SA113340656B1 - أسطح فائقة الكراهية للزيت وطرق تصنيعها - Google Patents
أسطح فائقة الكراهية للزيت وطرق تصنيعها Download PDFInfo
- Publication number
- SA113340656B1 SA113340656B1 SA113340656A SA113340656A SA113340656B1 SA 113340656 B1 SA113340656 B1 SA 113340656B1 SA 113340656 A SA113340656 A SA 113340656A SA 113340656 A SA113340656 A SA 113340656A SA 113340656 B1 SA113340656 B1 SA 113340656B1
- Authority
- SA
- Saudi Arabia
- Prior art keywords
- substrate
- aaa
- photoresist
- nanoparticles
- columns
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 77
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 47
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 78
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 50
- DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N hexadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 14
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 13
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 claims description 9
- XPBBUZJBQWWFFJ-UHFFFAOYSA-N fluorosilane Chemical compound [SiH3]F XPBBUZJBQWWFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 5
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 108091008717 AR-A Proteins 0.000 claims 1
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 claims 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003075 superhydrophobic effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 16
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 15
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 10
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 9
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 230000020477 pH reduction Effects 0.000 description 7
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000019592 roughness Nutrition 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 5
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 4
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- -1 fluorocarbon hydrocarbon Chemical class 0.000 description 4
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 4
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- 229920002943 EPDM rubber Polymers 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Natural products CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 3
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000252506 Characiformes Species 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 125000005409 triarylsulfonium group Chemical group 0.000 description 2
- PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N (E)-1,3-pentadiene Chemical compound C\C=C\C=C PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N 0.000 description 1
- JLSUFZZPRVNDIW-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylcyclohexa-1,3-diene Chemical compound C=CC1=CC=CCC1 JLSUFZZPRVNDIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBICKXHEKHSIBG-UHFFFAOYSA-N 1-monostearoylglycerol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCC(O)CO VBICKXHEKHSIBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNUNYHQZMMREQD-UHFFFAOYSA-N 2-methylhepta-1,6-diene Chemical compound CC(=C)CCCC=C XNUNYHQZMMREQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RCJMVGJKROQDCB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpenta-1,3-diene Chemical compound CC=CC(C)=C RCJMVGJKROQDCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HJIMAFKWSKZMBK-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F HJIMAFKWSKZMBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 4-Methylstyrene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C=C1 JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241001501536 Alethe Species 0.000 description 1
- 241000518579 Carea Species 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCXXMTOCNZCJGO-UHFFFAOYSA-N Glycerol trioctadecanoate Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCC(OC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC)COC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC DCXXMTOCNZCJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHOQXEIFYTTXJU-UHFFFAOYSA-N Isobutylene-isoprene copolymer Chemical compound CC(C)=C.CC(=C)C=C VHOQXEIFYTTXJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007472 Leucaena leucocephala Species 0.000 description 1
- 235000010643 Leucaena leucocephala Nutrition 0.000 description 1
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 1
- 240000002390 Pandanus odoratissimus Species 0.000 description 1
- 235000005311 Pandanus odoratissimus Nutrition 0.000 description 1
- 244000046052 Phaseolus vulgaris Species 0.000 description 1
- 235000010627 Phaseolus vulgaris Nutrition 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- VLLYOYVKQDKAHN-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;2-methylbuta-1,3-diene Chemical compound C=CC=C.CC(=C)C=C VLLYOYVKQDKAHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000012952 cationic photoinitiator Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 125000003636 chemical group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- NOSWQDCFTDHNCM-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;1-methylcyclopenta-1,3-diene Chemical compound C1C=CC=C1.CC1=CC=CC1 NOSWQDCFTDHNCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 125000001028 difluoromethyl group Chemical group [H]C(F)(F)* 0.000 description 1
- CJSBUWDGPXGFGA-UHFFFAOYSA-N dimethyl-butadiene Natural products CC(C)=CC=C CJSBUWDGPXGFGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000004334 fluoridation Methods 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical group FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHGJWSRGFMFRLS-UHFFFAOYSA-N hexa-1,3-dienylbenzene Chemical compound CCC=CC=CC1=CC=CC=C1 DHGJWSRGFMFRLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCAYPVUWAIABOU-NJFSPNSNSA-N hexadecane Chemical group CCCCCCCCCCCCCCC[14CH3] DCAYPVUWAIABOU-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 230000036571 hydration Effects 0.000 description 1
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 1
- 238000001527 near-field phase shift lithography Methods 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 239000007764 o/w emulsion Substances 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014593 oils and fats Nutrition 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 235000020075 ouzo Nutrition 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000003711 photoprotective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- GQIJYUMTOUBHSH-IJIVKGSJSA-N piperyline Chemical compound C=1C=C2OCOC2=CC=1/C=C/C=C/C(=O)N1CCCC1 GQIJYUMTOUBHSH-IJIVKGSJSA-N 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 229940090181 propyl acetate Drugs 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 235000019587 texture Nutrition 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- QRPMCZNLJXJVSG-UHFFFAOYSA-N trichloro(1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-henicosafluorodecyl)silane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)[Si](Cl)(Cl)Cl QRPMCZNLJXJVSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0037—Production of three-dimensional images
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00206—Processes for functionalising a surface, e.g. provide the surface with specific mechanical, chemical or biological properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
- B81C1/00031—Regular or irregular arrays of nanoscale structures, e.g. etch mask layer
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B17/00—Methods preventing fouling
- B08B17/02—Preventing deposition of fouling or of dust
- B08B17/06—Preventing deposition of fouling or of dust by giving articles subject to fouling a special shape or arrangement
- B08B17/065—Preventing deposition of fouling or of dust by giving articles subject to fouling a special shape or arrangement the surface having a microscopic surface pattern to achieve the same effect as a lotus flower
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/03—Static structures
- B81B2203/0361—Tips, pillars
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/70—Properties of coatings
- C03C2217/76—Hydrophobic and oleophobic coatings
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
- G03F7/2024—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure of the already developed image
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
- Y10T428/24372—Particulate matter
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
- Y10T428/24372—Particulate matter
- Y10T428/24405—Polymer or resin [e.g., natural or synthetic rubber, etc.]
Abstract
موصوف هنا ركيزة substrate لها سطح معدل لإضفاء خشونة متعددة القياس multi-scale roughness، وبالتالى توفير خواص فائقة الكراهية للماء superhydrophobic و/أو فائقة الكراهية للزيت superoleophobic. يشتمل السطح على نمط من أعمدة دقيقة القياس microscale pillars مغطاة بمجموعة من الجسيمات النانوية nanoparticles لها شكل محدب لإعادة الدخول re-entrant convex shape. يتم اختيار جزء المساحة area fraction للسطح أيضاً لتوفير الخواص الكارهة للماء الفائقة المطلوبة. موصوف هنا أيضاً عملية لخلق السطح المعدل الذى يشتمل على الليثوجرافيا الضوئية photolithography، متبوعاً اختيارياً بترسيب البخار vapour deposition. قد يتم تكوين الركائز فى مواد مفيدة أو يتم تطبيقها على المواد المكونة سابقاً pre-formed articles. شكل 1
Description
— \ — أسطح فائقة الكراهية للزيت وطرق تصنيعها Superoleophobic surfaces and methods of making same الوصف الكامل خلفية الاختراع هنا يتم وصف الركائز substrates التى لها شكل سطحى surface morphology يتم تعديله لإضفاء خواص مرغوبة كارهة للزيت oleophobic أو فائقة الكراهية للزيت superoleophobic إلى السطح. وقد يتضمن الشكل السطحى أعمدة دقيقة القياس Microscale pillars مزودة من 0 أعلى بجسيمات بالغة الدقة نانوية 080008800165 والتى قد تكون كروية تقريباً. أيضاً يتم وصف طريقة الليثوجرافيا الضوئية photolithographic method لتعديل أسطح الركيزة substrate لخلق شكل السطح المرغوب الذى قد يتحد مع راسب البخار vapor deposition لقد تم عمل محاولات لتعديل أسطح الركيزة لإضفاء الخصائص المرغوبة. وعلى سبيل (JU يلاحظ أن الكراهية Assia) للزيت superoleophobicity تحدث على الهياكل structures ٠ التى لها خشونة متعددة النطاق multiscale roughness وسمات إعادة الدخول/التعليق الزائد .re—entrant/overhanging وعلى Jad هناك حاجة لأسطح فائقة الكراهية للزيت لها زوايا تماس أكبر للسوائل العضوية organic liquids وهناك dala لطريقة مبسطة لخلق أسطح فائقة الكراهية للزيت؛ بالأخص طرق ذات عدد أقل من الخطوات. وهناك حاجة لطريقة مبسطة لخلق أسطح ذات شدة متعددة القياس؛ بالأخص الأسطح التى تبين شكل Vo محدب لإعادة الدخول .١©-601801 convex morphology وبالإضافة إلى ذلك؛ يتم الحد من عدد أسطح الركيزة التى عليها يمكن خلق تلك الأشكال السطحية؛ وعلى سبيل المثال الركائز العضوية corganic substrates مثل اللدائن 851017815ا1. الوصف العام للاختراع
ا
هنا يتم إعداد أداة متضمنة ركيزة لها سطح متضمن نموذج من الأعمدة دقيقة القياس المزودة من أعلى بمجموعة من الجسيمات النانوية؛ بحيث أن السطح له زاوية تماس contact angle للماء أكبر من Von وبالإضافة إلى ذلك أو على نحو بديل قد يكون للسطح زاوية تماس للهكساديكان hexadecane أكبر من .”١560 وقد يتضمن النموذج ترتيب؛ على سبيل المثال ترتيب array © متباعد بانتظام؛ Jie ترتيب مستطيل. وقد تتضمن الركيزة سيليكون لا208؛ زجاج 91855؛ معدن metal أو بوليمر polymer على سبيل sale JU) لدنة (Jie celastomer مطاط البيوتيل butyl rubber وقد تتضمن الأعمدة دقيقة القياس و/أو الجسيمات النانوية sale مقاومة للضوء ¢photoresist على سبيل المثال مادة ذات مقاومة سلبية للضوء Jie negative photoresist اتحاد من راتنج إيبوكسى epoxy resin مذيب عضوى organic solvent وبادئ ضوئى ٠ كاتيونى cationic photoinitiator من نوع مشابه للمادة المتاحة تجارياً معروف S 8-لا5. وقد تصنع الأعمدة والجسيمات النانوية من نفس نوع المادة المقاومة للضوء أو مواد المقاومة الضوئية photoresists المختلفة. وقد ترتبط الأعمدة والجسيمات النانوية ارتباطاً متشعباً ببعضها البعض. وقد يكون للأعمدة والجسيمات النانوية غطاء سطحى surface coating متضمن هيدروكربون مفلور hydrocarbon 111011078160 على سبيل المثال بوليمر مفلور fluorinated polymer ١ أو sale الفلوروسيلان material ©11003051180. وقد يوجد الهيدروكربون المفلور على الأعمدة ؛ الجسيمات i sll أو السطح المعدل بأكمله تماماً للركيزة. وقد يكون للسطح شكل متعدد القياس أو هيئة مرتبة فى تسلسل hierarchical morphology وقد تختلق العديد من الجسيمات النانوية سوياً شكل محدب لإعادة الدخول أعلى مجموعة الأعمدة على الأقل أو أعلى كل عمود pillar وقد يتراوح جزء المساحة area fraction آ؛ للسطح من ١.0٠ إلى Yee وقد يكون Yo للسطح زاوية تماس للهكساديكان من "١5١ إلى 179". وقد تطبق الركيزة SIDI على سبيل
المثال كدهان أو غطاء. وهنا أيضاً يتم إعداد أداة متضمنة ركيزة لها سطح متضمن نموذج من الأعمدة دقيقة القياس المزودة من أعلى بمجموعة من الجسيمات النانوية؛ وفيها قد تكون جزء المساحة؛ of للسطح من ven) إلى gv) يكون للسطح شكل متعدد القياس أو مرتب فى تسلسل؛ على YO سبيل المثال الناجم عن الأعمدة المقاسة بالميكرومتر المزودة من أعلى بجسيمات مقاسة بالنانومتر
ع .nanometer scale particles وقد تختلق الجسيمات particles سوياً شكل محب و/أو sale الدخول. وقد يتضمن السطح نموذج منتظم للأعمدة دقيقة القياس؛ على سبيل المثال ترتيب من الأعمدة. وقد يكون للسطح زاوية تماس للماء أكبر من "٠5١ و/أو زاوية تماس للهكساديكان أكبر من .”١5١ وقد تزود مجموعة من الأعمدة من أعلى بمجموعة من الجسيمات النانوية. وقد © تصنع الأعمدة والجسيمات النانوية من مادة مقاومة ضوئية سلبية واختيارياً ترتبط ارتباطاً متشعباً سوياً. وقد تغطى الجسيمات النانوية على الأقل واختيارياً الأعمدة أو تماماً سطح الركيزة المعدل بأكمله بهيدروكربون مفلور؛ على سبيل المثال مادة فلوروسيلان. وقد يتراوح جزء المساحة؛ of للسطح من ١07 إلى ١07 paced إلى 64 من ١4 إلى 007 أو من ١05 إلى . وقد تطبق الركيزة ISU على سبيل المثال كدهان أو غطاء.
