RU2766868C1 - Gallium arsenide buffer amplifier - Google Patents
Gallium arsenide buffer amplifier Download PDFInfo
- Publication number
- RU2766868C1 RU2766868C1 RU2021126520A RU2021126520A RU2766868C1 RU 2766868 C1 RU2766868 C1 RU 2766868C1 RU 2021126520 A RU2021126520 A RU 2021126520A RU 2021126520 A RU2021126520 A RU 2021126520A RU 2766868 C1 RU2766868 C1 RU 2766868C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- output
- transistor
- junction
- effect transistor
- control
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/16—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only with field-effect devices
- H03F3/165—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET's
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в качестве арсенид-галлиевого выходного каскада усилителя мощности различных аналоговых устройств, допускающих работу в условиях воздействия проникающей радиации, низких и высоких температур.The invention relates to the field of analog microelectronics and can be used as a gallium arsenide output stage of a power amplifier of various analog devices that can operate under conditions of penetrating radiation, low and high temperatures.
Известно значительное количество схем выходных каскадов усилителей мощности и буферных усилителей (БУ) аналоговых микроэлектронных изделий, которые реализуются на биполярных (BJT) и полевых (JFet, КМОП, КНИ, КНС и др.) транзисторах, а также при их совместном включении [1-26]. Во многих применениях схема БУ адаптируется под конкретные технологические процессы и внешние воздействующие факторы, например, влияние низких температур и радиации, т.к. только в этом случае обеспечивается реализациях предельных параметров БУ.A significant number of circuits for output stages of power amplifiers and buffer amplifiers (BU) of analog microelectronic products are known, which are implemented on bipolar (BJT) and field-effect (JFet, CMOS, SOI, SOS, etc.) transistors, as well as when they are connected together [1- 26]. In many applications, the CU scheme is adapted to specific technological processes and external influencing factors, for example, the influence of low temperatures and radiation, since only in this case is the implementation of the limiting parameters of the control unit ensured.
В настоящее время в российской и зарубежной микроэлектронике уделяется повышенное внимание арсенид-галлиевым микросхемам. Данное направление создания электронной компонентной базы относится к числу наиболее перспективных в задачах космического приборостроения. Однако, особенности арсенид-галлиевых технологических процессов накладывают существенные ограничения на типы реализуемых транзисторов и их характеристики. Так, например, арсенид-галлиевый технологический процесс, освоенный фирмами США [27-30], а также Минским научно-исследовательским институтом радиоматериалов (https://mniirm.by/), ориентирован на изготовление аналоговых схем, содержащих только полевые GaAs транзисторы с управляющим p-n переходом и биполярные GaAs p-n-p транзисторы. Применение других полупроводниковых приборов не допускается. Это накладывает существенные ограничения на схемотехнику аналоговых устройств, ориентированных на данный технологический процесс.Currently, in Russian and foreign microelectronics, increased attention is paid to gallium arsenide microcircuits. This direction of creating an electronic component base is one of the most promising in the tasks of space instrumentation. However, the features of gallium arsenide technological processes impose significant restrictions on the types of implemented transistors and their characteristics. So, for example, the gallium arsenide technological process, mastered by US firms [27-30], as well as the Minsk Research Institute of Radio Materials (https://mniirm.by/), is focused on the manufacture of analog circuits containing only GaAs field-effect transistors with control pn junction and bipolar GaAs pnp transistors. The use of other semiconductor devices is not allowed. This imposes significant restrictions on the circuitry of analog devices oriented to a given technological process.
