RU63122U1 - Установка для обработки полупроводниковых пластин - Google Patents
Установка для обработки полупроводниковых пластин Download PDFInfo
- Publication number
- RU63122U1 RU63122U1 RU2006146031/22U RU2006146031U RU63122U1 RU 63122 U1 RU63122 U1 RU 63122U1 RU 2006146031/22 U RU2006146031/22 U RU 2006146031/22U RU 2006146031 U RU2006146031 U RU 2006146031U RU 63122 U1 RU63122 U1 RU 63122U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- chamber
- semiconductor wafers
- holders
- additional
- vacuum chamber
- Prior art date
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к вакуумной технике для обработки полупроводниковых пластин и может быть использована для проведения процесса плазменного травления полупроводниковых пластин или процесса нанесения диэлектрических пленок и напыления металлов.
В установке для обработки полупроводниковых пластин, включающей вакуумную и шлюзовую камеры, сопряженные герметичной шиберной задвижкой, в шлюзовой камере размещен накопитель с держателями укрепленных на них полупроводниковых пластин, в вакуумной камере размещены нижний и верхний электроды и средство подачи газа, при этом установка также содержит манипулятор держателей полупроводниковых пластин и захват этих держателей, новым является то, что установка снабжена дополнительной вакуумной камерой, сопряженной со шлюзовой камерой посредством дополнительной шиберной задвижки, при этом в шлюзовой камере размещен дополнительный манипулятор, а в дополнительной вакуумной камере установлен электронно-лучевой испаритель металлов.
В результате повышается качество обрабатываемой в установке полупроводниковой пластины за счет уменьшения количества дефектов ее поверхности в случае, когда осуществляется процесс обработки пластины путем нанесения на нее металла в сочетании с плазменным травлением и/или нанесением диэлектрической пленки.
Description
Полезная модель относится к вакуумной технике для обработки полупроводниковых пластин и может быть использована для проведения процесса плазменного травления полупроводниковых пластин или процесса нанесения диэлектрических пленок и напыления металлов.
Известна установка для плазменного травления полупроводниковых пластин, содержащая вакуумную камеру, электроды, устройство подачи газа для формирования плазмы в вакуумной камере и держатель полупроводниковых пластин, US 5717294.
Недостатком этой установки является отсутствие шлюзовой камеры, что является причиной разгерметизации вакуумной камеры при вводе в нее каждого отдельного держателя с полупроводниковой пластиной. Это приводит не только к увеличению продолжительности процесса, но и к интенсивному загрязнению вакуумной камеры. Кроме того, эта установка не позволяет осуществить напыление металла на полупроводниковую пластину.
Известна установка для обработки полупроводниковых пластин путем плазменного травления и/или нанесения на них диэлектрических пленок.
Установка включает вакуумную камеру и шлюзовую камеру, которые разделены герметичной задвижкой. В шлюзовой камере размещен накопитель с держателями укрепленных на них полупроводниковых пластин. В вакуумной камере размещены нижний и верхний электроды и средство подачи газа; установка также содержит средство (манипулятор) для перемещения держателей из шлюзовой камеры в вакуумную камеру и захват держателей, US 4816638.
Данная установка принята в качестве прототипа настоящей полезной модели. Ее недостатком является то обстоятельство, что в ней наряду с осуществлением процессов плазменного травления полупроводниковых пластин и/или нанесения на них диэлектрических пленок, невозможно провести процесс напыления металла на поверхность полупроводниковой пластины. Для осуществления последнего процесса после плазменного травления и/или нанесения на них диэлектрических пленок, пластины приходится извлекать из установки в атмосферу и перемещать в специальную камеру для напыления металла. При этом на поверхность полупроводниковой пластины оседают взвешенные в воздухе частицы, что существенно ухудшает ее качество ввиду образования дефектов на ее поверхности.
Задачей настоящей полезной модели является повышение качества обрабатываемой в установке полупроводниковой пластины за счет уменьшения количества дефектов ее поверхности в случае, когда осуществляется процесс обработки пластины путем нанесения на нее металла в сочетании с плазменным травлением и/или нанесением диэлектрической пленки.
Согласно полезной модели эта задача решается за счет того, что в установке для обработки полупроводниковых пластин, включающей вакуумную и шлюзовую камеры, сопряженные герметичной шиберной задвижкой, в шлюзовой камере размещен накопитель с держателями укрепленных на них полупроводниковых пластин, в вакуумной камере размещены нижний и верхний электроды и средство подачи газа, при этом установка также содержит манипулятор держателей полупроводниковых пластин и захват этих держателей, новым является то, что установка снабжена дополнительной вакуумной камерой, сопряженной со шлюзовой камерой посредством дополнительной шиберной задвижки, при этом в шлюзовой камере размещен дополнительный манипулятор, а в дополнительной вакуумной камере установлен электронно-лучевой испаритель металлов.
