RU2698885C1 - Способ получения объемных алмазных структур - Google Patents
Способ получения объемных алмазных структур Download PDFInfo
- Publication number
- RU2698885C1 RU2698885C1 RU2018144284A RU2018144284A RU2698885C1 RU 2698885 C1 RU2698885 C1 RU 2698885C1 RU 2018144284 A RU2018144284 A RU 2018144284A RU 2018144284 A RU2018144284 A RU 2018144284A RU 2698885 C1 RU2698885 C1 RU 2698885C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- diamond
- diamond powder
- powder
- gas mixture
- hydrocarbons
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/25—Diamond
- C01B32/26—Preparation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
- C23C16/27—Diamond only
- C23C16/276—Diamond only using plasma jets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/10—Process efficiency
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
Изобретение относится к производству объемных изделий (структур) из алмаза: губок, пористых структур сложной формы, и может быть использовано в твердотельной электронике для производства теплоотводов, эмиссионных электродов и высоковольтных изоляторов, в теплотехнике при конструировании эффективных теплообменников, в биологии и медицине при изготовлении фильтров и мембран. Способ получения объемных алмазных структур из алмазного порошка включает заполнение алмазным порошком тугоплавкой оболочки, выполненной по форме заданной объемной структуры и имеющей сквозные отверстия, размещение ее в газовой смеси, содержащей углеводороды и водород, их нагрев до температуры в диапазоне от начала разложения углеводородов на радикалы и молекулярного водорода на атомарный до начала графитизации алмаза, прокачку газовой смеси через отверстия в оболочке сквозь алмазный порошок до образования в нем устойчивых связей между контактирующими частицами алмазного порошка. Техническим результатом является интенсификация проникновения радикалов углеводородов и атомарного водорода вглубь объема из алмазного порошка, причем на большую глубину, что повышает производительность и позволяет сформировать устойчивые связи между контактирующими частицами и получить единую структуру из алмазного порошка. 4 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.
Description
Изобретение относится к производству объемных изделий (структур) из алмаза: губок, пористых структур сложной формы и может быть использовано в твердотельной электронике для производства теплоотводов, эмиссионных электродов и высоковольтных изоляторов, теплотехнике при конструировании эффективных теплообменников, в биологии и медицине при изготовлении фильтров и мембран, а также найти применение в других областях техники.
Известен способ получения CVD алмазных пленок на поверхности подложек путем осаждения из СВЧ плазменного разряда в газовой смеси, содержащей водород и углеводороды, в частности, метан /Патент US 5,501,740/.
Недостатком этого способа является ограниченность форм получаемых структур из CVD алмаза - это, как правило, сплошные пленки или, максимум, тонкие пластины, которые, на практике, рассматривают как плоские структуры.
Известен способ, позволяющий получать объемные структуры из алмаза, включающий последовательное осаждение в форме структуры чередующихся слоев керамического порошка и полимера с последующим нагревом осажденного слоя до температуры разложения полимера /Патент US 9,302.945/.
Недостатками этого способа являются длительное время процесса, обусловленное его периодическим прерыванием для нанесения каждого последующего слоя, а также тем, что получаемая структура является комбинированной, но не алмазной.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является способ наращивания алмазных порошков, включающий размещение алмазного порошка в газовой смеси, содержащей углеводороды и водород, их нагрев до температуры, превышающей начало разложения углеводородов на радикалы и молекулярного водорода на атомарный, и меньше температуры графитизации алмаза /Дерягин Б.В. Рост алмаза и графита из газовой фазы. М. Наука, 1977. с. 58-76/.
Недостатками этого решения являются низкая производительность и ограниченный объем обрабатываемого порошка вследствие медленного и неглубокого проникновения радикалов углеводородов и атомарного водорода вглубь объема алмазного порошка, так как оно происходит в диффузионном режиме, и отсутствия сколь-нибудь прочных связей между контактирующими частицами порошка внутри объема, т.е. порошок не становится единой структурой, а остается порошком.
Задачей изобретения является устранение вышеуказанных недостатков.