Ближайшим прототипом (фиг. 1) заявляемого устройства является буферный усилитель, представленный в патенте РФ № 2710917, 2019 г. Он содержит (фиг. 1) вход 1 и выход 2 устройства, первый 3 входной полевой транзистор с управляющим p-n переходом, сток которого согласован с первой 4 шиной источника питания, второй 5 входной полевой транзистор с управляющим p-n переходом, затвор которого соединен с затвором первого 3 входного полевого транзистора с управляющим p-n переходом и входом 1 устройства, сток согласован с первой 4 шиной источника питания, а исток связан с выходом 2 устройства, источник опорного тока 6, первый вывод которого согласован со второй 7 шиной источника питания.The closest prototype (Fig. 1) of the claimed device is a buffer amplifier presented in RF patent No. 2710917, 2019. It contains (Fig. 1)
Существенный недостаток буферного усилителя - прототипа состоит в том, что он не может быть реализован на основе технологических процессов [27-30], позволяющих создавать только JFET GaAs полевые транзисторы с управляющим p-n переходом и биполярные GaAs p-n-p транзисторы.A significant drawback of the prototype buffer amplifier is that it cannot be implemented on the basis of technological processes [27-30], which allow creating only JFET GaAs field-effect transistors with a control p-n junction and bipolar GaAs p-n-p transistors.
Основная задача предполагаемого изобретения состоит в создании буферного усилителя, реализуемого только на JFET арсенид-галлиевых полевых транзисторах с управляющим p-n переходом и биполярных GaAs p-n-p транзисторах.The main objective of the proposed invention is to create a buffer amplifier implemented only on JFET gallium arsenide field-effect transistors with a control p-n junction and bipolar GaAs p-n-p transistors.
Поставленная задача достигается тем, что в буферном усилителе фиг. 1, содержащем вход 1 и выход 2 устройства, первый 3 входной полевой транзистор с управляющим p-n переходом, сток которого согласован с первой 4 шиной источника питания, второй 5 входной полевой транзистор с управляющим p-n переходом, затвор которого соединен с затвором первого 3 входного полевого транзистора с управляющим p-n переходом и входом 1 устройства, сток согласован с первой 4 шиной источника питания, а исток связан с выходом 2 устройства, источник опорного тока 6, первый вывод которого согласован со второй 7 шиной источника питания, предусмотрены новые элементы и связи - источник опорного тока 6 выполнен на дополнительном полевом транзисторе 8 с управляющим p-n переходом, затвор которого соединен со второй 7 шиной источника питания, а исток связан со второй 7 шиной источника питания через первый 9 дополнительный резистор, сток дополнительного полевого транзистора 8 с управляющим p-n переходом, являющийся вторым выводом источника опорного тока 6, связан с истоком первого 3 входного полевого транзистора с управляющим p-n переходом через цепь согласования потенциалов 10 и подключен к базе выходного p-n-p транзистора 11, эмиттер которого соединен с выходом 2 устройства, а коллектор подключен ко второй 7 шине источника питания.The task is achieved by the fact that in the buffer amplifier of Fig. 1 containing
На чертеже фиг.1 показана схема буферного усилителя - прототипа.The drawing of figure 1 shows a diagram of the buffer amplifier - the prototype.
На чертеже фиг. 2 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с п. 1 и п. 2 формулы изобретения.In the drawing of FIG. 2 shows a diagram of the claimed device in accordance with
На чертеже фиг. 3 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с п. 3 формулы изобретения.In the drawing of FIG. 3 shows a diagram of the claimed device in accordance with
На чертеже фиг. 4 показан статический режим БУ фиг. 2 в среде LTspice при t = 27 °C, R1= 20 кОм, R2 = 15 кОм, напряжениях питания ±10 В.In the drawing of FIG. 4 shows the static mode of the VU of FIG. 2 in LTspice environment at t = 27 °C, R 1 = 20 kΩ, R 2 = 15 kΩ, supply voltages ±10 V.
На чертеже фиг. 5 приведены графики зависимости выходного напряжения БУ фиг. 4 от входного V1 при t = 27°C, R1= 20 кОм, R2 (5 кОм, 50 кОм, 100 кОм, 10 МОм), напряжениях питания ±10 В.In the drawing of FIG. 5 shows graphs of the output voltage of the control unit of FIG. 4 from input V1 at t = 27°C, R1= 20 kΩ, R2 (5 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ, 10 MΩ), supply voltages ±10 V.