١ وهنا أيضاً يتم إعداد طريقة لتعديل سطح ركيزة متضمنة: خلق نموذج من أعمدة دقيقة القياس على سطح الركيزة باستخدام الليثوجرافيا الضوئية photolithography 5 « تزويد الأعمدة دقيقة القياس بشكل sale) الدخول. وقد تتضمن خطوة تزويد الأعمدة دقيقة القياس بشكل sale) الدخول الليثوجرافيا الضوئية. وبالتالى؛ هنا أيضاً يتم إعداد طريقة لتعديل سطح الركيزة متضمنة: : خلق نموذج من أعمدة دقيقة القياس على سطح الركيزة باستخدام الليثوجرافيا الضوئية؛ و تزويد
١ الأعمدة بمجموعة من الأجسام النانوية باستخدام الليثوجرافيا الضوئية.
وقد تتضمن خطوة خلق نموذج من أعمدة دقيقة القياس: تطبيق مقاومة ضوئية على الركيزة؛ و تعريض مادة المقاومة الضوئية لنموذج من الضوء الفوق بنفسجى Ultraviolet light وقد ترتبط الجسيمات النانوية ارتباطاً متشعباً بالأعمدة و/أو قد تصنع باستخدام مادة مقاومة ضوئية سلبية. وقد تصنع الأعمدة أيضاً باستخدام مادة مقاومة ضوئية سلبية. وقد يصنع DIS من الأعمدة
٠ والجسيمات النانوية من نفس مادة المقاومة الضوئية السلبية. وقد تتضمن مادة المقاومة الضوئية السلبية راتنج إيبوكسى 8510 «€POXY مذيب عضوى؛ وبادئ ضوئى كاتيونى cationic .photoinitiator
وقد تتضمن الطريقة بلمرة جزء من مادة المقاومة الضوئية لخلق الأعمدة الدقيقة .micropillars وقد تحدث البلمرة polymerization عند درجة حرارة من ٠ © إلى ٠٠١ م لفترة
YO زمنية من ١ إلى © دقائق.
Qo _ _ وقد تتضمن الطريقة أيضاً: إزالة البعض من الجزء الغير مبلمر المتبقى من مادة المقاومة الضوئية حيث توجد مادة مقاومة ضوئية مترسبة ¢residual photoresist وء؛ تعرض المقاومة الضوئية المترسبة للضوء الفوق بنفسجى. وقد تتضمن خطوة الإزالة removing step الغسيل بمظهر developer مناسب لإزالة ale المقاومة الضوئية السلبية لفترة زمنية محددة مسبقاً pre— time period © 0618001160. وقد يتضمن المظهر -١ ميثوكسى-7؟- أسيتات بروبيل I= acetate الام00م-16107-2/ا. وقد يتم اختيار الفترة الزمنية المحددة مسبقاً لترك مادة المقاومة الضوئية المتبقية (الغير مرتبطة ارتباطاً متشعباً (uncrosslinked على الأعمدة وقد تكون من go إلى © ثانية. وقد تتبع خطوة الإزالة الغسيل بكحول alcohol على سبيل المثال كحول آيزوبروبيلى disopropyl alcohol ٠ اختيارياً متبوعاً بالغسيل بالماء. وبعد ذلك تتم تنوية مادة المقاومة الضوئية المترسبة فى الكحول» على سبيل المثال أعلى الأعمدة. وبالتتابع فإن تعرض مادة المقاومة الضوئية المترسبة للضوء الفوق بنفسجى يتسبب فى تكوين الجسيمات النانوية على الأعمدة. وقد تظهر تلك الجسيمات النانوية سوياً إعادة الدخول واختيارياً شكل محدب أعلى الأعمدة. وقد تتضمن الطريقة أيضاً المعالجة المسبقة للركيزة بسادس ميثيل ثانى سيلازان (HMDS) hexamethyl disilazane قبيل تطبيق مادة المقاومة الضوئية. وقد تعالج الركيزة مسبقا بتطبيق طبقة من مادة المقاومة الضوئية للركيزة وتعرض الركيزة بالكامل تماماً للضوء الفوق بنفسجى؛ قبيل تعرض مادة المقاومة الضوئية لنموذج الضوء الفوق بنفسجى. وفى هذه الحالة؛ قد تتضمن الركيزة مادة لدنة؛ على سبيل المثال مطاط؛ Lae Jie ٠ البيوتيل. وعلى نحو بديل؛ قد تتضمن الركيزة سيليكون؛ زجاج أو معدن. وقد تتضمن الطريقة أيضاً تطبيق هيدروكربون مفلور للجسيمات النانوية على الأقل و/أو للسطح المعدل بأكمله تماماً entire modified surface للركيزة. وقد يطبق الهيدروكربون المفلور بواسطة ترسيب البخارء على سبيل JE بواسطة تبخير محلول من الهيدروكربون المفلور
-- عند درجة حرارة مرتفعة فى وجود الجسيمات النانوية. وقد يتضمن الهيدروكربون المفلور فلورو fluorosilane Pu. وقد يوفر ما سبق عدد من السمات المرغوبة والمميزات عما هو الحال فى المجال السابق. وقد تزداد زاوية التماس للهكساديكان إلى أكبر من ١٠١٠”؛ على سبيل المثال فى المدى من "١5١ إلى "١55 ©١795 إلى "١75 أو "٠60 إلى ."١7١ وقد تزود زاوية التماس المرغوبة هذه على الركائفز العضوية؛ بصفة خاصة الركائز المطاطية؛ على سبيل المثال BH من مطاط البيوتيل rubber substrates الإأناط. وقد تزود زاوية تماس للماء أكبر من Von خاصة على الركائز البوليميرية polymeric substrates على سبيل المثال اللدائن .polymeric substrates وقد تختزل عدد من الخطوات المطلوبة لإنتاج الأسطح التى لها شكل معدل؛ خاصة الأسطح التى ٠ تظهر الخواص فائقة الكراهية للزيت. وقد تزود طريقة متضمنة خطوة ليثوجرافيا ضوئية photolithographic step موحدة أو فردية لخلق ترتيب منتظم من الأعمدة الدقيقة على سطح الركيزة. وقد تشتمل خطوة تحميض development step طريقة Liha dll) الضوئية على تنوية الجسيمات النانوية على أعلى الأعمدة؛ مما ينتج سطح ذو له شكل بخشونة متعددة القياس وسطح محدب لإعادة الدخول فى عدد أقل من خطوات الطريقة processing steps وقد يتم اتحاد طريقة الليثوجرافيا الضوئية بشكل مميز مع طريقة ترسيب البخار باستخدام مادة الفلوروسيلان. وبصورة مميزة فإن ذلك يمكن أن يعد طريقة إنتاج مبسطة يمكن معالجتها للإنتاج على المقياس التجارى ccommercial scale التكلفة المختزلة و/أو التأثير البيئى المختزل. شرح مختصر للرسومات بوجود الوصف المختصر للاختراع؛ سيتم الآن وصف تجسيماته بالرجوع إلى الأشكال المصاحبة؛ Yo وفيها:
شكل ١ يبين مخطط لعملية طباعة حجرية ضوئية photolithography process لتصنيع هياكل مرتبة فى تسلسل hierarchical structures بمقياس دقيق/نانوى micro— [nano-scale على الأسطح المنتظمة؛ شكل ¥ يبين مخطط لطريقة طباعة حجرية ضوئية لصنع هياكل مرتبة فى تسلسل بمقياس © دقيق/نانوى على الأسطح؛ التى تمتص الضوء الفوق بنفسجى بقوة؛ شكل © يبين مخطط HMDS dalled للركائز من أجل الالتصاق المحسن لمادة المقاومة الضوئية للركائز؛ شكل ؛ يبين مخطط لترسيب الفلوروسيلان المتبخر vaporized fluorosilane 0510م ؛ AD شكل 0 يبين صور SEM لتحميض تركيب مادة المقاومة الضوئية photoresist KMPR structure كدالة function لزمن التحميض ¢developing time شكل 11 يبين جسيمات نانوية مع زمن تحميض sale المقاومة الضوئية (SU-8) 0 ثانية (قضبان التدريج فى قاعدة الأشكال ١ ميكرومتر)؛ شكل OT يبين جسيمات نانوية مع زمن تحميض مادة المقاومة الضوئية (8- Te (SU Vo ثانية (قضبان التدريج فى قاعدة الأشكال ١ ميكرومتر)؛ شكل اج يبين جسيمات نانوية مع زمن تحميض مادة المقاومة الضوئية (8- A (SU ثانية (قضبان التدريج فى قاعدة الأشكال ١ ميكرومتر)؛ الأشكال 7١أ-/اب تبين صور SEM للسطح المعدل لرقاقة سيليكون؛ الأشكال /١ج-اد تبين صور SEM للسطح المعدل لمطاط البيوتيل المعباً بالأسود؛ ٠ الأشكال لاه-لاو تبين صور SEM للسطح المعدل لمطاط البيوتيل المعباً بالأبيض؛ شكل A يبين زوايا التماس مقابل أجزاء المساحة للأعمدة مع الجسيمات النانوية وأعمدة 'قضبانية ¢'bare 5 ¢
