RU2667327C1 - Способ защиты углов кремниевых микромеханических структур при анизотропном травлении - Google Patents
Способ защиты углов кремниевых микромеханических структур при анизотропном травлении Download PDFInfo
- Publication number
- RU2667327C1 RU2667327C1 RU2017129792A RU2017129792A RU2667327C1 RU 2667327 C1 RU2667327 C1 RU 2667327C1 RU 2017129792 A RU2017129792 A RU 2017129792A RU 2017129792 A RU2017129792 A RU 2017129792A RU 2667327 C1 RU2667327 C1 RU 2667327C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- etching
- square
- silicon
- micromechanical
- mask
- Prior art date
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 53
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 37
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N isopropyl alcohol Natural products CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 2
- 241000089750 Gotra Species 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 238000005360 mashing Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области приборостроения и может применяться при изготовлении кремниевых микромеханических чувствительных элементов датчиков, таких как акселерометры, датчики угловой скорости, датчики давления. Изобретение обеспечивает повышение метрологических характеристик микромеханических датчиков за счет повышения линейности преобразования. Сущность изобретения: в способе защиты углов трехмерных микромеханических структур на кремниевой пластине с кристаллографической ориентацией (100) при глубинном анизотропном травлении в водном растворе гидрооксида калия KOH формируют масочный рисунок с элементами защиты углов, примыкающими к исходной части топологической маски вблизи точки пересечения сторон защищаемой трехмерной микроструктуры на пластине и продолжающимися за пределы исходной части маски. Травление проводят до тех пор, пока кремниевые элементы, сформированные в области маски защиты углов, не стравятся в процессе анизотропного химического травления до границы исходной топологической области микромеханической структуры, элементы защиты углов выполнены в виде Т-квадрата - совокупности квадратов с уменьшающимися размерами, где центр каждого квадрата является вершиной последующего квадрата, сторона начального Т-квадрата и последующих итерационных Т-квадратов определяется по формуле. 5 ил.
Description
Изобретение относится к области приборостроения и может применяться при изготовлении кремниевых микромеханических чувствительных элементов датчиков, таких как акселерометры, датчики угловой скорости, датчики давления.
Известен способ [Патент Российской Федерации №2220475, МПК: H01L 21/308, опубл. 27.12.2003] защиты углов трехмерных микромеханических структур на кремниевой пластине с кристаллографической ориентацией (100). Пластину подвергают анизотропному травлению в водном растворе гидрооксида калия KOH, формируют масочный рисунок с элементами защиты углов, примыкающими к исходной части топологической маски вблизи точки пересечения сторон защищаемого чипа или трехмерной микроструктуры на пластине и продолжающимися за пределы исходной части маски, для защиты выпуклых углов чипа или трехмерной микроструктуры формируют масочный рисунок с элементами Т-образной формы, содержащей продольную и поперечную части, масочный рисунок с Т-образными элементами защиты выпуклых углов формируют из металлической структуры V-Cu'-Cu'', включающей тонкопленочную структуру ванадия и меди V-Cu' и гальванический слой меди Cu'', а каждый из Т-образных элементов защиты выполняют в форме двух полосок - продольной вдоль кристаллографического направления [110] высотой В и поперечной шириной Ш, расположенной в поперечном направлении под прямым углом к продольной полоске, при этом травление проводят до тех пор, пока продольные кремниевые элементы, сформированные в области маски защиты углов в процессе анизотропного химического травления, не стравятся до границы исходной топологической области жесткого центра преобразователя, что соответствует моменту формирования правильного многоугольника в основании объемной фигуры жесткого центра, самосовмещения топологических слоев преобразователя и выхода на заданную глубину травления.
Недостатком способа является невозможность полной защиты углов микромеханических структур при увеличении глубины травления. Это связано с тем, что при указанных размерах мембраны и жесткого центра суммарная длина Т-образных элементов защиты, определяемая как сумма высоты В, длины Д и ширины Ш, из которых формируется Т-образный элемент, не позволяет разместить их на топологическом рисунке фотошаблона без взаимного наложения друг на друга и/или выхода за пределы внешнего контура мембраны. В итоге приходится искусственно уменьшать длину защитных элементов, что в зависимости от конкретных размеров приводит к значительному подтраву углов микромеханической структуры. Подтрав структур может вызвать ухудшение линейности преобразовательной характеристики микромеханических датчиков. Кроме этого, из-за несимметричности расположения защитных элементов относительно формируемых углов микроструктур возможны несимметричные остаточные следы травления относительно кристаллографических направлений [100] и [110], что вызовет ухудшение параметров изготавливаемых приборов, например, может снизить их надежность.