Арсенид-галлиевый буферный усилитель фиг. 2 содержит вход 1 и выход 2 устройства, первый 3 входной полевой транзистор с управляющим p-n переходом, сток которого согласован с первой 4 шиной источника питания, второй 5 входной полевой транзистор с управляющим p-n переходом, затвор которого соединен с затвором первого 3 входного полевого транзистора с управляющим p-n переходом и входом 1 устройства, сток согласован с первой 4 шиной источника питания, а исток связан с выходом 2 устройства, источник опорного тока 6, первый вывод которого согласован со второй 7 шиной источника питания. Источник опорного тока 6 выполнен на дополнительном полевом транзисторе 8 с управляющим p-n переходом, затвор которого соединен со второй 7 шиной источника питания, а исток связан со второй 7 шиной источника питания через первый 9 дополнительный резистор. Сток дополнительного полевого транзистора 8 с управляющим p-n переходом, являющийся вторым выводом источника опорного тока 6, связан с истоком первого 3 входного полевого транзистора с управляющим p-n переходом через цепь согласования потенциалов 10 и подключен к базе выходного p-n-p транзистора 11, эмиттер которого соединен с выходом 2 устройства, а коллектор подключен ко второй 7 шине источника питания.The gallium arsenide buffer amplifier of FIG. 2 contains
Двухполюсник Rн на чертеже фиг. 2 и далее моделирует свойства нагрузки БУ.The two-terminal network R n in the drawing of FIG. 2 onwards models the load properties of the VU.
На чертеже фиг. 2, в соответствии с п. 2 формулы изобретения, цепь согласования потенциалов 10 выполнена на основе прямосмещенного p-n перехода 12 на биполярном p-n-p транзисторе, коллектор которого соединен с базой.In the drawing of FIG. 2, in accordance with
На чертеже фиг. 3, в соответствии с п. 3 формулы изобретения выходной p-n-p транзистор 11 выполнен как составной транзистор на элементарных первом 13 и втором 14 вспомогательных транзисторах, включенных по схеме Дарлингтона, а цепь согласования потенциалов 10 содержит вспомогательный биполярный p-n-p транзистор 15, а также второй 16 и третий 17 дополнительные резисторы, причем второй 16 дополнительный резистор включен между эмиттером и базой вспомогательного биполярного p-n-p транзистора 15, а третий 17 дополнительный резистор включен между базой и коллектором вспомогательного биполярного p-n-p транзистора 15.In the drawing of FIG. 3, in accordance with
Рассмотрим работу предлагаемого буферного усилителя фиг. 2.Consider the operation of the proposed buffer amplifier of Fig. 2.
В статическом режиме (Rн=∞, uвх=0) в схеме устанавливаются следующие токи и напряжения:In static mode (R n \u003d ∞, u in \ u003d 0), the following currents and voltages are set in the circuit:
, (1) , (one)
(2) (2)
(3) (3)
где Is3 - ток истока первого 3 входного полевого транзистора с управляющим p-n переходом;where I s3 is the source current of the first 3 input field-effect transistor with a control pn junction;
- ток базы выходного p-n-p транзистора 11, - base current of the
- ток эмиттера выходного p-n-p транзистора 11; - emitter current of the
- коэффициент усиления по току базы выходного p-n-p транзистора 11; - base current gain of the
U10 - статическое напряжение на цепи смещения потенциалов 10;U 10 - static voltage on the
Uзи.3 - напряжение затвор-исток первого 3 входного полевого транзистора с управляющим p-n переходом;U z.3 - gate-source voltage of the first 3 input field-effect transistor with a control pn junction;
Uзи.8 - напряжение затвор-исток дополнительного полевого транзистора 8 с управляющим p-n переходом;U z.8 - gate-source voltage of the additional field-
Uэб.11 - напряжение эмиттер-база выходного p-n-p транзистора 11;U eb.11 - emitter-base voltage of the
R9 - сопротивление первого 9 дополнительного резистора.R 9 - resistance of the first 9 additional resistor.
