأول والثانى أجزاء الريط
الذكر والانثى (بمعنى؛ البروز والمنخفض) ذات الأبعاد المشتركة لتوفير فراغ بين أجزاء الربط الذكر
والأنثى عندما تكون الحواف متجاوره؛ حيث يتم التخلص من ‎sale‏ الربط في الفراغ. قد يتضمن تطبيق الحرارة على مادة الربط على خطوتين أو أكثر للتسخين. فى بعض التجسيمات» يشمل تطبيق الحرارة تعرض مادة الربط للبيئه المحيطة عند قول درجة حراره 11 لأول 858 زمنية؛ يتم زيادة درجة الحرارة لدرجة الحرارة الثانية 12 ‎Cua‏ 11 > 12؛ ‎aig‏ تعريض مادة الريط لدرجة الحرارة الثانيه 72 لفترة ثانية لمعالجة مادة الريط. يتم التنفيذ فى بيئة محيطة خالية إلى حد ما من الهيدروكريونات؛ ‎Jie‏ فى جو محيط من الهواء أو فى النيتروجين. قد يتم تطبيق الحرارة لمادة ‎cal‏ أو لمادة الربط وأول أو ثانى جزءٍ كربيد سيليكون مجاور. يكون تسخين كل من ‎sale‏ الريط وأجزاء كربيد السيليكون المجاورة مفيد لتقليل الفروق فى تمدد المادة والإنكماش أثناء التسخين والتبريد؛
مما يقلل من احتمال شروخ أو فصل المكونات.
تكون درجة الحراره الأولى 11 والفترة الزمنية الأولى كافية لتبخير الماء من مادة الريط. من المستحسن أن تكون درجة الحرارة الأولى 11 منخفضة بدرجة كافية لتفادى غليان الماء أو شرخ مادة الربط أثناء التجفيف. فى بعض الأمثلة؛ تكون 11 فى خلال نطاق 90 - 110"م؛ كما فى خلال نطاق 90 - 2°100 أو 90 - 95ثم. تكون الفترة الزمنية الأولى ساعة واحدة على الأقل؛ كما عند
5 ساعتين على الأقل أو 2 - 4 ساعة. تزداد درجة الحرارة تدريجيا من درجة الحرارة المحيطة حتى درجة الحرارة 11 ثم يتم المحافظة عليها عند 71 للفترة الزمنية الأولى. قد تزيد درجة الحرارة بمعدل من 1 - 4"م/ دقيقة؛ كما المعدل من 2 - 3"م/ دقيقة. فى بعض ‎(GLa)‏ تزيد درجة الحرارة من درجة الحراره المحيطة إلى 93 - 2°94 عند معدل من 2 - 3"م/ دقيقة, والحفاظ عليها عند 93 - 4م لمدة ساعتين تحت تدفق النيتروجين.
تكون درجة الحرارة 12 فى خلال المدى من 250 - 350"م؛ كما فى المدى من 250 - 0م, و 250 <- 2"275 أو 255 — 2°265. تكون الفترة الزمنية الثانية على الأقل ساعة واحدة, كما على الأقل لمدة ساعتين. تزداد درجة الحرارة تدريجيا من 11 إلى 12؛ وبتم الحفاظ عليها عند 2 للفترة الزمنية الثانية. قد تزيد درجة الحراره عند المعدل 3 - 8"م/ دقيقة؛ كما بمعدل 5 - 6"م/ دقيقة. فى بعض الأحيان» زادت درجة الحرارة عن 260"م بمعدل 5 - 6"م/ دقيقة وتم الحفاظ عليها
5 عند 2°260 لمدة ساعتين تحت تدفق النيتروجين.
اختيارياً» يمكن تسخين أجزاء كربيد السيليكون المرتبطة من درجة الحرارة الثانية 72 إلى درجة
الحرارة الثالثة 13 وبتم الحفاظ عليها عند 13 لفترة زمنية ثالثة. تكون درجة الحراره 13 فى خلال
المدى من 350 - 450"م؛ كما فى خلال المدى من 350 - 400"م؛ و 360 - 380ثم أو 370
- 375"م.تكون الفترة الزمنية الثالثة على الأقل ساعة واحدة, كما عند على الأقل ساعتين أو من 4-2 ساعة. تزداد درجة الحرارة تدريجيا من 11 إلى 12.ثم يتم الحفاظ عليها عند ‎T2‏ للفترة الزمنية
الثانية. يمكن أن تزداد درجة الحرارة بمعدل 10-7"م/ دقيقة؛ كما بمعدل 9-8"م/ دقيقة. فى بعض التجسيمات؛ يتم السماح لأجزاء كربيد السيليكون الأولى والثانية المتجاورة للجفاف لفتره أولية من الزمن عند درجة حرارة محيطة قبل تطبيق التسخين. فى بعض الأمثلة؛ يتم تنقيذ الفترة الأولية للتجفيف فى الهواء عند درجة الحرارة المحيطة.دون الرغبة في الالتزام بأي نظرية معينة من العملية» فاإن الفترة الأولية من التجفيف في درجة حرارة ‎Jie dial‏ عند درجة الحرارة المحيطة في ضوءٍ الشمس؛ تساعد الانتشار البطيء للمذيب (على سبيل المثال» الماء) من المواد الرابطة دون ترك جيوب هوائية أو العيوب داخل المفصل؛ ويوفر وقت تلامس إضافي بين المواد الرابطة وأسطح
0 كربيد السيليكون. يمكن تعزيز (تدعيم) الرابطة بين المواد الرابطة وسطح كربيد السيليكون بسطح ‎2S‏ ‏سيليكون خشن أو تأثير قلوي من أيونات الليثيوم على السيليكون الحر على سطح كربيد السيليكون عندما يكون كرييد السيليكون هوكرييد السيليكون المرتبط ‎ble las‏ والذي يتضمن السيليكون الحر بين جسيمات كربيد السيليكون. عند تعرض السيليكون الحر لأيونات الليثيوم فى جو الهواء» تتكون أنواع سطح أوكسيد سيليكون. أثناء المعالجة اللاحقة ‎die)‏ درجات حرارة ‎(T2‏ واختياريا» 13)» فان رابط
اكسيد السيليكون يتفاعل مع السيليكات فى المادة الرابطة لتشكيل شبكة سيليكون ثلاثية الأبعاد بين أجزاء كربيد السيليكون المتجاورة.
