RU2652504C1 - High-speed differential operational amplifier - Google Patents
High-speed differential operational amplifier Download PDFInfo
- Publication number
- RU2652504C1 RU2652504C1 RU2017132916A RU2017132916A RU2652504C1 RU 2652504 C1 RU2652504 C1 RU 2652504C1 RU 2017132916 A RU2017132916 A RU 2017132916A RU 2017132916 A RU2017132916 A RU 2017132916A RU 2652504 C1 RU2652504 C1 RU 2652504C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- input
- current
- differential stage
- output
- differential
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G5/00—Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
Abstract
Description
Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в различных функциональных узлах приемо-передающей аппаратуры.The invention relates to the field of radio engineering and communications and can be used in various functional units of the transceiver equipment.
Быстродействие операционных усилителей (ОУ), которое характеризуется максимальной скоростью нарастания выходного напряжения (ϑвых.) и временем установления переходного процесса определяет динамические параметры многих аналоговых интерфейсов датчиков, буферных каскадов, АЦП, драйверов линий связи и т.п.The speed of operational amplifiers (op amps), which is characterized by the maximum slew rate of the output voltage (ϑ output ) and the transient setup time, determines the dynamic parameters of many analog sensor interfaces, buffer stages, ADCs, communication line drivers, etc.
В современной радиоэлектронной аппаратуре находят применение ОУ, реализованные по классической архитектуре на биполярных или полевых транзисторах с тремя токовыми зеркалами и буферным усилителем [1-11]. Такое схемотехническое решение наиболее популярно как в зарубежных [11], так и в российских [10] аналоговых микросхемах. Оно обеспечивает широкий диапазон изменения выходного напряжения (практически - от отрицательной шины питания до положительной шины питания).In modern electronic equipment, op amps are implemented using classical architecture using bipolar or field effect transistors with three current mirrors and a buffer amplifier [1-11]. Such a circuitry solution is most popular both in foreign [11] and in Russian [10] analog microcircuits. It provides a wide range of output voltage changes (practically - from a negative power bus to a positive power bus).
Ближайшим прототипом (фиг. 1) заявляемого устройства является дифференциальный операционный усилитель по заявке на патент US 2010/0253433 (fig. 1). Он содержит (фиг. 1) входной дифференциальный каскад 1 с первым 2 и вторым 3 входами, первым 4 и вторым 5 противофазными токовыми выходами, первый источник опорного тока 6, включенный между входом 7 входного дифференциального каскада 1 для установления его статического режима по току и первой 8 шиной источника питания, первое токовое зеркало 9, согласованное со второй 10 шиной источника питания, вход которого соединен с первым 4 токовом выходом входного дифференциального каскада 1, а выход подключен ко входу второго 11 токового зеркала, согласованного с первой 8 шиной источника питания, третье 12 токовое зеркало, согласованное со второй 10 шиной источника питания, вход которого соединен со вторым 5 токовым выходом входного дифференциального каскада 1, а выход связан с выходом второго 11 токового зеркала и входом буферного усилителя 13, корректирующий конденсатор 14, связанный со входом буферного усилителя 13.The closest prototype (Fig. 1) of the claimed device is a differential operational amplifier according to patent application US 2010/0253433 (fig. 1). It contains (Fig. 1) the input
Существенный недостаток известного ОУ состоит в том, что при работе его входного каскада в режиме микротоков (1-10 мкА) его максимальная скорость нарастания выходного напряжения получается небольшой (1÷2 В/мкс).A significant drawback of the known op-amp is that when its input stage is in microcurrent mode (1-10 μA), its maximum slew rate of the output voltage is small (1 ÷ 2 V / μs).
Основная задача предполагаемого изобретения состоит в повышении (на 1-3 порядка) максимальной скорости нарастания выходного напряжения в ОУ на основе трех токовых зеркал при работе входных транзисторов ОУ с микроамперными статическими токами (1÷10 мкА).The main objective of the proposed invention is to increase (by 1-3 orders of magnitude) the maximum slew rate of the output voltage in the op-amp based on three current mirrors when operating the input op-amp transistors with microampere static currents (1 ÷ 10 μA).