Если в уравнении (3) выбрать U10=Uэб.12=Uэб.11, что обеспечивается предлагаемой схемотехникой БУ, то выходное напряжение БУ и его сквозной ток If in equation (3) we choose U 10 =U eb.12 =U eb.11 , which is provided by the proposed circuitry of the BU, then the output voltage of the BU and its through current
Uвых ≈ Uзи.3 ≈ Uзи.5, (4)U out ≈ U z.3 ≈ U z.5 , (4)
Iскв ≈ I0. (5)I well ≈ I 0 . (five)
Если на вход БУ подается положительное входное напряжение , то в нагрузке Rн образуется выходной ток , максимальное значение которого Iн.max (+) определяется максимальным допустимым током истока второго 5 входного полевого транзистора с управляющим p-n переходом. При параллельном включении нескольких элементарных полевых транзисторов в качестве второго 5 входного полевого транзистора с управляющим p-n переходом численные значения максимального тока Iн.max (+) могут быть увеличены до заданных значений.If a positive input voltage is applied to the input of the control unit , then in the load R n an output current is formed , the maximum value of which I n.max (+) is determined by the maximum allowable source current of the second 5 input field-effect transistor with a control pn junction. When several elementary field-effect transistors are connected in parallel as the second 5th input field-effect transistor with a control pn junction, the numerical values of the maximum current I н.max (+) can be increased to the specified values.
При отрицательном приращении входного напряжения БУ ток в нагрузке Rн обеспечивается по цепи эмиттера выходного p-n-p транзистора 11. Как следствие, максимальный отрицательный ток в нагрузке Rн будет определяться током стока дополнительного полевого транзистора 8 с управляющим p-n переходомWith a negative increment of the input voltage of the control unit, the current in the load R n is provided through the emitter circuit of the
(6) (6)
где - статический ток стока дополнительного полевого транзистора 8 с управляющим p-n переходом.where - static drain current of the additional field-
Применение в качестве выходного p-n-p транзистора 11 схемы Дарлингтона на элементарных первом 13 и втором 14 вспомогательных транзисторах (фиг. 3), позволяет увеличить максимальный ток в нагрузке при отрицательных выходных напряжениях БУ:The use as an
(8) (8)
где - коэффициенты усиления по току базы первого 13 и второго 14 вспомогательных транзисторов.where - current amplification factors of the base of the first 13 and second 14 auxiliary transistors.
Однако, для температурной и радиационной стабильности сквозного тока Iскв в схеме фиг. 3 целесообразно применение цепи смещения потенциалов 10 на вспомогательном биполярном p-n-p транзисторе 15, которая обеспечиваетHowever, for the temperature and radiation stability of the through current I RMS in the circuit of Fig. 3, it is advisable to use a
(9) (nine)
Например, при R16=R17 из уравнения (9) можно найти, чтоFor example, when R16=R17, from equation (9) one can find that
2U эб.15 ≈ U эб.13 + U эб.14. (10)2 U eb.15 ≈ U eb.13 + U eb.14 . (10)
Таким образом, при одинаковых температурных и радиационных изменениях напряжений эмиттер-база GaAs p-n-p транзисторов в схеме фиг. 3 выполняется условие стабилизации сквозного тока БУ.Thus, with the same temperature and radiation voltage changes, the emitter-base of GaAs p-n-p transistors in the circuit of Fig. 3, the condition of stabilization of the through current of the control unit is fulfilled.