Указанные недостатки не позволяют в полной мере реализовать полную защиту углов микромеханических структур при анизотропном травлении и увеличить глубину травления. Применение многослойных защитных масок, состоящих из оксида кремния и напыленной структуры V-Cu' со слоем гальванической меди Cu'', усложняет технологический процесс и снижает его технологичность.
Известен способ [Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. - М.: Радио и связь, 1991: ил., с. 397] микропрофилирования монокристаллического кремния ориентации (100) посредством анизотропного химического травления в системе едкое кали KОН - изопропиловый спирт (ИПС) C3H2OH - вода H2O, содержащей KOH: ИПС: H2O=32 г: 250 мл: 375 мл при температуре +80°C. При формировании мезаструктур или V-образных канавок в данном травителе происходит растравливание внешних углов. Для получения формы углов, близкой к прямоугольной, в рисунок фотошаблонов в вершинах внешних углов вводят защитные элементы в виде маскированного квадрата, центр которого совмещен с вершиной угла.
Недостатком указанного способа является невозможность защиты внешних углов формируемых микромеханических структур при увеличении глубины анизотропного травления, так как это требует увеличения площади маскированных защитных элементов в виде квадрата. При этом возможен выход защитных элементов за пределы областей, подвергаемых травлению и слиянию их с областями кремниевой пластины, не подвергаемой травлению. Для избежания этого необходимо уменьшать площадь защитных элементов, что приведет к значительному подтраву углов микромеханической структуры. Перечисленное приведет к невозможности формирования микроструктур методом анизотропного травления.
Известен способ [Патент Российской Федерации №2582903, МПК B81B 7/02, опубл. 27.04.2016. Прототип] защиты углов трехмерных микромеханических структур на кремниевой пластине с кристаллографической ориентацией (100) при глубинном анизотропном травлении в водном растворе гидрооксида калия KOH. В способе формируют масочный рисунок с элементами защиты углов, примыкающими к исходной части топологической маски вблизи точки пересечения сторон защищаемого чипа или трехмерной микроструктуры на пластине и продолжающимися за пределы исходной части маски, при котором для защиты выпуклых углов чипа или трехмерной микроструктуры формируют масочный рисунок с элементами Т-образной формы, содержащей продольную и поперечную части, причем травление проводят до тех пор, пока кремниевые элементы, сформированные в области маски защиты углов, не стравятся в процессе анизотропного химического травления до границы исходной топологической области жесткого центра микромеханической структуры, продольные части двух соседних Т-образных элементов защиты перпендикулярны друг другу, причем размеры изготовляемых трехмерных микромеханических структур определяют из условий: a/hTP>0,8 и b/hTP>0,9, а параметры их изготовления назначают из соотношений
p=(0,2…0,3)⋅hmр - ширина,
где а - половина от размера стороны квадратной мембраны,
b - половина от размера квадратной стороны жесткого центра,
hmр - глубина травления в направлении <100>,
V<100> - скорость травления кремния в направлении <100>, мкм/мин,
V1 - скорость травления Т-образного защитного элемента, мкм/мин.
Недостатком способа является невозможность полной защиты углов микромеханических структур при увеличении глубины травления. Это связано с тем, что при указанных размерах мембраны и жесткого центра суммарная длина Т-образных элементов защиты не позволяет разместить их на топологическом рисунке фотошаблона без взаимного наложения друг на друга и/или выхода за пределы внешнего контура мембраны. Кроме этого, минимально возможные при указанной ширине локальные утолщения мембраны как следы компенсаторов при анизотропном травлении будут располагаться несимметрично относительно центра формируемой микромеханической структуры. Это связано с топологическим размещением защитных элементов - их повороту друг относительно друга на 90° на каждом внешнем углу формируемой микроструктуры при ее обходе по внешнему контуру. Это приводит к появлению «спиральных» полей деформации вокруг формируемой микроструктуры, что снижает такие параметры приборов, как линейность преобразования.
