RU99119093A - RADIO-ORIENTED STRUCTURE - Google Patents

RADIO-ORIENTED STRUCTURE

Info

Publication number
RU99119093A
RU99119093A RU99119093/28A RU99119093A RU99119093A RU 99119093 A RU99119093 A RU 99119093A RU 99119093/28 A RU99119093/28 A RU 99119093/28A RU 99119093 A RU99119093 A RU 99119093A RU 99119093 A RU99119093 A RU 99119093A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
digital
mos transistors
analog
threshold voltages
transistors
Prior art date
Application number
RU99119093/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2217862C2 (en
Inventor
Андрей ЛИТВИН
Свен Эрик МАТТИССОН
Original Assignee
Телефонактиеболагет Лм Эрикссон
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from GB9702375A external-priority patent/GB2322042B/en
Application filed by Телефонактиеболагет Лм Эрикссон filed Critical Телефонактиеболагет Лм Эрикссон
Publication of RU99119093A publication Critical patent/RU99119093A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2217862C2 publication Critical patent/RU2217862C2/en

Links

Claims (19)

1. Интегральная схема для использования в цифровом приемопередатчике радиосвязи, интегральная схема включает в себя первые МОП-транзисторы с высокими пороговыми напряжениями и вторые МОП-транзисторы с уменьшенными пороговыми напряжениями.1. An integrated circuit for use in a digital radio transceiver, the integrated circuit includes first MOS transistors with high threshold voltages and second MOS transistors with reduced threshold voltages. 2. Интегральная схема для использования в цифровом приемопередатчике радиосвязи по п.1, в которой n-МОП-транзисторы из вторых МОП-транзисторов имеют отрицательные пороговые напряжения, а р-МОП-транзисторы из вторых МОП-транзисторов имеют положительные пороговые напряжения. 2. The integrated circuit for use in a digital radio transceiver according to claim 1, wherein the n-MOS transistors from the second MOS transistors have negative threshold voltages and the p-MOS transistors from the second MOS transistors have positive threshold voltages. 3. Телефонный аппарат мобильной связи, включающий в себя интегральную схему по п.1 или 2. 3. A mobile telephone, including an integrated circuit according to claim 1 or 2. 4. Интегральная схема для использования в цифровом приемопередатчике радиосвязи, интегральная схема включает в себя аналоговые устройства, включающие в себя МОП-транзисторы, по меньшей мере, некоторые из которых имеют высокие пороговые напряжения, и цифровые устройства, включающие в себя МОП-транзисторы, по меньшей мере, некоторые из которых имеют уменьшенные пороговые напряжения. 4. An integrated circuit for use in a digital radio transceiver, the integrated circuit includes analog devices including MOS transistors, at least some of which have high threshold voltages, and digital devices including MOS transistors, at least some of which have reduced threshold voltages. 5. Цифровой приемопередатчик радиосвязи, включающий в себя аналоговые компоненты ВЧ приемника и передатчика, аналого-цифровой преобразователь и цифроаналоговый преобразователь, каждый из которых включает в себя МОП-транзисторы, в котором аналоговые компоненты ВЧ приемника и передатчика, аналого-цифровой преобразователь и цифроаналоговый преобразователь образуют часть одной и той же интегральной схемы, и в котором МОП-транзисторы в аналого-цифровом преобразователе и в цифроаналоговом преобразователе имеют высокие пороговые напряжения а, по меньшей мере, некоторые из МОП-транзисторов в аналоговых компонентах имеют низкие пороговые напряжения. 5. A digital radio transceiver including analog components of an RF receiver and transmitter, an analog-to-digital converter, and a digital-to-analog converter, each of which includes MOS transistors, in which the analog components of an RF receiver and transmitter, an analog-to-digital converter, and a digital-to-analog converter form part of the same integrated circuit, and in which the MOS transistors in the analog-to-digital converter and in the digital-to-analog converter have high threshold voltage and I, at least, some of the MOS transistors in the analog components have low threshold voltages. 6. Телефонный аппарат мобильной связи, включающий в себя приемопередатчик по п.5. 6. A mobile telephone, including a transceiver according to claim 5. 7. Цифровой приемопередатчик радиосвязи, включающий в себя аналоговые устройства и цифровые устройства, каждое из которых включает в себя МОП-транзисторы, в котором МОП-транзисторы в цифровых устройствах имеют высокие пороговые напряжения, а, по меньшей мере, некоторые из МОП-транзисторов в аналоговых устройствах имеют более низкие пороговые напряжения. 7. A digital radio transceiver including analog devices and digital devices, each of which includes MOS transistors, in which MOS transistors in digital devices have high threshold voltages, and at least some of the MOS transistors analog devices have lower threshold voltages. 8. Цифровой приемопередатчик радиосвязи по п.7, в котором аналоговые устройства и цифровые устройства образуют часть одной и той же интегральной схемы. 8. The digital radio transceiver of claim 7, wherein the analog devices and digital devices form part of the same integrated circuit. 9. Цифровой приемопередатчик радиосвязи, включающий в себя аналоговые компоненты и цифровые компоненты, каждая из которых включает в себя МОП-транзисторы, в котором МОП-транзисторы в цифровых компонентах имеют более высокие пороговые напряжения, чем, по меньшей мере, некоторые из МОП-транзисторов в аналоговых компонентах. 9. A digital radio transceiver including analog components and digital components, each of which includes MOS transistors, in which MOS transistors in digital components have higher threshold voltages than at least some of the MOS transistors in analog components. 10. Цифровой приемопередатчик радиосвязи по п.9, в котором n-МОП-транзисторы в аналоговых компонентах имеют отрицательные пороговые напряжения, а р-МОП-транзисторы в аналоговых компонентах имеют положительные пороговые напряжения. 