RU2821422C1 - Многоканальный мультидифференциальный операционный усилитель - Google Patents

Многоканальный мультидифференциальный операционный усилитель Download PDF

Info

Publication number
RU2821422C1
RU2821422C1 RU2023131037A RU2023131037A RU2821422C1 RU 2821422 C1 RU2821422 C1 RU 2821422C1 RU 2023131037 A RU2023131037 A RU 2023131037A RU 2023131037 A RU2023131037 A RU 2023131037A RU 2821422 C1 RU2821422 C1 RU 2821422C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
transistor
resistor
transistors
combined
differential
Prior art date
Application number
RU2023131037A
Other languages
English (en)
Inventor
Сергей Витальевич Федоров
Original Assignee
Сергей Витальевич Федоров
Filing date
Publication date
Application filed by Сергей Витальевич Федоров filed Critical Сергей Витальевич Федоров
Application granted granted Critical
Publication of RU2821422C1 publication Critical patent/RU2821422C1/ru

Links

Abstract

Изобретение относится к области электроники и измерительной техники, и может быть использовано в качестве устройства коммутации и усиления сигналов в многоканальных системах сбора сигналов датчиков. Техническим результатом изобретения является увеличение числа дифференциальных входов операционного усилителя с возможностью их коммутации для подключения и отключения входных сигналов. Многоканальный мультидифференциальный операционный усилитель дополнительно содержит параллельно первому симметричному дифференциальному каскаду на транзисторах VT1, VT2 N идентичных симметричных дифференциальных каскадов, каждый из которых состоит из биполярных транзисторов VT1I, VT2I, где I - номер каскада от 1 до N, в объединенную эмиттерную цепь которых включен источник тока на биполярном транзисторе VT3I, с подключенным к эмиттеру резистором R3I. База транзистора VT3I подключена к делителю напряжения между резистором R7I, противоположный вывод которого заземлен, и термокомпенсирующим биполярным транзистором VT6I, включенным по схеме диода, в эмиттерной цепи которого расположен резистор R8I. Коллекторы транзисторов VT1I всех N дифференциальных каскадов соединены друг с другом и подключены к коллектору транзистора VT1. Коллекторы транзисторов VT2I всех N дифференциальных каскадов соединены друг с другом и подключены к коллектору транзистора VT2. Противоположные выводы резисторов R3I и R8I объединены и подключены к идентичным выводам всех симметричных дифференциальных каскадов. К каждому входу всех N симметричных дифференциальных каскадов, образованных базами транзисторов VT1I и VT2I, а также к входам симметричного дифференциального каскада, образованным базами транзисторов VT1 и VT2, подключены идентичные коммутаторы аналоговых сигналов DD. Каждый из них состоит из ключа S1, для подключения входного сигнала к выходу коммутатора, и ключа S2, для заземления выхода коммутатора, управляемых с помощью сигнала EI. 4 ил.

