RU2734845C1 - СПОСОБ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ InP - Google Patents
СПОСОБ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ InP Download PDFInfo
- Publication number
- RU2734845C1 RU2734845C1 RU2019144329A RU2019144329A RU2734845C1 RU 2734845 C1 RU2734845 C1 RU 2734845C1 RU 2019144329 A RU2019144329 A RU 2019144329A RU 2019144329 A RU2019144329 A RU 2019144329A RU 2734845 C1 RU2734845 C1 RU 2734845C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plasma
- etching
- inp
- substrate
- vacuum chamber
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 description 5
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии обработки материалов и может быть использовано при производстве компонентов твердотельной электроники, СВЧ электроники, оптоэлектроники и радиофотоники. Способ плазмохимического травления гетероструктур на основе InP включает размещение на подложкодержателе в вакуумной камере гетероструктуры InAlAs/InGaAs, нанесенной на подложку InP со сформированной на ней диэлектрической маской, подачу плазмообразующей смеси в вакуумную камеру при остаточном давлении 5-30 мТорр, поджиг плазмы, путем подачи мощности 400-800 Вт от ВЧ-генератора на источник индуктивно-связанной плазмы и отрицательного смещения на подложку от ВЧ-генератора с мощностью 100-250 Вт, и травление гетероструктур, при этом процесс травления состоит из двух этапов, причем на первом этапе производится поджиг плазмы, с длительностью импульса 20-25 сек, а на втором этапе производится удаление продуктов реакции радикалов газовой смеси с материалом подложки из вакуумной камеры, а также термостабилизация образцов длительностью 30-35 сек, при этом оба этапа повторяются с заданным количеством циклов. Способ плазмохимического травления гетероструктур на основе InP согласно изобретению направлен на уменьшение времени изготовления структуры более чем в два раза и на уменьшение глубины нарушенного слоя структуры до 5 нм, что позволяет увеличить коэффициент пропускания в 1,5 раза, значительно снижая потери оптического излучения в электрооптическом модуляторе. 3 ил.
Description
Изобретение относится к технологии обработки материалов, и может быть использовано при производстве компонентов твердотельной электроники, СВЧ электроники, оптоэлектроники и радиофотоники.
Процесс травления гетероструктур на основе InP используется на этапе формирования гребней волноводов для модуляторов и других структур активных и пассивных элементов оптоэлектроники и радиофотоники.
Известны способы травления гетероструктур на основе InP в плазме Cl2 с образованием соединений InClx и PClx, при этом применялись реакторы, использующие ВЧ источники реактивно-ионного травления. Недостатком таких процессов является образование стенок структуры с большой шероховатостью, вследствие малой летучести компонентов InClx. Для устранения этого недостатка требовалось усложнение оборудования за счет необходимости нагрева подложки до температур свыше 200°С. В дальнейшем применялись реакторы с ВЧ источниками индуктивно-связанной плазмы и электронно-циклотронного резонанса. Наибольшее распространение получили процессы в реакторах с ВЧ источниками индуктивно-связанной плазмы. Использование СН4/Н2 плазмы для травления InP приведено в работе Niggergrugge и др. [1], где была показана возможность формирования профиля стенки микроструктуры с низкой шероховатостью. Однако недостатком такого процесса было образование С-Н полимеров, которые ингибировали травление InP. Также указанный способ характеризуется низкой скоростью травления (0.3-0.5 мкм/мин) и имеет высокий уровень загрязнений боковой стенки формируемой структуры.
Известен способ травления гетероструктур на основе InP, описанный в работе [2]. Данный способ состоит в том, что травление образцов, через диэлектрическую маску, помещенных в вакуумную камеру плазмохимического реактора, производится методом реактивно-ионного
травления, путем подачи ВЧ-смещения на подложку, с использованием плазмообразующей смеси СН4 и Н2 и добавлением Cl2.
Недостатком данного процесса является образование полимерных слоев, что приводит к загрязнению поверхности, вследствие чего снижается скорость травления, и усложняется процесс изготовления структур за счет введения дополнительных операций очистки от полимерных загрязнений, также происходит внедрение атомов водорода в подложку, что приводит к образованию дефектов.
Второй способ, описанный в работе [2], заключается в подаче Cl2/N2/Ar в качестве плазмообразующей смеси в реактор, поджиг плазмы ВЧ индукционным разрядом и подачей ВЧ смещения на подложку, и локальное травление образцов через маску, располагающихся на подложкодержателе в камере.
В данном способе частично исключается недостатки первого способа, связанные с образованием полимеризующих слоев в процессе травления. Но возникает существенный недостаток, а именно недостаточное высокое качество поверхности (высокая шероховатость, подтрав под маску). В ходе травления образуются нелетучие компоненты InClx и PClx, поверхность может быть обогащена индием (In), либо фосфором (Р) и образовывать шероховатую поверхность.