10. The digital radio transceiver of claim 9, wherein the n-MOS transistors in the analog components have negative threshold voltages and the p-MOS transistors in the analog components have positive threshold voltages. 11. Цифровой приемопередатчик радиосвязи, включающий в себя аналоговые компоненты ВЧ приемника и передатчика, аналого-цифровой преобразователь и цифроаналоговый преобразователь, каждый из которых включает в себя МОП-транзисторы, в котором МОП-транзисторы в аналого-цифровом преобразователе и в цифроаналоговом преобразователе имеют высокие пороговые напряжения, а МОП-транзисторы в аналоговых компонентах имеют низкие пороговые напряжения. 11. A digital radio transceiver including analog components of an RF receiver and transmitter, an analog-to-digital converter, and a digital-to-analog converter, each of which includes MOS transistors, in which the MOS transistors in the analog-to-digital converter and in the digital-to-analog converter have threshold voltages, and MOS transistors in analog components have low threshold voltages. 12. Цифровой приемопередатчик радиосвязи по п.11, в котором аналоговые компоненты ВЧ приемника и передатчика, аналого-цифровой преобразователь и цифроаналоговый преобразователь образуют часть одной и той же интегральной схемы. 12. The digital radio transceiver of claim 11, wherein the analog components of the RF receiver and transmitter, the analog-to-digital converter, and the digital-to-analog converter form part of the same integrated circuit. 13. Цифровой приемопередатчик радиосвязи по п.11 или 12, в котором n-МОП-транзисторы в аналоговых компонентах ВЧ приемника и передатчика имеют отрицательные пороговые напряжения, а р-МОП-транзисторы в аналоговых компонентах ВЧ приемника и передатчика имеют положительные пороговые напряжения. 13. The digital radio transceiver according to claim 11 or 12, wherein the n-MOS transistors in the analog components of the RF receiver and transmitter have negative threshold voltages and the p-MOS transistors in the analog components of the RF receiver and transmitter have positive threshold voltages. 14. Способ изготовления цифровой интегральной схемы приемопередатчика радиосвязи, включающего в себя аналоговые компоненты и цифровые компоненты, каждая из которых включает в себя МОП-транзисторы, при котором осуществляют изменение доз пороговой имплантации таким образом, что МОП-транзисторы в цифровых компонентах имеют высокие пороговые напряжения, а, по меньшей мере, некоторые из МОП-транзисторов в аналоговых компонентах имеют более низкие пороговые напряжения. 14. A method of manufacturing a digital integrated circuit of a radio transceiver, including analog components and digital components, each of which includes MOS transistors, in which the threshold implantation doses are changed in such a way that the MOS transistors in the digital components have high threshold voltages and at least some of the MOS transistors in the analog components have lower threshold voltages. 15. Схема усилителя радиоприемника, включающая в себя два полевых МОП-транзистора с общим затвором и два входных полевых МОП-транзистора, на которые подают входной сигнал, причем входные транзисторы соединены с напряжением питания и с "землей", а транзисторы с общим затвором соединены по каскадной схеме между входными транзисторами, в которой транзисторы с общим затвором имеют уменьшенные пороговые напряжения. 15. The amplifier circuit of the radio receiver, which includes two field-effect MOSFETs with a common gate and two input field-effect MOSFETs, to which an input signal is supplied, the input transistors connected to the supply voltage and to the ground, and the transistors with a common gate connected in a cascade between input transistors in which common-gate transistors have reduced threshold voltages. 16. Схема усилителя радиоприемника по п.15, в которой входные транзисторы имеют обычные пороговые значения. 16. The radio amplifier circuit of claim 15, wherein the input transistors have conventional threshold values. 17. Схема радиочастотного смесителя, включающая в себя два передаточных вентиля, каждый из которых включает в себя два полевых МОП-транзистора, причем соответствующие сигналы гетеродина подают на затворы транзисторов, а входной сигнал подают на входы передаточных вентилей, в которой транзисторы передаточных вентилей имеют уменьшенные пороговые значения. 17. The radio frequency mixer circuit, which includes two transfer valves, each of which includes two MOSFETs, the corresponding local oscillator signals being fed to the transistor gates, and the input signal being fed to the inputs of the transfer valves, in which the transistors of the transfer valves have reduced threshold values. 18. Схема радиочастотного смесителя по п.17, в которой сигналы гетеродина к передаточным вентилям подают через два задающих генератора гетеродина, каждый из которых образован двумя транзисторами, и в которой транзисторы задающих генераторов гетеродина имеют нормальные пороговые значения. 18. The radio frequency mixer circuit according to claim 17, wherein the local oscillator signals to the transfer valves are supplied through two master oscillator oscillators, each of which is formed by two transistors, and in which the transistors of the local oscillator master oscillators have normal threshold values. 19. Радиоприемник, включающий в себя усилитель по п.15 или 16 и схему смесителя по п.17 или 18. 19. A radio receiver including an amplifier according to claim 15 or 16 and a mixer circuit according to claim 17 or 18.
RU99119093/28A 1997-02-05 1998-01-26 Radio-receiver amplifier circuit, radio-frequency mixer circuit, and radio receiver incorporating them RU2217862C2 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB9702375.8 1997-02-05
GB9702375A GB2322042B (en) 1997-02-05 1997-02-05 Radio architecture