Поставленная задача достигается тем, что в операционном усилителе фиг. 1, содержащем входной дифференциальный каскад 1 с первым 2 и вторым 3 входами, первым 4 и вторым 5 противофазными токовыми выходами, первый источник опорного тока 6, включенный между входом 7 входного дифференциального каскада 1 для установления его статического режима по току и первой 8 шиной источника питания, первое токовое зеркало 9, согласованное со второй 10 шиной источника питания, вход которого соединен с первым 4 токовом выходом входного дифференциального каскада 1, а выход подключен ко входу второго 11 токового зеркала, согласованного с первой 8 шиной источника питания, третье 12 токовое зеркало, согласованное со второй 10 шиной источника питания, вход которого соединен со вторым 5 токовым выходом входного дифференциального каскада 1, а выход связан с выходом второго 11 токового зеркала и входом буферного усилителя 13, корректирующий конденсатор 14, связанный со входом буферного усилителя 13, предусмотрены новые элементы и связи - в схему введен дополнительный дифференциальный каскад 16, содержащий первый 17 и второй 18 входы, первый 19 и второй 20 противофазные токовые выходы, согласованные с первой 8 шиной источника питания, вспомогательный вход 21 дополнительного дифференциального каскада 16 для установления его статического режима по току, причем первый 17 вход дополнительного дифференциального каскада 16 связан с первым 2 входом входного дифференциального каскада 1, второй 18 вход дополнительного дифференциального каскада 16 связан со вторым 3 входом входного дифференциального каскада 1, между вспомогательным входом 21 дополнительного дифференциального каскада 16 для установления его статического режима по току и второй 10 шиной источника питания включен второй 22 источник опорного тока, между входом 7 входного дифференциального каскада 1 для установления его статического режима по току и вспомогательным входом 21 дополнительного дифференциального каскада 16 для установления его статического режима по току включен второй 23 корректирующий конденсатор.The problem is achieved in that in the operational amplifier of FIG. 1, containing the input
На чертеже фиг. 1 показана схема ОУ-прототипа, а на чертеже фиг. 2 - схема заявляемого устройства в соответствии с п. 1 и п. 2 формулы изобретения.In the drawing of FIG. 1 shows a diagram of an op-amp prototype, and in the drawing of FIG. 2 is a diagram of the inventive device in accordance with
На чертеже фиг. 3 приведена схема заявляемого устройства фиг. 2 в соответствии с п. 3 и п. 4 формулы изобретения.In the drawing of FIG. 3 is a diagram of the inventive device of FIG. 2 in accordance with
На чертеже фиг. 4 приведена схема заявляемого ОУ фиг. 2 в среде компьютерного моделирования Orcad на моделях транзисторов tsmc_035_t65.In the drawing of FIG. 4 is a diagram of the inventive op amp of FIG. 2 in an Orcad computer simulation environment on tsmc_035_t65 transistor models.
На чертеже фиг. 5 представлена АЧХ коэффициента усиления схемы разомкнутого ОУ фиг. 4 при токах источников I1=I2=Ivar=2 мА, С1=1 пФ.In the drawing of FIG. 5 shows the frequency response of the gain of the open-loop op-amp circuit of FIG. 4 at source currents I1 = I2 = Ivar = 2 mA, C1 = 1 pF.
На чертеже фиг. 6 приведены осциллограммы входного и выходного напряжений ОУ фиг. 4 (передний фронт, ширина импульса 6 мкс) при разных значениях емкости C2=C23=Cvar и токах источников I1=I2=Ivar=10 мкА.In the drawing of FIG. 6 shows the waveforms of the input and output voltages of the op-amp of FIG. 4 (leading edge,
На чертеже фиг. 7 показаны осциллограммы входного и выходного напряжений ОУ фиг. 4 (передний фронт) при разных значениях емкости C2=C23=Cvar, I1=I2=Ivar=1 мкА (ширина импульса 6 мкс).In the drawing of FIG. 7 shows the waveforms of the input and output voltages of the opamp of FIG. 4 (leading edge) at different capacitance values C 2 = C 23 = Cvar, I1 = I2 = Ivar = 1 μA (
На чертеже фиг. 8 приведена схема BiJFet ОУ фиг. 2 в среде компьютерного моделирования LTSpice, использующей авторские низкотемпературные модели BiJFet транзисторов [12].In the drawing of FIG. 8 is a diagram of a BiJFet op-amp of FIG. 2 in an LTSpice computer simulation environment using proprietary low-temperature models of BiJFet transistors [12].