Description

Изобретение относится к области электроники и измерительной техники, и может быть использовано в качестве устройства коммутации и усиления сигналов в многоканальных системах сбора сигналов датчиков.
Наиболее близкой по технической сущности является классическая схема интегрального операционного усилителя 140УД1, представленная на фиг. 1 [Нестеренко Б.К. Интегральные операционные усилители: Справочное пособие по применению. - М.: Энергоиздат, 1982. - 128 с., рис. 3, стр. 15].
Операционный усилитель-прототип (фиг. 1) содержит первый симметричный дифференциальный каскад на биполярных транзисторах VT1, VT2 в эмиттерную цепь которого включен источник тока на биполярном транзисторе VT3. Ток источника тока определяется резистором R3, включенным в эмиттерную цепь транзистора VT3. База транзистора VT3 подключена к делителю напряжения между резистором R7 и термокомпенсирующим биполярным транзистором VT6, включенным по схеме диода, в эмиттерной цепи которого расположен резистор R8. К коллекторам транзисторов VT1, VT2 подключены резисторы R1 и R2, соответственно, противоположные выводы которых объединены и подключены к резистору R4. Коллекторные выводы транзисторов VT1, VT2 подключены к базам биполярных транзисторов VT5 и VT4, образующих второй несимметричный дифференциальный каскад, в эмиттерную цепь которого включен резистор R6. В коллекторной цепи транзистора VT4 отсутствует нагрузка, тогда как в коллекторную цепь транзистора VT5 включен резистор R5. Выводы резисторов R6 и R7 объединены и заземлены. Коллектор транзистора VT5 подключен к базе биполярного транзистора VT8 в эмиттерную цепь которого включен резистор R9. База транзистора VT8 с резистором R9 шунтируются диодом VD1. К точке шунтирования резистора R9 подведены коллектор биполярного транзистора VT7 и база биполярного транзистора VT9 в эмиттерные цепи которых включены резисторы R12 и R10. База транзистора VT7 объединена с базой транзистора VT3 и делителем напряжения между резистором R7 и термокомпенсирующим транзистором VT6. Противоположные выводы резисторов R12 и R10 объединены и подключены к резистору R11. Коллекторы транзисторов VT4, VT8, VT9, а также выводы резисторов R4, R5 объединены и подключены к положительному напряжению питания +Uп. Выводы резисторов R3, R8 и R11 объединены и подключены к отрицательному напряжению питания -Uп.
Недостатком представленного операционного усилителя является не возможность обеспечения дифференциального преобразования нескольких входных сигналов, что требует наличие аналогового мультиплексора для переключения каналов.
Задачей изобретения является расширение функциональных возможностей устройства путем увеличения числа каналов дифференциального преобразования входных сигналов, т.е. создание многоканального мультидифференциального операционного усилителя.
Технический результат заключается в увеличения числа дифференциальных входов операционного усилителя с возможностью их коммутации для подключения и отключения входных сигналов.
Технический результат достигается тем, что в многоканальном мультидифференциальном операционном усилителе, содержащем первый симметричный дифференциальный каскад на биполярных транзисторах VT1, VT2 в эмиттерную цепь которого включен источник тока на биполярном транзисторе VT3, с подключенным к эмиттеру резистором R3, база транзистора VT3 подключена к делителю напряжения между резистором R7 и термокомпенсирующим биполярным транзистором VT6, включенным по схеме диода, в эмиттерной цепи которого расположен резистор R8, к коллекторам транзисторов VT1, VT2 подключены резисторы R1 и R2, соответственно, противоположные выводы которых объединены и подключены к резистору R4, второй несимметричный дифференциальный каскад на биполярных транзисторах VT5 и VT4 в эмиттерную цепь которого включен резистор R6, к базам транзисторов подключены коллекторные выводы транзисторов VT1, VT2, в коллекторной цепи транзистора VT4 отсутствует нагрузка, тогда как в коллекторную цепь транзистора VT5 включен резистор R5, выводы резисторов R6 и R7 объединены и заземлены, выходной каскад, состоящий из биполярного транзистора VT8, в эмиттерную цепь которого включен резистор R9, к базе транзистора VT8 подключен коллектор транзистора VT5, база транзистора VT8 с резистором R9 шунтируются диодом VD1, к точке шунтирования резистора R9 подведены коллектор биполярного транзистора VT7 и база биполярного транзистора VT9 в эмиттерные цепи которых включены резисторы R12 и R10, база транзистора VT7 объединена с базой транзистора VT3 и делителем напряжения между резистором R7 и термокомпенсирующим транзистором VT6, противоположные выводы резисторов R12 и R10 объединены и подключены к резистору R11, коллекторы транзисторов VT4, VT8, VT9, а также выводы резисторов R4, R5 объединены и подключены к положительному напряжению питания +Uп, выводы резисторов R3, R8 и R11 объединены и подключены к отрицательному напряжению питания -Uп, предусмотрены новые элементы и связи - параллельно первому симметричному дифференциальному каскаду на транзисторах