Компьютерное моделирование (фиг. 4, фиг. 5) показывает, что предлагаемый буферный усилитель, схемотехника которого адаптирована на применение в диапазоне низких температур и воздействия проникающей радиации [26], имеет существенные достоинства в сравнении с известными вариантами построения БУ при их реализации в рамках рассматриваемого арсенид-галлиевого технологического процесса, обеспечивающего создание только JFET полевых транзисторов с управляющим p-n переходом и биполярных p-n-p транзисторов.Computer simulation (Fig. 4, Fig. 5) shows that the proposed buffer amplifier, the circuitry of which is adapted for use in the range of low temperatures and exposure to penetrating radiation [26], has significant advantages in comparison with the known options for constructing a control unit when they are implemented within the framework of of the considered gallium arsenide technological process, which ensures the creation of only JFET field-effect transistors with a control pn junction and bipolar pnp transistors.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОКREFERENCES
1. Патент RU № 2523947 fig. 4, 2014 г.1. Patent RU No. 2523947 fig. 4, 2014
2. Патент WO 2007135139, 2007 г.2. Patent WO 2007135139, 2007
3. Патент US 4743862, 1988 г.3. Patent US 4743862, 1988
4. Патент US 6433638, fig. 1a-2, 2002 г.4. Patent US 6433638, fig. 1a-2, 2002
5. Патентная заявка US 20050253653, 2005 г.5. Patent application US 20050253653, 2005
6. Патент US 4825174, fig. 3, fig. 6, 1989 г.6. Patent US 4825174, fig. 3, fig. 6, 1989
7. Патент RU 2099856, fig. 3, 1997 г.7. Patent RU 2099856, fig. 3, 1997
8. Патент US 4904953, fig. 2, 1990 г.8. Patent US 4904953, fig. 2, 1990
9. Патент US 7896339, fig. 4, 2011 г.9. Patent US 7896339, fig. 4, 2011
10. Патент US 6342814, 2002 г.10. Patent US 6342814, 2002
11. Патентная заявка US 2010/0182086, 2010 г.11. Patent application US 2010/0182086, 2010
12. Патент US 5387880, fig. 1, 1995 г.12. Patent US 5387880, fig. 1, 1995
13. Патент US 4598253, 1986 г.13. Patent US 4598253, 1986
14. Патент US 4667165, fig. 2, 1987 г.14. Patent US 4667165, fig. 2, 1987
15. Патент US 4596958, 1986 г.15. Patent US 4596958, 1986
16. Патент US 7116172, fig. 4, fig. 5, 2006 г.16. Patent US 7116172, fig. 4, fig. 5, 2006
17. Патент US 5648743, 1997 г.17. Patent US 5648743, 1997
18. Патент US 5367271, fig. 2, 1994 г.18. Patent US 5367271, fig. 2, 1994
19. Патентная заявка US 2000/0112075, fig. 3, 2000 г.19. Patent application US 2000/0112075, fig. 3, 2000
20. Патент US 5065043, fig. 1f, 1991 г.20. Patent US 5065043, fig. 1f, 1991
21. Патентная заявка US 2007/0115056, fig. 2, 2007 г.21. Patent application US 2007/0115056, fig. 2, 2007
22. Патент US 7548117, fig. 5, 2009 г.22. Patent US 7548117, fig. 5, 2009
23. Патент EP 0 293486 B1, fig. 5, 1991 г.23.
24. Патент US 4420726, fig. 1 - fig. 3, 1983 г.24. Patent US 4420726, fig. 1-fig. 3, 1983
25. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники: Пер. с англ. - Изд. 2-е. - М.: Издательство БИНОМ. 2014. - 704 с. Рис. 3.26, рис. 3.28, рис. 3.2925. Horowitz P., Hill W. The art of circuitry: Per. from English. - Ed. 2nd. - M.: Publishing house BINOM. 2014. - 704 p. Rice. 3.26, fig. 3.28, fig. 3.29
26. Проектирование низкотемпературных и радиационно-стойких аналоговых микросхем для обработки сигналов датчиков: монография / Н.Н. Прокопенко, О.В. Дворников, А.В. Бугакова. - М.: СОЛОН-Пресс, 2021. - 200 с.26. Design of low-temperature and radiation-resistant analog microcircuits for sensor signal processing: monograph / N.N. Prokopenko, O.V. Dvornikov, A.V. Bugakov. - M.: SOLON-Press, 2021. - 200 p.
