RU2787847C1 - Монолитный транзисторный генератор СВЧ - Google Patents

Монолитный транзисторный генератор СВЧ Download PDF

Info

Publication number
RU2787847C1
RU2787847C1 RU2022111995A RU2022111995A RU2787847C1 RU 2787847 C1 RU2787847 C1 RU 2787847C1 RU 2022111995 A RU2022111995 A RU 2022111995A RU 2022111995 A RU2022111995 A RU 2022111995A RU 2787847 C1 RU2787847 C1 RU 2787847C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
microwave
transistor
transmission line
field
microwave transmission
Prior art date
Application number
RU2022111995A
Other languages
English (en)
Inventor
Валерий Николаевич Кочетков
Original Assignee
Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Салют"
Filing date
Publication date
Application filed by Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Салют" filed Critical Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Салют"
Application granted granted Critical
Publication of RU2787847C1 publication Critical patent/RU2787847C1/ru

Links

Images

Abstract

Изобретение относится к технике СВЧ в области генерирования СВЧ колебаний, а именно к транзисторным генераторам миллиметрового диапазона длин волн, применяемым в приемопередающих устройствах СВЧ, радиолокационных датчиках, аппаратуре связи, медицинских приборах. Техническим результатом изобретения является снижение фазовых шумов и повышение устойчивости к внеполосной паразитной генерации. Монолитный транзисторный генератор СВЧ содержит размещенный на поверхности диэлектрической подложки полевой транзистор и соединенный с затвором транзистора СВЧ стабилизирующий резонатор. Исток полевого транзистора заземлен через отрезок СВЧ линии передачи с помощью сквозного металлизированного отверстия в подложке. Электрическая длина заземляющего отрезка СВЧ линии передачи, подключенного к истоку транзистора, составляет половину рабочей длины волны. Затвор полевого транзистора соединен с СВЧ стабилизирующим резонатором отрезком СВЧ линии передачи электрической длины, равной четверти рабочей длины волны. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Description