1. الأمثلة مثال 1 تقييم المواد الرابطة
تتوافر المواد الرايطة القائمة على سيليكات البوتاسيوم والليقيوم ‎Potassium silicate and‏ ‎lithium silicate‏ تجارياء على سبيل المثال» 890-16 ‎Ceramabond‏ و890-1؛ حيث ‎Lg K‏ تشير إلى البوتاسيوم والليثيوم» وعلى التوالي ‎.(Aremco Products, Inc., Valley Cottage, NY)‏ يتضمن كل من المواد الرابطة على جسيمات كربيد سيليكون دقيقه كمواد مالئة و سيليكات ألومينيوم كعامل تغليظ. كانت المواد الرابطة متاحة كطين مخلوط مسبقا.
خلطت كل المواد الرابطة جيدا قبل الاستخدام عن طريق الهز لمدة 5 دقائق أو التقليب بالقلاب الميكانيكي. تم تنظيف أسطح كريد السيليكون المشتركة بفرشاة معدنية تمسح لتنظف بقطعة قماش نظيفة. تم تطبيق المواد الرابطة لمطابقة المفاصل الذكور والإناث (كمثال مفاصل اللسان والشق) باستخدام ملعقة. قد تم مسح المواد الرابطة الزائدة. ‎sale‏ تم اختبار ثلاثة أزواج من أجزاء
كارييد السيليكون (5 -8 سم في الطول) لكل مجموعة من الشروط لضمان التكراري. يتم ضغط وصلات الذكور والاناث وتثبيتها ‎las‏ يتم تجفيف الوصلات المجمعة لمدة ساعتين عند درجة حرارة الغرفة. فى بعض الحالات, يتم تجفيف الوصلات المثبتة فى ضوء الشمس لمدة ساعتين. يتم وضع الوصلات لاحقا فى فرن إحماء . يتم رفع درجة ‎Ball‏ تدريجيا من درجة حرارة الغرفة إلى درجة 2°93 بمعدل 22.8[ دقيقة ‎ang‏ الحفاظ عليها عند 293 لمدة ساعتين تحت تدفق النيتروجين. عند ذلك يتم زيادة درجة الحرارة من 93"م إلى 260 "م بمعدل 5.6"م/ دقيقة؛ ويتم الحفاظ ‎Lede‏ عند 27260 لمدة ساعتين تحت تدفق النيتروجين. عندما تشمل المواد الرابطة على سيليكات البوتاسيوم ‎«Ceramabond 890-K)‏ يتم زيادة درجة الحرارة لاحقا من 260"م إلى 371"م بمعدل 3م دقيقة؛ ويتم الحفاظ عليها عند 371"م لمدة ساعتين تحت تدفق النيتروجين.
يتم استخدام ذراع الرافعة البسيط لمقارنة قوة وصلة المعالج» أجزاء كاربيد السيليكون المرتبطة بطريقة ‎ALG‏ للتكرار. يتم ضم ‎gia‏ كارييد سيليكون واحد من زوج الوصلات فى مشبك. يتم تعليق كتلة من أجزاء كاربيد السيليكون للزوج المتحد. يتم استخدام ‎ABS‏ تصل إلى 5 كجم. لكل قياس» فإن مسافة ذراع الرافعة (المسافة بين نقطة تعليق الكتلة في مفصل) يتم الاحتفاظ بها ثابتة لجميع القياسات.
تشكل كل من المواد الرابطة المفاصل التي تتحمل حمل كتلة 5 كجم بسهولة. المحاولات لكسر كل مفصل من جهة؛ أثبتت أن المفاصل التي كونت مع المواد الرابطة على أساس سيليكات الليثيوم يمكن أن تكسر بقوة معتدلة إلى قوية. لا يمكن كسر المفاصل التى تم تشكيلها مع المفاصل القائمة على سيليكات البوتاسيوم باليد.
على الرغم من أن ‎of gall‏ الرابطة القائمة على سيليكات البوتاسيوم ‎potassium silicate-based‏
‎bonding material 0‏ كانت أقوى؛ توقعت حسابات توازن الترموديناميكية ‎thermodynamic‏ ‎equilibrium calculations‏ أن البوتاسيوم سوف يتبخر وبلوث منتج السيليكون خلال عملية مفاعل طبقي مميع. توقعت حسابات ‎Alas‏ للمواد الرابطة القائمة على سيليكات الليثيوم أن الرابط سيكون مستقر في ظل الظروف مع مفاعل الطبقة المميعة ولن تتبخر إلى أي درجة كبيرة. وأكدت الاختبارات التي أنجزت في مفاعل طبقي مميع التوقعات. على الرغم من تلوث البوتاسيوم الذى يحدث مع المواد
‏5 الرابطة استناداعلى سيليكات البوتاسيوم؛ لم يتم الكشف عن أي مستوى ليثيوم ملموس في منتج السيليكون عندما كانت تستخدم المواد الرابطة على أساس سيليكات الليثيوم.
‏تم إجراء تحليل تشتيت الأشعة السينية ‎X-ray diffraction analysis‏ للمادة المرتبطة المعتمدة على سيليكات البوتاسيوم . أظهر ‎XRD Julai‏ خليط من كربيد السيليكون ‎silicon carbide‏
— 1 3 — ‎polymorphs‏ متعدد الأشكال ‎4H‏ و ‎L6H‏ تم الكشف أيضا عن الكميات الضئيلة من إثنين من طبقات سيليكات ‎١‏ لألومنيوم ‎aluminosilicate phases‏ والكررستوياليت ‎¢Si02)‏ الرياعية) ‎cristobalite (SiOz,‏ ‎.tetragonal)‏ ‏في ضوءٍ العديد من التجسيمات الممكنة التي قد تنفذ مبادئ الاختراع» يجب معرفة أن هذه التجسيمات التوضيحية هي أمثلة مفضلة فقط للإختراع ولا يجب إعتبارها حصر لموضوع الإختراع. جوهر وموضوع عناصر الحماية.