VT1, VT2 подключаются N идентичных симметричных дифференциальных каскадов, каждый из которых состоит из биполярных транзисторов VT1I, VT2I (I - номер каскада от 1 до N), в объединенную эмиттерную цепь которых включен источник тока на биполярном транзисторе VT3I, с подключенным к эмиттеру резистором R3I, база транзистора VT3I подключена к делителю напряжения между резистором R7I, противоположный вывод которого заземлен, и термокомпенсирующим биполярным транзистором VT6I, включенным по схеме диода, в эмиттерной цепи которого расположен резистор R8I, коллекторы транзисторов VT1I всех N дифференциальных каскадов соединены друг с другом и подключены к коллектору транзистора VT1, аналогично, коллекторы транзисторов VT2I всех N дифференциальных каскадов соединены друг с другом и подключены к коллектору транзистора VT2, противоположные выводы резисторов R3I и R8I объединены и подключены к идентичным выводам всех симметричных дифференциальных каскадов, к каждому входу всех N симметричных дифференциальных каскадов, образованных базами транзисторов VT1I и VT2I, а также к входам симметричного дифференциального каскада, образованным базами транзисторов VT1 и VT2, подключены идентичные коммутаторы аналоговых сигналов DD, каждый из которых состоит из ключа S1, для подключения входного сигнала к выходу коммутатора и ключа S2, для заземления выхода коммутатора, управляемые с помощью сигнала EI.
Схема многоканального мультидифференциального операционного усилителя представлена на фиг. 2.
Схема коммутатора аналоговых сигналов DD представлена на фиг. 3. Коммутатор имеет вход и выход сигнала, а также вход разрешения прохождения сигнала EI. Он имеет два управляемых ключа S1 и S2. Когда значение управляющего сигнала EI=1, ключ S1 замыкается, а ключ S2 размыкается и сигнал со входа подключается к выходу. Если EI=0, то ключ S1 размыкается, а ключ S2 замыкается и входной сигнал отключается, а выход заземляется.
Структурная схема многоканального мультидифференциального операционного усилителя c N входными дифференциальными каскадами представлена на фиг. 4.
Многоканальный мультидифференциальный операционный усилитель работает следующим образом. На основании исследований, проведенных в работах [Крутчинский С.Г., Титов А.Е. Оптимизация структур инструментальных усилителей с мультидифференциальными операционными усилителями // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). - 2014. - № 3. - С. 9-14.; Федоров, С. В. Структурный синтез схем инструментальных усилителей на основе мультидифференциальных операционных усилителей / С. В. Федоров // Информационные технологии в проектировании и производстве. - 2022. - № 2(186). - С. 29-35. - DOI 10.52190/2073-2597_2022_2_29. - EDN CSHKVM], можно записать уравнение выходного напряжения мультидифференциального операционного усилителя
,
где
- напряжение на неинвертирующем и инвертирующем входе первого дифференциального каскада;
- напряжение на неинвертирующем и инвертирующем входе второго дифференциального каскада;
- напряжение на неинвертирующем и инвертирующем входе третьего дифференциального каскада;
- напряжение на неинвертирующем и инвертирующем входе N-2 дифференциального каскада;
- напряжение на неинвертирующем и инвертирующем входе N-1 дифференциального каскада;
- напряжение на неинвертирующем и инвертирующем входе N дифференциального каскада;
- коэффициенты усиления дифференциальных сигналов для каскадов 1, 2, …, N;
- синфазное входное напряжение первого дифференциального каскада;
- синфазное входное напряжение второго дифференциального каскада;
K СФ1 - коэффициент усиления синфазного сигнала для первого каскада;
K СФ2 - коэффициент усиления синфазного сигнала для второго каскада;
- напряжение сдвига.
При наличии управляемых ключей на входах мультидифференциального операционного усилителя получаем многоканальный мультидифференциальный операционный усилитель с выходным напряжением при K Д1=K Д2=K Д3=…=K Д N K Д и отсутствием синфазных сигналов, а также напряжения сдвига
где EI 1, …, EI N - параметр разрешения прохождения сигнала.
При подаче управляющего сигнала EI равного 1 на аналоговые коммутаторы инвертирующего и неинвертирующего входа какого-либо дифференциального каскада, ключи S2 данных коммутаторов размыкаются, а ключи S1 замыкаются. Тем самым сигнал с датчика поступает на вход мультидифференциального операционного усилителя. При подаче на управляющий вход EI сигнала равного 0, ключи S1 размыкаются, а S2 замыкаются. Тем самым вход мультидифференциального усилителя отключается от сигнала с датчика и инвертирующий и неинвертирующий входы дифференциального каскада заземляются. В результате, подавая управляющие воздействия EI на аналоговые коммутаторы можно подключать и отключать сигналы с датчиков для их дальнейшего усиления с помощью мультидифференциального операционного усилителя.
Таким образом, достигается заявленный технический результат, заключающийся в увеличения числа дифференциальных входов операционного усилителя с возможностью их коммутации для подключения и отключения входных сигналов.