Изобретение относится к технике СВЧ в области генерирования СВЧ колебаний, а именно к транзисторным генераторам миллиметрового диапазона длин волн, применяемым в приемопередающих устройствах СВЧ, радиолокационных датчиках, аппаратуре связи, медицинских приборах. Монолитное исполнение таких устройств относится к перспективным групповым технологиям и позволяет обеспечить в одном технологическом цикле изготовления сотен изделий, существенно снижая стоимость образца.
Известны монолитные транзисторные генераторы миллиметрового диапазона длин волн (см. Гассанов И.Т. и др. Твердотельные устройства СВЧ в технике связи. - М. Радио и связь, 1989, с. 56). Эквивалентные электрические схемы таких генераторов предусматривают включение транзистора по схеме с общим истоком, причем вывод истока заземляется. При таком включении транзистора ожидается максимальное усиление схемы.
Однако может наблюдаться неполная реализация возможностей транзистора и, следовательно, значительные трудности в продвижении вверх рабочих частот генерирующего устройства. Эта проблема может быть обусловлена следующим. При создании современной электронной техники СВЧ важной задачей является получение максимально возможной плотности упаковки элементов СВЧ устройства при улучшении других технико-экономических характеристик. Одним из возможных решений указанной задачи является использование обеих сторон исходной подложки: металлизация обратной стороны, размещение на ней монтажных (контактных) площадок и т.п. При этом реализация соединения с корпусом (металлизацией на обратной стороне подложки) выводов электродов транзистора может осуществляться через металлизированные отверстия в подложке, на которой размещен транзистор. В монолитных схемах широко применяется заземление активных элементов через металлизированные сквозные отверстия непосредственно вблизи активного элемента (см., например, пат. РФ №2556271, пат. РФ №2442241).
Однако необходимо отметить, что в диапазоне частот 60-450 ГГц металлизированные сквозные отверстия в подложке вносят в цепь истока транзистора индуктивный импеданс около 10…25 Ом. Индуктивный импеданс в цепи истока приводит к появлению отрицательной обратной связи. Как следствие этого снижается реализуемое усиление транзистора, падает нагруженная добротность стабилизирующего резонатора, возрастают вносимые фазовые шумы.
Наиболее близким к предлагаемому является монолитный СВЧ генератор, схема которого представлена в IEEE Transaction on МТТ, 1998, v. 46, №10, part II, p.1672-1576.
Известный генератор содержит размещенные на подложке полевой транзистор, вывод истока которого заземлен через отрезок СВЧ линии передачи, а также цепи, согласующие импеданс транзистора с нагрузкой на выходе, и стабилизирующий полосковый резонатор. Заземляющий отрезок СВЧ линии передачи соединен одним концом с выводом истока транзистора, а другим - с каким-либо монтажным элементом, обеспечивающим заземление на корпус. Если заземление осуществляется с помощью сквозного металлизированного отверстия в подложке, то все перечисленные выше проблемы характерны и для известного устройства.
Техническим эффектом, на достижение которого направлено предлагаемое решение, является устранение указанных недостатков, а именно снижение фазовых шумов, повышение устойчивости к внеполосной паразитной генерации, что дает предпосылки продвижения вверх рабочих частот генератора.
Этот эффект достигается тем, что в монолитном транзисторном генераторе СВЧ, содержащем размещенные на поверхности диэлектрической подложки полевой транзистор, исток которого заземлен через отрезок СВЧ линии передачи, а также соединенный с затвором транзистора СВЧ стабилизирующий резонатор, согласно изобретению исток транзистора заземлен с помощью сквозного металлизированного отверстия в подложке, электрическая длина заземляющего отрезка СВЧ линии передачи, подключенного к истоку транзистора, составляет половину рабочей длины волны, а затвор транзистора соединен с СВЧ стабилизирующим резонатором отрезком СВЧ линии передачи электрической длины, равной четверти рабочей длины волны.
С целью исключения паразитных резонансов СВЧ стабилизирующий резонатор выполнен из двух отрезков СВЧ линии передачи электрической длины, равной нечетному числу четвертей рабочей длины волны, первые концы которых подключены к соединенному с затвором отрезку СВЧ линии передачи, а вторые соединены между собой.
Схематично представленный на рисунке предлагаемый генератор содержит размещенный на подложке полевой транзистор (1), затвор (3), сток (С) которого соединены соответственно со второй (2) и третьей (3) проводящими поверхностями (площадками), а исток (И) - с четвертой (4) и пятой (5) площадками, также размещенными на поверхности подложки (например, арсенид-галлиевой).
К затворной контактной площадке (2) через отрезок СВЧ линии передачи (6) четвертьволновой электрической длины подключен резонатор (7), состоящий из двух параллельно включенных отрезков СВЧ линии передачи электрической длины, равной нечетному числу четвертей рабочей длины волны. Выходные концы параллельно включенных отрезков СВЧ линии передачи соединены между собой.
Каждый из выводов истока транзистора заземлен (соединен с корпусом) отрезком СВЧ линии передачи (8) полуволновой электрической длины через металлизированные сквозные отверстия (9) в подложке (упомянутые отрезки выполняются с учетом реактивных параметров заземляющего отверстии).
В процессе работы генератора тепловой шум с затворного электрода излучается в отрезок СВЧ линии передачи (6), через него попадает на вход СВЧ резонатора (7) и отражается от него. СВЧ резонатор имеет на частоте резонанса импеданс много меньше, чем волновое сопротивление отрезка СВЧ линии передачи (6), поэтому фаза коэффициента отражения от него равна 180°.
Поскольку набег фазы при распространении теплового шума через отрезок СВЧ линии передачи (6) в одном направлении составляет 90°, то полный набег фазы теплового шума при распространении от затвора транзистора СВЧ резонатора и обратно будет составлять 360°, т.е. отраженный тепловой шум будет складываться в фазе с тепловым шумом на затворе транзистора.
Суммарный тепловой шум на затворе усиливается транзистором, часть его через внутреннюю положительную обратную связь поступает на вход транзистора и процесс повторяется, пока мощность усиленного шумового сигнала на выходе транзистора не достигнет уровня мощности насыщения транзистора. В результате обеспечивается возможность наиболее полной реализации возможностей транзистора и его работоспособности на более высоких частотах.
Подключение СВЧ резонатора как оконечной нагрузки к отрезку СВЧ линии передачи (6) не приводит к появлению паразитной внеполосной генерации, поскольку заземление истока через полуволновой отрезок СВЧ линии передачи (8) приводит к значительному снижению усиления транзистора при отстройке от частоты резонанса СВЧ резонатора. Подключение истока к корпусу (заземление) через полуволновой отрезок СВЧ линии передачи позволяет исключить негативное влияние отрицательной обратной связи.
Выполнение СВЧ резонатора в виде отрезка СВЧ линии передачи (например, микрополосковой) связано с необходимостью увеличения его ширины (с целью увеличения добротности), что может привести к появлению паразитного резонанса на колебании в поперечном направлении. Предлагаемое выполнение СВЧ резонатора в виде параллельно включенных отрезков СВЧ линий передачи позволяет увеличить добротность последнего при исключении паразитных резонансов.
При практической реализации предлагаемого генератора с использованием арсенид-галлиевой подложки и транзистора DpHEMT получены следующие параметры:
- рабочая частота 99 ГГц;
- выходная мощность 11,5 мВт;
- нестабильность частоты генерации 0,04%
- уровень фазовых шумов при отстройке от
несущей частоты на 100 кГц 80 дБ
Таким образом, заявленный генератор обладает повышенной устойчивостью к внеполосной паразитной генерации и сниженными фазовыми шумами благодаря улучшенным спектральным характеристикам, следовательно достигается возможность продвижения вверх частотного диапазона устройства.

