RU94000373A - METHOD OF FORMING SILICON EPITAXIAL STRUCTURES - Google Patents

METHOD OF FORMING SILICON EPITAXIAL STRUCTURES

Info

Publication number
RU94000373A
RU94000373A RU94000373/25A RU94000373A RU94000373A RU 94000373 A RU94000373 A RU 94000373A RU 94000373/25 A RU94000373/25 A RU 94000373/25A RU 94000373 A RU94000373 A RU 94000373A RU 94000373 A RU94000373 A RU 94000373A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
working
epitaxial structures
resistivity
silicon epitaxial
Prior art date
Application number
RU94000373/25A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2059326C1 (en
Inventor
Л.М. Жилин
В.А. Матовников
В.В. Бурьба
П.К. Натарин
Ю.Ф. Шеин
Original Assignee
Акционерное общество "Кремний"
Filing date
Publication date
Application filed by Акционерное общество "Кремний" filed Critical Акционерное общество "Кремний"
Priority to RU94000373A priority Critical patent/RU2059326C1/en
Priority claimed from RU94000373A external-priority patent/RU2059326C1/en
Publication of RU94000373A publication Critical patent/RU94000373A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2059326C1 publication Critical patent/RU2059326C1/en

Links

Claims (1)

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления эпитаксиальных структур для производства полупроводниковых приборов. Сущность предлагаемого способа создания эпитаксиальных структур состоит в том, что для предотвращения появления прослоек в рабочем эпитаксиальном слое перед наращиванием рабочего высокоомного слоя на подложку n+-типа наращивают первый дополнительный слой толщиной d1 = 0,5 - 5 мкм и удельным сопротивлением ρ1= (1-50)ρо.с, затем второй дополнительный слой толщиной
Figure 00000001
и удельным сопротивлением ρ2= (0,02-2)ρр.с, где ρо.с - удельное сопротивление опорного слоя ( подложки );
Figure 00000002
- расчетная или экспериментальная суммарная глубина диффузии фосфора в рабочий слой; ρр.с - удельное сопротивление рабочего слоя. Первый дополнительный слой формируют в опорном слое ионным легированием и/или диффузией.The invention relates to semiconductor technology, in particular to the technology of manufacturing epitaxial structures for the production of semiconductor devices. The essence of the proposed method of creating epitaxial structures is that in order to prevent the appearance of interlayers in the working epitaxial layer, before building the working high-resistance layer onto an n + -type substrate, the first additional layer with thickness d 1 = 0.5 - 5 μm and resistivity ρ 1 = (1-50) ρ o.s. , then the second additional layer thickness
Figure 00000001
and the specific resistance ρ 2 = (0,02-2) ρ RS, where ρ o.s - resistivity of the support layer (substrate);
Figure 00000002
- calculated or experimental total depth of phosphorus diffusion into the working layer; ρ RS - the resistivity of the working layer. The first additional layer is formed in the support layer by ion doping and / or diffusion.
RU94000373A 1994-01-06 1994-01-06 Method for producing silicon epitaxial structures RU2059326C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94000373A RU2059326C1 (en) 1994-01-06 1994-01-06 Method for producing silicon epitaxial structures

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94000373A RU2059326C1 (en) 1994-01-06 1994-01-06 Method for producing silicon epitaxial structures

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU94000373A true RU94000373A (en) 1995-09-20
RU2059326C1 RU2059326C1 (en) 1996-04-27

Family

ID=20151184

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU94000373A RU2059326C1 (en) 1994-01-06 1994-01-06 Method for producing silicon epitaxial structures

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2059326C1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2606809C1 (en) * 2015-10-06 2017-01-10 Акционерное общество "Эпиэл" Silicon epitaxial structure producing method
RU2646422C1 (en) * 2016-12-02 2018-03-05 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" Method of making semiconductor structure
RU2717144C1 (en) * 2019-05-13 2020-03-18 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) Semiconductor device manufacturing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0768715A3 (en) Graded-channel semiconductor device and method of manufacturing the same
FR2738394B1 (en) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
KR890007381A (en) Semiconductor device and manufacturing method
KR940022885A (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR960002872A (en) SOI substrate and its manufacturing method
GB1379975A (en) Methods of manufacturing a semiconductor device comprising a voltagedependant capacitance diode
RU94000373A (en) METHOD OF FORMING SILICON EPITAXIAL STRUCTURES
EP0766323A3 (en) Light-receiving element
JPS57172778A (en) Solar battery
EP0046257A1 (en) Semiconductor device
JPS5785259A (en) Light drive type thyristor
KR910013476A (en) Transistor having triple base structure and manufacturing method thereof
JPH04177770A (en) Variable capacitance diode and its manufacture
JPH0518470B2 (en)
KR880009444A (en) Manufacturing Method of Semiconductor Device
JPH0382160A (en) Manufacture of semiconductor device
EP0391420A3 (en) Radiation resistant semiconductor structure
JPS54154282A (en) Semiconductor device
JPS5538082A (en) Formation for buried layer of semiconductor device
KR920007252A (en) Manufacturing method of unity silicon solar cell
JPS6490569A (en) Photodetector
KR970030289A (en) Method of fabricating semiconductor device
JPS62202567A (en) Optical sensor and manufacture of the same
KR970054542A (en) Diode manufacturing method with fast switching and slow reverse recovery
JPH02111079A (en) High voltage semiconductor device and its manufacture