RU2639990C2 - Способ и устройство для многомодульных устройств без механической изоляции - Google Patents

Способ и устройство для многомодульных устройств без механической изоляции Download PDF

Info

Publication number
RU2639990C2
RU2639990C2 RU2015139045A RU2015139045A RU2639990C2 RU 2639990 C2 RU2639990 C2 RU 2639990C2 RU 2015139045 A RU2015139045 A RU 2015139045A RU 2015139045 A RU2015139045 A RU 2015139045A RU 2639990 C2 RU2639990 C2 RU 2639990C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
modules
module
substrate
junction
isolation
Prior art date
Application number
RU2015139045A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2015139045A (ru
Inventor
Эрик Браун
Эндрю Волш
Джеуз БОРРЭДЖО
Поль ГРИФФ
Original Assignee
МТПВ Пауэ Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by МТПВ Пауэ Корпорейшн filed Critical МТПВ Пауэ Корпорейшн
Publication of RU2015139045A publication Critical patent/RU2015139045A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2639990C2 publication Critical patent/RU2639990C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0475—PV cell arrays made by cells in a planar, e.g. repetitive, configuration on a single semiconductor substrate; PV cell microarrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0687—Multiple junction or tandem solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0725—Multiple junction or tandem solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Element Separation (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

Настоящее изобретение относится к многомодульным устройствам, сформированным на общей подложке, которые более предпочтительны, чем одиночные модульные устройства, особенно в фотоэлектрических областях применения. Многомодульное устройство, обеспечивающее электрическую изоляцию модулей без механической изоляции модулей, включает подложку; омические контакты для двух внешних соединений многомодульного устройства, имеющие электрическое напряжение, электрическое поле на подложке и движение тока между двумя внешними соединениями; несколько модулей, сформированных на подложке и отделенных расстоянием друг от друга так, чтобы стороны модулей были смежными без механической изоляции между модулями; каждый модуль из множества модулей включает в себя P-N-переход для создания диффузионного поля между материалом Р-типа и материалом N-типа P-N-перехода в результате наличия фотогенерированных или генерированных смещением носителей, причем материал Р-типа и материал N-типа являются встречно-штыревыми; и шинную конструкцию, содержащую шинные части для прохождения движения тока в многомодульном устройстве, при этом каждая шинная часть проходит по подложке от первой стороны одного из множества модулей к смежной стороне другого из множества модулей, так что между модулями отсутствует механическая изоляция; и P-N-переход каждого модуля ориентирован так, чтобы диффузионное поле внутри каждого P-N-перехода было направлено перпендикулярно движению тока в многомодульном устройстве, движению паразитного тока и электрическому полю на подложке между двумя внешними соединениями, обеспечивая электрическую изоляцию между модулями. Многомодульные устройства, выполненные согласно изобретению, работают с низкими токами, высокими выходными напряжениями и низкими потерями внутренней энергии. 5 н. и 17 з.п. ф-лы, 4 ил.

