KR940021768A - 망간-아연 페라이트 단결정 성장방법 및 그 장치 - Google Patents

망간-아연 페라이트 단결정 성장방법 및 그 장치 Download PDF

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윤종용
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    • C30CRYSTAL GROWTH
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Abstract

본 발명은 연속공급식 브릿지만 법을 이용하여 망간-아연 페라이트 단결정을 성장시키는 경우 본체로의 하방으로 형성되는 보조로가 단결성 성장로의 본체로에 대해 순차적으로 결합 및 분리되도록 형성함으로써 성장로의 가동을 극대화시키고 수율이 향상된 단결정을 제조할 수 있도록 한 것으로, 본체로의 하방으로 형성되는 보조로에 장착된 도가니에 원료를 장입하여 용융시켜 잉곳을 성장시키는 단결정 성장방법에 있어서, 본체로의 하방으로 백금도가니를 장착한 보조로를 분리가능하게 장착시키는 결합단계 ; 백금도가니에 장입되는 원료를 용융시켜 성장되도록 도가니의 온도를 조절하는 성장단계 ; 및 잉곳의 성장완료후 본체로로부터 분리되는 보조로를 냉각장치에 장착시켜 잉곳을 서냉시키는 냉각단계로 구성됨을 특징으로 하는 망간-아연 페라이트 단결정 성장방법인 것이다.

Description

망간-아연 페라이트 단결정 성장방법 및 그 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 단결정 성장장치의 개략도,
제3도는 본 발명에 의한 제2도의 요부발췌 평면도,
제4도는 본 발명에 의한 단결정 성장장치의 냉각장치의 개략도이다.

Claims (5)

  1. 본체로의 하방으로 형성되는 보조로에 장착된 도가니에 원료를 장입하여 용융시켜 잉곳을 성장시키는 단결정 성장방법에 있어서, 본체로의 하방으로 백금도가니를 장착한 보조로를 분리가능하게 장착시키는 결합단계 ; 백금도가니에 장입되는 원료를 용융시켜 성장되도록 도가니의 온도를 조절하는 성장단계 ; 및 잉곳의 성장완료후 본체로부터 분리되는 보조로를 냉각장치에 장착시켜 잉곳을 서냉시키는 냉각단계로 구성됨을 특징으로 하는 망간-아연 페라이트 단결정 성장방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 냉각장치에 장착되는 보조로의 최대승온 온도는 1400℃로 예열되어 사용됨을 특징으로 하는 망간-아연 페라이트 단결정 성장방법.
  3. 발열체가 형성된 본체로의 하방으로 도가니가 내장되는 보조로가 형성되며 보조로의 하방에 형성된 단열재에 봉합되는 지지봉이 장착된 평판이 구동수단에 의해 상, 하이동되는 단결정 성장장치에 있어서, 상기 본체로(11)의 수개의 보조로(13)(13A)를 순차적으로 결합, 분리가능토록 축(19)에 장착시키되, 상기 보조로(13)는 축(19)에 형성된 구동수단에 의해 본체로(11)에 결합분리되고 동시에 보조로(13) 하방에 형성된 구동수단에 의해 본체로(11)에 봉합되며, 본체로(11)로부터 분리되는 보조로(13)와 결합되어 잉곳을 서냉시키는 냉각장치(39)가 보조로(13)의 회전 원주상에 형성됨을 특징으로 하는 망간-아연 페라이트 단결정 성장 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 보조로(13)에 자바라식의 단열재(14)를 봉합시키는데 유압실린더(37)(38)가 사용됨을 특징으로 하는 망간-아연 페라이트 단결정 성장장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 보조로(13)의 상, 하면에 십자방향으로 형성된 요홈(26)(27)과 이와 대응되도록 본체로(11) 및 단열재(14)에 형성된 플랜지(31)(33)에 형성된 돌기(28)(29)가 끼워맞춤되어 본체로(11)와 단열재(14)사이에 보조로(13)가 결합됨을 특징으로 하는 망간-아연 페라이트 단결정 성장장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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