27. M. Fresina, "Trends in GaAs HBTs for wireless and RF," 2011 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Atlanta, GA, USA, 2011, pp. 150-153. doi: 10.1109/BCTM.2011.608276927. M. Fresina, "Trends in GaAs HBTs for wireless and RF," 2011 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Atlanta, GA, USA, 2011, pp. 150-153. doi:10.1109/BCTM.2011.6082769
28. P. J. Zampardi, M. Sun, C. Cismaru and J. Li, "Prospects for a BiCFET III-V HBT Process," 2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS), La Jolla, CA, USA, 2012, pp. 1-3. doi: 10.1109/CSICS.2012.634011628. PJ Zampardi, M. Sun, C. Cismaru and J. Li, "Prospects for a BiCFET III-V HBT Process," 2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS), La Jolla, CA, USA, 2012, pp . 1-3. doi:10.1109/CSICS.2012.6340116
29. W. Liu, D. Hill, D. Costa and J. S. Harris, "High-performance microwave AlGaAs-InGaAs Pnp HBT with high-DC current gain," in IEEE Microwave and Guided Wave Letters, vol. 2, no. 8, pp. 331-333, Aug. 1992. doi: 10.1109/75.15360429. W. Liu, D. Hill, D. Costa and J. S. Harris, "High-performance microwave AlGaAs-InGaAs Pnp HBT with high-DC current gain," in IEEE Microwave and Guided Wave Letters, vol. 2, no. 8, pp. 331-333, Aug. 1992. doi: 10.1109/75.153604
30. Peatman W. et al. InGaP-Plus™: advanced GaAs BiFET technology and applications // CS MANTECH Conference, May 14-17, 2007, Austin, Texas, USA. pp. 243-246.30. Peatman W. et al. InGaP-Plus™: advanced GaAs BiFET technology and applications // CS MANTECH Conference, May 14-17, 2007, Austin, Texas, USA. pp. 243-246.
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2021126520A RU2766868C1 (en) | 2021-09-08 | 2021-09-08 | Gallium arsenide buffer amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2021126520A RU2766868C1 (en) | 2021-09-08 | 2021-09-08 | Gallium arsenide buffer amplifier |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2766868C1 true RU2766868C1 (en) | 2022-03-16 |
Family
ID=80736918
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2021126520A RU2766868C1 (en) | 2021-09-08 | 2021-09-08 | Gallium arsenide buffer amplifier |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2766868C1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2784046C1 (en) * | 2022-08-15 | 2022-11-23 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Gallium buffer amplifier |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4596958A (en) * | 1984-09-26 | 1986-06-24 | Burr-Brown Corporation | Differential common base amplifier with feed forward circuit |
US5049834A (en) * | 1986-11-21 | 1991-09-17 | Takafumi Kasai | Amplifier having a constant-current bias circuit |
RU2099856C1 (en) * | 1994-12-09 | 1997-12-20 | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | Amplifier stage |
US7521998B2 (en) * | 2005-11-24 | 2009-04-21 | Hitachi High-Technologies Corporation | Operational amplifier and scanning electron microscope using the same |
RU2419197C1 (en) * | 2010-02-02 | 2011-05-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Differential amplifier with increased amplification factor as to voltage |
RU2435292C2 (en) * | 2005-11-01 | 2011-11-27 | Зетекс Семикондакторс Плк | Low-noise amplifier and auxiliary monolithic integral circuit for this amplifier |
RU2523947C1 (en) * | 2013-01-11 | 2014-07-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Output stage of power amplifier based on complementary transistors |
RU2710917C1 (en) * | 2019-08-21 | 2020-01-14 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Analogue microcircuit output cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction |
RU2736548C1 (en) * | 2020-06-08 | 2020-11-18 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ) | Degenerative-type voltage stabilizer on field-effect transistors for operation at low temperatures |
-
2021
- 2021-09-08 RU RU2021126520A patent/RU2766868C1/en active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4596958A (en) * | 1984-09-26 | 1986-06-24 | Burr-Brown Corporation | Differential common base amplifier with feed forward circuit |