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU99119093A true RU99119093A (en) 2001-07-10
RU2217862C2 RU2217862C2 (en) 2003-11-27

Family

ID=10807155

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU99119093/28A RU2217862C2 (en) 1997-02-05 1998-01-26 Radio-receiver amplifier circuit, radio-frequency mixer circuit, and radio receiver incorporating them

Country Status (21)

Country Link
US (2) US6611680B2 (en)
EP (3) EP1742268A3 (en)
JP (1) JP2001516525A (en)
KR (2) KR100686413B1 (en)
CN (1) CN1165998C (en)
AU (1) AU746534B2 (en)
BR (1) BR9807551A (en)
CA (1) CA2280128C (en)
DE (1) DE69839512D1 (en)
DK (1) DK0970523T3 (en)
EE (1) EE9900342A (en)
ES (1) ES2306470T3 (en)
GB (1) GB2322042B (en)
HK (1) HK1024098A1 (en)
ID (1) ID22766A (en)
MY (1) MY126413A (en)
NO (1) NO993778L (en)
PL (1) PL334808A1 (en)
RU (1) RU2217862C2 (en)
TR (3) TR199901818T2 (en)
WO (1) WO1998035386A1 (en)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3566608B2 (en) * 1999-12-28 2004-09-15 Necエレクトロニクス株式会社 Semiconductor integrated circuit
US6871057B2 (en) * 2000-03-08 2005-03-22 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Mixer circuit
JP2004040735A (en) * 2002-07-08 2004-02-05 Toyota Industries Corp Semiconductor integrated circuit and manufacturing method of semiconductor integrated circuit
KR100446004B1 (en) * 2002-07-12 2004-08-25 한국과학기술원 Direct Conversion Receiver Using Vertical Bipolar Junction Transistor Available in Deep n-well CMOS Technology
US20040044512A1 (en) * 2002-08-29 2004-03-04 Motorola, Inc. Method and apparatus for increasing a number of operating states of a circuit device
GB2412259A (en) 2004-03-16 2005-09-21 Wolfson Ltd A CMOS folded-cascode operational amplifier having low flicker noise
GB2412260B (en) 2004-03-16 2007-09-26 Wolfson Microelectronics Plc Low noise op amp
US20090028224A1 (en) * 2005-03-10 2009-01-29 Niigata Seimitsu Co., Ltd. Semiconductor device
US7587224B2 (en) * 2005-12-21 2009-09-08 Broadcom Corporation Reconfigurable topology for receiver front ends
FI20075275A0 (en) * 2007-04-19 2007-04-19 Nokia Corp RF transkonduktanssituloaste
US20090088124A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-02 Nanoamp Solutions, Inc. (Cayman) Radio Frequency Receiver Architecture
DE102008018871B4 (en) * 2008-04-14 2010-10-07 Atmel Automotive Gmbh Receiver circuit, method for receiving a signal and use of a detection circuit and a control circuit

