RU2745586C1 - Способ изготовления полупроводникового прибора - Google Patents
Способ изготовления полупроводникового прибора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2745586C1 RU2745586C1 RU2020102641A RU2020102641A RU2745586C1 RU 2745586 C1 RU2745586 C1 RU 2745586C1 RU 2020102641 A RU2020102641 A RU 2020102641A RU 2020102641 A RU2020102641 A RU 2020102641A RU 2745586 C1 RU2745586 C1 RU 2745586C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- semiconductor device
- thickness
- temperature
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления конденсаторов с пониженными токами утечки. Сущность: способ изготовления полупроводникового прибора заключается в формировании двухслойного диэлектрика титаната бария BaTiO3 магнетронным ВЧ-распылением, при давлении кислорода 13,3⋅10-4 Па, ВЧ-мощности 5 Вт⋅см-2 и скорости осаждения 0,3 нм/с: нижний слой - поликристаллический толщиной 300 нм, при температуре подложки 600°С, верхний слой - аморфный толщиной 20 нм, при температуре подложки 450°С. Технический результат заключается в повышении процента выхода годных приборов и улучшении их надежности. 1 табл.
Description
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления конденсаторов с пониженными токами утечки.
Известен способ изготовления конденсатора [Заявка 1278062, Япония, МКИ H01L 27/04] с повышенным пробивным напряжением, путем ионного легирования нижней р+ обкладки конденсатора из поликристаллического кремния через тонкий 50 нм слой диоксида кремния. Для формирования конденсатора используются фотолитография и химическое осаждение из газовой фазы. При такой технологии изготовления повышается дефектность структуры и ухудшаются электрические параметры приборов.
Известен способ изготовления конденсатора [Заявка 1283861, Япония, МКИ H01L 27/06] с малой площадью в составе интегральной схемы. В качестве одного из электродов конденсатора используется р- область или п- область с высокой концентрацией примеси. Поверх этой области располагается пленка оксида с толщиной 100 нм, на которой находится металлический электрод. Другой металлический электрод имеет омический контакт с упомянутой области подложки.
Недостатками способа являются - повышенные значения токов утечки, высокая плотность дефектов, низкая технологичность.
Задача, решаемая изобретением: снижение значений токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Задача решается путем формирования двухслойного диэлектрика титаната бария BaTiO3 магнетронным ВЧ-распылением, при давлении кислорода 13,3*10-4 Па, ВЧ-мощности 5 Вт*см-2 и скорости осаждения 0,3 нм/с: нижний слой - поликристаллический толщиной 300 нм, при температуре подложки 600°С, верхний слой - аморфный толщиной 20 нм, при температуре подложки 450°С.
Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р-типа проводимости, с ориентацией (100) формируют двухслойный диэлектрик титаната бария BaTiO3: нижний слой BaTiO3 - поликристаллический толщиной 300 нм, при температуре подложки 600°С, верхний слой BaTiO3 - аморфный толщиной 20 нм, при температуре подложки 450°С, магнетронным ВЧ-распылением, давлении кислорода 13,3*10-4 Па, ВЧ-мощности 5 Вт*см-2 и скорости осаждения 0,3 нм/с.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 17,7%.
Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования двухслойного диэлектрика титаната бария BaTiO3 магнетронным ВЧ-распылением, при давлении кислорода 13,3*10-4 Па, ВЧ-мощности 5 Вт*см-2 и скорости осаждения 0,3 нм/с: нижний слой - поликристаллический толщиной 300 нм, при температуре подложки 600°С, верхний слой - аморфный толщиной 20 нм, при температуре подложки 450°С, позволяет повысит процент выхода годных приборов и улучшит их надежность.
Технический результат: снижение токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличения процента выхода годных.