Claims (3)

عناصر الحماية
1. بطانة كرييد السيليكون ‎segmented silicon carbide liner mall‏ للإستخدام في مفاعل الطبقة المميعة ‎fluidized bed reactor‏ لإنتاج مادة مُحببة مُغلفة بعديد السيليكون ‎polysilicon-coated‏ ‎cgranulate material‏ البطانة تتضمن: حائط أنبوبي ‎bular wall‏ لديه سطح خارجي إسطواني ‎cylindrical outer surface‏ ويتضمن مجموعة من ‎hal‏ كربيد السيليكون المتصلة جانبيا ‎plurality of laterally joined silicon carbide‏ ‎JS csegments‏ جز لكربيد السيليكون المتصل ‎laterally joined silicon carbide segment Lila‏ لديه حواف جانبية ‎lateral edges‏ وسطح خارجي ‎outer surface‏ الذي يكون ‎Ble‏ عن جزءِ من السطح الخارجي ‎portion of the outer surface‏ للحائط ‎١‏ لأنبوبي ‎‘tubular wall‏ و حجم مادة الإرتباط ‎volume of the bonding material‏ تتضمن ملح الليثيوم ‎salt‏ مسنطاتاء مادة 0 الإرتباط ‎bonding material‏ التي تقع بين الحواف الجانبية المرتكزة ‎abutting lateral edges‏ الخاصة بأجزاء كرييد السيليكون المتجاورة ‎.adjacent silicon carbide segments‏
2. بطانة كرييد السيليكون المجزأة ‎segmented silicon carbide liner‏ وفقا لعنصر الحماية 1؛ حيث تتضمن كل جزءٍ لكربيد السيليكون ‎silicon carbide segment‏ 5 الجدار ا لأنبوبي على سطح حافة جانبية أول ‎first lateral edge surface‏ الذي يحدد منخفض مفتوح جانبيا ‎laterally opening depression‏ بطول جزءٍ أو كل من طول سطح حافة جاتبية أول ‎first‏ ‎«lateral edge surface‏ و ثاني سطح حافة جاتبية ‎second lateral edge surface‏ الذي يحدد بروز يمتد جاتبيا ‎laterally‏ ‎extending protrusion‏ بطول جزء أو كل من ثاني سطح حافة جانبية ‎second lateral edge‏ ‎surface 0‏ يكون للبروز أبعاد أصغر من منخفض سطح الحافة الجانبي الأول ‎first lateral edge‏ ‎surface depression‏ بحيث عندما تشترك الحافة الجانبية الأولى ‎first lateral edge‏ من أول ‎ga‏ ‏مع الحافة الجانبية الثانية ‎second lateral edge‏ من الجزء المجاور ‎cadjacent segment‏ يتباعد سطح منخفض أول جزء ‎first segment depression‏ من سطح بروز الجزءِ المجاور ‎adjacent‏ ‎segment protrusion‏ وبقع الفراغ بين منخفض الجزء الأول ‎first segment depression‏ ويروز الجزء 5 الثاني ‎«adjacent segment protrusion‏ و
يتم التخلص من حجم كمية الريط ‎bonding material‏ خلال الفراغ بين منخفض الجزءٍ الأول ‎first‏ ‎segment depression‏ ويروز الجزءٍ ‎.adjacent segment protrusion staal‏
3. بطانة كربيد السيليكون المجزأة ‎segmented silicon carbide liner‏ وفقا لعنصر الحماية 2 حيث يمتد إنخفاض سطح الحافة الجانبية الأول ‎first lateral edge surface depression‏ على طول سطح الحافة الجاني الأول الداخلي ‎first lateral edge surface‏ ويمتد نتوء سطح الحافة الجانبية الثانية ‎second lateral edge surface protrusion‏ على طول سطح الحافة الجانبي الثاني الداخلي ‎second‏
‎.lateral edge surface‏ 0 | 4. بطانة ‎wl‏ السيليكون المجزأة ‎segmented silicon carbide liner‏ وفقا لعنصر الحماية 1؛ حيث يتضمن الحائط الأنبوبي ‎wbular wall‏ الإرتباط الجانبي المتبادل بأجزاء كرييد السيليكون الأول والثاني ‎first and second silicon carbide segments‏ كل ‎era‏ أول لكربيد السيليكون ‎first and second silicon carbide segments‏ يتضمن الجدار ‎١‏ لأنبوبي على سطح حافة جانبية أول ‎first lateral edge surface‏ الذي يحدد منخفض مفتوح ‎laterally Laila‏ ‎opening depression 5‏ بطول جزءِ أو كل من طول سطح حافة جانبية أول ‎first lateral edge‏ ‎«surface‏ و ثاني سطح حافة جاتبية ‎second lateral edge surface‏ الذي يحدد بروز يمتد جاتبيا ‎laterally‏ ‎extending protrusion‏ بطول جزء أو كل من ثاني سطح حافة جانبية ‎second lateral edge‏ ‎surface‏ يكون للبروز أبعاد أصغر من منخفض سطح الحافة الجانبي الأول ‎first lateral edge‏ ‎surface depression 20‏ بحيث عندما ترتكز الحافة الجانبية الأولى ‎first lateral edge‏ من أول ‎oa‏ مع الحافة الجانبية الثانية ‎«second lateral edge‏ يتباعد سطح منخفض أول جزء ‎first segment depression‏ من سطح بروز الجزءٍ الثاني ‎second‏ ‎segment protrusion‏ وبقع الفراغ بين منخفض الجزء الأول ‎first segment depression‏ ويروز الجزء الثاني ‎«second segment protrusion‏ و 5 يتم التخلص من حجم كمية الريط ‎bonding material‏ خلال الفراغ بين منخفض الجزءٍ الأول ‎first‏ ‎segment depression‏ ويروز الجزءٍ ‎.adjacent segment protrusion staal‏
5. بطانة ‎aS‏ السيليكون المجزأة ‎segmented silicon carbide liner‏ وفقا لعنصر الحماية 1 ؛ حيث تتضمن ‎sale‏ الإرتباط ‎bonding material‏ 0.4 — 0.7 وزن90 ليثيوم ‎Jie‏ ليثيوم ألومنيوم سيليكات ‎lithium aluminum silicate‏ وكربيد السيليكون ‎silicon carbide‏
6. بطانة ‎wl‏ السيليكون المجزأة ‎segmented silicon carbide liner‏ وفقا لعنصر الحماية 1 ¢ ‎Cua‏ يتم تشكيل واحدة أو مجموعة من أجزاء كربيد السيليكون ‎silicon carbide segments‏ من كربيد السيليكون المرتبط بالتفاعل ‎.reaction-bonded silicon carbide‏
