Claims (5)
실리콘 기판(21)상에 절연막(22)을 형성하는 공정과, 절연막(22)상에 다결정 실리콘막(23)을 증착하는 공정과, 비저항이 낮은 소자가 형성될 부분의 다결정 실리콘막(23)상에 블록킹층(24)을 형성하는 공정과, 다결정 실리콘막(23)으로 불순물을 도핑시켜 상부에 블록킹층이 형성된 부분과 그 이외의 부분간에 서로 다른 비저항을 갖는 다결정 실리콘막(23)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.A process of forming the insulating film 22 on the silicon substrate 21, the process of depositing the polycrystalline silicon film 23 on the insulating film 22, and the polycrystalline silicon film 23 of the part where a low resistivity element is to be formed. Forming a blocking layer 24 thereon, and forming a polycrystalline silicon film 23 having different resistivity between a portion where the blocking layer is formed and other portions by doping impurities with the polycrystalline silicon film 23. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the step of.
제1항에 있어서, 블록킹층(14)은 다결정 실리콘막에 비하여 도핑시키고자 하는 불순물의 확산이 잘이루어지지 않는 물질이 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the blocking layer (14) is made of a material which is less prone to diffusion of impurities to be doped than a polycrystalline silicon film.
제2항에 있어서, 블록킹층(14)으로 질화막, 또는 산화막중 하나가 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein a nitride film or an oxide film is used as the blocking layer (14).
제1항에 있어서, 블록킹층(14)의 두께는 도핑시키고자 하는 다결정 실리콘막(23)의 농도에 반비례하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the thickness of the blocking layer (14) is inversely proportional to the concentration of the polycrystalline silicon film (23) to be doped.
실리콘 기판(31)상에 절연막(12)을 형성하는 공정과, 절연막(12)상에 다결정 실리콘막(13)을 형성하는 공정과, 다결정 실리콘막의 전면상에 블록킹층(14)을 형성하는 공정과, 기판의 전편 및 이면으로 동시에 불순물을 이온주입하여 다결정 실리콘막(13)은 상대적으로 저농도로 도핑시킴과 동시에, 기판의 이면내에는 상대적으로 고농도의 게터링용 불순물 영역(16)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.Forming an insulating film 12 on the silicon substrate 31, forming a polycrystalline silicon film 13 on the insulating film 12, and forming a blocking layer 14 on the entire surface of the polycrystalline silicon film. And simultaneously implanting impurities into the front and rear surfaces of the substrate to dop the polycrystalline silicon film 13 at a relatively low concentration, and to form a relatively high concentration of gettering impurity region 16 on the back surface of the substrate. A method of manufacturing a semiconductor device comprising the step.