Целью изобретения является повышение метрологических характеристик микромеханических датчиков за счет повышения линейности преобразования.
Поставленная цель достигается тем, что в способе защиты углов кремниевых микромеханических структур при глубинном анизотропном травлении в водном растворе гидрооксида калия KOH на кремниевой пластине с кристаллографической ориентацией (100) формируют масочный рисунок с элементами защиты углов, примыкающими к исходной части топологической маски вблизи точки пересечения сторон защищаемой трехмерной микроструктуры на пластине и продолжающимися за пределы исходной части маски, травление проводят до тех пор, пока кремниевые элементы, сформированные в области маски защиты углов, не стравятся в процессе анизотропного химического травления до границы исходной топологической области микромеханической структуры, согласно способу элементы защиты углов выполнены в виде Т-квадрата - совокупности квадратов с уменьшающимися размерами, где центр каждого квадрата является вершиной последующего квадрата, сторона начального Т-квадрата и последующих итерационных Т-квадратов определяется как:
где - заданная глубина травления, V100 - скорость травления кремния в направлении [100], мкм/мин; V110 - скорость травления кремния в направлении [110], мкм/мин, n - количество итераций.
Применение в качестве компенсирующих элементов Т-квадратов имеет следующие преимущества. Ввиду того, что сторона итерационного квадрата второго и последующего порядков меньше, чем сторона предшествующего Т-квадрата в два раза, это позволяет разместить компенсирующие элементы на топологическом рисунке фотошаблона без взаимного наложения друг на друга. Кроме этого, минимально возможные при глубинном анизотропном травлении локальные утолщения мембраны в виде следов травления компенсирующих элементов будут располагаться симметрично относительно центра формируемой микромеханической структуры. Это связано с топологическим размещением защитных элементов - в виде Т-квадратов.
При этом каждый внешний угол Т-квадрата защищен последующим итерационным квадратом, что предохраняет внутренние итерационные квадраты от растравов при анизотропном травлении, так как в этом случае растравливаются внешние итерационные квадраты, и только затем последующие, располагающиеся ближе к первому итерационному Т-квадрату, служащему в качестве основного защитного элемента микромеханической структуры при травлении. Таким образом, травление основного защитного элемента начинается после растрава всех последующих итерационных квадратов, при этом растрав внешнего квадрата начинается одновременно с травлением пластины на глубину. При достижении фронта травления основного маскирующего элемента пластина кремния уже будет протравлена на определенную глубину, что увеличивает глубину травления кремния по сравнению с аналогами. Таким образом, предлагаемое техническое решение исключает появление «спиральных» полей деформации вокруг формируемой микроструктуры, что повышает такие параметры приборов, как линейность преобразования, и, как следствие, повышает метрологические характеристики микромеханических датчиков.
Технический результат изобретения - формирование микроструктур с формой углов, максимально приближенной к прямоугольной с симметричным расположением следов травления относительно кристаллографических направлений [100] и [110] за счет оптимального топологического размещения элементов защиты.
На чертежах фиг. 1-5 показана последовательность операций, применяемых для реализации предложенного способа.
На фиг. 1 изображена микромеханическая структура (1) на кремниевой пластине с кристаллографической ориентацией (100) с элементами защиты углов в виде Т-квадрата (2) с количеством итераций n=2 с внешним итерационным квадратом (3). На фиг. 2 изображен момент начала травления внешнего итерационного квадрата (3). На фиг. 3 изображен элемент защиты углов в виде Т-квадрата (2) в момент растрава внешнего итерационного квадрата. На фиг. 4 изображена микромеханическая структура (1), сечение микромеханической структуры (5) после окончания процесса травления, наклонные боковые кристаллографические грани (111) (6) микромеханической структуры (1). На фиг. 5 изображен пример реализации микромеханической структуры (1) с элементами защиты углов в виде Т-квадрата (2) с количеством итераций n=3 с внешним итерационным квадратом (4).
Пример реализации предложенного способа.