م — شكل 4 يبين مخطط لطريقة طباعة حجرية ضوئية لصنع هياكل مرتبة فى تسلسل بمقياس دقيق/نانوى على الأسطح المعدنية metallic surfaces الوصف ١ لتفصيلي: ينحصر قياس زاوية التماس 0 (CA) فى طريقة واحدة لتمييز رطوبة الأسطح. ويتم التأثير على CA © بواسطة كلاً من الطبيعة الكيميائية للسطح وبخشونته roughness ويتم تعريف صلة السمطح المستوى نحو سائل معين بمصطلحات زاوية التماس "المستوية” (أو الجوهرية dntrinsic أو «(Young’s c0s(@,,) = Vsa — Vsti Via ‘ )١( حيثلالالا Ji طاقة السطح surface energy (أو التوتر السمطحى surface ٠ | 1605100)؛ ويذكر الاختصار 5 للمادة الصلبة؛ ا للمادة الساثلة Ag للهواء. ويمكن تقدير طاقة السمطح للمادة الصلبة - المادة السائلة solid-liquid surface energy عن طريق معادلة أخرى ثانية كما يلى: —2Vsa¥1a ما Vso =Vsa ) ¥( ويسمى السطح كاره (للماء؛ للزيت؛ إلخ) (hydro, oleo—, etc.) —phobic إذا كان yo 0< 30 ومحب —philic فضلاً عن ذلك. وبالنسبة للماء (طاقة السطح هال]- a VY جول م-7) يحقق أفضل موقف غير مرطب على سطح مستوى إذا انتهى بمجموعات -073؛ التى تجعل طاقته السطحية أدنى إلى SA - ١م جول م-؟. وتكون قيمة زاوية التماس الجوهرية (Young's) للماء على ذلك السطح Al] تؤول إلى التقدير estimation عن طريق المعادلتين )١( و(7)]. Jey النقيض من ذلك؛ يكون لمعظم الزيوت طاقات سطحية surface energies ٠٠ منخفضة جداً (على سبيل المثال OLA = 771,1 م Usa م-؟ للهكساديكان chexadecane همالا = 77,8 م جول م-؟ _للديكان ©060680). وبالتتابع» حتى على السطح المنتهى ب CF3— المزود بطاقة كيميائياً على الأقل؛ وتكون زاوية التماس الجوهرية intrinsic contact angle
(Young's) لزيت نموذجى Jie هكساديكان. وبعبارة أخرى» لا تعرف مادة ذات طبيعة كيميائية chemical nature للسطح المستوى. ويكون لهذا حالة تتابعات موجودة لاحقاً على تصميم الأسطح فائقة الكراهية للزيت. ويتضمن المصطلح 'فائق الكراهية للزيت "superoleophobic كما هو مستخدم هنا 0 الأسطح التى لها زاوية تماس لسائل عضوى organic liquid أكبر من ."٠١5١ وقد تتضمن تلك السوائل العضوية Organic liquids سوائل هيدروكربون لها طاقة سطحية هالا > Ve م جول م-7. وقد تتسم تلك الهيدروكربونات السائلة بأنها كارهة للماء وقد تكون سائلة عند درجة Sha الوسط المحيط والضغط. وقد تتضمن تلك السوائل هيدروكربونات اليفاتية aliphatic gaaihydrocarbons على 6 إلى ١ ذرة كربون «carbon atoms على سبيل المثال أوكتان ٠ عصقاءه؛ ديكان decane أو هكساديكان .hexadecane ويكون السائل العضوى المفضل لأغراض تعريف الكراهية الفائقة للزيت هنا هو الهكساديكان. ويتضمن المصطلح ]$38 501051816" كما هو مستخدم هنا مادة تحتوى على سطح قابل للمعالجة للتعديل لإضفاء خواص الكراهية الفائقة للزيت المرغوبة. وتعتبر الركائز المفضلة هى تلك التى لها أسطح قابلة للمعالجة للتعديل باستخدام طرق الليثوجرافيا الضوئية photolithographic processes ١ الموصوفة هنا. وقد تكون الركائز المناسبة عضوية Organic أو غير عضوية .inorganic وقد تشتمل أمثلة الركائز المناسبة على سيليكون silicon زجاج 91855؛ معدن metal أو مواد بوليمر polymer materials وقد تتضمن المواد المعدنية معدن metal ثلاثية التكافؤ 10-7816018 أو خماسية التكافؤ cpenta-valent مثل الألومينيوم أو الذهب. وقد تتضمن مواد البوليمر polymer materials مادة لدنة elastomer أو مطاط rubber وقد يتضمن ٠ المطاط ستيارين- بيوتادايين cstyrene—butadiene بولى بيوتادايين cpolybutadiene مونومر إيثيلين - بروبيلين دايين (EPDM) ethylene—propylene diene monomer نيتريل nitrile أو مطاط البيوتيل. ويتضمن المصطلح 'مطاط البيوتيل LSbutyl rubber هو مستخدم هنا بوليمر تساهمى من مونومر آيزو أوليفين isoolefin monomer ومونومر متعدد الأوليفين multiolefin
“yam
«monomer اختيارياً فى وجود مونوميرات monomers قابلة للبلمرة التساهمية copolymerizable أيضاً. وقد يستبدل البوليمر التساهمى copolymer بواحدة أو أكثقر من المجموعات الوظيفية وقد يهلجن. وتشتمل أمثلة مونوميرات الأيزوأوليفين isoolefin monomers المناسبة على آيزو أوليفينات isoolefins فى المدى من ؛ إلى ١١ ذرة كربون» ويفضل ؛ إلى ١7
© ذرةٍ كربون» Jie الأيزوبيوتين -١ cisobutene ميثيل-١- بيوتين «2—-methyl-1-butene "- ميثيل -١- بيوتين 1-1606 -الإ3-00810؛ —Y ميثيل -7"- بيوتين 2-methyl-2— butene ¢— ميثيل-١- بنتين 4-methyl-1-pentene ومخاليط منهم. ويعد الأيزوبيوتين
multiolefin ددعتملا أمثلة الآيزو أوليفين المفضلة. وقد تتضمن مونوميرات الأوليفين gaa) توجد فى المدى All المرتبطة diene monomers المناسبة مونوميرات الدايين 05
—Y (butadiene بيوتادايين isoprene أيزوبرين JU ذرة كربون» على سبيل ١1-4 من ٠ 2,4- ثانى ميثيل بيوتادايين - 4,7 (2-methylbutadiene ميثيل بيوتادايين 3-methyl-1,3— بنتادايين —¥, Y= ميثيل -١ «piperyline بيبريلين «dimethylbutadiene
2- نيوبنتيل بيوتادايين -١ (2,4-hexadiene هكسادايين —¢,Y (pentadiene
- 8,7 «2-methly-1,5-hexadiene هكسادايين - © ,١- ميثيل -١ (neopentylbutadiene ميثيل -٠,؟ - بنتادايين -١ (2,5-dimethly-2,4-hexadiene ثانى ميثيل -4,7 - هكسادايين VO 2-methyl-1,6— هيبقتادايين -,١1- ميي ل -١؟ 2-methyl-1,4-pentadiene ميثيل بنتادايين حلقى cyclopenta-diene بنتادايين حلقى cheptadiene فينيل - هكسادايين -١ cyclohexadiene هكسادايين حلقى cmethyleyclopentadiene
حلقى 1-vinyl-cyclohexadiene ومخاليط منهم. ويعد الآيزوبرين Isoprene إحدى أمثلة
٠ الدايين المرتبط cONjugated diene المفضل. وقد تتضمن مونوميرات الأوليفين المتعدد المناسبة أيضاً بنتادايين حلقى ccyclopentadiene ميثيل بنتادايين حلقى methylcyclopentadiene
و/أو مونوميرات ستيارينية monomers على سبيل المثال ستيارين styrene كلورو ستيارين cchloro—styrene الفا- ميثيل ستيارين alpha—methyl styrene أو بارا- ميثيل ستيارين para—methyl styrene .85 يشتمل المصطلح 'مطاط البيوتيل" La] على سبيل Jd على
Yo بوليميرات تساهمية عشوائية من آيزوبيوتيلين cisobutylene آيزوبرين isoprene وبارا- ميثيل
— \ \ — ستيارين .para—methylstryene وتزود مطاطات البيوتيل المتاحة تجارياً بواسطة شركة .LANXESS Inc تحت الاسم التجارى 48-301" 148-401 88-2030 ؛ إلخ. ويتضمن المصطلح 'مقياس دقيق "Microscale كما هو مستخدم هنا سطح له سمة ALE للقياس فى المدى من ١ إلى 144 ميكرومتر.