Наиболее близким способом травления гетероструктур на основе InP к заявляемому изобретению является способ, описанный в работе [3]. Он состоит в травлении образцов помещенных в вакуумную камеру на подложкодержателе через маску нитрида кремния, в плазме, образованной при подаче ВЧ индуктивного разряда и ВЧ смещения на подложку в газовой смеси Cl2, N2, Ar при температурах не выше 30°С. Процесс протекает при достаточно высоком давлении (30 мТорр), не характерном для подобных процессов плазмохимического травления.
Недостатком данного способа является нарушение структуры в процессе, с образованием нарушенного слоя порядка 30 нм, что приводит к
ухудшению оптических свойств конечного устройства, а также низкая скорость травления, не превышающая 0,5 мкм/мин, что значительно увеличивает время изготовления структуры. Объясняется это тем, что процесс проводится при высоких плотностях потока ионов плазмообразующего газа и высоких давлениях, вследствие чего уменьшается длина свободного пробега ионов, которая приводит к уменьшению анизотропии процесса травления, и повышенному образованию дефектов структуры.
Технический результат предлагаемого изобретения направлен на уменьшение времени изготовления структуры более чем в два раза, и на уменьшение глубины нарушенного слоя структуры до 5 нм, что позволяет увеличить коэффициент пропускания в 1,5 раза, значительно снижая потери оптического излучения в электрооптическом модуляторе.
Технический результат достигается тем, что плазмохимическое травление гетероструктур на основе InP, осуществляется размещением на подложкодержателе в вакуумной камере гетероструктуры InAlAs/InGaAs, нанесенной на подложку InP со сформированной на ней диэлектрической маской, подачу плазмообразующей смеси в вакуумную камеру при остаточном давлении 5-30 мТорр, поджиг плазмы, путем подачи мощности 400-800 Вт от ВЧ-генератора на источник индуктивно-связанной плазмы и отрицательного смещения на подложку от ВЧ-генератора с мощностью 100-250 Вт и травление гетероструктур, отличающийся тем, что процесс травления состоит из двух этапов, при чем на первом этапе производится поджиг плазмы, с длительностью импульса 20-25 сек, а на втором этапе производится удаление продуктов реакции радикалов газовой смеси с материалом подложки из вакуумной камеры, а также термостабилизация образцов длительностью 30-35 сек., при этом оба этапа повторяются с заданным количеством циклов.
Двухшаговый процесс травления, временные цикл которого состоят из этапов травления образцов гетероструктур на основе InP, через маску нитрида кремния в индуктивно-связанной плазме, образованной газами Cl2/N2 и этапов откачки камеры, при котором происходит модуляция газов. На шаге травления
газ подается в камеру при низких давлениях 5-30 мТорр в течение 20-25 сек, для уменьшения влияния радикалов газовой смеси на гетероструктуру, обеспечивая плотный поток ионов с большой энергией, формирующихся при подаче ВЧ разряда высокой мощности на индуктивный источник и ВЧ смещения на подложкодержатель. На этапе травления энергия ионов высока, и взаимодействие ионов с поверхностью материала позволяет достигать кратковременных температур на поверхности материала (~200°C), достаточных для удаления нелетучих продуктов InClx реакции химии Cl2 и материала подложки. Временной диапазон 20-25 сек. является оптимальным, при котором скорости летучести компонентов InCl и PCl остаются равными. При воздействии плазмы на гетероструктуру менее 20 сек., невозможно достичь температур достаточных для удаления нелетучих компонентов реакции, вследствие чего происходит переосаждение данных компонентов на подложку и образование маскирующего слоя. Увеличение времени травления свыше 25 сек приводит к нарушению скоростей десорбции летучих и нелетучих (при температурах ниже 100°С) компонентов, увеличивая шероховатость структуры. На втором этапе, длительностью 30-35 сек при отсутствии ВЧ мощности на подложкодержателе и индуктивном источнике плотной плазмы, происходит охлаждение образцов, а также удаление остаточных продуктов реакции химии хлора с материалом подложки. Уменьшение длительности ниже 30 сек. не позволяет достичь времен необходимых для эффективного охлаждения образцов. Выбор длительности этого шага выше 35 сек. не является целесообразным, т.к. увеличение времени откачки не приводит к дальнейшему охлаждению подложки, однако увеличивает время технологического процесса травления гетероструктур на основе InP. Количество циклов выбирается исходя из задач, которые ставятся при изготовлении прибора, и влияет только на глубину травления. За счет использования импульсного травления, достигается высокая стабильность и соблюдение температурных режимов процесса.
Ниже приведен пример конкретной реализации способа.