Claims (1)

  1. Многоканальный мультидифференциальный операционный усилитель, содержащий первый симметричный дифференциальный каскад на биполярных транзисторах VT1, VT2, в эмиттерную цепь которого включен источник тока на биполярном транзисторе VT3, с подключенным к эмиттеру резистором R3, база транзистора VT3 подключена к делителю напряжения между резистором R7 и термокомпенсирующим биполярным транзистором VT6, включенным по схеме диода, в эмиттерной цепи которого расположен резистор R8, к коллекторам транзисторов VT1, VT2 подключены резисторы R1 и R2 соответственно, противоположные выводы которых объединены и подключены к резистору R4, второй несимметричный дифференциальный каскад на биполярных транзисторах VT5 и VT4, в эмиттерную цепь которого включен резистор R6, к базам транзисторов подключены коллекторные выводы транзисторов VT1, VT2, в коллекторной цепи транзистора VT4 отсутствует нагрузка, тогда как в коллекторную цепь транзистора VT5 включен резистор R5, выводы резисторов R6 и R7 объединены и заземлены, выходной каскад, состоящий из биполярного транзистора VT8, в эмиттерную цепь которого включен резистор R9, к базе транзистора VT8 подключен коллектор транзистора VT5, база транзистора VT8 с резистором R9 шунтируются диодом VD1, к точке шунтирования резистора R9 подведены коллектор биполярного транзистора VT7 и база биполярного транзистора VT9, в эмиттерные цепи которых включены резисторы R12 и R10, база транзистора VT7 объединена с базой транзистора VT3 и делителем напряжения между резистором R7 и термокомпенсирующим транзистором VT6, противоположные выводы резисторов R12 и R10 объединены и подключены к резистору R11, коллекторы транзисторов VT4, VT8, VT9, а также выводы резисторов R4, R5 объединены и подключены к положительному напряжению питания +Uп, выводы резисторов R3, R8 и R11 объединены и подключены к отрицательному напряжению питания -Uп, отличающийся тем, что с целью расширения функциональных возможностей устройства для усиления сигналов в многоканальных системах сбора сигналов датчиков в него введены параллельно первому симметричному дифференциальному каскаду на транзисторах VT1, VT2 – N идентичных симметричных дифференциальных каскадов, каждый из которых состоит из пары биполярных транзисторов VT1I, VT2I (I – номер каскада от 1 до N), в объединенную эмиттерную цепь которых включен источник тока на биполярном транзисторе VT3I, с подключенным к эмиттеру резистором R3I, база транзистора VT3I подключена к делителю напряжения между резистором R7I, противоположный вывод которого заземлен, и термокомпенсирующим биполярным транзистором VT6I, включенным по схеме диода, в эмиттерной цепи которого расположен резистор R8I, коллекторы транзисторов VT1I всех N дифференциальных каскадов соединены друг с другом и подключены к коллектору транзистора VT1, аналогично коллекторы транзисторов VT2I всех N дифференциальных каскадов соединены друг с другом и подключены к коллектору транзистора VT2, противоположные выводы резисторов R3I и R8I объединены и подключены к идентичным выводам всех симметричных дифференциальных каскадов, к каждому входу всех N симметричных дифференциальных каскадов, образованных базами транзисторов VT1I и VT2I, а также к входам симметричного дифференциального каскада, образованным базами транзисторов VT1 и VT2, подключены идентичные коммутаторы аналоговых сигналов DD, каждый из которых состоит из ключа S1, для подключения входного сигнала к выходу коммутатора, и ключа S2, для заземления выхода коммутатора, управляемых с помощью сигнала EI.
RU2023131037A 2023-11-28 Многоканальный мультидифференциальный операционный усилитель RU2821422C1 (ru)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2821422C1 true RU2821422C1 (ru) 2024-06-24