На чертеже фиг. 9 представлены осциллограммы входного и выходного напряжений BiJFet ОУ фиг. 8 (передний и задний фронты) при I1=I2=10 мкА, C1=3 пФ и разных емкостях второго 23 корректирующего конденсатора (C2=C23=Cvar) (ширина импульса 1 мкс, амплитуда входного напряжения 3 В, комнатная температура t=27°С).In the drawing of FIG. 9 shows the waveforms of the input and output voltages of the BiJFet op-amp of FIG. 8 (leading and trailing edges) at I 1 = I 2 = 10 μA, C 1 = 3 pF and different capacitances of the second 23 correction capacitor (C 2 = C 23 = Cvar) (
На чертеже фиг. 10 приведены (в увеличенном масштабе) осциллограммы входного и выходного напряжений BiJFet ОУ фиг. 8 (передний фронт) при I1=I2=1 мкА, C1=3 пф и разных емкостях второго 23 корректирующего конденсатора C2=C23=Cvar (ширина импульса 1 мкс, амплитуда входного напряжения 3 В, комнатная температура t=27°С).In the drawing of FIG. 10 shows (on an enlarged scale) the waveforms of the input and output voltages of the BiJFet op amps of FIG. 8 (leading edge) at I 1 = I 2 = 1 μA, C 1 = 3 pF and different capacitances of the second 23 correction capacitor C 2 = C 23 = Cvar (
На чертеже фиг. 11 показаны осциллограммы входного и выходного напряжений ОУ (передний и задний фронты) при I1=I2=10 мкА, C1=3 пф и разных емкостях второго 23 корректирующего конденсатора C2=C23=Cvar, (ширина импульса I мкс, амплитуда входного напряжения 3 В, низкая температура t=-190°С).In the drawing of FIG. Figure 11 shows the waveforms of the input and output voltages of the op-amp (leading and trailing edges) at I 1 = I 2 = 10 μA, C 1 = 3 pF and different capacitances of the second 23 correction capacitor C 2 = C 23 = Cvar, (pulse width I μs, input voltage amplitude 3 V, low temperature t = -190 ° С).
Быстродействующий дифференциальный операционный усилитель фиг. 2 содержит входной дифференциальный каскад 1 с первым 2 и вторым 3 входами, первым 4 и вторым 5 противофазными токовыми выходами, первый источник опорного тока 6, включенный между входом 7 входного дифференциального каскада 1 для установления его статического режима по току и первой 8 шиной источника питания, первое токовое зеркало 9, согласованное со второй 10 шиной источника питания, вход которого соединен с первым 4 токовом выходом входного дифференциального каскада 1, а выход подключен ко входу второго 11 токового зеркала, согласованного с первой 8 шиной источника питания, третье 12 токовое зеркало, согласованное со второй 10 шиной источника питания, вход которого соединен со вторым 5 токовым выходом входного дифференциального каскада 1, а выход связан с выходом второго 11 токового зеркала и входом буферного усилителя 13, корректирующий конденсатор 14, связанный со входом буферного усилителя 13, имеющего потенциальный выход 15. В схему введен дополнительный дифференциальный каскад 16, содержащий первый 17 и второй 18 входы, первый 19 и второй 20 противофазные токовые выходы, согласованные с первой 8 шиной источника питания, вспомогательный вход 21 дополнительного дифференциального каскада 16 для установления его статического режима по току, причем первый 17 вход дополнительного дифференциального каскада 16 связан с первым 2 входом входного дифференциального каскада 1, второй 18 вход дополнительного дифференциального каскада 16 связан со вторым 3 входом входного дифференциального каскада 1, между вспомогательным входом 21 дополнительного дифференциального каскада 16 для установления его статического режима по току и второй 10 шиной источника питания включен второй 22 источник опорного тока, между входом 7 входного дифференциального каскада 1 для установления его статического режима по току и вспомогательным входом 21 дополнительного дифференциального каскада 16 для установления его статического режима по току включен второй 23 корректирующий конденсатор.The high-speed differential operational amplifier of FIG. 2 contains an input