ALE ويتضمن المصطلح 'مقياس نانوى 6ا71800508" كما هو مستخدم هنا سطح له سمة o للقياس فى المدى من ١ إلى 949 نانومتر. ويتضمن المصطلح 'متعدد القياس 70701050816" كما هو مستخدم هنا سطح له اثنين أو أكثر من السمات القابلة للقياس؛ واحدة منهما على الأقل تكون بمقياس دقيق وواحدة منهما على الأقل تكون بمقياس نانوى. ٠١ ويتضمن المصطلح "عمود pillar كما هو مستخدم هنا سمة سطحية قابلة للقياس بها نسبة المظهر من الارتفاع إلى الاتساع الأضيق (أو القطر) أكبر من ١؛ أكبر من 1,5؛ أكبر من "؛ أكبر من ؛ أكبر من 4؛ أكبر من ©؛ أكبر من ٠١ أكبر من 6؛ أكبر من ٠١ أو فى المدى من ١ إلى ١,5 »٠١ إلى ١8 أو ؟ إلى .١5 وقد تكون الأعمدة مربعة؛ مستطيلة أو أسطوانية فى الشكل المقطعى العرضى وقد يكون لها شكل مقطعى عرضى موحد على طول جزء Vo .من ارتفاعها على الأقل. ويتضمن المصطلح "إعادة الدخول 76-8601801 كما هو مستخدم هنا سمة سطحية لها جزء أول له اتساع أول وجزء ثانى له اتساع ثانى؛ والاتساع الأول أكبر من الاتساع الثانى. وتزود إحدى أمثلة سمة إعادة الدخول السطحى بالعديد من الجسيمات النانوية المتراكمة أعلى العمود الدقيق Guay micropillar أن الجزء العلوى من التركيبة composite يشكل بوجود قطر أكبر ٠ .مما هو الحال للعمود. ويفضل أن يكون لسمات sale) الدخول سطح علوى محدب. ونجد أن سمات sale) الدخول السطحى convex upper surface تشبه "أغطية عيش الغراب caps 005010000 3,5 الفول النابت ('bean sprouts "القبعة 01000005 أو مختلف الأشكال الأخرى المتشابهة المعروفة بصفة شائعة عند رؤيتها فى منظر جانبى.
-١١7- ويتضمن المصطلح "جسيم نانوى" كما هو مستخدم وزن راسب بمقياس نانوى من Bale غير متجانسة heterogeneous material وقد تكون الجسيمات النانوية منتظمة أو غير منتظمة فى الشكل وقد تشكل من مجموعة من الجسيمات متحدة الترسيب والتى تشكل جسيم بمقياس نانوى متراكب. وقد تكون الجسيمات النانوية كروية بوجه عام فى الشكل أو لها شكل مترإكب مشكل من © مجموعة من الجسيمات الكروية متحدة الترسيب بوجه عام. وقد تتضمن المواد المناسبة لتكوين جسيم نانوى مقومات ضوئية سلبية والتى تكون غير مترابطة ترابطاً متشعباً من الناحية المبدئية. ويتضمن المصطلح "هيدروكربون مفلور "fluorinated hydrocarbon كما هو مستخدم هنا هيدروكربون مستبدل بالفلور والذى قد يكون اليفاتى aliphatic أروماتى aromatic أو بوليميرى polymeric فى الطبيعة وقد يستبدل بالإضافة إلى ذلك بشقوق عضوية organic moieties ٠ أخرى. وتتنحصر أمثلة (hay الفلور فى .—CF3 ,—CF2H,-C6F5, —CF2 وقد تكون الهيدروكربونات المعالجة بالفلور fluorine المناسبة هى تلك التى تعالج لترسيب البخار 007 ا0ا7800. وينحصر مثال للهيدروكربون المناسب المفلور فى بوليمر مفلور مستبدل بسيلان silane أو فلوروسيلان ©11001051180؛ مثل —1H,1H,2H,2H بيرفلورو أوكتيل ثالث Sd سيالان «1H,1H,2H,2H-perfluorodecyltrimethoxysilane —1H,1H,2H,2H, ١٠١ بيرفظوروديكايل الث كل_ورو سيلان IH, IH 2H 2H=- .perfluorodecyltrichlorosilane كما هو مستخدم هنا ‘photolithography ويتضمن المصطلح "الليتوجرافيا الضوئية التى تستخدم الضوء لإزالة المادة اختيارياً أو optical lithography تقنيات الليثوجرافيا البصرية إضافة المادة إلى ركيزة. وقد تتضمن طرق الليثوجرافيا الضوئية تطبيق مادة مقاومة ضوئية على الركيزة. وقد تكون مادة المقاومة الضوئية مادة كيميائية بحيث تكون حساسة لضوء له طول موجى ٠ خاص يتم تطبيقه على الركيزة. وقد تكون مادة المقاومة الضوئية عبارة عن مادة مقاومة ضوئية تتفاعل مع الضوء لتصبح مترابطة ارتباطاً متشعباً وغير مذابة positive photoresist إيجابية فى المظهر. وتكون المقاومات الضوئية السلبية المناسبة للاستخدام هنا هى تلك التى تتبلمر عند
EPOXY التعرض لضوء فوق بنفسجى؛ على سبيل المثال مقاومات ضوئية أساسها إيبوكسى /600؛ مذيب عضوى؛ وبادئ ضوئى resin متضمنة راتنج إيبوكسى 08560 photoresists ©
١س
كاتيونى» مثل KMPR أو 8-لا5؛ كما وصف فى البراءة الأمريكية رقم 745 887 ef التى تدخل هنا على سبيل المرجعية. وتجدر الإشارة إلى أن ذو الخبرة فى المجال يهتموا بالمقاومات الضوئية الأخرى التى أساسها إيبوكسى والتى تعمل بطريقة مشابهة. وقد يتم خلق نموذج على الركيزة باستخدام حاجب ضوئى photomask لإعاقة الضوء اختيارياً من التفاعل مع مادة ٠ المقاومة الضوئية فى المواضع المرغوبة. وبهذه الطريقة؛ قد يبنى نموذج مرغوب للمادة المبلمرة polymerized material على سطح الركيزة. وقد يستخدم مظهر developer لإزالة أو غسيل مادة المقاومة الضوئية السلبية الغير مرتبطة ارتباطاً متشعباً أو الغير مبلمرة. وقد يتم الغسيل مع المظهر لفترة زمنية محددة مسبقاً pre—determined time period مختارة لترك مادة المقاومة الضوئية الغير مرتبطة ارتباطاً متشعباً أو الغير مبلمرة على الركيزة. وعلى سبيل المثال؛ قد تكون ٠ الفترة الزمنية من £0 إلى 75 ثانية لسمك محدد لطبقة مادة المقاومة الضوئية وظروف الغسيل الخاصة. وقد تختصر الفترة الزمنية مقارنة بطرق Ua alll الضوئية التقليدية؛ التى تبحث Sale إزالة كل مواد المقاومة الضوئية غير مرتبطة ارتباطاً متشعباً. وقد تتضمن طرق الليثوجرافيا الضوئية عدة تكرارات لزيادة حجم السمات السطحية المرغوبة. وقد توجد معلومة أخرى على تقنيات الليثوجرافيا الضوئية photolithographic techniques المناسبة للاستخدام بالاختراع الحالى ٠ح فى The Science of :Microfabrication of Fundamentals<J.Madou Marc Ally « 2002¢ New York: CRC Press: Second Edition<Miniaturization تدخل
هنا على سبيل المرجعية. وبعد التحميض؛ قد تتضمن الطريقة أيضاً غسل مظهر مادة المقاومة الضوئية المترسبة residual photoresist developer فى كحول alcohol على سبيل المثال كحول قصير ٠ السلسلة short chain alcohol أو آيزو كحول diso—alcohol مثل آيزوبروبانول .iSOpropancl وقد تعمل خطوة الغسل washing step على تنوية مادة المقاومة الضوئية غير المرتبطة uncrosslinked photoresist ارتباطاً متشعباً أعلى الأعمدة الدقيقة. وقد يتبع هذه الخطوة اختيارياً خطوة غسل مائى أخرى لإزالة الكحول المترسب residual alcohol على سبيل JE) بماء منزوع الأيونات DI وقد تعرض العينة مرة أخرى للضوء الفوق بنفسجى بدون استخدام
-؟١- حاجب ضوئى وبالتالى يتم الارتباط المتشعب للمقاومة الضوئية المترسبة المحولة إلى أنوية أعلى الأعمدة الدقيقة إلى جسيمات نانوية يتم ارتباطها اختيارياً ارتباطاً متشعباً أيضاً بالأعمدة الدقيقة. ويتضمن المصطلح 'ترسيب البخار "vapour deposition كما هو مستخدم هنا ترسيب بخار فيزيائى أو كيميائى. ويعد الشكل المفضل لترسيب البخار هو ترسيب البخار الجزيئى. وقد © تستخدم طرق ترسيب البخار مذيب متطاير يتفاعل كناقل للمادة المراد ترسيبها. وقد يزال المذيب عن طريق Shall dap المرتفعة و/أو الضغط المختزل. وقد تكون درجة shall المرتفعة أكبر من ٠م أكبر من "٠١ م؛ أو أكبر من 98٠ م. وقد تكون درجة الحرارة المرتفعة فى المدى من ov إلى Ye © إلى "٠٠١ م ١ إلى 0" م أو 15" م إلى 85" م. وتكون المواد المناسبة لترسيب البخار هى تلك التى لا تتفكك تحت درجة ha الطريقة والتى تلتصق بطريقة معينة ٠ بالركيزة. وقد تلتصق المادة بالركيزة أو المواد الأخرى الملتصقة بالركيزة بواسطة الإمتزاز الفيزيائى adsorption ل5108/ا00. وقد تكون المادة عبارة عن جزئ مفلور Jie fluorinated molecule هيدروكربون مفلور قد يلتصق فيزيائية ب أو يتفاعل كيميائياً مع الجسيمات النانوية و/أو الأعمدة الدقيقة. قد يكون كسر المنطقة of carea fraction للسطح مهم لتزويد الخواص الفائقة الكراهية للزيت ٠ المفضلة. قد يكون مفضل لتزويد الركيزة بكسر منطقة فى نطاق يتراوح من ١0٠ إلى 07 أو من 09 إلى ١١5 أو من 0٠ إلى dey من 05 إلى ١ أو من ٠.07 إلى cod أو من ١.07 إلى de A من ١.04 إلى 09 أو من cord ee عندما يستخدم المطاط rubber كركيزة» قد يتطلب جرعة أكبر من الإشعاع الفوق البنفسجى ultraviolet radiation لبدء تفاعل التشابك من سيلزم لركائز السليكون تحت ظروف مماثلة YL خلاف ذلك. لكى يتم إضعاف الضوء فوق البنفسجى المطبق لسطح الركيزة؛ قد يكون مفضلاً تطبيق طبقة رفيعة من الضوء المقاوم السلبى قبل عملية الليثوجرافيا الضوئية وتعريض السطح كاملاً إلى جرعة أقل من الضوء فوق البنفسجى. هذا يبلمر طبقة من الضوء المقاوم على الركيزة لكى يتم تحسين التصاق المزايا النشكلة لاحقاً وأيضاً لحماية الركيزة من الجرعات العالية من الضوء فوق البنفسجى المطلوب فى المراحل اللاحقة من العملية.