US5049834A (en) * | 1986-11-21 | 1991-09-17 | Takafumi Kasai | Amplifier having a constant-current bias circuit |
RU2099856C1 (en) * | 1994-12-09 | 1997-12-20 | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | Amplifier stage |
RU2435292C2 (en) * | 2005-11-01 | 2011-11-27 | Зетекс Семикондакторс Плк | Low-noise amplifier and auxiliary monolithic integral circuit for this amplifier |
US7521998B2 (en) * | 2005-11-24 | 2009-04-21 | Hitachi High-Technologies Corporation | Operational amplifier and scanning electron microscope using the same |
RU2419197C1 (en) * | 2010-02-02 | 2011-05-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Differential amplifier with increased amplification factor as to voltage |
RU2523947C1 (en) * | 2013-01-11 | 2014-07-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Output stage of power amplifier based on complementary transistors |
RU2710917C1 (en) * | 2019-08-21 | 2020-01-14 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Analogue microcircuit output cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction |
RU2736548C1 (en) * | 2020-06-08 | 2020-11-18 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ) | Degenerative-type voltage stabilizer on field-effect transistors for operation at low temperatures |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
PEATMAN W., SHOKRANI, GEDZBERG B., KRYSTEK W., TRIPPE M. InGaP-Plus™: Advanced GaAs BiFET Technology and Applications // CS MANTECH Conference, May 14-17, 2007, Austin, Texas, USA. P. 243-246. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2784376C1 (en) * | 2022-08-13 | 2022-11-24 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | GALLIUM ARSENIDE BUFFER AMPLIFIER BASED ON n-CHANNEL FET AND p-n-p BIPOLAR TRANSISTORS |
RU2784046C1 (en) * | 2022-08-15 | 2022-11-23 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Gallium buffer amplifier |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6109904B2 (en) | Bandgap reference circuit and method of manufacturing the circuit | |
RU2766868C1 (en) | Gallium arsenide buffer amplifier | |
CN108287589A (en) | Band-gap reference circuit and its operational amplifier | |
RU2767976C1 (en) | Gallium arsenide power amplifier output stage | |
RU2390916C1 (en) | Precision operational amplifier | |
RU2536672C1 (en) | Low-output capacitance composite transistor | |
RU2788498C1 (en) | Gallium arsenide buffer amplifier on field-effect and bipolar p-n-p transistors | |
RU2784046C1 (en) | Gallium buffer amplifier | |
RU2773912C1 (en) | Gallium arseniide output stage of a fast operational amplifier | |
RU2789482C1 (en) | Push-pull gallium arsenide buffer amplifier with a small dead zone of the amplitude characteristic | |
RU2771316C1 (en) | Gallium buffer amplifier | |
RU2321159C1 (en) | Cascode differential amplifier | |
RU2796638C1 (en) | Bipolar field arsenide gallium buffer amplifier | |
RU2784049C1 (en) | Non-inverting output stage of a gallium operational amplifier | |
RU2784376C1 (en) | GALLIUM ARSENIDE BUFFER AMPLIFIER BASED ON n-CHANNEL FET AND p-n-p BIPOLAR TRANSISTORS | |
RU2786943C1 (en) | Gallium arsenide input differential cascade of class ab of a fast operational amplifier | |
Chumakov et al. | Gallium arsenide buffer amplifier | |
RU2595927C1 (en) | Bipolar-field operational amplifier | |
RU2687161C1 (en) | Buffer amplifier for operation at low temperatures | |
AA et al. | Output Stages of Operational Amplifiers Based on Gallium Arsenide NJFET and Bipolar PNP Transistors. | |
Dvornikov et al. | Methodology of Circuit Modeling of Charge-Sensitive Amplifiers Based on Wide-Band-Gap (GaAs, GaN) D-FETs | |
RU2784373C1 (en) | Source signal follower with a low systematic component of the zero offset voltage | |
Chumakov et al. | Circuitry Features of the Gallium Arsenide Operational Amplifier and its Basic Functional Units | |
Chumakov et al. | Precision Operational Amplifier on nJFet Arsenide-Gallium Field Effect Transistors and pnp Bipolar Transistors | |
RU2786191C1 (en) | Pull-pull buffer amplifier on complementary bipolar transistors |