Техническим результатом предложенного технического решения является интенсификация проникновения радикалов углеводородов и атомарного водорода вглубь объема алмазного порошка, причем на большую глубину, что повышает производительность и позволяет сформировать устойчивые связи между контактирующими частицами порошка, т.е. получить объемную алмазную структуру.
Указанная задача решается, а технический эффект достигается за счет того, что в способе получения объемных алмазных структур из алмазного порошка, включающем размещение алмазного порошка в газовой смеси, содержащей углеводороды и водород, их нагрев до температуры в диапазоне от начала разложения углеводородов на радикалы и молекулярного водорода на атомарный до начала графитизации алмаза, алмазный порошок помещают внутрь оболочки, выполненной по форме требуемой объемной структуры и имеющей отверстия, газовую смесь прокачивают через отверстия оболочки сквозь объем алмазного порошка и процесс продолжают до образования связей между контактирующими частицами алмазного порошка.
Нагрев проводят плазменным разрядом, зажигаемым в газовой смеси или термическим способом.
В газовую смесь вводят примеси элементов 3 и 5 группы периодической таблицы Д. И. Менделеева.
Алмазный порошок вводят внутрь оболочки порционно.
На фиг. 1 приведена фотография одной из полученных объемных алмазных структур из алмазного порошка.
На фиг. 2 приведены спектр Рамана полученной объемной структуры из алмазного порошка (а) и спектр Рамана алмаза (б) /P.W. May, J.A. Smith, K.N. Rosser 785nm Raman spectroscopy of CVD diamond films. Diamond & Related Materials 17 (2008), p. 199-203/.
Предложенный способ включает последовательность следующих операций.
Изготавливают оболочку, например, из фольги тугоплавкого металла, молибдена, по внешней форме заданной алмазной структуры. В оболочке делают, по крайней мере, два сквозных отверстия, одно из которых - выходное имеет малый диаметр, меньше размера частиц алмазного порошка. Его выполняют, например, с помощью лазера.
Внутреннее пространство оболочки через другое отверстие заполняют алмазным порошком.
Образец (оболочка с порошком) размещают в установке химического осаждения алмаза из газовой фазы, например, в СВЧ плазменном реакторе.
Установку заполняют газовой смесью, содержащей водород и углеводороды, например, метан.
Нагревают газовую смесь и образец, например, с помощью плазменного разряда, зажигаемого в газовой смеси, до температуры, меньшей температуры графитизации алмазного порошка (1600°С /Алмаз графитизация - Справочник химика 21, chem21.info > info/553443/) и большей температуры начала разложения водорода и углеводорода (1000°С /Метан - разложение при высоких температурах. chem21.info > info/1336571/). Указанный температурный диапазон исключает процесс графитизации исходного алмазного порошка и обеспечивает появление радикалов углеводородов и атомарного водорода, необходимых для образования алмаза.
Температурный режим процесса контролируют, например, с помощью пирометра, а наличие радикалов спектральным анализатором.
Нагретую газовую смесь прокачивают за счет перепада давления через отверстия в оболочке сквозь алмазный порошок.
Процесс продолжают до формирования устойчивых связей между контактирующими частицами порошка.
Примеры исполнения.
Для получения объемной структуры из поликристаллического алмаза были взяты различные фракции природного алмазного порошка с размерами: до 1 мкм, 3-5 мкм, 5-7 мкм, 7-10 мкм, 14-20 мкм, 20-28 мкм, 28-40 мкм и 200-300 мкм ГОСТ Р 52370-2005.
Алмазный порошок каждой фракции, после взвешивания, засыпали в молибденовую чашечку цилиндрической форму с отверстием в дне диаметром 1 мкм, выполненным лазером. Внутренний диаметр чашечки 12,5 мм, высота 2 мм, число чашечек 8.
Для оценки эффективности предложенного способа был проведен контрольный эксперимент: порошок фракции 20-28 мкм засыпали в чашечку таких же размеров, но без отверстия в дне, т.е. повторили условия прототипа.