Сущность полезной модели поясняется чертежами, где изображено:
на фиг.1 - установка в плане;
на фиг.2 - разрез А-А на фиг.1;
на фиг.3 - разрез В-В на фиг.1.
Установка включает вакуумную камеру 1 и шлюзовую камеру 2, разделенные герметичной шиберной задвижкой 3. В шлюзовой камере 2 размещен накопитель 4 с держателями 5 укрепленных ни них полупроводниковых пластин 6. В вакуумной камере 1 размещены нижний 7 и верхний 8 электроды и средство 9 подачи газа, с помощью которых осуществляется травление полупроводниковых пластин или нанесение на них диэлектрических пленок. Средство 9 представляет собой штуцер. Нагреватель 10 служит для нагрева полупроводниковой пластины. Установка содержит манипулятор 11 держателей 5 с полупроводниковыми пластинами 6, который осуществляет перемещение держателей 5 из шлюзовой камеры 2 в вакуумную камеру 1 и обратно. На верхнем электроде 8 укреплен захват 12 для фиксации держателей 5 с полупроводниковыми пластинами 6. Захват представляет собой параллельные друг другу штанги с приводом 13 и консолями, на которые опираются держатели 5 с пластинами 6. Для ввода и вывода в шлюзовую камеру 2 держателей 5 предназначено окно 14 с герметичной крышкой (не показана). Установка снабжена дополнительной вакуумной камерой 15, сопряженной со шлюзовой камерой 2 посредством дополнительной шиберной задвижки 16. В шлюзовой камере 2 размещен дополнительный манипулятор 17, в дополнительной вакуумной камере 15 установлен электронно-лучевой испаритель 18 металлов.
Установка работает следующим образом. Открывают окно 14 шлюзовой камеры 2, при этом шиберная задвижка 3 закрыта, и
устанавливают на накопитель 4 необходимое количество держателей 5 с полупроводниковыми пластинами 6, после чего закрывают окно 14. С помощью приводов 13 опускают захваты 12 в необходимое для установки держателя 5 положение. С помощью манипулятора 11 снимают с накопителя 4 один из держателей 5 с полупроводниковой пластиной 6 и открывают шиберную задвижку 3. С помощью манипулятора 11 перемещают держатель 5 с полупроводниковой пластиной 6 в вакуумную камеру 1 и размещают в захватах 12. После этого перемещают манипулятор 11 в шлюзовую камеру 2; закрывают шиберную задвижку 3. Затем поднимают с помощью приводов 13 установленный в захватах 12 держатель 5 с полупроводниковой пластиной 6 на необходимую для проведения процесса высоту. Включают нагреватель 10 и устанавливают требуемую температуру полупроводниковой пластины. Через средство 9 подачи газа (штуцер) подают необходимый для процесса газ в вакуумную камеру 1. Подают напряжение на электроды 7, 8 и проводят процесс плазменного травления, или процесс образования диэлектрических пленок, или оба процесса последовательно. После окончания процесса с помощью приводов 13 опускают захваты 12 в необходимое для снятия держателя положение, после этого открывают шиберную задвижку 3, с помощью манипулятора 11 снимают держатель 5 с полупроводниковой пластиной 6 с захватов 12 и перемещают его из вакуумной камеры 1 в шлюзовую камеру 2; закрывают шиберную задвижку 3, держатель 5 с полупроводниковой пластиной 6 устанавливают
обратно на накопитель 4 и снимают с накопителя следующий держатель 5 с полупроводниковой пластиной 6. Когда все пластины 6 будут подвергнуты требуемой обработке в камере 1, открывают шиберную задвижку 16, с помощью дополнительного манипулятора 17 перемещают один из держателей 5 в дополнительную вакуумную камеру 15 и устанавливают на захваты 19, снабженные приводом 20. Полупроводниковую пластину 6, установленную на держателе 5, нагревают с помощью нагревателя 21 до заданной температуры. Напыление на полупроводниковую пластину 6 металла осуществляют с помощью электронно-лучевого испарителя 18 металлов. По окончании обработки всех полупроводниковых пластин 6 их извлекают из шлюзовой камеры 2 через окно 14 при закрытой задвижке 16.