Claims (1)
- Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку, области р- или n-типа с высокой концентрацией примеси, металлический электрод, слой диэлектрика, отличающийся тем, что слой диэлектрика формируют из двухслойного титаната бария BaTiO3 магнетронным ВЧ-распылением, при давлении кислорода 13,3⋅10-4 Па, ВЧ-мощности 5 Вт⋅см-2 и скорости осаждения 0,3 нм/с: нижний слой - поликристаллический толщиной 300 нм, при температуре подложки 600°С, верхний слой - аморфный толщиной 20 нм, при температуре подложки 450°С.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020102641A RU2745586C1 (ru) | 2020-01-22 | 2020-01-22 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020102641A RU2745586C1 (ru) | 2020-01-22 | 2020-01-22 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2745586C1 true RU2745586C1 (ru) | 2021-03-29 |
Family
ID=75353168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2020102641A RU2745586C1 (ru) | 2020-01-22 | 2020-01-22 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2745586C1 (ru) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2107973C1 (ru) * | 1996-03-20 | 1998-03-27 | Омский государственный университет | Способ формирования многослойных структур с разными электрофизическими свойствами |
| CN1314100C (zh) * | 2001-11-07 | 2007-05-02 | 株式会社日立制作所 | 半导体器件的制造方法和半导体器件 |
| EP2768013A4 (en) * | 2011-10-13 | 2015-05-20 | Tamura Seisakusho Kk | CRYSTAL SHIELD STRUCTURE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF AND SEMICONDUCTOR COMPONENT |
| WO2017159702A1 (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
| RU2671294C1 (ru) * | 2017-11-28 | 2018-10-30 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" | Способ изготовления полупроводникового прибора |
| RU2688864C1 (ru) * | 2018-03-12 | 2019-05-22 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
-
2020
- 2020-01-22 RU RU2020102641A patent/RU2745586C1/ru active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2107973C1 (ru) * | 1996-03-20 | 1998-03-27 | Омский государственный университет | Способ формирования многослойных структур с разными электрофизическими свойствами |
| CN1314100C (zh) * | 2001-11-07 | 2007-05-02 | 株式会社日立制作所 | 半导体器件的制造方法和半导体器件 |
| EP2768013A4 (en) * | 2011-10-13 | 2015-05-20 | Tamura Seisakusho Kk | CRYSTAL SHIELD STRUCTURE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF AND SEMICONDUCTOR COMPONENT |
| WO2017159702A1 (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
| RU2671294C1 (ru) * | 2017-11-28 | 2018-10-30 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" | Способ изготовления полупроводникового прибора |
| RU2688864C1 (ru) * | 2018-03-12 | 2019-05-22 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3277892B2 (ja) | ディスプレイ基板の製造方法 | |
| US9384960B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device with a continuous silicate glass structure | |
| JP4003888B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| CN107154426A (zh) | 一种提高硅基GaN HEMT关态击穿电压的器件结构及实现方法 | |
| JP3819793B2 (ja) | 成膜方法及び半導体装置の製造方法 | |
| RU2745586C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| CN107768519B (zh) | 反相器及其制备方法 | |
| RU2522930C2 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
| US20020102808A1 (en) | Method for raising capacitance of a trench capacitor and reducing leakage current | |
| RU2748455C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| JP2000164592A (ja) | 界面に窒素を取り込む積層型又は複合型ゲ―ト誘電体 | |
| RU2752125C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2818689C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2798455C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
| RU2787299C1 (ru) | Способ формирования полевых транзисторов | |
| TWI222683B (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| US20200286880A1 (en) | Semiconductor apparatus | |
| RU2757177C1 (ru) | Способ изготовления силицидных контактов из вольфрама | |
| RU2723982C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2717144C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| KR100305719B1 (ko) | 하부 전하저장 전극 형성 방법 | |
| CN118173613A (zh) | 一种高迁移率高稳定性的氧化物薄膜晶体管及其制备方法 | |
| JP3609314B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及びアクティブマトリクス回路 | |
| KR20050031858A (ko) | 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 | |
| JP2017201651A (ja) | 酸化物半導体の製造方法 |