-م١- لكى يتم أيضاً زيادة التصاق الضوء المقاوم للركيزة؛. وخصوصاً عند استخدام ركائز بوليمرية أو مطاطية؛ قد يكون مفضل معالجة الركيزة مسبقاً بهكساميثيل ثانى سيلازان (HMDS) hexamethyldisilazane قبل تطبيق الضوء المقاوم. لكى يتم إنتاج أسطح فائقة الكراهية للزيت فى نطاق تجارى؛ يمكن استخدام تقنيات مختلفة. تستخدم واحدة من هذه التقنيات © تكنولوجيا النانو للطباعة الحجرية منطقة واسعة لفة إلى لفة yroll-to-roll لفة إلى مسطح roll— 0-0806 التى هى قائمة على الليثيوجرافيا الضوئية قريبة المجال باستخدام أقنعة اللف أسطوانية الشكل. هذه التقنيات موصوفة فىء؛ على سبيل المثال 600:00 Large—« 5.1. and L.J. Area Roll-to—-Roll and Roll-to-Plate Nanoimprint Lithography: A Step toward High—Throughput Application of Continuous Nanoimprinting.
ACS nano | ٠ 2304-2310 .0 :)3(8 .2009 .؛ والذى يدخل هنا على سبيل المرجعية. قد يتم تشكل الركائز المشتملة على مورفولوجيا سطح فائق الكراهية للزيت إلى مواد مفيدة أو يتم تطبيقها إلى مواد مشكلة سابقاً فى شكل طلاء coating أو ما شابه ذلك. يضفى هذا خواص معيقة barrier properties مفيدة إلى المادة؛ مثل المقاومة للاختراق أو الهجوم من خلال السوائل العضوية؛ مثل الهيدروكربونات؛ أو ما شابه ذلك. تشمل التطبيقات الأخرى الطلاءات Vo المقاومة resistant coatings للزيوت والدهون بالنسبة للمواد فى الأجهزة الطبية أو الصناعة الصيدلية. قد يتم تصور تطبيقات أخرى عديدة من خلال هؤلاء الأشخاص ذوى المهارة فى هذا المجال. أمثلة أمثلة وطرق Ye المواد المقاومة للضوء السلبية 8-لا5 (راتنج cepoxy resin oS gu) بنتانون حلقى cyclopentanone كمذيب عضوى» ملح ثالث أريل سلفونيوم triarylsulfonium كمركبات كيميائية كاتيونية تتحلل إلى شوارد حرة عند التعرض للضوء)؛ مواد مقاومة للضوء سلبية KMPR (راتنج إيبوكسى معدل؛ بنتانون حلقى؛ ثالث أريل سلفونيوم؛ كربونات بروبيلين propylene 636 )و تم شراء مظهر -١( SU-8 ميثوكسى -؟- أسيتات بروبيل 1-Methoxy—2-
-؟١- acetate الام0:0) من .MicroChem Corporation, Newton, MA, USA —1H,1H,2H,2H بيرفظلورو أوكتيل- ثالث كلوروسيلان 1H, 1H,2H,2H-perfluoroctyl— 100100686 (/969597) كان ناتج من Sigma-Aldrich تم صنع محلول Piranha باستخدام فوق أكسيد الهيدروجين 11202 (9670) ومحلول 12504 (مركز) فى 7:7 نسبة © حجم/حجم. تم استخدام كل الكيماويات كما وردت. تم تصميم النماذج أو الأطباق المعتمة photomasks التى تسمح للضوء أن يتألق باستخدام برمجيات L-edit software وحيبنئذ يتم طبعها على نظارة من الكروم بنظام إعداد صورة lle الدقة ) Nanofab, Alberta «(University جهاز طلاء دوران (Solitec 5110 Spinner) وجهاز لمحاذاة الحاجب (Karl MAG) 555 متاحين فى | University of _iWestern Nanofabrication Lab Western Ontario | ٠ .5 تحضير جميع محاليل المعالجة processing solutions بالماء غير المتأين (DI) de-ionized من نظام (Millipore, Bedford, MA) Q- lk مرشح من خلال مرشحات ١,7 ميكرومتر (ملليبور). تصنيع هياكل هرمية hierarchical structures بمقياس النانو/الميكرو بالإشارة إلى الأشكال Yo) و ed تم اجراء تصنيع سطح بهياكل متعددة النطاقات كما يلى. تم ١ تنظيف الركائز Ye ٠١ 0 بعناية أولاً فى محلول بيرانها Av) درجة مئوية) لمدة 7١ دقيقة؛ وتم تجفيفها عند درجة حرارة ٠٠١ درجة مئوية لمدة © دقائق على طبق ساخن hotplate (الخطوة أ). بالإشارة إلى الشكل 9؛ يمكن وضع طبقة معدنية To بشكل إضافي على الركيزة المنظفة 3١ (الخطوة أ). تم صب المادة المقاومة للضوء السلبية )3010 9١ YY ١ (SU-8 على الركائز Ye ٠ (أو الطبقة المعدنية (TO في الخطوة ب ونشرها باستخدام he دوار عند ©08٠0 لفة فى ٠ الدقيقة لمدة © ثوانى متبوعة ب ٠٠٠١ لفة فى الدقيقة ٠١ sad ثانية. تم تنفيذ التحميص الناعم Soft baking (الخطوة ب) عند درجة 40 درجة مثوية على طبق ساخن لمدة ٠١ دقائق لإزالة المذيب الزائد من طبقة 8-لا5. حينئذ كانت طبقة 8-لا5 (YY YY) ١؟ متشابكة عبر التعرض للضوء فوق البنفسجى (مشار إليها بأسهم) من خلال طبق معتم 17077 FY يسمح بلمعان الضوء من خلال نموذج معرف باستخدام محاذى حاجب الضوء Joh) mask aligner موجة Yo جهاز الاستقبال 60910ا 10/878 sensor = 15 ؟ نانومترء شدة UVintensity 1 وزن
-١١-
جزيئى/سم7) من أجل تشكيل مادة مقاومة للضوء متشابكة YY OY 7©. كما يتبين في الشكل oY يمكن القيام بتدوير المادة المقاومة للضوء السلبية 7١ في خطوتين منفصلتين (الخطوة ب والخطوة ج) ويلي ذلك التحميص الناعم والتعرض للضوء فوق البنفسجى في JS من الخطوتين ب و ج. انظر جدول ١ لأوقات التعرض للآشعة فوق البنفسجية. تم اجراء بلمرة Polymerization © 50-6 فى التحميص بعد التعرض post-exposure bake (الخطوة 'د" في الشكلين ١ و 9؛ الخطوة ج في الشكل (YF عند To درجة مئوية لمدة ١ دقيقة و19 درجة مثوية لمدة ؟ دقائق. تم تحميض العينات فى مظهر 50-8 لإذابة أى sd مقاومة غير متشابكة FY 7١ ١ لفترة أقصر من الوقت المتطل Sale للإزالة التامة أو لغسل كل المادة المقاومة التى لم تتشابك. نتج عن هذا اختراع تركيب هرمى مقاوم للضوء غير متشابك تراكمى (الخطوة 'د"). فيما يتعلق بالمعلمات ٠ التجريبية المذكورة أعلاه؛ كان وقت التحميض development time £0 ثانية. (Miia تم غمر العينات فى آيزوبروبانول ا800م150010؛ يتم فيه تكزين غشاء visible film ye على تركيب .SU-8 تم Jue الأيزوبروبانول residual isopropanol Sil باستخدام ماء غير متأين. أخيراً؛ تم تعريض العينة بدون طبق معتم يسمح بلمعان الضوء فى نموذج محدد تحت لمبة UV منتظمة لمدة Fe ثانية (الخطوة ه). يمكن أن يكون البديل استخدام ضوء الشمس؛ الذى تحتوى Vo أيضاً على ضوء /الا. كانت خطوات الاختراع ب KMPR لأن المواد المقاومة للضوء السلبية كانت نفس» ماعدا سرعة الدوران» كان لها نفس جرعة التعرض ووقت التحميص الذى يحتاج إلى ضبط. يبين شكل ١ مخطط لعملية الليثيوجرافيا الضوئية لاختراع سطح فائق الكراهية للزيت. يبيّن الشكل ؟ Saas حيث تشتمل الخطوة د على تحميض قليل والخطوة ه على تحميص بعد
التعرض. Yo يمكن اختراع الهياكل المتعددة النطاقات على نطاق واسع من مواد الركائز المختلفة باستخدام خطوات اختراع مشابهة للمواد الموصوفة أعلاه. مخططات العملية المستخدمة مع باقة من الركائز المختلفة مبينة فى الأشكال Ye) و 9. اختلاف العملية الكبير بين مواد الركائز المختلفة هو التعرض ل UV المطلوب؛ بسبب الانعكاسية المتنوعة ل UV والامتصاصية. على سبيل JE تتطلب الركائز المطاطية جرعة UV عالية مقارنة برقائق wafers السليكون (ا5) (انظر جدول ١ Yo للجرعات التميثيلية .(representative doses تنتشر أشعة UV من خلال الطبقة المقاومة
-١م
للضوء على الركيزة. يتم انعكاس lef الأشعة beams من خلال ركيزة أ5 وتمر من خلال الطبقة المقاومة للضوء photoresist layer 55 أخرى. على mill يتم امتصاص طاقة UV وترتد أشعة أقل من خلال الطبقة المقاومة للضوء إذا كانت الركيزة هى المطاط. إذا كانت جرعة UV عالية dos يحدث عدم التطابق فى الحجم بين هيكل العمود pillar structure ونمط حجبه © للضوء photomask pattern . وبالإشارة إلى شكل 7ء لأسطح البوليمر طبقة رقيقة جداً من مادة مقاومة للضوء مسطحة يتم تطبيقها قبل بناء الهياكل الفعلية لتخفيف امتصاص الضوء فوق البنتفسجى عن طريق العمود. وبسبب الفرق بين التصاق السطح surface adhesion والموصلية الحرارية thermal conductivity يلزم ضبط سرعة الدوران spinning speed وقت التحميص baking time وزمن التحميض developing time وفقاً للعمود الخاصة. بالإضافة ٠ إلى ذلك؛ تتأكسد العديد من المواد بسهولة؛ لذلك تتكون روابط هيدروجينية طويلة المدى على أكسيد السطح مع الماء الممتص من الهواء. وبمجرد دوران المقاومة على هذا السطح؛ يلتصق ببخار الماء بدلاً من السطح؛ مما يؤدى إلى التصاق سئ. يمكن معالجة الأعمدة بواسطة بخار HMDS ر(سادس ميثيل ثانى YES-3TA HMDS ) (Hexamethyldisilazane Plu
.٠١ ٠١ ٠١ للركيزة (Y لزيادة التصاق المادة المقاومة للضوء (شكل (Oven