Проведено травление серии подложек InP в вакуумной установке плазмохимического травления с источниками плазмы типа ICP-RIE. Схема технологической установки для осуществления травления по заявленному способу представлена на фиг.1, где: 1 - вакуумная камера, 2 - индуктивный источник плазмы высокой плотности, 3 - ВЧ-генератор, связанный с источником плотной плазмы, 4 - подложкодержатель, 5 - подложка с гетероструктурой, 6 - электрод, 7 - ВЧ-генератор, связанный с электродом.
Подложку InP с нанесенной гетероструктурой InGaAs/InAlAs и сформированной маской из нитрида кремния толщиной 250 нм с топологией в виде ветвей волноводов модуляторов типа Маха-Цандера, на поверхности гетероструктуры, помещали в вакуумную камеру 1 на подложкодержателе 4. Давление в камере составляло 5 мТорр. На первом этапе в камеру подавали газы Cl2/N2/Ar с расходом 10 см3/мин и 20 см3/мин 20 см3/мин, соответственно. С помощью ВЧ-генератора 3, подавали мощность, величина которой составляла 800 Вт на ВЧ-источник индуктивно-связанной плазмы 2, и одновременно зажигали ВЧ-индуктивный разряд на частоте 13.56 МГц. На подложкодержатель, расположенный на электроде 6, подавали мощность, величина которой составляла 120 Вт, от ВЧ-генератора 7, мощностью 120 Вт. При этом напряжение смещения варьировалось в диапазоне 170-180 В. Длительность этапа травления составляла 25 сек. На втором этапе происходила откачка продуктов реакции из камеры и охлаждение образца, при отсутствии подаваемых мощностей с генераторов на ВЧ-источники, а газы не подавались в камеру. Длительность этапа составляла 35 сек. Количество циклов - 5.
Полученные в результате травления гетероструктуры изучены с помощью растровой электронной микроскопии (РЭМ). Глубина вертикального профиля экспериментальных гетероструктур составила 2.3 мкм. Морфология структуры определялась из анализа РЭМ изображений поверхности, фиг.2, который указывает на низкую шероховатость поверхности, достигаемую с помощью настоящего изобретения.
Протравленные поверхности имеют оценку среднеквадратичной шероховатости (англ. - root mean square (RMS)) от 0,8-1,3 нм.
Для подтверждения необходимости установления фиксированного диапазона длительности этапов травления и откачки, реализован и исследован образец, представленный на фиг.3. Этот образец получен при технологическом режиме процесса, описанном выше, с тем условием, что травление производилось циклически, с длительностью импульса 40 сек. Как видно из фиг.3, в области травления гетероструктуры, наблюдается образование конусообразных дефектов (англ. - grass), которые оцениваются со среднеквадратичной шероховатостью на уровне 5,5-10,2 нм.
Таким образом, применение способа импульсного травления, позволяет получить структуры с минимальной шероховатостью морфологии микроструктуры при сохранении высокой скорости травления. Это позволяет улучшить стабильность работы оптоэлектронных и радиофотонных приборов и обеспечить передачу оптического излучения с минимизацией уровня потерь.
Список используемых источников
1. Jae Su Yu, Yong Так Lee. Parametric reactive ion etching of InP using Cl2 and CH4 gases: effects of H2 and Ar addition. Semicond. Sci. Technol. 17, 230, 2002.
2. J.W. Lee, J. Hong, S.J. Pearton. Etching of InP at 
1 μm/min in Cl2/Ar plasma chemistries. Appl. Phys. Lett. 68, (847), 1996.
3. С.В. Ишутин, B.C. Арыков, Ю.С.Жидик, П.Е. Троян. Плазмохимическое травление InP/InGaAs гетероструктуры в индуктивно связанной плазме Cl2/Ar/N2 для формирования оптических волноводных структур. Доклады ТУСУР, 21 (4), 2018.
4. Lee Chee-Wei, Chin Мее-Koy. Room-Temperature Inductively Coupled Plasma Etching of InP Using Cl2/N2 and Cl2/CH4/H2. Chinese Phys. Lett. 23, 903, 2006.