7. بطانة كربيد السيليكون المجزأة ‎segmented silicon carbide liner‏ وفقا لعنصر الحماية 6 حيث 0 يكون كربيد السيليكون المرتبط بالتفاعل ‎reaction-bonded silicon carbide‏ ذو مستوى شوائب بالسطح ‎surface contamination level‏ عى السطح المواجه ‎aS gad‏ السيليكون ‎silicon carbide‏ ‎segment‏ أقل من 961 ذرة فوسفور ‎phosphorus‏ وأقل من 961 ذرة بورون ‎cboron‏ وذو تركيز معدني ‎date‏ منخفض بشكل كافي للحصول على ضغط معدني جزئي ‎metal partial pressure‏ أقل من 0.1 باسكال لكل معدن متحرك عند درجة حرارة التشغيل لمفاعل الطبقة المميعة متعددة 5 السيليكون ‎.polysilicon fluidized bed reactor‏
8. بطانة ‎aS‏ السيليكون المجزأة ‎segmented silicon carbide liner‏ وفقا لعنصر الحماية 1 ¢ تتضمن أيضا عضو الإحتفاظ ‎retaining member‏ الممتد حول السطح الخارجي الضيق الخاص بالحائط الأنبوبي ‎tubular wall‏
9. بطانة كرييد السيليكون المجزأة ‎segmented silicon carbide liner‏ وفقا لعنصر الحماية 8 حيث يتم إنشاء عضو الإحتفاظ ‎retaining member‏ من المادة التي لديها معامل البطانة الخاص بالتمدد الحراري ‎thermal expansion‏ الذي يتراوح من 2* 10 “/كلفن إلى 6 ‎x‏ 10 “/كلفن. 5 10. بطانة كربيد السيليكون المجزأة ‎segmented silicon carbide liner‏ وفقا لعنصر الحماية 8؛ ‎Cus‏ يتم إنشاء عضو الإحتفاظ ‎retaining member‏ من المولبيديوم ‎molybdenum‏ أو سبيكة المولبيديوم ‎-molybdenum alloy‏
1. بطانة كربيد السيليكون المجزأة ‎segmented silicon carbide liner‏ وفقا لعنصر الحماية 1 ؛ تتضمن ‎lad‏ ‏الحائط الأنبوبي الأول ذو سطح خارجي إسطواني وبتضمن مجموعة من أجزاء كرييد السيليكون المرتبط ‎(Lula‏ كل ‎eda‏ مرتبط جاتبيا ‎laterally joined segment‏ ذو حواف جاتبية ‎lateral edges‏ وسطح خارجي ‎outer surface‏ الذي يكون عبارة عن جزءِ من السطح الخارجي للحائط ا لأنبوبي الأول ‎¢first tubular wall‏ الحائط الأنبوبي الثاني ‎second tubular wall‏ الذي يقع أعلى ومرتكز على الحائط الأنبوبي الأول ‎¢first tubular wall‏ الحائط ‎١‏ لأنبوبي الثاني ‎second tubular wall‏ ذو سطح خارجي إسطواني يتضمن مجموعة من أجزاء < ‎an‏ السيليكون الجانبية» كل جزءٍ مرتبط جانبيا ‎laterally joined segment‏ ذو 00 حواف جانبية ‎lateral edges‏ والسطح الخارجي ‎outer surface‏ الذي يكون ‎Ble‏ عن ‎ed‏ من السطح الخارجي للحائط الأنبوبي الثاني ‎¢second tubular wall‏ حجم ‎sale‏ الإرتباط ‎volume of the bonding material‏ التي تقع بين أجزاء كربيد السيليكون المتصلة جانبيا المجاورة ‎adjacent laterally joined silicon carbide segments‏ الخاصة بالحائط الأنبوبي الأول ‎¢first tubular wall‏ 5 | حجم ‎sale‏ الإرتباط ‎volume of the bonding material‏ التي تقع بين أجزاء < ‎an‏ السيليكون المتصلة جانبيا المجاورة ‎adjacent laterally joined silicon carbide segments‏ الخاصة بالحائط الأنبوبي الثانية ‎¢second tubular wall‏ و حجم ‎sale‏ الإرتباط ‎volume of the bonding material‏ تتضمن ملح الليثيوم ‎clithium salt‏ مادة الإرتباط ‎bonding material‏ التي تقع بين الحوائط ا لأنبوبية الأوتلى والثانية ‎first and second tubular‏ ‎walls 0‏
2. بطانة كربيد السيليكون المجزأة ‎segmented silicon carbide liner‏ وفقا لعنصر الحماية 11 حيث: يتضمن كل ‎gia‏ لكربيد السيليكون من الحائط الأنبوبي الأول ‎first tubular wall‏ 5 سطح الحافة العلوية لجزء الحائط ا لأنبوبي الأول ‎first tubular wall segment upper edge surface‏ محددا الفتحة العلوية لمنخفض ‎gia‏ الحائط ‎١‏ لأنبوبي الأول ‎first tubular wall segment‏
سطح الحافة الجانبية الأول ‎first lateral edge surface‏ المحدد لمنخفض الفتحة الجانبية ‎laterally‏ ‎opening depression‏ على طول جزءٍ أو كل من طول سطح الحافة الجانبية الأول ‎first lateral‏ ‎«edge surface‏ و ثاني سطح حافة جانبية ‎second lateral edge surface‏ الذي يحدد بروز يمتد جاتبيا ‎laterally‏ ‎extending protrusion 5‏ بطول جزء أو كل من ثاني سطح حافة جانبية ‎second lateral edge‏ ‎surface‏ يكون للبروز أبعاد أصغر من منخفض سطح الحافة الجانبي الأول ‎first lateral edge‏ ‎¢surface depression‏ كل جزءٍ لكرييد السيليكون الخاص بالحائط ‎١‏ لأنبوبي الثاني ‎second tubular wall‏ يتضمن سطح حافة جانبية أول ‎first lateral edge surface‏ الذي يحدد منخفض ‎depression‏ مفتوح جانبيا 0 بطول جزءٍ أو كل من طول سطح حافة جانبية أول ‎first lateral edge surface‏ ثاني سطح حافة جانبية ‎second lateral edge surface‏ الذي يحدد بروز ‎protrusion‏ يمتد جانبيا بطول جزءِ أو كل من ثاني سطح حافة جانبية ‎second lateral edge surface‏ يكون للبروز ‎protrusion‏ أبعاد أصغر ‎smaller dimensions‏ من منخفض سطح حافة جانبية أول ‎lateral edge‏ ‎«surface depression‏ و سطح الحافة المنخفضة لثاني ‎gia‏ من الحائط الأنبوبي ‎second tubular wall segment lower‏ ‎cedge surface‏ التي تحدد بروز ‎all‏ الثاني للحائط