١ التعديل الكيميائى Chemical modification للأسطح بالإشارة إلى الشكل of وبمجرد بناء الهيكل متعدد القياسات على العمود؛ تم فلورة العينة من خلال —2H2H HOH بيرفلوروستيل - ثالث كلوروسيلان بخارى. تم تطبيق قطيرات من السيلان OF حول العينة "5 فى طبق بترى مغطى .0١ يجب الحرص على تجنب أى اتصال مباشر للقطيرات OY مع العينات .0F تم تحميص طبق بترى )0 عند Ar درجة مثوية على موقد 4 © لتبخير ٠ الفلوروسيلان لمدة Yo دقيقة. بعد هذاء تم إزالة غطاء طبق بترى 0١ Petridish ؛ مما يؤدى إلى
ترك العينات حتى اكتمال التجفيف عند درجة حرارة الغرفة (شكل 4 ). النتائج والمناقشة طوبوجرافيا السطح Surface topography والتعديل الكيميائى chemical modification
-١4-
الطباعة التصويرية Photolithography باستخدام مادة مقاومة للضوء سلبية هى طريقة قوية robust method لتصنيع هياكل دقيقة؛ والتى لها مقاومة كيميائية ثابتة تحمل حرارى جيد لما
يصل إلى Yoo درجة مئوية؛ وأداء ميكانيكى بمعامل يونج 5-4 جيجا باسكال J) 8-ل5). مع المعايير parameters التجريبية الممثلة سابقاً؛ تم تصنيع أنظمة أعمدة دقيقة مقاومة للضوء
© موحدة على رقاقة سيليكون بارتفاع Yo ميكرو متر (يتعلق بسرعة الطلاء المقاومة والتصاق سطح الأعمدة). تم تغيير احتكاك المساحة (f) للسطح الفائق الكراهية للزيت هذا بتغيير قطر الأعمدة من
١ ميكرو متر إلى ١5 ميكرو مترء مع حفظ المسافة مركز إلى مركز YO ميكرو متر. تم تكوين الجسيمات النانوية من مادة مقاومة للضوء غير متشابكة؛ مظهر SU-8 وآيزوبروبانول. على
أساس عملية التنويه سائل- سائل؛ أو ما يسمى بتأثير 0020؛ يتكون مستحلب دقيق زيت فى ماء
٠ لبنى عند إضافة الماء إلى Ouzo (إيثانول (ethanol فى التكوين الحالى؛ تؤدى المادة المقاومة للضوء السلبية؛ المظهر والآيزوبروبانول وظيفة مماثلة مثل الزيت؛ الإيثانول والماء فى 0020؛
على التوالى. عند الخلط مع آيزوبروبانول؛ تصبح المقاومة الضوئية السلبية مشبعة تشبع فائق
بدرجة كبيرة؛ مما يؤدى إلى تنوية القطيرات droplets المقاومة للضوء. فى غضون ذلك؛ fast المادة المقاومة للضوء فى الهجرة مباشرة إلى القطيرة المجاورة؛ بحيث يقل فرط التشبع
supersaturation Yo ولا يحدث المزيد من التنوى 01101681600. فى عملية الليثوجرافيا الضوئية التقليدية؛ يتم تحميض المادة المقاومة للضوء غير المتشابكة فى مظهر 8-ل50؛ مما يؤدى إلى
ترك الهيكل المتشابك؛ والذى يمثل مجموعة العمود فى تصميمنا. ومع ذلك؛ تستخدم العملية الحالية زمن تحميض أقصر محدد سابقاً (تحت التحميض)؛ بحيث تبقى كمية صغيرة من المادة المقاومة للضوء غير المتشابكة على سطح مجموعة العمود. بمجرد غمس هذه العينة فى
٠ أيزوبروبانول»؛ يتم تشكيل sald) المقاومة للضوء غير المتشابكة فى جسيمات نانوية كروية. حيث تكون الأعمدة الدقيقة كارهة للماء. يتجمع معظم هذا الجسيمات النانوية حول Ad الأعمدة Ya من
ملء الفجوة gap بين الأعمدة؛ بحيث يتم تكوين تركيب معاد الإدخال بواسطة هذه الجسيمات النانوية المحدبة المتكتلة Clustered convex nanoparticles يتم توضيح تحميض تركيرب الجسيم النانوى المقاوم للضوء SU-8) أو (KMPR كدالة لزمن التحميض فى شكل #. حجم
© الجسيمات النانوية قابل للضبط بواسطة تغيير زمن التحميض. كلما كان زمن التحميض أقصرء كلما كان حجم الجسيم المنتج أكبر (شكل 76). قد يساعد التحكم فى حجم الجسيمات النانوية فى
١. تحسين كره الزيت الفائق أكثر. لهذاء يمكن معالجة الهيكل معاد الإدخال فوق الأعمدة بسهولة .maximum superoleophobic performance لأقصى آداء فائق الكراهية للزيت بالإضافة إلى ذلك؛ تحمل المادة المقاومة للضوء السلبية فى جوهرها التصاق عالى للسطح للركائز المختلفة؛ وبالتالى تكون الأعمدة الدقيقة ثابتة جداً ومرتبطة جيداً بالقاعدة. الارتباط بين الدعائم الدقيقة والجسيمات النانوية قوى جداً أيضاً؛ حيث يتم عمل الجسيمات النانوية أيضاً من مادة © مقاومة للضوء سلبية ومتشابكة بالدعائم. الأسطح المنسوجة المصنوعة على رقاقة السيليكون؛ .7 مطاطات البيوتيل المعبأة بالأبيض والمعبأة بالأسود مبينة فى شكل ظروف معملية منتظمة artificial structure الهيكل الصناعى Fluorination تم اجراء فلورة لتبسيط عملية التصنيع. تقلل الفلورة Moisture بدون التخلص من الأكسجين 07/9617 والرطوبة عند السطح. رغم أنه لكل —CF3 طاقة السطح عن طريق زيادة تركيز المجموعات الكيميائية ٠ بصفة عامة فى زيادة زاوية spall الزيوت على كل الأسطح المسطحة؛ 0مسطح >40 درجة؛ يرغب قدر الإمكان. هناك حاجة لدرجة أصغر من إعادة الإدخال كلما اقتربت (CA) الاتصال الداخلية درجة. وبالتالى؛ ينبغى أن يكون فرق الطاقة بين الحالات دونية الاستقرار (كارهة ٠0 من CA أصغر. من المتوقع أيضاً أن (complete wetting للماء بدرجة فائقة) والمستقرة (ترطيب كامل إلى Cassie-Baxter للانتقال من حالات lef طاقات السطح المنخفضة ستوفر حواجز Vo حيث تكون مجموعات الفلوروكربون robustness مما يؤدى إلى زيادة المتانة (Wentzel (خاصة 0113-) معروفة بأنها تمتلك طاقات سطح منخفضة؛ ويجب أن تنتفع fluorocarbon الأسطح الخشنة من كونها مفلورة. الكره الفائق للماء/الزيت درجة مئوية؛ بينما تغيرت نتائج VAY زاوية اتصال هذه الأسطح بالماء تكون عادة قريبة من _ ٠ (خط A الهكساديكان مع ؟ لقمم العمود (بالنسبة لإجمالى مساحة السطح). كما هو مبين فى شكل درجة ١5 زاوية اتصال الهكساديكان كانت فقط ¢(circular knob وعقدة دائرية 0 line أحمر أعلى عند القيم المنخفضة ل آ oil repellency زيت ayh يظهر السطح Lv Vo عندما كانت آ
— \ \ — vy) درجة ل آ حوالى 00 o(v, يقابل هذا الميل المعادلة Cassie — Baxter للترطيب غير المتجانس: feos, —(1-f) = .056 0 حيث f تمثل احتكاك المساحة للسطح الصلب والذى يكون متصل بالسائل» »97 و 7" هى © زوايا الاتصال للسطح الخشن والسطح المستوى؛ على التوالى. لهذاء وصلت زاوية الاتصال مع الهكساديكان إلى ٠٠١ درجة (ومع الميثانول methanol كانت VY درجة) عن طريق تقليل للاتصال .small contact hysteresis الرغم من أن 8-لا5 نفسه هو كاره cell بلل عم من أن هو حاره L هكساديكان بسهولة سطح 8-لا5 المسطح. يتم تنميط الأسطح فقط بأعمدة من النطاق الدقيق لها ٠ طرد repellency أقل للزيت عن الأسطح التى تشتمل على كل من الأعمدة الدقيقة والجسيمات النانوية (شكل cA خط ومربعات سوداء). توضح المعدات المحكمة هذه أهمية احتكاك السطح بكره الزيت الفائق للسطح. خواص الركائز المختلفة مبينة فى جدول .١ جدول .١ خواص الركائز المختلفة الركيزة المادة |التعرض dg if الاتصال ازاوية الاتصال |اختبار الشريط Tape المقاومة PPS Lp فوق الثابتة التثابتسة 1514 (حتى لا تستطيع sual البنفجية |(هكساديكان) ١(ميثانول) | اقطيرات الهكساديكان (ثوائى) = السيليكون ٠ 1+6 7١ SU-8 امتوسط 7 مرات (شريط an درجة (Scotch IIR معبأ بأسودا8-لا85 40١ ا غير le امتوسط © مرات (شريط Black—filled درجة (Nichiban
_— \ \ _ ذهب Yo SU-8 Gold 7+ لى غير متاح غير متاح درجة الومنيوم 50-8 ٠١١ لاداح oA غير متاح غير متاح an Aluminum ركيزة سيليكون oT ENVY KMPR غير متا z غير متا z an Silicon substrate المناقشة وقد ثبت فى الأمثلة السابقة أن مزايا الخشونة متعددة النطاق multiscale roughness التى تتراوح من مئات ميكرونات 00100005 للأعمدة بالاتحاد مع هذه فى المدى من عشرات النانومترات للجسيمات هامة لإنتاج طلاءات فائقة الكراهية للزيت. والسبب فى ذلك ذو شقين. الأول؛ قد تجعل © الخشونة متعددة النطاق هذه السطح "هوائى "airy جداً؛ وبالتالى خفض احتكاك مساحة الاتصال السائل- الصلب الفعالة فى معادلة (3). (Lal من aed) إنتاج إعادة دخول وشكل محدب .convex morphology تشارك الأسطح متعددة النطاق للتقنية السابقة أحد العيوب الهامة - وهى لها فقط ميزة إعادة دخول واحدة لكل أخدود. وهذا يعنى أنه إن كان للسطح عيب أو اضطراب محلى local disturbance ٠ على أحد (Jaa sale) Wie ستبلل قطرة JL باحتمالية أكثر الأخدود المحلى. وعلى النقيض من ذلك»؛ فإن الأسطح الحالية أكثر قوة لأن هناك العديد من مزايا sale] الدخول المرتبطة بكل إخدود. سيحسن هذا بدرجة كبيرة من الاحتمالية حيث لن ترطب قطرة السائل الأسطح الحالية. وباختصار؛ يمكن استخدام انحناء سطح sale] الدخول (الجسيمات النانوية)؛ بالتعاون مع النسيج الخشن (أعمدة دقيقة) لتصميم الأسطح التى تظهر مقاومة شديدة للترطيب من عدد من السوائل Vo بتوتر السطح المنخفض؛ Ly فى ذلك الهكساديكان والميثانول. 8-لا5 5 KMPR هى ببساطة