На чертеже фиг. 2 первый 2 вход входного дифференциального каскада 1 и первый 17 вход дополнительного дифференциального каскада 16 образуют инвертирующих вход заявляемого ОУ 24, а второй 3 вход входного дифференциального каскада 1 и второй 18 вход дополнительного дифференциального каскада 16 образуют неинвертирующий вход 25 заявляемого ОУ. Цепь согласования потенциалов 26 может включаться в схему ОУ для уменьшения его напряжения смещения нуля, вызванное асимметрией статического режима по напряжению первого 9 и третьего 12 токовых зеркал.In the drawing of FIG. 2 the first 2 input of the input
Кроме этого на чертеже фиг. 2, в соответствии с п. 2 формулы изобретения, входной дифференциальный каскад 1 содержит первый 27 и второй 28 полевые транзисторы, объединенные истоки которых подключены ко входу 7 входного дифференциального каскада 1 для установления его статического режима по току, затвор первого 27 полевого транзистора соединен с первым 2 входом входного дифференциального каскада 1, затвор второго 28 полевого транзистора соединен с вторым 3 входом входного дифференциального каскада 1, сток первого 27 полевого транзистора соединен с первым 4 токовом выходом входного дифференциального каскада 1, сток второго 28 полевого транзистора соединен со вторым 5 токовым выходом входного дифференциального каскада 1.In addition, in the drawing of FIG. 2, in accordance with
В частном случае на чертеже фиг. 2 дополнительный дифференциальный каскад 16 содержит биполярные транзисторы 29 и 30, связанные с его выводами (17, 18, 19, 20, 21) в соответствии со схемой фиг. 2.In the particular case of the drawing of FIG. 2, an additional
На чертеже фиг. 3 входной дифференциальный каскад 1 реализован на полевых транзисторах 31 и 32. Связи выводов этих транзисторов с первым 2 и вторым 3 входами входного дифференциального каскада 1, а также первым 17 и вторым 18 входами дополнительного дифференциального каскада 16 обозначены на чертеже фиг. 3.In the drawing of FIG. 3, the input
Кроме этого, на чертеже фиг. 3 приведена схема заявляемого устройства в соответствии с п. 3 формулы изобретения, в котором дополнительный дифференциальный каскад 16 содержит третий 33 и четвертый 34 полевые транзисторы, объединенные истоки которых подключены к вспомогательному входу 21 дополнительного дифференциального каскада 16 для установления его статического режима по току, затвор третьего 33 полевого транзистора соединен с первым 17 входом дополнительного дифференциального каскада 16, затвор четвертого 34 полевого транзистора соединен со вторым 18 входом дополнительного дифференциального каскада 16, сток третьего 33 полевого транзистора соединен с первым 19 токовом выходом дополнительного дифференциального каскада 16, сток четвертого 34 полевого транзистора соединен со вторым 20 токовом выходом дополнительного дифференциального каскада 16.In addition, in the drawing of FIG. 3 shows a diagram of the claimed device in accordance with
На чертеже фиг. 3, в соответствии с п. 4 формулы изобретения, первый 19 токовый выход дополнительного дифференциального каскада 16 соединен со входом четвертого 35 токового зеркала, согласованного с первой 8 шиной источника питания, выход которого соединен со входом буферного усилителя 13, второй 20 токовый выход дополнительного дифференциального каскада 16 соединен со входом пятого 36 токового зеркала, согласованного с первой 8 шиной источника питания, выход которого соединен со входом шестого 37 токового зеркала, согласованного с второй 10 шиной источника питания, причем выход шестого 37 токового зеркала подключен ко входу буферного усилителя 13.In the drawing of FIG. 3, in accordance with
Рассмотрим работу заявляемого ОУ на примере анализа схемы фиг. 2.Consider the operation of the claimed op-amp using the example of the analysis of the circuit of FIG. 2.