الأنبوبي الممتد إلى أسفل ‎downwardly‏ ‎extending second tubular wall segment protrusion‏ المستلم داخل منخفض ‎gyn Jol‏ للحائط لأنبوبي ‎tubular wall segment depression‏ )8 :تاوالذي لديه أبعاد أصغر من إنخفاض أول جزء للحائط الأنبوبي ‎first tubular wall segment depression‏ بحيث»؛ عندما يتم إرتكاز سطح ‎Ball‏ ‏0 العلوي ‎gall‏ الأول للحائط ‎١‏ لأنبوبي ‎first tubular wall segment upper edge surface‏ وسطح الحافة المنخفض ‎gal‏ الحائط الأنبوبي الثاني ‎second tubular wall segment lower edge surface‏ ‎chase‏ يتباعد سطح منخفض أول ‎first segment depression ej»‏ من سطح بروز الجزء الثاني ‎second segment protrusion‏ وبيقع الفراغ ‎space‏ بين متخفض الجزء الأول ‎first segment‏ ‎depression‏ ويروز الجزء الثاني ‎¢second segment protrusion‏ و 5 يتم التخلص من ‎ana‏ كمية الربط ‎bonding material‏ بين الحوائط الأنبوبية الأولى والثانية ‎first‏ ‎and second tubular walls‏ خلال الفراغ بين منخفض ‎gall‏ الأول ‎first segment depression‏ ويروز جزءٍ الحائط ‎١‏ لأنبوبي الثاني ‎-second tubular wall segment protrusion‏
3. بطانة كربيد السيليكون المجزأة ‎segmented silicon carbide liner‏ وفقا لعنصر الحماية 11؛ حيث تتضمن مادة الإرتباط من 0.7-0.4 وزن96 ليثيوم كالليثيوم ألومنيوم سيليكات ‎lithium‏ ‎aluminum silicate‏ وكربيد السيليكون ‎silicon carbide‏
14. بطانة كربيد السيليكون المجزأة ‎segmented silicon carbide liner‏ وفقا لعنصر الحماية 11( حيث يتضمن واحد أو كل من الحائط الأنبوبي الأول والحائط الأنبوبي الثاني مجموعة من ‎shal‏ ‏كربيد السيليكون ‎AKE4Y silicon carbide segments‏ من كربيد السيليكون المرتبط بالتفاعل ‎reaction-‏
‎.bonded silicon carbide‏
15. بطانة كربيد السيليكون المجزأة ‎segmented silicon carbide liner‏ وفقا لعنصر الحماية 11 تتضمن أيضا: عضو إحتفاظ حول سطح الإسطوانة الخارجي ‎cylindrical outer surface‏ للحائط ‎١‏ لأنبوبي الأول ‎¢first tubular wall‏ و عضو إحتفاظ حول سطح الإسطوانة الخارجي ‎cylindrical outer surface‏ للحائط ‎١‏ لأنبوبي الثاني
‎.second tubular wall 15‏ 16 بطانة كرييد السيليكون المجزأة ‎segmented silicon carbide liner‏ وفقا لعنصر الحماية 11( حيث يكون كل جزءٍ لكربيد السيليكون ‎silicon carbide segment‏ الخاص بالحائط الأنبوبي الثاني ‎second tubular wall‏ ذو سطح الحافة العلوي ‎upper edge surface‏ الذي يحدد الفتحة العلوية 0 - لمنخفض ‎gia‏ الحائط ‎١‏ لأنبوبي الثاني ‎tubular wall segment depression‏ 566000.
7. بطانة كربيد السيليكون المجزأة ‎segmented silicon carbide liner‏ وفقا لعنصر الحماية 16؛ يتضمن ‎Lad‏ الحائط الأنبوبي النهائي ‎terminal tubular wall‏ الذي يقع في الأعلى ومرتكز على الحائط الأنبوبي الثاني ‎«second tubular wall‏ الحائط الأنبوبي النهائي ‎terminal tubular wall‏ 5 يتضمن: مجموعة من أجزاء كربيد السيليكون النهائية المتصلة جانبيا ‎plurality of laterally joined terminal‏ ‎csilicon carbide segments‏ كل جزء لكربيد السيليكون النهائتي ‎terminal silicon carbide segment‏
سطح حافة ‎EN‏ الجانبي الأول ‎first lateral segment edge surface‏ المحدد لمنخفض الفتحة
الجانبية ‎laterally opening depression‏ على طول جزءِ من طول سطح حافة ‎gall‏ الجانبي الأول
‎«first lateral segment edge surface‏ و
‏ثاني سطح حافة الجزء الجانبي ‎second lateral segment edge surface‏ الذي يحدد بروز يمتد جانبيا
‎laterally extending protrusion 5‏ بطول جزءِ من ثاني ‎gia‏ لسطح حافة جانبية ‎second segment‏
‎first ‏لمنخفض سطح الحافة الجانبي‎ ga ‏يكون للبروز أبعاد أصغر من أول‎ lateral edge surface
‎«segment lateral edge surface depression‏ و
‏سطح جزءٍ الحافة المنخفضة ‎segment lower edge surface‏ التي تحدد بروز ‎eda‏ الحائط ا لأنبوبي
‎downwardly extending terminal tubular wall segment protrusion ‏النهائي الممتد إلى أسقل‎ ‏والذي‎ second tubular wall segment depression ‏لأنبوبي‎ ١ ‏المستلم داخل منخفض ثاني جزءٍ للحائط‎ 0
‏لديه أبعاد أصغر من إنخفاض ثاني ‎gia‏ للحائط ‎١‏ لأنبوبي ‎second tubular wall segment‏
‏0 بحيث» عندما يتم إرتكاز سطح الحافة السفلي لجزء كربيد السيليكون النهائي ‎terminal‏
‎silicon carbide segment lower edge surface‏ وسطح الحافة العلوية ‎edad‏ الحائط ‎١‏ لأنبوبي الثاني
‎terminal silicon carbide segment lower edge surface‏ عمودياء؛ يبعد سطح منخفض جزءٍ الحائط ‎١٠ 5‏ لأنبوبي الثاني ‎surface of the second tubular wall segment depression‏ عن سطح بروز ‎ey‏
‏الحائط ‎١‏ لأنبوبي ‎surface of the terminal tubular wall segment protrusion (lel‏ ويقع الفراغ
‎terminal tubular wall segment protrusion (lel ‏بين بروز جزءٍ الحائط الأنبوبي‎ space
‏ومنخفض ‎gia‏ الحائط ‎١‏ لأنبوبي الثاني ‎tubular wall segment depression‏ 60000؟؟