Family Cites Families (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3675144A (en) * 1969-09-04 1972-07-04 Rca Corp Transmission gate and biasing circuits
US4105874A (en) 1977-03-01 1978-08-08 Siemens Aktiengesellschaft Centrally controlled electronic telephone system having a customer memory for storing information on two or more different subscriber stations and peripheral equipment-specific information
US4142114A (en) * 1977-07-18 1979-02-27 Mostek Corporation Integrated circuit with threshold regulation
JPS5530862A (en) * 1978-08-25 1980-03-04 Seiko Instr & Electronics Ltd Method of making semiconductor device
JPS5763925A (en) 1980-10-06 1982-04-17 Nec Corp Transmitter for time-division multiplex radio communication
SU1331277A1 (en) 1983-08-15 1996-12-10 В.И. Бабуров Pulse-operated radio receiver
EP0163461B1 (en) * 1984-05-29 1991-05-02 John S. Donovan Non biased push-pull amplifiers
JPS6387010A (en) 1986-09-30 1988-04-18 Toshiba Corp Digital tuning circuit
GB2201559A (en) * 1987-01-23 1988-09-01 Gen Electric Plc Electrical signal mixer circuit
KR890003217B1 (en) 1987-02-24 1989-08-26 삼성전자 주식회사 Process adapted to the manufacture of d-ram
JPS63246021A (en) 1987-03-31 1988-10-13 Citizen Watch Co Ltd Tuner
US4897662A (en) * 1988-12-09 1990-01-30 Dallas Semiconductor Corporation Integrated circuit with wireless freshness seal
JPH02222309A (en) * 1989-02-23 1990-09-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd Balanced modulator
US4979230A (en) * 1989-12-04 1990-12-18 General Instrument Corporation Up-conversion homodyne receiver for cable television converter with frequency offset to avoid adjacent channel interference
US5585288A (en) * 1990-07-16 1996-12-17 Raytheon Company Digital MMIC/analog MMIC structures and process
JP2679889B2 (en) * 1990-07-19 1997-11-19 株式会社テック Wireless communication device and reception control method of the device
US6320429B1 (en) * 1991-06-28 2001-11-20 Fuji Electric Co., Ltd. Integrated circuit having a comparator circuit including at least one differential amplifier
US5248627A (en) 1992-03-20 1993-09-28 Siliconix Incorporated Threshold adjustment in fabricating vertical dmos devices
DE69328743T2 (en) * 1992-03-30 2000-09-07 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JPH05335855A (en) * 1992-05-29 1993-12-17 Sanyo Electric Co Ltd Radio receiver
US5407849A (en) * 1992-06-23 1995-04-18 Imp, Inc. CMOS process and circuit including zero threshold transistors
JP3197956B2 (en) * 1992-09-21 2001-08-13 富士通株式会社 Semiconductor integrated circuit
JPH06283675A (en) * 1993-03-25 1994-10-07 Sony Corp Manufacture of semiconductor device
JPH06309477A (en) * 1993-04-27 1994-11-04 Toshiba Corp Analog multiplier and detection circuit using the multiplier
US5465418A (en) * 1993-04-29 1995-11-07 Drexel University Self-oscillating mixer circuits and methods therefor
KR0137105B1 (en) * 1993-06-17 1998-04-29 모리시다 요이치 Data-trasmission circuit, data-line driving circuit, amplifying circuit, semiconductor integrated circuit and semiconductor memory
US5379457A (en) * 1993-06-28 1995-01-03 Hewlett-Packard Company Low noise active mixer
JP3143277B2 (en) * 1993-07-21 2001-03-07 株式会社日立製作所 Differential MOS transmission circuit
EP0637073A1 (en) * 1993-07-29 1995-02-01 STMicroelectronics S.r.l. Process for realizing low threshold P-channel MOS transistors for complementary devices (CMOS)