Ad —_ \ _ أمثلة للمواد المقاومة للضوء السلبية؛ ومن المحتمل أن أنواع أخرى من المواد المقاومة للضوء السلبية يمكن استخدامها أيضاً فى تصنيع هذه الأسطح الفائقة الكراهية للزيت. موصوف هنا طريقة تصنيع fabrication method بسيطة وسريعة لإنتاج أسطح فائقة الكراهية للزيت باستخدام ليتوجرافيا ضوئية فقط وتقنية ترسيب بخار فلوروسيلان بسيط. يضم الشكل متعدد © القياس لهذه الأسطح الفائقة الكراهية للزيت كل من نمط منتظم دقيق صغير النطاق (أعمدة) بالإضافة إلى الخشونة نانوية النطاق (من خلال تجميعات assemblies جسيمات نانوية). يمكن تطبيق هذه الطريقة على أنواع مختلفة من مواد الركائز التى تتضمن رقائق السيليكون» رقائق الزجاج؛ صفائح فلزية وأغشية مطاطية رقيقة. الأسطح الكارهة للزيت الفائقة الناتجة تكون قوية ومستقرة. علاوة على ذلك؛ تكون تقنية التصنيع الموصوفة هنا بسيطة ومنخفضة التكلفة مقارنة ٠ بطرق أخرى عديدة؛ وبالتالى مناسبة للتطبيقات العملية. قائمة التتابع: Yo rir ثانية Vo 61,80* Liddle, SSW ميكرومتر ١ o جٍ > $ ثانية Ag ٠ "y ثانية "هو" ٠ 9 ثانية و ٠ ب" ثانية Yo "yy ثانية ١١ EY ثانية مز" ٠ 7 ثانية
لا اي" wld. 'ك" 5,١ SSW كيلوفولط - *. ,ا ١ ميكرومتر "ل" 5,١ SSW كيلوفولط - *..,61ا- ٠ ميكرومتر Ligd<o,. SSW "a *. ,كا - 1,17 ميكرومتر "yo دعامات فقط TQ دعامات بها جسيمات بحجم النانو "ع جزء المساحة؛ آ nla By ثيتا
Claims (1)
- اج \ — عناصر الحماية.١ مادة تشتمل على ركيزة substrate للركيزة سطح يشتمل على نمط أعمدة دقيقة القياس Microscale pillars مغطاة بمجموعة جسيمات نانوية (nanoparticle حيث؛ تخلق المجموعة من الجسيمات النانوية معاً شكل محدب لإعادة الدخول اعلى كل عمود؛ و يكون للسطح زاوية تماس contact angle مع الماء أكبر من ١5١ درجة مئوية. lo} LY المادة وفقاً لعنصر الحماية )0 حيث يشتمل النمط على نظام array LY المادة وفقاً لعنصر الحماية F حيث يكون للسطح أيضاً زاوية تماس contact angle مع الهكساديكان hexadecane أكبر من ١٠5١0 درجة. 7"؛. المادة وفقاً لعنصر الحماية oF حيث تشتمل الجسيمات النانوية nanoparticle على مقاومة للضوء سلبية .negative photoresist Lo المادة وفقاً لعنصر الحماية of حيث يكون للسطح شكل متعدد القياس | multi-scale.morphology ١٠1. المادة وفقاً لعنصر الحماية ١؛ حيث يكون احتكاك المساحة of area fraction للسطح من ٠, ١ إلى ot, ١٠YY. المادة وفقاً لعنصر الحماية 1 حيث يشتمل السطح على هيدروكربون مفلور fluorinated.hydrocarbon LA المادة وفقاً لعنصر الحماية oF حيث يشتمل السطح على مادة فلورو سيلان fluorosilane_ أ \ _ 4 المادة وفقاً لعنصر الحماية oh حيث تشتمل الأعمدة pillars على مادة مقاومة للضوء سلبية.negative photoresist LY المادة وفقاً لعنصر الحماية 9؛ حيث تشتمل كل من الأعمدة pillars والجسيمات النانوية nanoparticle © على مادة مقاومة للضوء سلبية .negative photoresist sald) .١ وفقاً لعنصر الحماية ٠١ حيث تشتمل الركيزة substrate على سيليكون silicon زجاج glass فلز metal أو بوليمر..١7 ٠ المادة وفقاً لعنصر الحماية OO) حيث يتم تطبيق الركيزة substrate على المادة. NY المادة وفقاً لعنصر الحماية ٠١ حيث تشتمل الركيزة substrate على إيلاستومر.elastomer.١14 0 المادة وفقاً لعنصر الحماية OF حيث يشتمل الإيلاستومر elastomer على مطاط بيوتيل butyl rubber١ّ Ve HIRI a = IE EE TE PAN ee [iii + §AYCL 0 JY ci NP ci: i ss BE is 0 اااRA 5 9 ~ 1 * o o \ A ) 1 أ َلالا ie J الح لاط IE — »شكل أ- حم | | ا ٠ اللتتتاللتتلللتلتتلتلتلتتتللتتتتتتلتتللتتتتللللتتتالتتتنتتت اتنا ١ اس Xu a TEE TE TERY ® STEARATE Sa Sas مسمس الج ¥ Y سم Y * SO > SS SS J J SR. ا Y ١ ا احا ا جد ا د حبحب اريت ال لات لاي تا يا لا حي ا جح يي اج يحاي FR ال وح paren A ساقس JL WOON SE AS WS TE SUG TE SET SET أ YY 0 A د شكل ؟1:03: SICH) (CSI, SiC NT SLE IYO DERE NH (Hills واوت اناا Li OH OH OH OH OH OH ب . x oy x + > 1 oy 3 AT - I} NH (HAC SE HAC 1ST (H20):81 (HOLS (HC LB H0).S AY A د AY AN > Q Q O Q QO 3 i i 3 § 0 3 4 : 0 § 0 i en x x of oy Cx ¥ شكل=« اذ لح Cae oY شكل ؛©١- i م كد 'ّ لله | z & = oat الله 3 8 NN 8 ne 0 NL SE Pe ing an wp 2 يي ااا ا Be 4 . a a > ِ اا 2 ا إن ا 8 a NN aa . oo i ال Car AT ah a oe vo ا aa م « ~- 8 ANE SE RR . Ll 8 RR Re 8 ااا ا 8 ie . «en en ا اد Nae SEES NS No " - - = Coe ge fll - ب سس لب" 2 .1 ا ا 2 ااا ا اا لاا ا . ا ا ٍّ ا ا ااا ا ا : Naas 8 8 «© ا . 0 DY N Spats a _ LL « » a oN - اه LL LL NL LL a - Ne £8 Be LR Sa a> -- 8 سا _- ٍ aa pple سا \ RAE ب. a ا EN an NRE; RR TENE aN VNR NER XN “hod ae Ne a ب pen tC ane oo: SE 5 ا anton ie” oo. 0 ا اد pA اا ١ g ER 0 8 188 a) a) aX i = 5 LL LL i o 3 » ا0 اا اق ل ا اا - ae د ;& ا rE ATTAIN AEE rr ا ال EE TY ae ae MRE Ea RR اسح م REN Ro AE BERET NE Po ل RR, Ns Lia aaa a ا ا aa EE ET Ra a NE La LL ANF ae Th an 3 at DRIER Re ل Sk EN 8 8 RN 0 ا ا ا ادا الأ د 88 Na 3 aE Mae ahaa AE Minnis SEE NaN NN Naan Nah wl AT EE ae Le La LL Ln HITE OTE AE TRATES Daa he ل Taal ni ERR الأ Ba A a Roe و ei Lad aan Le ا 8 Na Le a NL Raa SERRE REL Ea aaa oe Se RE RR1 I »1 :الا ee رداب ا 0 nai WE Te . ل XR N 8 R RR 0 RK N Sara Ni HN RN Bey . ا a Neh 0 ل nine NY NN Naa \ 0 E » 3 كك ب ا amg a ا الها ا ل ا Nah NN NE LL oR NN RN ا 8 ا NN THI A aaa NED Nn a NN Ne : 5 tt : x RN RRR x NR = any ao RR NN 1 : LL 3 a a AN 2 D NN LL a SL \ EEE es د fh a a a NL . x LL Naan . . .a. 5 i“ ” MN RR AR A ND N D ا لخآد mE ااا 0 3-0-0 جعجمةمع -- 3 93 oN » ااا الاي ا اا ا © a ل ل د ا ا ا ا ال ae اد al Na: ah N 8 3 Nan = RN RR : a ا ال ا a Al meee EE TE Ree ا ا a a ا ا ا ا ا ا ا ا الا ا ا RRR RE Ne et 88 = Ne RRR } اا a Sa م - شكل Vv EAVY_ Ad ¢ — SE ٍْ “oon i ® ب ١ 1 » § Py & 2 » FL - سن : og : Ee ويس AT . Yoo, ل © Se 0 LS.BN Te YE CT TES ٍْ - TL 0 قا i 8 hd "م" Saal ب ول 8 امس ٍْ صا | Y . . 7... ¥, 0 * LINE WF NN. * «Ye «.% % YO NS ع 3 A أ LYاج اذ امش ا الت الا اا الما اش الا ا اللا تتشت 8 6 ¥ ا ا ¥o لعا 3 عا عا ا د عل ا عا عد عا ألا ع علا م لامعا ع لاع ا عع مادا “8# ا a yy ص أ * ¥ رميو !ااالانال حضد اناا تكد Ere Erg ع م Sy اا ل اا 7" ry TH ملم ممه ene ممه & نج لت تقش تل تل لت لت الت لتقت ال شتت ات لمتشا I EE ادص ل ا 7 JE SLE J She J اا I CLE A rod ¥ ممست | A ب Is 5مدة سريان هذه البراءة عشرون سنة من تاريخ إيداع الطلب وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها أو سقوطها لمخالفتها لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية صادرة عن مدينة الملك عبدالعزيز للعلوم والتقنية ؛ مكتب البراءات السعودي ص ب TAT الرياض 57؟؟١١ ¢ المملكة العربية السعودية بريد الكتروني: patents @kacst.edu.sa
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201261661035P | 2012-06-18 | 2012-06-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SA113340656B1 true SA113340656B1 (ar) | 2016-06-15 |
Family
ID=49767968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SA113340656A SA113340656B1 (ar) | 2012-06-18 | 2013-06-18 | أسطح فائقة الكراهية للزيت وطرق تصنيعها |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9442375B2 (ar) |