‏حجم مادة الإرتباط ‎volume of the bonding material‏ تتضمن ملح الليثيوم ‎salt‏ مسنطاتاء مادة 0 الإرتباط ‎bonding material‏ التي تقع بين الحواف الجانبية ‎lateral edges‏ المرتكزة الخاصة بأجزاء
‎au S‏ السيليكون النهائية ‎adjacent terminal silicon carbide segments dull‏ و
‏حجم ‎sale‏ الإرتباط ‎volume of the bonding material‏ تتضمن ملح الليثيوم ‎clithium salt‏ مادة
‏الإرتباط ‎bonding material‏ التي تقع في الفراغ بين بروزن جزء الحائط ا لأنبوبي النهائي ‎terminal‏
‎second tubular wall ‏لأنبوبي الثاني‎ ١ ‏ومنخفض جزءٍ الحائط‎ tubular wall segment protrusion .segment depression 5
8. بطانة كرييد السيليكون المجزأة ‎segmented silicon carbide liner‏ وفقا لعنصر الحماية 17؛ تتضمن أيضا عضو إحتفاظ ممتد حول السطح الخارجي الإسطواني ‎cylindrical outer surface‏ للحائط الأتبوبي النهائي ‎terminal tubular wall‏
19. بطانة كربيد السيليكون المجزأة ‎segmented silicon carbide liner‏ وفقا لعنصر الحماية 16 يتضمن ‎lad‏ ‏واحدة أو أكثر من الحوائط ‎du eV)‏ الإضافية ‎tubular walls‏ 0001 :00ة» كل حائط أنبوبي ‎tubular‏ ‎wall‏ إضافي لديه سطح خارجي إسطواني ‎cylindrical outer surface‏ ويبتضمن مجموعة من أجزاء كربيد السيليكون الإضافية المرتبطة جاتبيا ‎laterally joined additional silicon carbide segments‏ كل جزء لكربيد السيليكون الإضافية ‎additional silicon carbide segment‏ تتضمن سطح الحافة الجانبية الأول ‎first lateral edge surface‏ المحدد لمنخفض الفتحة الجانبية ‎laterally‏ ‎opening depression‏ على طول جزءِ أو كل من طول سطح الحافة الجانبية الأول ‎first lateral‏ ‎«edge surface‏ و ثاني سطح حافة جاتبية ‎second lateral edge surface‏ الذي يحدد بروز يمتد جاتبيا ‎laterally‏ ‎extending protrusion 5‏ بطول جزءِ أو كل من ثاني ‎oda‏ لسطح حافة جانبية ‎second segment‏ ‎lateral edge surface‏ يكون للبروز أبعاد أصغر من أول ‎ga‏ لمنخفض سطح الحافة الجانبي ‎first‏ ‎«segment lateral edge surface depression‏ جزء سطح الحافة العلوي ‎segment upper edge surface‏ محددا منخفض ‎oda‏ الفتحة المتجهة لأعلى ‎cupwardly opening segment depression‏ 0 جزءٍ سطح الحافة المتخفض ‎segment lower edge surface‏ محددا لبروز الجزءٍ الممتد إلى أسفلء بروز الجزءِ ‎segment protrusion‏ الذي لديه أبعاد أصغر من متخفض الجزء ‎«segment depression‏ و يتم التخلص من حجم كمية ‎bonding material Jas yl‏ بين أجزاء كربيد السيليكون المرتبطة ‎Lalas‏ ‏القريبة ‎adjacent laterally joined additional silicon carbide segments‏ الخاصة بالحائط ‎١‏ لأنبوبي 5 الإضافي ‎ tadditional tubular wall‏ يتم التخلص من حجم كمية الريط ‎bonding material‏ بين الحوائط الأنبوبية الإضافية ‎additional‏ ‎tubular walls‏ والحائط ‎١‏ لأنبوبي المجاور المرتكز ‎.abutting adjacent tubular wall‏
0. مفاعل الطبقة المميعة ‎fluidized bed reactor‏ لانتاج مادة حبيبية مغلفة بالبولي سيليكون ‎polysilicon-coated granulate material‏ تتضمن : ‎vesselsleg‏ له جدار خارجي ‎couter wall‏ و بطانة كارييد سيليكون المجزأة ‎segmented silicon carbide liner‏ وفقا للعنصر 1؛ يتم وضع البطانة لخارج الجدار ‎outer wall all‏ بحيث يحدد السطح الداخلي للبطانة ‎the inner surface of the‏ ‎liner‏ جزءٍِ من غرفة التفاعل ‎chamber‏ صمناء168.
1. مفاعل الطبقة المميعة ‎Ga gefluidized bed reactor‏ لعنصر الحماية 20 يتضمن أيضا: سخان ‎heater‏ يقع بين الجدار الخارجي ‎outer wall‏ وبطانة كاربيد سيليكون المجزأة ‎segmented‏ ‎¢silicon carbide liner 0‏ مدخل ‎inlet‏ له فتحةع000010 في موقع قبول وجود الغاز الأولي ‎primary gas‏ الذي يضم الغاز المحمل بالسيليكون ‎silicon-bearing gas‏ في غرفة التفاعل ‎‘reaction chamber‏ العديد من مداخل غاز التميع ‎fluidization gas inlets‏ حيث كل مدخل غاز ‎fluidization aad‏ ‎gas inlet‏ له فتحة ‎outlet opening Mie‏ في غرفة التفاعل ‎«reaction chamber‏ و منفذ ‎outlet‏ لإزالة جسيمات منتج مغلف بالسيليكون ‎silicon-coated product particles‏ من الوعاء ‎vessel‏
: ‏امي‎ Ya nd ‏م‎ ‎Ay 0 ¥ 1 8 ‏اد‎ ‏لجالا انط : اد الا : ابا‎ ee xX bd Fa 1 4 ¥ bs Raa poe EE ; SEE TE i ‏ل‎ ١ ِ i : ETE i 0 i OH: RB3 i HOE BR { HOH: 8 i Hop + 8 8 ‏م‎ ١ ! 8 N EE § Ho 11 1 HOSE OHA i i PR 3 Jo LE 3 i 3 ‏ا‎ ‎bs bE + ‏ا‎ 8 Ks Rk ‏ا‎ ‎ES bo BE 3 1 1 ‏ا‎ ‎i fi SE { 3 : ; i ¢ HEX 1 1 2 [1 : § i tig ‏ا‎ ‎8 0 RTS I ! I ‏ل ل‎ 0 i § § 0 ‏مخ‎ ‎BS ff 8 08 B bs Tak ol) 4 H i & BR HE SPN { ‏ا اي‎ SA i gd : 00 bs § 8 H : t ‏م8‎ B ‏؛.‎ ‏يد‎ Hood 3 iM CH IA. ‏تحصن‎ 0 i ‏الاسم‎ 1 Hou : ‏ا‎ i { ‏اث‎ 1 HJ ‏ب ؟ مسي‎ ¥ { pf 8 0 § i ‏ل«‎ BS 30 : ‏إْ‎ EIN IE ‏ل لإ‎ { Ho bY fd } 8 5 1 +: 5 ‏ل#المستة.‎ 0 J 8 ‏اد الايد اذ“ تن"‎ 8 ‏لا حا‎ WR 8 ‏ااي‎ 0 8 4 : ٍ y 1 ‏قا‎ Aa — = ‏ا‎ 3 IR ¥ HE ORE gn i HERE $i ‏مر‎ 4 8 tN RE 0 SE OBE RE EE BS ¥ ON: } 13 1 Bute 1 NR ‏امستسسساااته‎ LB BE 8 ui J 3 3 8: i YOR OBR OR § § Bb EMH : 3 3 Bl HOR 3 ‏ست‎ BRED Li 1 ٍ LI SEC ‏وا‎ ‎٠ ‏الشكل‎
