RU97103750A - Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката - Google Patents
Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силикатаInfo
- Publication number
- RU97103750A RU97103750A RU97103750/25A RU97103750A RU97103750A RU 97103750 A RU97103750 A RU 97103750A RU 97103750/25 A RU97103750/25 A RU 97103750/25A RU 97103750 A RU97103750 A RU 97103750A RU 97103750 A RU97103750 A RU 97103750A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- crystal
- seed
- melt
- growing
- lantangallium
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000001681 protective Effects 0.000 claims 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N silicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Claims (2)
1. Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом Чохральского, включающий загрузку в тигель предварительно синтезированного материала, соответствующего составу La3Ga5SiO14, создание защитной атмосферы, последующее расплавление материала, введение вращающегося затравочного ориентировачного кристалла в контакт с поверхностью расплава, вытягивание ориетированного кристалла из расплава, отличающийся тем, что перед введением затравочного кристалла в контакт расплавленный материал выдерживают в течение 2-15 ч, защитную атмосферу создают с использованием смеси аргона или азота с добавлением воздуха в количестве 2-15 об.% при общем давлении 1,10-1,80 атм., которое перед контактированием затравочного кристалла с расплавом уменьшают до значения из диапазона 1,00-1,09 атм.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что затравочный ориентированный кристалл вращают с частотой 20-35 оборотов в минуту.
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU97103750A RU2108418C1 (ru) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката |
| US09/380,998 US6302956B1 (en) | 1997-03-12 | 1997-12-30 | Langasite wafer and method of producing same |
| KR1019997008306A KR100345020B1 (ko) | 1997-03-12 | 1997-12-30 | 랑가사이트 웨이퍼 및 이의 제조 방법 |
| PCT/RU1997/000426 WO1998040544A1 (fr) | 1997-03-12 | 1997-12-30 | Plaque de silicate de lanthane-gallium et procede de fabrication |
| CNB971820767A CN1156615C (zh) | 1997-03-12 | 1997-12-30 | 硅酸镧镓晶片及其制备方法 |
| DE69721580T DE69721580T2 (de) | 1997-03-12 | 1997-12-30 | Lanthan gallium silikatscheibe und deren herstellung |
| EP97954006A EP0989212B1 (en) | 1997-03-12 | 1997-12-30 | Lanthanum gallium silicate disc and its preparation method |
| JP53948898A JP3502394B2 (ja) | 1997-03-12 | 1997-12-30 | ランガサイト・ウェファーおよびその製造方法 |
| AU57842/98A AU5784298A (en) | 1997-03-12 | 1997-12-30 | Lanthanum gallium silicate disc and its preparation method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU97103750A RU2108418C1 (ru) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2108418C1 RU2108418C1 (ru) | 1998-04-10 |
| RU97103750A true RU97103750A (ru) | 1998-09-20 |
Family
ID=20190709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU97103750A RU2108418C1 (ru) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2108418C1 (ru) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999061686A1 (fr) * | 1998-05-22 | 1999-12-02 | Tovarischestvo S Ogranichennoi Otvetstvennostiju Firma 'fomos' | Procede de production de monocristaux de silicate a base de lanthane et de gallium |
| US6514336B1 (en) | 2000-10-12 | 2003-02-04 | Utar Scientific, Inc. | Method of growing piezoelectric lanthanide gallium crystals |
| US11674239B2 (en) * | 2020-02-27 | 2023-06-13 | Fujikoshi Machinery Corp. | Gallium oxide crystal manufacturing device |
-
1997
- 1997-03-12 RU RU97103750A patent/RU2108418C1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0389533A4 (en) | Sublimation growth of silicon carbide single crystals | |
| EP0671490B1 (en) | Method of and crucible for preparing compound semiconductor crystal | |
| US4534821A (en) | Single crystal growing of rare earth-gallium garnet | |
| US4944925A (en) | Apparatus for producing single crystals | |
| RU97103750A (ru) | Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката | |
| KR20040089737A (ko) | 단결정 ｉｉ-ｖｉ및 ｉｉｉ-ｖ족 화합물들을 성장시키기위한 장치 | |
| RU98113240A (ru) | Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката | |
| RU97115565A (ru) | Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката | |
| US4614672A (en) | Liquid phase epitaxy (LPE) of silicon carbide | |
| JP3656266B2 (ja) | 化合物半導体結晶の製造方法及び製造用るつぼ | |
| CA2307584C (en) | Charge for vertical boat growth process and use thereof | |
| US4046954A (en) | Monocrystalline silicates | |
| RU2108418C1 (ru) | Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката | |
| RU2126064C1 (ru) | Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката | |
| WO2002057518A3 (en) | Apparatus and process for the preparation of low-iron_contamination single crystal silicon | |
| JP3567662B2 (ja) | 単結晶成長方法及びその装置 | |
| RU2156327C2 (ru) | Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката | |
| JPH069290A (ja) | 化合物半導体単結晶の成長方法 | |
| EP4324961A1 (en) | Method for producing a bulk sic single crystal with improved quality using a sic seed crystal with a temporary protective oxide layer, and sic seed crystal with protective oxide layer | |
| RU2108417C1 (ru) | Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката | |
| RU2152462C1 (ru) | Способ выращивания сложных редкоземельных галлийсодержащих оксидов | |
| JP2000007499A (ja) | ランガサイト単結晶育成方法 | |
| JPH0524979A (ja) | 化合物半導体結晶製造装置 | |
| JP2739546B2 (ja) | 硼酸リチウム単結晶の製造方法 | |
| JP3158661B2 (ja) | 高解離圧単結晶の製造方法及び製造装置 |