На кремниевой пластине с кристаллографической ориентацией (100) формируют масочный рисунок микромеханической структуры (1) с элементами защиты углов в виде Т-квадрата (2), примыкающими к исходной части топологической маски вблизи точки пересечения сторон защищаемой трехмерной микроструктуры (1) с количеством итераций Т-квадрата (2) n=2 с внешним итерационным квадратом (3) (фиг. 1). Сторона начального Т-квадрата равна:
При V100=2,5 мкм/мин, V100=6,25 мкм/мин, сторона начального Т-квадрата составляет 500 мкм при n=1 Соответственно, сторона внешнего итерационного квадрата (3) при n=2 равна 250 мкм.
Процесс травления внешнего итерационного квадрата (3) начинается одновременно с травлением кремневой пластины (фиг. 2). В момент травления внешнего квадрата пластина кремния травится на глубину
глубина H1 составляет 70,5 мкм при окончательном травлении внешнего итерационного квадрата (3) (фиг. 3).
При продолжении травления начинает травиться элемент защиты углов в виде Т-квадрата до достижения фронта травления основного маскирующего элемента (1), при этом его форма имеет сечение (5), ограненное наклонными кристаллографическими гранями (111) (фиг. 4).
Количество итераций n Т-квадрата может быть увеличено, как показано в качестве примера (фиг. 5).
Применение в качестве компенсирующих элементов Т-квадратов позволяет предохранить внутренние итерационные квадраты от растравов при анизотропном травлении и позволяет максимально приблизить форму углов формируемых структур к прямоугольной с симметричным расположением следов травления относительно кристаллографических направлений [100] и [110], что приводит к повышению линейности преобразования микромеханических датчиков.
Claims (3)
- Способ защиты углов трехмерных микромеханических структур на кремниевой пластине с кристаллографической ориентацией (100) при глубинном анизотропном травлении в водном растворе гидрооксида калия КОН, включающий формирование масочного рисунка с элементами защиты углов, примыкающими к исходной части топологической маски вблизи точки пересечения сторон защищаемой трехмерной микроструктуры на пластине и продолжающимися за пределы исходной части маски, причем травление проводят до тех пор, пока кремниевые элементы, сформированные в области маски защиты углов, не стравятся в процессе анизотропного химического травления до границы исходной топологической области микромеханической структуры, отличающийся тем, что элементы защиты углов выполнены в виде Т-квадрата - совокупности квадратов с уменьшающимися размерами, где центр каждого квадрата является вершиной последующего квадрата, сторона начального Т-квадрата и последующих итерационных Т-квадратов определяется как:
- где hmp - заданная глубина травления, V100 - скорость травления кремния в направлении [100], мкм/мин; V110 - скорость травления кремния в направлении [110], мкм/мин, n - количество итераций.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017129792A RU2667327C1 (ru) | 2017-08-22 | 2017-08-22 | Способ защиты углов кремниевых микромеханических структур при анизотропном травлении |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017129792A RU2667327C1 (ru) | 2017-08-22 | 2017-08-22 | Способ защиты углов кремниевых микромеханических структур при анизотропном травлении |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2667327C1 true RU2667327C1 (ru) | 2018-09-18 |
Family
ID=63580316
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2017129792A RU2667327C1 (ru) | 2017-08-22 | 2017-08-22 | Способ защиты углов кремниевых микромеханических структур при анизотропном травлении |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2667327C1 (ru) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5286343A (en) * | 1992-07-24 | 1994-02-15 | Regents Of The University Of California | Method for protecting chip corners in wet chemical etching of wafers |
RU2059321C1 (ru) * | 1993-08-04 | 1996-04-27 | Алексей Викторович Полынков | Способ изготовления упругих элементов из монокристаллического кремния |
RU2220475C1 (ru) * | 2002-06-05 | 2003-12-27 | Научно-исследовательский институт авиационного оборудования | Способ защиты углов трехмерных микромеханических структур на кремниевой пластине при глубинном анизотропном травлении |