— 4 2 — A * Fa } NE ‏ميا لاي‎ rasa er pL en ‏سلس‎ ‎Age ody ; TN = AY — * sa
Ri AR UL Ts \ 8 NV :
3 . 0 ‏ا‎ J i oe . D 7X 77 ‏لح‎
/' 1 ‏إل‎ / ١ ! : ‏ل‎ hh 0 1 | a { 11 Er? ‏ل‎ : ] wl
لل ا ١د‏ ا -: 3 3 3 2
‎A =‏ مر 1 م ‎NN > 72 RK‏ ٌ
— 4 6 —
. a = } ae A i, 5 8 1 ‏ا‎ % \ 4 po 11 I ‏و‎ ‏دي" ا‎ 1 Rl 1 0 i = eh 1 1 1 ‏رار‎ ‎i ER IF : LY 0) 4 8 kh 1 Fi WAY Vv. - 1 ‏ا‎ ‎0 7 , = 3 7
-7 ٠ ky LIBR J er 0 0 CD ‏بح حص وي‎ 17 | 9 , ‏لالس اس‎ yo FARA <b C AF ‏الشكل.7‎
٠ 4 8 ٠ ‏اير‎ ‎> | 7 ‏سس 1 3 الا الب‎ ‏احم‎ Na f y. ‏ا سا‎ ©” ‏ن”‎ 4 ‏امسلل‎ ‎3 ‏ا‎ ‏هب‎
' ~~ 1 ANY
— 5 0 — : Va OD) Ne IND ) :
a. J / J] ]) ] x ‏ع ل+ط لغج_0 اج‎ :
‎٠ 5 1 —‏ و00 ‎Opies‏ " مز ‎NSF,‏ ‏مع الرء ‎tet‏ غ
— 5 2 — oi Re ‏اي‎ . a Ne ul 2 ee an a i ‏للا‎ .ّ 4 = vo i pe © J 7 ‏ا‎ / = ‏ل بيد 1 | م‎ ES TN RE. ]
a. Na ‏ل‎ - 18 il 3 1 1 ‏و‎ ‏ل‎ EF x : ‏سق‎ ‎¥ Fa. 7 ; i ‏بر‎ ‏لقاب 7 ل‎ 0 ! 3 8 ‏0ل‎ 1 ‏ل‎ A 2 0 — EA SE 4 ei 5 4
سل > سل حل
‎Ey. “1‏ = ‎i 0 —‏ 5 ب سه ‎Sa | 0 + Jom =‏ نسل ‎a 0" 2 4‏ لاق 13 ل : | 1 ‎i 4 1.‏ سار ‎“ul 2‏ ‎١ /‏ ‎en‏ - سس 3 ‎TY‏ ‏3 ‏سل ‏2
] ) | ) | ض ا / ) ‎cl‏ ‏بلسي
لاله الهيلة السعودية الملضية الفكرية ا ‎Sued Authority for intallentual Property‏ ‎RE‏ .¥ + \ ا 0 § 8 ‎Ss o‏ + < م ‎SNE‏ اج > عي كي الج ‎TE I UN BE Ca‏ ‎a‏ ةا ‎ww‏ جيثة > ‎Ld Ed H Ed - 2 Ld‏ وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها ‎of‏ سقوطها لمخالفتها ع لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف ع النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية. ‎Ad‏ ‏صادرة عن + ب ب ‎٠.‏ ب الهيئة السعودية للملكية الفكرية > > > فهذا ص ب ‎101١‏ .| لريا ‎1*١ v=‏ ؛ المملكة | لعربية | لسعودية ‎SAIP@SAIP.GOV.SA‏
SA517380886A 2014-08-15 2017-02-12 بطانة كاربيد سيليكون مجزأة SA517380886B1 (ar)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/461,329 US9238211B1 (en) 2014-08-15 2014-08-15 Segmented silicon carbide liner

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SA517380886B1 true SA517380886B1 (ar) 2020-11-29

Family

ID=55071338

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SA517380886A SA517380886B1 (ar) 2014-08-15 2017-02-12 بطانة كاربيد سيليكون مجزأة

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9238211B1 (ar)
KR (1) KR102285604B1 (ar)
CN (1) CN105329899B (ar)
SA (1) SA517380886B1 (ar)
TW (1) TWI670230B (ar)
WO (1) WO2016025014A1 (ar)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10201793B2 (en) * 2016-10-04 2019-02-12 Corner Star Limited Fluidized bed reactor including liner
US9962672B1 (en) 2016-11-09 2018-05-08 Rec Silicon Inc Reactor component placement inside liner wall

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3012861A (en) 1960-01-15 1961-12-12 Du Pont Production of silicon
US3012862A (en) 1960-08-16 1961-12-12 Du Pont Silicon production
GB1006417A (en) 1964-04-14 1965-09-29 Standard Telephones Cables Ltd Ceramic-metal seals
US4314525A (en) 1980-03-03 1982-02-09 California Institute Of Technology Fluidized bed silicon deposition from silane
JPS56147756A (en) 1980-04-15 1981-11-16 Toyo Eng Corp Synthetic method of urea using silicon carbide material in apparatus
US4416913A (en) 1982-09-28 1983-11-22 Motorola, Inc. Ascending differential silicon harvesting means and method
US4820587A (en) 1986-08-25 1989-04-11 Ethyl Corporation Polysilicon produced by a fluid bed process
US4883687A (en) 1986-08-25 1989-11-28 Ethyl Corporation Fluid bed process for producing polysilicon
US4868013A (en) 1987-08-21 1989-09-19 Ethyl Corporation Fluidized bed process
US5139762A (en) 1987-12-14 1992-08-18 Advanced Silicon Materials, Inc. Fluidized bed for production of polycrystalline silicon
JPH02233514A (ja) 1989-03-06 1990-09-17 Osaka Titanium Co Ltd 多結晶シリコンの製造方法
US5447683A (en) 1993-11-08 1995-09-05 General Atomics Braze for silicon carbide bodies
US5798137A (en) 1995-06-07 1998-08-25 Advanced Silicon Materials, Inc. Method for silicon deposition
DE19948395A1 (de) 1999-10-06 2001-05-03 Wacker Chemie Gmbh Strahlungsbeheizter Fliessbettreaktor
JP2003535807A (ja) * 2000-06-20 2003-12-02 ショット、グラス、テクノロジーズ、インコーポレイテッド ガラスセラミック複合材
US6827786B2 (en) 2000-12-26 2004-12-07 Stephen M Lord Machine for production of granular silicon
KR100411180B1 (ko) 2001-01-03 2003-12-18 한국화학연구원 다결정실리콘의 제조방법과 그 장치
JP4082953B2 (ja) * 2002-07-31 2008-04-30 太平洋セメント株式会社 低熱膨張セラミックス接合体