Family

ID=

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4634994A (en) * 1984-05-16 1987-01-06 Siemens Aktiengesellschaft Bipolar logical circuit arrangement for signal regeneration
EP0544627A1 (en) * 1991-11-26 1993-06-02 STMicroelectronics S.r.l. Circuit for neutralizing thermal drift in a transconductance stage
EP0652635A1 (en) * 1993-11-09 1995-05-10 Gennum Corporation A differential gain stage for use in standard bipolar ECL processes
RU2307459C1 (ru) * 2006-03-13 2007-09-27 ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС) Дифференциальный усилитель класса ав
RU2626667C1 (ru) * 2016-07-11 2017-07-31 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Многоканальный быстродействующий операционный усилитель
RU2724921C1 (ru) * 2020-02-06 2020-06-26 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Операционный усилитель с парафазным выходом для активных rc-фильтров, работающих в условиях воздействия потока нейтронов и низких температур

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4634994A (en) * 1984-05-16 1987-01-06 Siemens Aktiengesellschaft Bipolar logical circuit arrangement for signal regeneration
EP0544627A1 (en) * 1991-11-26 1993-06-02 STMicroelectronics S.r.l. Circuit for neutralizing thermal drift in a transconductance stage
EP0652635A1 (en) * 1993-11-09 1995-05-10 Gennum Corporation A differential gain stage for use in standard bipolar ECL processes
RU2307459C1 (ru) * 2006-03-13 2007-09-27 ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС) Дифференциальный усилитель класса ав
RU2626667C1 (ru) * 2016-07-11 2017-07-31 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Многоканальный быстродействующий операционный усилитель
RU2724921C1 (ru) * 2020-02-06 2020-06-26 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Операционный усилитель с парафазным выходом для активных rc-фильтров, работающих в условиях воздействия потока нейтронов и низких температур

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
НЕСТЕРЕНКО Б.К. Интегральные операционные усилители: Справочное пособие по применению. - М.: Энергоиздат, 1982. - 128 с., рис. 3, стр. 15. *
ПРОКОПЕНКО Н.Н., МАНЖУЛА В.Г., БЕЛИЧ С.С. Мультидифференциальный операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля в условиях температурных и радиационных воздействий // Научно-технические ведомости СПбГПУ 3' 2010. С. 204-206. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2624565C1 (ru) Инструментальный усилитель для работы при низких температурах
US5847601A (en) Switched capacitor common mode feedback circuit for differential operational amplifier and method
GB1467297A (en) Complementary field-effect transistor differential amplifier
RU2821422C1 (ru) Многоканальный мультидифференциальный операционный усилитель
US6262628B1 (en) Differential amplifier circuit
KR940008076A (ko) 반도체 집적회로 장치의 입력 회로
JPH08139536A (ja) 異なる構成に転換可能な演算増幅器
JPS5967704A (ja) Mosfet演算増幅器
NL2024414B1 (en) An amplifier circuit to enable accurate measurement of small electrical signals
US3958135A (en) Current mirror amplifiers
US4992756A (en) Low offset transconductance amplifier in an analog electronic cochlea
US4015214A (en) Push-pull amplifier
Arbet et al. Fully differential difference amplifier for low-noise and low-distortion applications
JP3262066B2 (ja) Pga(プログラマブル・ゲインアンプ)回路
RU2791274C1 (ru) Быстродействующий операционный усилитель с мостовым входным дифференциальным каскадом
US5030198A (en) Adaptive transmission line stage in an analog electronic cochlea
KR880004159Y1 (ko) 브리지 앰프를 사용한 두신호 증폭회로
JPS63146299A (ja) 高サンプリング周波数で動作するサンプルホールド回路
SU1129582A1 (ru) Компаратор напр жени
SU1101851A1 (ru) Функциональный преобразователь
Bugakova et al. Basic functional units of high-temperature analog-to-digital sensor interfaces
JP3501769B2 (ja) 差動電圧/電流変換回路
SU1200376A1 (ru) Усилительное устройство
JPH0122767B2 (ru)
SU1764136A1 (ru) Устройство с регулируемым коэффициентом передачи