Все чашечки с алмазным порошком размещали в установке, СВЧ плазменном химическом реакторе, в которую подавали смесь метана ОСЧ (ТУ 51-841-87) и водорода ОСЧ (ГОСТ 3022-80). Состав смеси: метан - 5%, водород - 95%, расход 0,5 л/мин, давление в установке - 60 тор.
В газовой смеси зажигали СВЧ разряд и нагревали ее.
После зажигания разряда нагретую газовую смесь прокачивали сквозь алмазный порошок в чашечках с отверстиями, в чашечку без отверстия газовая смесь проникала в диффузионном режиме. Температуру порошка контролировали с помощью оптического пирометра и поддерживали на уровне 1050°С.
Процесс проводили в течение 2 часов, что было достаточно для образования устойчивых (прочных) связей контактирующих частиц алмазного порошка (опытный факт).
В чашечках с отверстием независимо от фракции были получены объемные структуры, которые извлекались из чашечек, повторно взвешивались.
В контрольной чашечке порошок не сформировал единую структуру, а остался порошком. Зафиксировано увеличение массы порошка, но только за счет верхнего слоя.
Полученные структуры из алмазного порошка представляют собой единое целое, имеет форму цилиндра и полностью повторяют форму и внутренние габариты молибденовой чашечки, фиг. 1 и выполнены из алмаза, фиг. 2 (характерный для алмаза пик спектра Рамана 1332 см-1).
Во всех случаях зафиксирован прирост массы алмаза, который в несколько раз превосходит прирост массы, полученный в чашечке без отверстия, см. таблицу.
После взвешивания структуры разламывались и их разломы анализировались, при этом было установлено.
1. Увеличение массы алмаза внутри структуры произошло, как за счет увеличения размеров исходного алмазного порошка, так и за счет образования новых более мелких фракций.
2. Точечное место контакта частиц порошка зарастало алмазом, становилось объемным, что формировало прочную связь между частицами.
Таким образом, предлагаемое техническое решение интенсифицирует проникновение радикалов углеводорода и атомарного водорода вглубь объема из алмазного порошка, что увеличивает скорость роста частиц порошка внутри объема, а, следовательно, производительность, сращивает контактирующие частицы порошка и создает единую структуру.
Для увеличения доли радикалов и атомарного водорода в газовой смеси в ней зажигают плазменный разряд, что повышает ее температуру.
Для обеспечения равномерности прогрева большого объема порошка его нагревают термически способом, например, с помощью вольфрамовой нити, расположенной в газовой смеси.
Для расширения функциональных возможностей объемной алмазной структуры в газовую среду вводят примеси элементов 3 и 5 групп периодической таблицы Д.И. Менделеева, например, бора, что повышает электропроводность структуры.
Для создания требуемой структуры с различными по ее толщине характеристиками алмазный порошок вводят внутрь оболочки регулируемыми порциями.
Claims (5)
1. Способ получения объемных алмазных структур из алмазного порошка, включающий размещение алмазного порошка в газовой смеси, содержащей углеводороды и водород, их нагрев до температуры в диапазоне от начала разложения углеводородов на радикалы и молекулярного водорода на атомарный до начала графитизации алмаза, отличающийся тем, что алмазный порошок помещают внутрь оболочки, выполненной по форме требуемой объемной структуры и имеющей отверстия, газовую смесь прокачивают через отверстия оболочки сквозь объем алмазного порошка и процесс ведут до образования связей между частицами алмазного порошка.
2. Способ получения объемных алмазных структур по п. 1, отличающийся тем, что нагрев проводят плазменным разрядом, зажигаемым в газовой смеси.
3. Способ получения объемных алмазных структур по п. 1, отличающийся тем, что нагрев проводят термическим способом.
4. Способ получения объемных алмазных структур по п. 1, отличающийся тем, что в газовую смесь вводят примеси элементов 3 и 5 групп Периодической таблицы Д.И. Менделеева.