US20060162849A1 (en) 2003-06-13 2006-07-27 Joo-Hwan Han Method of joining ceramics: reaction diffusion-bonding
US7658900B2 (en) 2005-03-05 2010-02-09 Joint Solar Silicon Gmbh & Co. Kg Reactor and process for the preparation of silicon
CN101316651B (zh) 2005-07-19 2011-03-02 瑞科硅公司 硅喷动流化床
DE102005042753A1 (de) 2005-09-08 2007-03-15 Wacker Chemie Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von granulatförmigem polykristallinem Silicium in einem Wirbelschichtreaktor
KR100756310B1 (ko) 2006-02-07 2007-09-07 한국화학연구원 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기
KR100661284B1 (ko) 2006-02-14 2006-12-27 한국화학연구원 유동층 반응기를 이용한 다결정실리콘 제조 방법
KR100813131B1 (ko) 2006-06-15 2008-03-17 한국화학연구원 유동층 반응기를 이용한 다결정 실리콘의 지속 가능한제조방법
KR100783667B1 (ko) * 2006-08-10 2007-12-07 한국화학연구원 입자형 다결정 실리콘의 제조방법 및 제조장치
US7935327B2 (en) 2006-08-30 2011-05-03 Hemlock Semiconductor Corporation Silicon production with a fluidized bed reactor integrated into a siemens-type process
DE102007021003A1 (de) 2007-05-04 2008-11-06 Wacker Chemie Ag Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von polykristallinem hochreinen Siliciumgranulat
SG192438A1 (en) 2008-06-30 2013-08-30 Memc Electronic Materials Fluidized bed reactor systems and methods for reducing the deposition of silicon on reactor walls
US8168123B2 (en) 2009-02-26 2012-05-01 Siliken Chemicals, S.L. Fluidized bed reactor for production of high purity silicon
US20110033717A1 (en) 2009-08-10 2011-02-10 Caldera Engineering, Lc Method for bonding ceramic materials
US20110033018A1 (en) 2009-08-10 2011-02-10 Caldera Engineering, Lc Method for bonding ceramic materials
US9011620B2 (en) * 2009-09-11 2015-04-21 Technip Process Technology, Inc. Double transition joint for the joining of ceramics to metals
KR101678661B1 (ko) * 2009-11-18 2016-11-22 알이씨 실리콘 인코포레이티드 유동층 반응기
FR2957542B1 (fr) 2010-03-16 2012-05-11 Commissariat Energie Atomique Procede d'assemblage de pieces en materiaux a base de sic par brasage non-reactif, compositions de brasure, et joint et assemblage obtenus par ce procede.
FR2957544B1 (fr) 2010-03-16 2012-05-11 Commissariat Energie Atomique Procede d'assemblage de pieces en materiaux a base de sic par brasage non-reactif avec ajout d'un renfort, compositions de brasure, et joint et assemblage obtenus par ce procede.
FR2957543B1 (fr) 2010-03-16 2012-07-27 Commissariat Energie Atomique Procede d'assemblage de pieces en materiaux a base de sic par brasage non-reactif, compositions de brasure, et joint et assemblage obtenus par ce procede.
KR101329030B1 (ko) * 2010-10-01 2013-11-13 주식회사 실리콘밸류 유동층 반응기
KR101057101B1 (ko) * 2010-10-12 2011-08-17 (주)기술과가치 입자형 다결정실리콘 제조용 유동층 반응기 및 이를 이용한 다결정 실리콘 제조방법
KR101329033B1 (ko) 2011-04-20 2013-11-14 주식회사 실리콘밸류 유동층 반응기
KR101329029B1 (ko) 2011-12-09 2013-11-13 주식회사 실리콘밸류 반응가스 공급노즐을 포함하는 유동층 반응기
JP2016503377A (ja) 2012-11-06 2016-02-04 アールイーシー シリコン インコーポレイテッド 流動床反応器中の粒子の汚染を低減する方法及び装置
JP2016509662A (ja) 2012-12-21 2016-03-31 アールイーシー シリコン インコーポレイテッド 流動床反応器のための高温グレードの鋼

Also Published As

Publication number Publication date
KR102285604B1 (ko) 2021-08-04
CN105329899A (zh) 2016-02-17
CN105329899B (zh) 2019-05-03
KR20170070005A (ko) 2017-06-21
TW201605727A (zh) 2016-02-16
TWI670230B (zh) 2019-09-01
WO2016025014A1 (en) 2016-02-18
US9238211B1 (en) 2016-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102225565B1 (ko) 유동층 반응기에서의 세그먼트화된 탄화규소 라이너를 위한 조인트 설계
Goodman Strained mixed-cluster model for glass structure
US4851297A (en) Dopant coated bead-like silicon particles
SA517380886B1 (ar) بطانة كاربيد سيليكون مجزأة
CN105463405B (zh) 用于形成用在流化床反应器中的碳化硅的高纯度硅
US9662628B2 (en) Non-contaminating bonding material for segmented silicon carbide liner in a fluidized bed reactor
WO2006041272A1 (en) Method of silane production
SA516371842B1 (ar) مفاعل وعملية لتحضير البولي سيليكون الحبيبي
US4789596A (en) Dopant coated bead-like silicon particles
US4952425A (en) Method of preparing high purity dopant alloys
AU2005254400A1 (en) Cylindrical container made of carbon and method for producing silicon
JP2020536039A (ja) Ｃｏ、ｍｏ、ｗの群から選ばれる触媒を用いたクロロシランの製造方法
CN113508091B (zh) 氯硅烷类的制造方法
US20190032203A1 (en) Method for depositing an in situ coating onto thermally and chemically loaded components of a fluidized bed reactor for producing high-purity polysilicon
JP2024028751A (ja) 構造最適化シリコン粒子を有するトリクロロシランを生成するための方法