Claims (1)
- Способ плазмохимического травления гетероструктур на основе InP, включающий размещение на подложкодержателе в вакуумной камере гетероструктуры InAlAs/InGaAs, нанесенной на подложку InP со сформированной на ней диэлектрической маской, подачу плазмообразующей смеси в вакуумную камеру при остаточном давлении 5-30 мТорр, поджиг плазмы, путем подачи мощности 400-800 Вт от ВЧ-генератора на источник индуктивно-связанной плазмы и отрицательного смещения на подложку от ВЧ-генератора с мощностью 100-250 Вт, и травление гетероструктур, отличающийся тем, что процесс травления состоит из двух этапов, причем на первом этапе производится поджиг плазмы, с длительностью импульса 20-25 сек, а на втором этапе производится удаление продуктов реакции радикалов газовой смеси с материалом подложки из вакуумной камеры, а также термостабилизация образцов длительностью 30-35 сек, при этом оба этапа повторяются с заданным количеством циклов.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019144329A RU2734845C1 (ru) | 2019-12-27 | 2019-12-27 | СПОСОБ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ InP |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019144329A RU2734845C1 (ru) | 2019-12-27 | 2019-12-27 | СПОСОБ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ InP |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2734845C1 true RU2734845C1 (ru) | 2020-10-23 |
Family
ID=72949041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2019144329A RU2734845C1 (ru) | 2019-12-27 | 2019-12-27 | СПОСОБ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ InP |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2734845C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2805030C1 (ru) * | 2023-05-24 | 2023-10-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Крымский федеральный университет имени В.И. Вернадского" | Способ градиентного ионно-плазменного травления через маску |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0492951A2 (en) * | 1990-12-24 | 1992-07-01 | Nec Corporation | Dry etching process for gallium arsenide |
| KR100469739B1 (ko) * | 2003-01-06 | 2005-02-02 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 식각을 이용한 반도체 제조 방법 |
| RU2528277C1 (ru) * | 2013-04-12 | 2014-09-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КАСКАДНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ Galnp/Galnas/Ge |
| RU2576412C1 (ru) * | 2014-12-01 | 2016-03-10 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") | Способ селективного реактивного ионного травления полупроводниковой гетероструктуры |
-
2019
- 2019-12-27 RU RU2019144329A patent/RU2734845C1/ru active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0492951A2 (en) * | 1990-12-24 | 1992-07-01 | Nec Corporation | Dry etching process for gallium arsenide |
| KR100469739B1 (ko) * | 2003-01-06 | 2005-02-02 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 식각을 이용한 반도체 제조 방법 |
| RU2528277C1 (ru) * | 2013-04-12 | 2014-09-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КАСКАДНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ Galnp/Galnas/Ge |
| RU2576412C1 (ru) * | 2014-12-01 | 2016-03-10 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") | Способ селективного реактивного ионного травления полупроводниковой гетероструктуры |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| С.В. Ишутин и др. Плазмохимическое травление InP/InGaAs гетероструктуры в индуктивно связанной плазме Cl2/Ar/N2 для формирования оптических волноводных структур. Доклады ТУСУР, 21 (4), 2018, c.28-32. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2805030C1 (ru) * | 2023-05-24 | 2023-10-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Крымский федеральный университет имени В.И. Вернадского" | Способ градиентного ионно-плазменного травления через маску |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100361399B1 (ko) | 기판의이방성플라즈마에칭방법및그방법에의해제조되는전자부품 | |
| US10593518B1 (en) | Methods and apparatus for etching semiconductor structures | |
| KR100574141B1 (ko) | 단결정 실리콘층의 트렌치 에칭 방법 | |
| US8987140B2 (en) | Methods for etching through-silicon vias with tunable profile angles | |
| US20070175856A1 (en) | Notch-Free Etching of High Aspect SOI Structures Using A Time Division Multiplex Process and RF Bias Modulation | |
| US20070197039A1 (en) | Anisotropic etching method | |
| US20240006159A1 (en) | Post-processing of Indium-containing Compound Semiconductors | |
| CN112997282A (zh) | 用于将蚀刻层蚀刻的方法 | |
| KR101147964B1 (ko) | 플라즈마 에칭 처리 방법 및 플라즈마 에칭 처리 장치 | |
| TWI446439B (zh) | 電漿處理方法 | |
| JP2004296474A (ja) | シリコン基板のエッチング方法及びエッチング装置 | |
| KR100259220B1 (ko) | 수소 플라즈마 다운 스트림 처리 장치 및 수소 플라즈마 다운스트림 처리 방법 | |
| RU2734845C1 (ru) | СПОСОБ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ InP | |
| CN104925739B (zh) | 二氧化硅的刻蚀方法 | |
| CN115943481A (zh) | 基板处理方法以及基板处理装置 | |
| JP2016207753A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| AU7621100A (en) | Method of forming smooth morphologies in inp-based semiconductors | |
| KR101353258B1 (ko) | 반도체 소자의 갭필 방법 | |
| KR101650104B1 (ko) | 공정챔버 세척방법 | |
| JP2005150404A (ja) | 化合物半導体から構成される多層膜のドライエッチング方法 | |
| RU2614080C1 (ru) | Пассивация поверхности кремниевых пластин методом магнетронного распыления | |
| US20220208550A1 (en) | Method and Apparatus for Plasma Etching | |
| WO2023209812A1 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPS63124419A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| WO2023203591A1 (ja) | プラズマ処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: LICENCE FORMERLY AGREED ON 20210203 Effective date: 20210203 |