5. Способ получения объемных алмазных структур по п. 1, отличающийся тем, что алмазный порошок вводят внутрь оболочки порционно.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2018144284A RU2698885C1 (ru) | 2018-12-14 | 2018-12-14 | Способ получения объемных алмазных структур |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2018144284A RU2698885C1 (ru) | 2018-12-14 | 2018-12-14 | Способ получения объемных алмазных структур |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2698885C1 true RU2698885C1 (ru) | 2019-08-30 |
Family
ID=67851458
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2018144284A RU2698885C1 (ru) | 2018-12-14 | 2018-12-14 | Способ получения объемных алмазных структур |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2698885C1 (ru) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2032765C1 (ru) * | 1987-04-03 | 1995-04-10 | Фудзицу Лимитед | Способ нанесения алмазного покрытия из паровой фазы и устройство для его осуществления |
RU2489532C1 (ru) * | 2012-03-23 | 2013-08-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") | Способ получения пластины комбинированного поликристаллического и монокристаллического алмаза |
RU2538551C1 (ru) * | 2013-07-19 | 2015-01-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук | Алмазный поликристаллический композиционный материал с армирующей алмазной компонентой |
-
2018
- 2018-12-14 RU RU2018144284A patent/RU2698885C1/ru active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2032765C1 (ru) * | 1987-04-03 | 1995-04-10 | Фудзицу Лимитед | Способ нанесения алмазного покрытия из паровой фазы и устройство для его осуществления |
RU2489532C1 (ru) * | 2012-03-23 | 2013-08-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") | Способ получения пластины комбинированного поликристаллического и монокристаллического алмаза |
RU2538551C1 (ru) * | 2013-07-19 | 2015-01-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук | Алмазный поликристаллический композиционный материал с армирующей алмазной компонентой |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
ДЕРЯГИН Б.В. и др. Рост алмаза и графита из газовой фазы, Москва, Наука, 1977, стр.58-76. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0417924A1 (en) | Synthetic diamond articles and their method of manufacture | |
JP4581998B2 (ja) | ダイヤモンド被覆電極及びその製造方法 | |
US7776408B2 (en) | Method and apparatus for producing single crystalline diamonds | |
CN109661481A (zh) | 使用MoOC14的CVD Mo沉积 | |
JP2014527501A (ja) | ナノ粒子の製造方法 | |
IE921371A1 (en) | An improved method of producing articles by chemical vapor¹deposition and the support mandrels used therein | |
CN105579624B (zh) | 金刚石基板及金刚石基板的制造方法 | |
JPH08231298A (ja) | 熱伝導率の高いダイヤモンド薄膜構造体 | |
RU2013132691A (ru) | Микроволновый плазменный реактор для производства синтетического алмазного материала | |
CN103352202B (zh) | 一种常压化学气相沉积大面积高质量双层石墨烯薄膜的可控制备方法 | |
JP2007331955A (ja) | ダイヤモンド製造方法 | |
RU2013118642A (ru) | Способ производства монокристаллических алмазов белого цвета | |
TWI732750B (zh) | 碳奈米管高密度集合體的製造方法 | |
JP2007513257A (ja) | 化学蒸着によって形成される自立型炭化ケイ素製品及びそれらを製造するための方法 | |
JP6190562B2 (ja) | グラフェンの成長方法 | |
RU2698885C1 (ru) | Способ получения объемных алмазных структур | |
US20140272136A1 (en) | Chemical Vapor Deposition of Graphene Using a Solid Carbon Source | |
US20140272137A1 (en) | Method for Growth of Vertically Aligned Carbon Nanotubes on Diamond Substrates | |
CN111348650A (zh) | 碳化钽材的制造方法 | |
JP2016113303A (ja) | マイクロ波プラズマcvd法によるダイヤモンド薄膜の合成方法 | |
RU2011145603A (ru) | Способ изготовления матрицы многоострийного автоэмиссионного катода на монокристаллическом кремнии | |
KR101240662B1 (ko) | 탄소나노튜브를 이용한 방열판 및 이의 제조방법 | |
Harada et al. | Rapid growth of diamond and its morphology by in-liquid plasma CVD | |
KR102230560B1 (ko) | 다이아몬드 증착 방법 | |
US20180148831A1 (en) | Method for making artificial graphite |