RU94044183A - Устройство для выращивания монокристаллов - Google Patents
Устройство для выращивания монокристалловInfo
- Publication number
- RU94044183A RU94044183A RU94044183/25A RU94044183A RU94044183A RU 94044183 A RU94044183 A RU 94044183A RU 94044183/25 A RU94044183/25 A RU 94044183/25A RU 94044183 A RU94044183 A RU 94044183A RU 94044183 A RU94044183 A RU 94044183A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- melt
- heater
- crystals
- crucible
- located above
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии получения кристаллов методом Чохральского с использованием подпитки расплава исходным материалом и обеспечивает повышение выхода бездислокационных кристаллов и снижение расхода электроэнергии. Устройство содержит камеру роста, тигель для расплава с разделительным кольцом, нагреватель и средство подпитки расплава. Нагреватель имеет выступ в виде кольца, расположенного над расплавом. Передача тепла к расплаву в зоне подачи гранул происходит непосредственным излучением. При этом повышается симметрия теплового поля в расплаве.
Claims (1)
- Изобретение относится к технологии получения кристаллов методом Чохральского с использованием подпитки расплава исходным материалом и обеспечивает повышение выхода бездислокационных кристаллов и снижение расхода электроэнергии. Устройство содержит камеру роста, тигель для расплава с разделительным кольцом, нагреватель и средство подпитки расплава. Нагреватель имеет выступ в виде кольца, расположенного над расплавом. Передача тепла к расплаву в зоне подачи гранул происходит непосредственным излучением. При этом повышается симметрия теплового поля в расплаве.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU94044183A RU2081948C1 (ru) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | Устройство для выращивания монокристаллов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU94044183A RU2081948C1 (ru) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | Устройство для выращивания монокристаллов |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU94044183A true RU94044183A (ru) | 1996-12-20 |
RU2081948C1 RU2081948C1 (ru) | 1997-06-20 |
Family
ID=20163199
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU94044183A RU2081948C1 (ru) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | Устройство для выращивания монокристаллов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2081948C1 (ru) |
-
1994
- 1994-12-14 RU RU94044183A patent/RU2081948C1/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2081948C1 (ru) | 1997-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
AU1058188A (en) | Method of growing profiled monocrystals | |
GB827465A (en) | Improvements in or relating to methods and apparatus for the manufacture of single crystals of a substance, for example a semi-conductor such as germanium or silicon | |
DK95687D0 (da) | Fremgangsmaade til chargevis dyrkning af animalske celler | |
KR910006146A (ko) | Ii-vi족 또는 iii-v족 모노크리스탈린 화합물의 제조방법 및 그 생성물 | |
DE602005022316D1 (de) | Vorrichtung zum ziehen von einkristallen aus einer schmelze | |
MY129966A (en) | Method and device for producing monocrystals | |
RU94044183A (ru) | Устройство для выращивания монокристаллов | |
CN106319633A (zh) | 一种大尺寸高红外透过率CdS单晶生长方法 | |
JPS54157780A (en) | Production of silicon single crystal | |
Wenckus et al. | Growth of high purity oxygen-free silicon by cold crucible techniques | |
JPS6418988A (en) | Single crystal growth unit | |
Eyer et al. | Preparatory experiments for the growth of silicon single crystals in the mirror heating facility of Spacelab | |
CN118241314A (zh) | 一种CdZnTe晶体生长界面改善系统及方法 | |
SU1570223A1 (ru) | Способ синтеза монокристаллов алмаза на затравке | |
KR940021768A (ko) | 망간-아연 페라이트 단결정 성장방법 및 그 장치 | |
JPS57183393A (en) | Apparatus for growing single crystal | |
SU1466275A1 (ru) | Устройство для вытягивания кристаллов из расплава | |
CA2216998A1 (en) | In-situ diffusion of dopant impurities during dendritic web growth of crystal ribbon | |
NL9100715A (nl) | Reactor voor het kweken van algen. | |
JPS6479090A (en) | Method for stabilizing growth of semiconductor single crystal | |
Naumann et al. | Method and apparatus for growing crystals | |
Sugiki et al. | Growth of a binary compound semiconductor of uniform compositions by the travelling liquidus zone method under 1 micro-g conditions | |
Indenbom | Stresses, dislocations, and clusters in silicon | |
JPS5711896A (en) | Production of single crystal | |
JPS6472991A (en) | Production of single crystal of compound semiconductor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20081215 |