RU2331137C1 (ru) * | 2006-12-26 | 2008-08-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | Способ компенсации растрава внешних углов фигур травления на кремниевых пластинах с ориентацией поверхности (100) |
RU2568977C1 (ru) * | 2014-08-05 | 2015-11-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") | Способ защиты углов трехмерных микромеханических структур на кремниевой пластине при глубинном анизотропном травлении |
RU2582903C1 (ru) * | 2015-02-25 | 2016-04-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") | Способ защиты углов трёхмерных микромеханических структур на кремниевой пластине при глубинном анизотропном травлении |
-
2017
- 2017-08-22 RU RU2017129792A patent/RU2667327C1/ru active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5286343A (en) * | 1992-07-24 | 1994-02-15 | Regents Of The University Of California | Method for protecting chip corners in wet chemical etching of wafers |
RU2059321C1 (ru) * | 1993-08-04 | 1996-04-27 | Алексей Викторович Полынков | Способ изготовления упругих элементов из монокристаллического кремния |
RU2220475C1 (ru) * | 2002-06-05 | 2003-12-27 | Научно-исследовательский институт авиационного оборудования | Способ защиты углов трехмерных микромеханических структур на кремниевой пластине при глубинном анизотропном травлении |
RU2331137C1 (ru) * | 2006-12-26 | 2008-08-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | Способ компенсации растрава внешних углов фигур травления на кремниевых пластинах с ориентацией поверхности (100) |
RU2568977C1 (ru) * | 2014-08-05 | 2015-11-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") | Способ защиты углов трехмерных микромеханических структур на кремниевой пластине при глубинном анизотропном травлении |
RU2582903C1 (ru) * | 2015-02-25 | 2016-04-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") | Способ защиты углов трёхмерных микромеханических структур на кремниевой пластине при глубинном анизотропном травлении |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100562484C (zh) | 一种悬臂梁结构、制作方法及应用 | |
US4670092A (en) | Method of fabricating a cantilever beam for a monolithic accelerometer | |
Chang et al. | Micromachined inertial measurement unit fabricated by a SOI process with selective roughening under structures | |
CN110024215B (zh) | 波导过渡结构和制造方法 | |
RU2667327C1 (ru) | Способ защиты углов кремниевых микромеханических структур при анизотропном травлении | |
RU2648287C1 (ru) | Способ изготовления упругих элементов микромеханических датчиков | |
KR100732698B1 (ko) | 다양한 단차를 갖는 미세 구조물의 제조 방법 | |
US9377582B2 (en) | Substrate, related device, and related manufacturing method | |
RU2601219C1 (ru) | Способ изготовления микромеханических упругих элементов | |
RU2568977C1 (ru) | Способ защиты углов трехмерных микромеханических структур на кремниевой пластине при глубинном анизотропном травлении | |
RU2628732C1 (ru) | Способ формирования монокристаллического элемента микромеханического устройства | |
CN104048764A (zh) | 背面照射型的红外传感器 | |
RU2331137C1 (ru) | Способ компенсации растрава внешних углов фигур травления на кремниевых пластинах с ориентацией поверхности (100) | |
RU2582903C1 (ru) | Способ защиты углов трёхмерных микромеханических структур на кремниевой пластине при глубинном анизотропном травлении | |
Singh et al. | Precise identification of< 1 0 0> directions on Si {0 0 1} wafer using a novel self-aligning pre-etched technique | |
RU2220475C1 (ru) | Способ защиты углов трехмерных микромеханических структур на кремниевой пластине при глубинном анизотропном травлении | |
CN108163803B (zh) | 一种mems三维隧道结构 | |
JP6277677B2 (ja) | エッチングマスクの設計方法、構造体の製造方法及びエッチングマスク | |
US9373772B2 (en) | CMOS integrated method for the release of thermopile pixel on a substrate by using anisotropic and isotropic etching | |
JP3213142B2 (ja) | 単結晶基板構造体の製造方法 | |
CN106915723A (zh) | 基于激光结合各向异性腐蚀的梁-质量块结构的制备方法 | |
CN105253854A (zh) | 一种soi mems牺牲层腐蚀时金属电极的保护方法 | |
Kim et al. | Anisotropic bulk etching of (110) Silicon with high aspect ratio | |
US20150192646A1 (en) | Magnetic sensors with permanent magnets magnetized in different directions | |
JP4781081B2 (ja) | 加速度センサチップ及びその製造方法 |