JP3227983B2 (en) * 1993-09-10 2001-11-12 ソニー株式会社 Semiconductor device and manufacturing method thereof
EP0653843A3 (en) * 1993-11-17 1996-05-01 Hewlett Packard Co Adaptive threshold voltage CMOS circuits.
DE69434903T2 (en) * 1993-11-29 2007-04-26 Fujitsu Ltd., Kawasaki Electronic system for terminating bus lines
JP3043250B2 (en) * 1993-12-27 2000-05-22 ヒュンダイ エレクトロニクス アメリカ Analog output drive circuit for gate array
JPH07235952A (en) * 1993-12-28 1995-09-05 Oki Electric Ind Co Ltd Signal transmission circuit and signal transmission equipment using the same
US5441906A (en) 1994-04-04 1995-08-15 Motorola, Inc. Insulated gate field effect transistor having a partial channel and method for fabricating
US5600275A (en) * 1994-04-29 1997-02-04 Analog Devices, Inc. Low-voltage CMOS comparator with offset cancellation
US5760449A (en) * 1994-05-31 1998-06-02 Welch; James D. Regenerative switching CMOS system
US5559050A (en) 1994-06-30 1996-09-24 International Business Machines Corporation P-MOSFETS with enhanced anomalous narrow channel effect
US6194945B1 (en) * 1994-07-15 2001-02-27 Unisys Corporation Dual threshold digital receiver with large noise margin
US5506544A (en) * 1995-04-10 1996-04-09 Motorola, Inc. Bias circuit for depletion mode field effect transistors
KR970004074A (en) * 1995-06-05 1997-01-29 빈센트 비. 인그라시아 Insulated gate field effect transistor and its manufacturing method
US5532637A (en) * 1995-06-29 1996-07-02 Northern Telecom Limited Linear low-noise mixer
JPH0927597A (en) 1995-07-12 1997-01-28 Sony Corp Semiconductor device and its manufacture
JPH0927594A (en) 1995-07-13 1997-01-28 Hitachi Ltd High-frequency monolithic integrated circuit
US5708391A (en) * 1996-05-02 1998-01-13 Altmann; Michael High frequency differential filter with CMOS control
DE69738894D1 (en) * 1996-03-13 2008-09-25 Symbol Technologies Inc Radio transceivers and modules therefor
FR2746228A1 (en) * 1996-03-13 1997-09-19 Philips Electronics Nv SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A RING MIXER
US5758274A (en) * 1996-03-13 1998-05-26 Symbol Technologies, Inc. Radio frequency receiver with automatic gain control
JP3693751B2 (en) * 1996-05-20 2005-09-07 株式会社ルネサステクノロジ High impedance detection circuit and interface circuit
FR2751811B1 (en) * 1996-07-24 1998-10-09 Matra Communication DIGITAL DEMODULATION PROCESS
US5838117A (en) * 1997-02-28 1998-11-17 General Electric Company Ballast circuit with synchronization and preheat functions
US5966032A (en) * 1996-09-27 1999-10-12 Northern Telecom Limited BiCMOS transceiver (driver and receiver) for gigahertz operation
US5923184A (en) * 1996-12-23 1999-07-13 Motorola, Inc. Ferroelectric transistor logic functions for programming
US5886562A (en) * 1996-12-26 1999-03-23 Motorola, Inc. Method and apparatus for synchronizing a plurality of output clock signals generated from a clock input signal
US5757215A (en) * 1997-03-10 1998-05-26 Vtc Inc. Common-gate pre-driver for disc drive write circuit
JPH1155089A (en) * 1997-07-29 1999-02-26 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor gate circuit
US6297686B1 (en) * 1999-05-28 2001-10-02 Winbond Electronics Corporation Semiconductor integrated circuit for low-voltage high-speed operation
US6897795B2 (en) * 2003-03-28 2005-05-24 Ess Technology Audio digital to analog converter with harmonic suppression