Таким образом, вся обработка полупроводниковых пластин происходит в изолированном от атмосферы объеме, что предотвращает оседание на них взвешенных в воздухе частиц и, соответственно, улучшает качество продукции.q
Claims (1)
- Установка для обработки полупроводниковых пластин, включающая вакуумную и шлюзовую камеры, сопряженные герметичной шиберной задвижкой, в шлюзовой камере размещен накопитель с держателями укрепленных на них полупроводниковых пластин, в вакуумной камере размещены нижний и верхний электроды и средство подачи газа, при этом установка также содержит манипулятор держателей полупроводниковых пластин и захват этих держателей, отличающаяся тем, что снабжена дополнительной вакуумной камерой, сопряженной со шлюзовой камерой посредством дополнительной шиберной задвижки, при этом в шлюзовой камере размещен дополнительный манипулятор, а в дополнительной вакуумной камере установлен электронно-лучевой испаритель металлов.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2006146031/22U RU63122U1 (ru) | 2006-12-15 | 2006-12-15 | Установка для обработки полупроводниковых пластин |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2006146031/22U RU63122U1 (ru) | 2006-12-15 | 2006-12-15 | Установка для обработки полупроводниковых пластин |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU63122U1 true RU63122U1 (ru) | 2007-05-10 |
Family
ID=38108464
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2006146031/22U RU63122U1 (ru) | 2006-12-15 | 2006-12-15 | Установка для обработки полупроводниковых пластин |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU63122U1 (ru) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU191199U1 (ru) * | 2019-04-26 | 2019-07-29 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Блок фиксации нагреваемой подложки в вакуумной камере с плоско-пружинными зажимами фиксирующих керамических пластин |
EA033207B1 (ru) * | 2017-07-18 | 2019-09-30 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Изовак" | Манипулятор вакуумной камеры |
RU2723477C1 (ru) * | 2019-04-26 | 2020-06-11 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Узел фиксации нагреваемой подложки в вакуумной камере (варианты) |
-
2006
- 2006-12-15 RU RU2006146031/22U patent/RU63122U1/ru active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EA033207B1 (ru) * | 2017-07-18 | 2019-09-30 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Изовак" | Манипулятор вакуумной камеры |
RU191199U1 (ru) * | 2019-04-26 | 2019-07-29 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Блок фиксации нагреваемой подложки в вакуумной камере с плоско-пружинными зажимами фиксирующих керамических пластин |
RU2723477C1 (ru) * | 2019-04-26 | 2020-06-11 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" | Узел фиксации нагреваемой подложки в вакуумной камере (варианты) |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6713413B2 (ja) | 低圧ツール交換を可能にする原子層堆積処理チャンバ | |
US6184489B1 (en) | Particle-removing apparatus for a semiconductor device manufacturing apparatus and method of removing particles | |
US7615259B2 (en) | Method and apparatus for processing workpiece | |
JP3609448B2 (ja) | プラズマ処理装置とそれを駆動する方法 | |
CN109689930B (zh) | 用于原子层沉积的设备和方法 | |
RU63122U1 (ru) | Установка для обработки полупроводниковых пластин | |
TW201041069A (en) | Substrate processing apparatus | |
JPH06346245A (ja) | コーティング率を高める方法、プラズマ放電空間内の塵密度を減少させる方法およびプラズマチャンバ | |
KR100680239B1 (ko) | 성막장치 및 성막장치를 사용하는 성막시스템 | |
US5304405A (en) | Thin film deposition method and apparatus | |
JP3301408B2 (ja) | 半導体製造装置のパーティクル除去装置及びパーティクルの除去方法 | |
RU2293791C1 (ru) | Устройство для диффузионной металлизации в среде легкоплавких жидкометаллических растворов | |
WO2001001467A1 (fr) | Procede et appareil de traitement de la poussiere de particules fines indesirables dans un plasma | |
WO2008072996A1 (fr) | Dispositif de traitement de plaquettes semi-conductrices | |
RU63121U1 (ru) | Установка для плазменного травления полупроводниковых пластин и/или образования на них диэлектрических пленок | |
TWI394213B (zh) | Plasma processing device and plasma processing method | |
WO2008072997A1 (fr) | Installation d'attaque au plasma de plaques semi-conductrices et/ou de formation de films diélectriques sur celles-ci | |
JP3356654B2 (ja) | 半導体ウエハ成膜装置 | |
JP3954938B2 (ja) | 複合真空処理装置 | |
JP3784727B2 (ja) | 半導体製造装置のパーティクル除去装置 | |
JP2002328125A (ja) | 金属中成分分析用試料の調整方法及び装置 | |
JP7389573B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP2536336B2 (ja) | プラズマによる成膜方法 | |
KR102600580B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
JPS59126774A (ja) | 気相金属堆積装置 |