| EP (1) | EP2861525A4 (ar) |
| JP (1) | JP6297544B2 (ar) |
| CN (1) | CN104768868B (ar) |
| CA (1) | CA2877244C (ar) |
| SA (1) | SA113340656B1 (ar) |
| TW (1) | TWI632430B (ar) |
| WO (1) | WO2013188958A1 (ar) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10391530B2 (en) | 2013-09-27 | 2019-08-27 | The Regents Of The University Of California | Liquid-repellent surfaces made of any materials |
| US9976039B1 (en) * | 2013-10-04 | 2018-05-22 | Hrl Laboratories, Llc | Surface-structured coatings |
| US10508182B2 (en) | 2014-07-25 | 2019-12-17 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Durable superhydrophobic surfaces |
| EP3178889A1 (en) * | 2015-12-11 | 2017-06-14 | Lanxess Inc. | Elastomeric coatings |
| US10487403B2 (en) * | 2016-12-13 | 2019-11-26 | Silcotek Corp | Fluoro-containing thermal chemical vapor deposition process and article |
| CN109292730B (zh) * | 2018-09-03 | 2020-07-24 | 山东科技大学 | 一种超滑表面的制备方法 |
| CN110065925B (zh) * | 2019-03-22 | 2021-10-22 | 中国科学院化学研究所 | 微纳材料自组装的方法和基板与应用 |
| US11473010B2 (en) | 2019-08-22 | 2022-10-18 | Saudi Arabian Oil Company | Nanoparticle coated proppants and methods of making and use thereof |
| CN111003685A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-04-14 | 无锡物联网创新中心有限公司 | 一种宽光谱极低透射结构及其制备工艺 |
| CN113184802B (zh) * | 2021-05-20 | 2023-10-03 | 西安交通大学 | 一种阶梯状环形超疏水槽的制备方法 |
| TWI775589B (zh) * | 2021-09-03 | 2022-08-21 | 國立臺灣科技大學 | 用於三維列印的樹脂槽底板 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4882245A (en) | 1985-10-28 | 1989-11-21 | International Business Machines Corporation | Photoresist composition and printed circuit boards and packages made therewith |
| WO2009009185A2 (en) * | 2007-05-09 | 2009-01-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Tunable surfaces |
| US20100004373A1 (en) * | 2008-07-02 | 2010-01-07 | Jingxu Zhu | Compositions and processes for producing durable hydrophobic and/or olephobic surfaces |
| WO2010022107A2 (en) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | The Regents Of The University Of California | Nanostructured superhydrophobic, superoleophobic and/or superomniphobic coatings, methods for fabrication, and applications thereof |
| US20100304086A1 (en) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Alain Robert Emile Carre | Super non-wetting, anti-fingerprinting coatings for glass |
| CN102140218B (zh) * | 2010-01-28 | 2013-07-24 | 中国科学院化学研究所 | 仿生结构的超疏油的水下自清洁的聚合物复合膜及其制法 |
| WO2012064745A2 (en) * | 2010-11-08 | 2012-05-18 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Articles having superhydrophobic and oleophobic surfaces |
| US9956743B2 (en) | 2010-12-20 | 2018-05-01 | The Regents Of The University Of California | Superhydrophobic and superoleophobic nanosurfaces |
| WO2012118805A2 (en) * | 2011-02-28 | 2012-09-07 | Research Foundation Of The City University Of New York | Polymers having superhydrophobic surfaces |
| CN102311672B (zh) * | 2011-09-16 | 2013-05-08 | 无锡市顺业科技有限公司 | 一种超疏水导电涂层及其加工方法 |
-
2013
- 2013-06-18 SA SA113340656A patent/SA113340656B1/ar unknown
- 2013-06-18 WO PCT/CA2013/000583 patent/WO2013188958A1/en active Application Filing
- 2013-06-18 EP EP13807555.1A patent/EP2861525A4/en not_active Withdrawn
- 2013-06-18 CA CA2877244A patent/CA2877244C/en active Active
- 2013-06-18 TW TW102121494A patent/TWI632430B/zh not_active IP Right Cessation
- 2013-06-18 JP JP2015517562A patent/JP6297544B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-06-18 CN CN201380042768.9A patent/CN104768868B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-06-18 US US14/408,427 patent/US9442375B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2877244C (en) | 2022-07-12 |
| CA2877244A1 (en) | 2013-12-27 |
| US20150153642A1 (en) | 2015-06-04 |
| EP2861525A1 (en) | 2015-04-22 |
| TW201413384A (zh) | 2014-04-01 |
| WO2013188958A1 (en) | 2013-12-27 |
| CN104768868A (zh) | 2015-07-08 |
| EP2861525A4 (en) | 2015-08-05 |
| US9442375B2 (en) | 2016-09-13 |
| TWI632430B (zh) | 2018-08-11 |
| JP6297544B2 (ja) | 2018-03-20 |
| CN104768868B (zh) | 2017-09-12 |
| JP2015523227A (ja) | 2015-08-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SA113340656B1 (ar) | أسطح فائقة الكراهية للزيت وطرق تصنيعها | |
| Li et al. | Facile one-step photolithographic method for engineering hierarchically nano/microstructured transparent superamphiphobic surfaces | |
| Drelich et al. | Wetting characteristics of liquid drops at heterogeneous surfaces | |
| US20110300345A1 (en) | Surface Having Superhydrophobic Region And Superhydrophilic Region | |
| KR100610257B1 (ko) | 소수성 표면을 갖는 고분자 기재의 제조 방법 및 이 제조방법으로 제조된 고분자 기재 | |
| Kothary et al. | Superhydrophobic hierarchical arrays fabricated by a scalable colloidal lithography approach | |
| ES2365188T3 (es) | Recubrimiento de doble capa, su preparación y su uso para hacer a las superficies a las que se aplica ultra repelentes al agua y antirreflectantes. | |
| EP1937757B1 (en) | Method for the fabrication of high surface area ratio and high aspect ratio surfaces on substrates | |
| WO2013036555A1 (en) | Block copolymers and lithographic patterning using same | |
| JP2008525856A (ja) | プリズム再帰反射物品および方法 | |
| Fernández et al. | Hierarchical surfaces for enhanced self-cleaning applications | |
| US20090068596A1 (en) | Negative-tone,Ultraviolet Photoresists for Fabricating High Aspect Ratio Microstructures | |
| González-Henríquez et al. | Fabrication of micro and sub-micrometer wrinkled hydrogel surfaces through thermal and photocrosslinking processes | |
| KR102160791B1 (ko) | 블록 공중합체 및 이를 사용한 패턴 형성 방법 | |
| Chien et al. | Dragonfly-wing-inspired inclined irregular conical structures for broadband omnidirectional antireflection coatings | |
| EP3009264B1 (en) | Method for manufacturing pattern-formed body | |
| US20170371243A1 (en) | Micron patterned silicone hard-coated polymer (shc-p) surfaces | |
| KR20110106099A (ko) | 발수유리의 제조방법 및 이에 의해 제조된 발수유리 | |
| WO2008114893A1 (en) | Fabrication method of microlens arrays using uv-curable optical adhesive | |
| Ge et al. | Flexible subwavelength gratings fabricated by reversal soft UV nanoimprint | |
| Shin et al. | Nanoimprinting ultrasmall and high-aspect-ratio structures by using rubber-toughened UV cured epoxy resist | |
| Yeo et al. | Water Droplet Growth Behaviors of Micro/Nano-Patterned Anti-Fogging Polymer Films | |
| KR101430982B1 (ko) | 3차원 다공성 유·무기 복합 구조체, 및 그의 제조 방법 | |
| Gao | Studies of the dimensional effects of pillar arrays on hydrophobicity and wettability improvement of aluminum surfaces | |
| Chen et al. | Oxygen inhibition induced hydrophilic-hydrophobic surface for self-assembled droplet microarrays |