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5963094A (en) Monolithic class AB shunt-shunt feedback CMOS low noise amplifier having self bias
US6850753B2 (en) Tunable low noise amplifier and current-reused mixer for a low power RF application
RU99119093A (en) RADIO-ORIENTED STRUCTURE
US5551076A (en) Circuit and method of series biasing a single-ended mixer
GB2203008A (en) Duty-cycle stabilised mos oscillator
US7113008B2 (en) Frequency mixing apparatus
KR100686413B1 (en) Digital radio transceiver
CA2193153C (en) An efficient rf cmos amplifier with increased transconductance
US5323123A (en) Integrated circuit having a variable-gain amplifier
US6411801B1 (en) Double balanced active mixer
US6665528B2 (en) Dual band fet mixer
US7379727B2 (en) RF front-end receiver
US5748049A (en) Multi-frequency local oscillators
US20090033404A1 (en) Broadband cascode mixer
KR100281065B1 (en) Frequency mixer of cascode-type
JPH0629811A (en) Fet switch
KR100262455B1 (en) Negative self-bias circuit for fet mixers
JPH11261396A (en) High-frequency switch device
JPH0837425A (en) Low distortion mixer
JP4572032B2 (en) Frequency conversion circuit
JP2000068750A (en) Mos mixer circuit
JPS5916416A (en) Voltage level adjuster
KR960025269A (en) UHF Band Ultra High Frequency Monolithic Source Mixer Circuit for Receiver