Максимальная скорость нарастания выходного напряжения ОУ фиг. 2 определяется скоростью перезаряда емкости первого 14 корректирующего конденсатора. Так как ток первого 6 источника опорного тока измеряется микроамперами, то и скорость перезаряда первого 14 корректирующего конденсатора будет крайне мала. При введении дополнительных элементов (в соответствии с п. 1 формулы изобретения) скорость перезаряда первого 14 корректирующего конденсатора существенно возрастает. Это объясняется тем, что при положительном «скачке» входного напряжения, поданного на неинвертирующий вход 25 устройства, через второй 23 корректирующий конденсатор формируется сравнительно большой импульс тока, который передается через транзистор 27, первое 9 и второе 11 токовые зеркала в первый 14 корректирующий конденсатор.The maximum slew rate of the op amp output voltage of FIG. 2 is determined by the rate of recharging the capacitance of the first 14 correction capacitor. Since the current of the first 6 source of the reference current is measured by microamperes, the recharge rate of the first 14 correction capacitor will be extremely small. With the introduction of additional elements (in accordance with
Аналогично при отрицательном импульсном сигнале на неинвертирующем входе 25 устройства при 100% отрицательной обратной связи через второй 23 корректирующий конденсатор формируется большой импульс тока, который через транзистор 28 и токовое зеркало 12 поступает в высокоимпедансный узел ∑1 и форсирует процесс перезаряда первого 14 корректирующего конденсатора. В конечном итоге, в предлагаемом ОУ фиг. 2 существенно повышается максимальная скорость выходного напряжения.Similarly, with a negative pulse signal at the
Построение ОУ в соответствии с п. 4 формулы изобретения (фиг. 3) обеспечивает более высокие значения максимальной скорости нарастания выходного напряжения в сравнении со схемой фиг. 2. Данный эффект обеспечивается многоканальной передачей токов через второй 23 корректирующий конденсатор в высокоимпедансный узел ∑1, что позволяет более эффективно форсировать процесс перезаряда первого 14 корректирующего конденсатора.The construction of an op-amp in accordance with
В таблицах 1-2 приведены результаты компьютерного моделирования (фиг. 6, фиг. 7) влияния емкости второго 23 корректирующего конденсатора КМОП ОУ фиг. 4 на максимальную скорость нарастания выходного напряжения при I1=I2=10 мкА и С1=3 пФ (табл. 1), а также I1=I2=1 мкА и С1=3 пФ (табл. 2).Tables 1-2 show the results of computer simulation (Fig. 6, Fig. 7) of the effect of the capacitance of the second 23 CMOS correction capacitor CMOS op amp of FIG. 4 to the maximum slew rate of the output voltage at I1 = I2 = 10 μA and C1 = 3 pF (Table 1), as well as I1 = I2 = 1 μA and C1 = 3 pF (Table 2).
Анализ данных таблиц 1-2 показывает, что быстродействие заявляемого ОУ фиг. 4 при работе его КМОП входных транзисторов в микрорежиме повышается (в сравнении с прототипом) более чем в 30 раз (при I1=I2=10 мкА) и более чем в 100 раз (при I1=I2=1 мкА).Analysis of the data in Tables 1-2 shows that the speed of the claimed op-amp of FIG. 4 during the operation of its CMOS input transistors in the micro mode increases (compared with the prototype) more than 30 times (with I1 = I2 = 10 μA) and more than 100 times (with I1 = I2 = 1 μA).
В таблицах 3-4 приведены результаты компьютерного моделирования (фиг. 9 - фиг. 11) влияния емкости второго 23 корректирующего конденсатора BiJFet ОУ фиг. 8 (С23=С2) на максимальную скорость нарастания выходного напряжения при I1=I2=10 мкА, C1=C14=3 пф (t=27°С, табл. 3) и (t=-190°С, табл. 4). При этом среднее значение ϑвых. определяется по формуле , где tуст. - время установления переходного процесса, Uвых. - выходное напряжение ОУ.Tables 3-4 show the results of computer simulation (Fig. 9 - Fig. 11) of the effect of the capacitance of the second 23 BiJFet correction capacitor OA of FIG. 8 (C 23 = C 2 ) to the maximum rate of increase in the output voltage at I 1 = I 2 = 10 μA, C 1 = C 14 = 3 pF (t = 27 ° C, Table 3) and (t = -190 ° C, table 4). The average value of ϑ out . determined by the formula where t mouth - time to establish the transition process, U o - OA output voltage.
