RU94044183A - Устройство для выращивания монокристаллов - Google Patents

Устройство для выращивания монокристаллов

Info

Publication number
RU94044183A
RU94044183A RU94044183/25A RU94044183A RU94044183A RU 94044183 A RU94044183 A RU 94044183A RU 94044183/25 A RU94044183/25 A RU 94044183/25A RU 94044183 A RU94044183 A RU 94044183A RU 94044183 A RU94044183 A RU 94044183A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
melt
heater
crystals
crucible
located above
Prior art date
Application number
RU94044183/25A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2081948C1 (ru
Inventor
В.Ю. Жвирблянский
Р.И. Спорыхин
А.В. Елютин
Г.А. Золотова
Original Assignee
Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" filed Critical Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет"
Priority to RU94044183A priority Critical patent/RU2081948C1/ru
Publication of RU94044183A publication Critical patent/RU94044183A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2081948C1 publication Critical patent/RU2081948C1/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологии получения кристаллов методом Чохральского с использованием подпитки расплава исходным материалом и обеспечивает повышение выхода бездислокационных кристаллов и снижение расхода электроэнергии. Устройство содержит камеру роста, тигель для расплава с разделительным кольцом, нагреватель и средство подпитки расплава. Нагреватель имеет выступ в виде кольца, расположенного над расплавом. Передача тепла к расплаву в зоне подачи гранул происходит непосредственным излучением. При этом повышается симметрия теплового поля в расплаве.

Claims (1)

  1. Изобретение относится к технологии получения кристаллов методом Чохральского с использованием подпитки расплава исходным материалом и обеспечивает повышение выхода бездислокационных кристаллов и снижение расхода электроэнергии. Устройство содержит камеру роста, тигель для расплава с разделительным кольцом, нагреватель и средство подпитки расплава. Нагреватель имеет выступ в виде кольца, расположенного над расплавом. Передача тепла к расплаву в зоне подачи гранул происходит непосредственным излучением. При этом повышается симметрия теплового поля в расплаве.
RU94044183A 1994-12-14 1994-12-14 Устройство для выращивания монокристаллов RU2081948C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94044183A RU2081948C1 (ru) 1994-12-14 1994-12-14 Устройство для выращивания монокристаллов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94044183A RU2081948C1 (ru) 1994-12-14 1994-12-14 Устройство для выращивания монокристаллов

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU94044183A true RU94044183A (ru) 1996-12-20
RU2081948C1 RU2081948C1 (ru) 1997-06-20

Family

ID=20163199

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU94044183A RU2081948C1 (ru) 1994-12-14 1994-12-14 Устройство для выращивания монокристаллов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2081948C1 (ru)

Also Published As

Publication number Publication date
RU2081948C1 (ru) 1997-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU1058188A (en) Method of growing profiled monocrystals
GB827465A (en) Improvements in or relating to methods and apparatus for the manufacture of single crystals of a substance, for example a semi-conductor such as germanium or silicon
DK95687D0 (da) Fremgangsmaade til chargevis dyrkning af animalske celler
KR910006146A (ko) Ii-vi족 또는 iii-v족 모노크리스탈린 화합물의 제조방법 및 그 생성물
DE602005022316D1 (de) Vorrichtung zum ziehen von einkristallen aus einer schmelze
MY129966A (en) Method and device for producing monocrystals
RU94044183A (ru) Устройство для выращивания монокристаллов
CN106319633A (zh) 一种大尺寸高红外透过率CdS单晶生长方法
JPS54157780A (en) Production of silicon single crystal
Wenckus et al. Growth of high purity oxygen-free silicon by cold crucible techniques
JPS6418988A (en) Single crystal growth unit
Eyer et al. Preparatory experiments for the growth of silicon single crystals in the mirror heating facility of Spacelab
CN118241314A (zh) 一种CdZnTe晶体生长界面改善系统及方法
SU1570223A1 (ru) Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке
KR940021768A (ko) 망간-아연 페라이트 단결정 성장방법 및 그 장치
JPS57183393A (en) Apparatus for growing single crystal
SU1466275A1 (ru) Устройство для вытягивания кристаллов из расплава
CA2216998A1 (en) In-situ diffusion of dopant impurities during dendritic web growth of crystal ribbon
NL9100715A (nl) Reactor voor het kweken van algen.
JPS6479090A (en) Method for stabilizing growth of semiconductor single crystal
Naumann et al. Method and apparatus for growing crystals
Sugiki et al. Growth of a binary compound semiconductor of uniform compositions by the travelling liquidus zone method under 1 micro-g conditions
Indenbom Stresses, dislocations, and clusters in silicon
JPS5711896A (en) Production of single crystal
JPS6472991A (en) Production of single crystal of compound semiconductor

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20081215