Claims (2)

1. Монолитный транзисторный генератор СВЧ, содержащий размещенный на поверхности диэлектрической подложки полевой транзистор, исток которого заземлен через отрезок СВЧ линии передачи, а также соединенный с затвором транзистора СВЧ стабилизирующий резонатор, отличающийся тем, что исток транзистора заземлен с помощью сквозного металлизированного отверстия в подложке, электрическая длина заземляющего отрезка СВЧ линии передачи, подключенного к истоку транзистора, составляет половину рабочей длины волны, а затвор транзистора соединен с СВЧ стабилизирующим резонатором отрезком СВЧ линии передачи электрической длины, равной четверти рабочей длины волны.
2. Монолитный транзисторный генератор СВЧ по п. 1, отличающийся тем, что СВЧ стабилизирующий резонатор выполнен из двух отрезков СВЧ линии передачи электрической длины, равный нечетному числу четвертей рабочей длины волны, первые концы которых подключены к соединенному с затвором отрезку СВЧ линии передачи, а вторые концы соединены между собой.
RU2022111995A 2022-04-29 Монолитный транзисторный генератор СВЧ RU2787847C1 (ru)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2787847C1 true RU2787847C1 (ru) 2023-01-13

Family

ID=

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5789309A (en) * 1980-11-22 1982-06-03 Nec Corp Microwave band oscillator for control of double coupling type dielectric resonator
JPS5923605A (ja) * 1982-07-30 1984-02-07 Hitachi Ltd トランジスタ発振器
US4484156A (en) * 1981-03-18 1984-11-20 Centre National De La Recherche Scientifique/(C.N.R.S.) Transistor microwave oscillators
US4673958A (en) * 1985-01-31 1987-06-16 Texas Instruments Incorporated Monolithic microwave diodes
RU2161367C1 (ru) * 1999-12-15 2000-12-27 Государственное научно-производственное предприятие "Исток" Малошумящий свч-генератор
RU2239938C1 (ru) * 2003-03-13 2004-11-10 Кревский Михаил Анатольевич Транзисторный генератор свч
RU2442241C1 (ru) * 2010-08-25 2012-02-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") Электронный прибор свч

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5789309A (en) * 1980-11-22 1982-06-03 Nec Corp Microwave band oscillator for control of double coupling type dielectric resonator
US4484156A (en) * 1981-03-18 1984-11-20 Centre National De La Recherche Scientifique/(C.N.R.S.) Transistor microwave oscillators
JPS5923605A (ja) * 1982-07-30 1984-02-07 Hitachi Ltd トランジスタ発振器
US4673958A (en) * 1985-01-31 1987-06-16 Texas Instruments Incorporated Monolithic microwave diodes
RU2161367C1 (ru) * 1999-12-15 2000-12-27 Государственное научно-производственное предприятие "Исток" Малошумящий свч-генератор
RU2239938C1 (ru) * 2003-03-13 2004-11-10 Кревский Михаил Анатольевич Транзисторный генератор свч
RU2442241C1 (ru) * 2010-08-25 2012-02-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") Электронный прибор свч

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
БЕЛКИН М.Е., ЛОПАРЕВ А.В. Проектирование монолитной интегральной схемы перестраиваемого транзисторного СВЧ генератора // Материалы VII Международной научно-технической конференции, 7-11 декабря 2009 г. INTERMATIC - 2009, часть 2. С.198-201. SEVIMLI O., ARCHER J.W., GRIFFITHS G.J. GaAs HEMT Monolithic Voltage-Controlled Oscillators at 20 and 30 GHz Incorporating Schottky-Varactor Frequency Tuning // IEEE TRANSACTION ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES. October 1998. V.46. No.10. C.1572-1576. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Schneider et al. Microwave and millimeter wave hybrid integrated circuits for radio systems
US9203361B2 (en) Harmonic control apparatus and related radio frequency devices and base stations
RU2137264C1 (ru) Устройство деления и суммирования радиочастотной мощности
EP3782281B1 (en) Radio frequency power amplifier with harmonic control circuit as well as method for manufacturing the same
JP3278348B2 (ja) マイクロ波半導体装置
CN111010093A (zh) 一种集成Doherty放大器及其合路器
CN110875722B (zh) 高频放大器
RU2787847C1 (ru) Монолитный транзисторный генератор СВЧ
JP7207522B2 (ja) 電力増幅器
US3320550A (en) Waveguide wall-current tunnel diode amplifier and oscillator
CN105322892A (zh) 一种基于薄膜体声波谐振器谐波调谐放大器
JPH11150431A (ja) マイクロ波増幅器用バイアス回路
Diatta et al. Full mode substrate integrated waveguide type high power amplifier with second harmonic suppression
US6762650B2 (en) High-frequency oscillation circuit, high-frequency module, and communication apparatus
US2951207A (en) Parametric amplifier
US3821655A (en) High frequency amplifier
US4009446A (en) Dual diode microwave amplifier
CN112787605A (zh) 一种基于一体化内匹配电路的功率器件及其加工方法
US4267520A (en) Hybrid component for very high frequency amplification
JPH04298105A (ja) 半導体増幅器
US3609571A (en) Sideband suppression for broadband parametric amplifier
JPH0585101U (ja) マイクロ波半導体装置用バイアス回路
US11621680B2 (en) Power amplifier
CN114824702B (zh) 一种小型化超宽带超宽阻带平面带通滤波器
JP7213203B2 (ja) インピーダンス変換回路、電力増幅器、無線送信装置、基地局、端末装置、移動通信システム、及び、インピーダンス変換回路の作製方法