Анализ таблиц 3-4 показывает, что быстродействие заявляемого ОУ для BiJFet технологического процесса (фиг. 8) при работе его входных транзисторов в микрорежиме повышается на 3 порядка. Причем, низкие температуры (-190°С) не оказывают существенного влияния на ϑвых, что обусловлено особенностями схемотехники заявляемого ОУ и BiJFet технологическим процессом ОАО «Интеграл» (г. Минск).The analysis of tables 3-4 shows that the speed of the claimed op-amp for BiJFet process (Fig. 8) when its input transistors in micro mode increases by 3 orders of magnitude. Moreover, low temperatures (-190 ° C) do not have a significant effect on the output , due to the peculiarities of the circuitry of the claimed op-amp and BiJFet by the technological process of OJSC Integral (Minsk).
Таким образом, заявляемое устройство обладает существенными преимуществами по сравнению с прототипом.Thus, the claimed device has significant advantages compared to the prototype.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОКBIBLIOGRAPHIC LIST
1. Патент US 7,701,291, фиг. 11. US patent 7,701,291, FIG. one
2. Заявка на патент US 2010/0253433, фиг. 12. Patent application US 2010/0253433, FIG. one
3. Патент US 6,138,3633. US Patent 6,138,363
4. Патент US 6,750,714, фиг. 14. US patent 6,750,714, FIG. one
5. Патент US 4,843,3415. US patent 4,843,341
6. Заявка на патент US 2010/00857906. Patent application US 2010/0085790
7. Заявка на патент US 2009/00585297. Patent Application US 2009/0058529
8. Патент ЕР 24727238. Patent EP 2472723
9. Заявка на патент US 2005/0218983, фиг. 19. Patent application US 2005/0218983, FIG. one
10. Микросхема Операционного усилителя 1427УД110. The chip operational amplifier 1427UD1
(http://ic-info.ru/upload/iblock/203/1427%D0%A3%D0%941.pdf)(http://ic-info.ru/upload/iblock/203/1427%D0%A3%D0%941.pdf)
11. Микросхема Операционного усилителя NE551711. Microcircuit of the operational amplifier NE5517
(http://www.onsemi.ru.com/PowerSolutions/document/NE5517-D.PDF)(http://www.onsemi.ru.com/PowerSolutions/document/NE5517-D.PDF)
12. The Accounting of the Simultaneous Exposure of the Low Temperatures and the Penetrating Radiation at the Circuit Simulation of the BiJFET Analog Interfaces of the Sensors / O.V. Dvornikov, V.L. Dziatlau, N.N. Prokopenko, K.O. Petrosiants, N.V. Kozhukhov, V.A. Tchekhovski // 2017 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), Astana, 29-30.06.17 DOI: 10.1109/SIBCON.2017.7998507 .12. The Accounting of the Simultaneous Exposure of the Low Temperatures and the Penetrating Radiation at the Circuit Simulation of the BiJFET Analog Interfaces of the Sensors / O.V. Dvornikov, V.L. Dziatlau, N.N. Prokopenko, K.O. Petrosiants, N.V. Kozhukhov, V.A. Tchekhovski // 2017 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), Astana, June 29-30, 06 DOI: 10.1109 / SIBCON.2017.7998507.
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017132916A RU2652504C1 (en) | 2017-09-20 | 2017-09-20 | High-speed differential operational amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2017132916A RU2652504C1 (en) | 2017-09-20 | 2017-09-20 | High-speed differential operational amplifier |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2652504C1 true RU2652504C1 (en) | 2018-04-26 |
Family
ID=62045831
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2017132916A RU2652504C1 (en) | 2017-09-20 | 2017-09-20 | High-speed differential operational amplifier |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2652504C1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2741055C1 (en) * | 2020-09-02 | 2021-01-22 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ) | Operational amplifier with "floating" input differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction |
RU2802051C1 (en) * | 2023-04-26 | 2023-08-22 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | High-speed op-amplifier output stage |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6456159B1 (en) * | 2000-09-08 | 2002-09-24 | Analog Devices, Inc. | CMOS operational amplifier |
RU2255416C1 (en) * | 2003-10-06 | 2005-06-27 | Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса (ЮРГУЭС) | Operational amplifier |
US20090309857A1 (en) * | 2008-06-17 | 2009-12-17 | Nec Electronics Corporation | Operational amplifter circuit, and driving method of liquid crystal display using the same |
US20100253433A1 (en) * | 2009-04-07 | 2010-10-07 | The Swatch Group Research And Development Ltd | Low phase noise amplifier circuit |
RU2446554C1 (en) * | 2010-11-13 | 2012-03-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Differential operational amplifier with paraphase output |
RU2616573C1 (en) * | 2015-11-16 | 2017-04-17 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) | Differential operation amplifier |
-
2017
- 2017-09-20 RU RU2017132916A patent/RU2652504C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6456159B1 (en) * | 2000-09-08 | 2002-09-24 | Analog Devices, Inc. | CMOS operational amplifier |
RU2255416C1 (en) * | 2003-10-06 | 2005-06-27 | Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса (ЮРГУЭС) | Operational amplifier |
US20090309857A1 (en) * | 2008-06-17 | 2009-12-17 | Nec Electronics Corporation | Operational amplifter circuit, and driving method of liquid crystal display using the same |
US20100253433A1 (en) * | 2009-04-07 | 2010-10-07 | The Swatch Group Research And Development Ltd | Low phase noise amplifier circuit |
RU2446554C1 (en) * | 2010-11-13 | 2012-03-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Differential operational amplifier with paraphase output |
RU2616573C1 (en) * | 2015-11-16 | 2017-04-17 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) | Differential operation amplifier |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2741055C1 (en) * | 2020-09-02 | 2021-01-22 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ) | Operational amplifier with "floating" input differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction |
RU2802049C1 (en) * | 2023-03-24 | 2023-08-22 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Fast differential amplifier |
RU2802051C1 (en) * | 2023-04-26 | 2023-08-22 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | High-speed op-amplifier output stage |
RU2810544C1 (en) * | 2023-10-09 | 2023-12-27 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Operational amplifier with increased maximum rise rate |
RU2810548C1 (en) * | 2023-10-15 | 2023-12-27 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | High speed operational amplifier |
RU2814685C1 (en) * | 2023-11-01 | 2024-03-04 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Gallium arsenide operational amplifier for operation in wide temperature range |
RU2814681C1 (en) * | 2023-11-03 | 2024-03-04 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Non-resistive gallium arsenide operational amplifier with low level of systematic component of zero offset voltage |
RU2815912C1 (en) * | 2023-11-03 | 2024-03-25 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Resistorless gallium arsenide differential cascade and operational amplifier based on it with low zero offset voltage |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102158070B (en) | Electronic circuit with enhanced power supply rejection | |
RU2523124C1 (en) | Multi-differential operational amplifier | |
RU2566963C1 (en) | Differential input stage of high-speed operational amplifier for cmos technological processes | |
US9628076B2 (en) | Transmission circuit and semiconductor integrated circuit | |
CN110568896B (en) | Comparator, integrated circuit and method | |
RU2710917C1 (en) | Analogue microcircuit output cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction | |
WO2020103725A1 (en) | Differential input circuit, amplification circuit, and display apparatus | |
RU2652504C1 (en) | High-speed differential operational amplifier | |
RU2710847C1 (en) | Differential cascade of ab class on complementary field transistors with control p-n junction for operation in low temperature conditions | |
RU2346388C1 (en) | Differential amplifier | |
KR20050080585A (en) | The op-amplifier with offset cancellation circuit | |
US10613569B2 (en) | Low power half-VDD generation circuit with high driving capability | |
KR100499858B1 (en) | Variable gain amplifier | |
EP2779445A1 (en) | Three Stage Amplifier | |
RU2583760C1 (en) | Bipolar-field operational amplifier | |
Sooksood | Wide current range and high compliance-voltage bulk-driven current mirrors: Simple and cascode | |
RU2659476C1 (en) | High-speed differential operational amplifier | |
CN107888184B (en) | Single-end-to-differential circuit and buffer circuit and sample hold circuit formed by same | |
JP2012104948A (en) | Amplification circuit | |
RU2668968C1 (en) | Fast-acting differential operating amplifier for operation at low temperatures | |
JP5788739B2 (en) | Voltage variable gain amplifier circuit | |
RU2621287C2 (en) | Multidifferential operational amplifier | |
RU2365971C1 (en) | Current mirror | |
Kaur et al. | Comparative analysis of different current mirror using 45nm technology | |
US20230092097A1 (en) | Amplifier output stage circuitry |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190921 |