Description

[0001] Рассматриваемое изобретение относится к многомодульным фотоэлектрическим полупроводниковым устройствам на общей подложке. Использование множества монолитных модулей на общей подложке, где производятся мощные фототоки, более желательно, чем такие же участки, изготовленные в виде одного модуля или множества взаимосоединенных одиночных модулей устройства. Использование монолитных многомодульных конструкций снижает выходной ток и увеличивает выходное напряжение в прямолинейной зависимости от числа модулей, соединенных в последовательную цепь. Из-за того что потери внутреннего сопротивления сокращаются пропорционально квадрату силы тока, общие потери внутренней энергии в многомодульных устройствах сильно сокращаются на высоких уровнях распределения электромагнитного поля.
[0002] В производстве многомодульных устройств на общей подложке отдельные модули должны быть изолированы друг от друга с помощью электричества. Из уровня техники известно, что электрическая изоляция изобретена с помощью использования механических диэлектрических барьеров между модулями, что увеличивает стоимость и сложность изготовления. Изобретение, описанное здесь, предлагает множество диодных цепочек, которые могут быть распределены на общей подложке без использования механической изоляции. Описанное изобретение не призывает использовать механический изоляционный барьер для получения электрической изоляции между модулями в многомодульном монолитном устройстве. Изобретение может применяться на устройствах, содержащих полупроводниковые материалы, где диоды могут быть изготовлены с дискретными P и N-переходами.
[0003] Из уровня техники известно, что в многомодульных устройствах используются механические траншеи для получения электрической изоляции между модулями. Наиболее практически применимые процессы изготовления траншей требуют использования множества эпитаксиальных слоев в многомодульном устройстве. Требование наличия множества эпитаксиальных слоев также увеличивает затраты на обработку, не считая стоимости изготовления траншеи, а выполнение этих работ обычно требует участия высококвалифицированных специалистов, так как множество эпитаксиальных слоев имеет комплекс требований по изготовлению.
РЕЗЮМЕ
[0004] Настоящее изобретение делает возможным изготовление многомодульного устройства без необходимых диэлектрических траншей для изоляции отдельного модульного P-N-перехода. Каждый отдельный модульный P-N-переход включает область поглощения и диффузионное поле между материалом P-типа и материалом N-типа, которое формируется в результате дыр и электронов, образованных поглощением фотонов, и градиента концентрации, в результате их скопления в областях P и N. В целях упрощения в данном описании изобретения и в формуле термин "диффузионное поле" используется для обобщения и включает все движения носителей, которые образуются в результате их воспроизводства фотонами, и их движение к областям скопления с помощью диффузионного процесса. Диффузионный процесс происходит либо из-за градиента концентрации, как в случае для неосновных носителей, либо из-за требования нейтральности зарядов, как в случае для основных носителей. Определенный механизм в изобретении, который препятствует, или блокирует, паразитный ток, который представляет собой ток основного носителя, связан с диффузионным полем, так как эксперимент показал, что препятствие или блокировка паразитного тока не происходит в тех случаях, когда электрод ориентирован в неправильном направлении. Дыры и электроны собираются омическим контактом на материале P-типа и материале N-типа, и в результате появляется выпускной фототок и напряжение прямого смещения через модульный P-N-переход. Многомодульное устройство основано на примере встречно-штыревых модульных P-N-переходов, расположенных в непрерывной конфигурации для эффективного сбора фотогенерированных носителей. Электрическая изоляция достигается благодаря размещению множества модульных P-N-переходов таким образом, чтобы диффузионные поля, образованные потоком фототока или потоком напряжения прямого смещения через модульные P-N-переходы располагались в поперечном направлении относительно общего потока тока между модульными P-N-переходами, направлению электрического поля, образованного разницей напряжения между многомодульными омическими контактами областей поглощения, и направлению паразитного потока тока между двумя внешними соединениями многомодульного устройства. Таким образом, любой паразитный ток и электрическое поле в направлении между выходом многомодульного устройства и входом многомодульного устройства оказывает ничтожный эффект на фототок, производимый модульными P-N-переходами из-за поперечного взаимоотношения между ними. Это поперечное взаимоотношение электрически изолирует модули.
[0005] Преимущество этого применения в более низкой сложности изготовления для производства многомодульного устройства на общей подложке. Предлагается единственный известный способ производства многомодульного устройства без использования эпитаксиальной технологии и траншейной изоляции. Изобретение может применяться в изготовлении многомодульных устройств на полуизолирующей подложке с тонким эпитаксиальным слоем, где расположены модульные переходы, допуская поглощение близко к накапливающим модульным переходам. Простой эпитаксиальный слой гораздо менее сложный и менее затратный, чем эпитаксиальные слои, требуемые для способа механической траншеи.
[0006] В описании изобретения, приведенном здесь, обозначение диода относится к обычному фотоэлектрическому случаю, где присутствует область поглощения для поглощения фотонов в устройстве, имеющем омические контакты на обоих материалах N-типа и P-типа, и также относится к случаю, где существует множество чередующихся омических контактов N-типа и P-типа в области поглощения внутри устройства. Последний случай преимущественно относится к встречно-штыревому устройству, где множество омических контактов N-типа соединены с первой общей конфигурацией электрической шины на первом конце встречно-штыревого устройства, и множество омических контактов P-типа соединены со второй конфигурацией электрической шины на втором конце встречно-штыревого устройства напротив первого конца встречно-штыревого устройства. Встречно-штыревое устройство обычно применяется, чтобы увеличить эффективность сбора фотогенерированных носителей, так как дизайн-макет устройства минимизирует расстояние, которое должен преодолеть носитель перед тем, как он окажется в месте сбора на омических контактах.
[0007] Многомодульное устройство, которое изготовлено без механической изоляции между модулями, демонстрирует нежелательные паразитные токи, представленные схематически в виде резистивных соединений между модулями многомодульного устройства. Примерно половина сильнолегированных встречно-штыревых областей имеют ту же полярность, что и поглотитель, и используются для формирования омического контакта с ним. Другая половина сильнолегированных встречно-штыревых областей имеют противоположную поглотителю полярность, формируя модульный диод. Омические соединения на общей подложке формируют потенциальные паразитные резистивные каналы в отсутствии механической изоляции. Без способа, описанного в данном изобретении, этот паразитный канал будет проводить ток, направленный противоположно от желаемого выхода устройства.
[0008] Описанное изобретение использует образец встречно-штыревых модульных P-N-переходов, расположенных в такой конфигурации, где диффузионные поля, которые могут быть как фотогенерированными, так и генерированными смещением, служат для электрической изоляции отдельных модульных переходов, таким образом создавая многомодульное устройство без механической изоляции между отдельными модульными переходами. Модульные P-N-переходы могут быть сформированы с помощью диффузии, ионной имплантации или вытравливания мезаструктур. Например, диффузионные поля и токи между встречно-штыревыми контактными областями направлены перпендикулярно направлению тока, движущегося от модуля к модулю через устройство. Изоляция, достигнутая с помощью устройств, в соответствии с настоящим изобретением, была представлена в качестве эксперимента на изготовленных устройствах. Когда диффузионные поля сформированы перпендикулярно каналу паразитных токов, эффект от паразитных токов уменьшается, и результат электрической изоляции примерно сопоставим с результатом механической изоляции. Однако в альтернативной нежелательной конфигурации поля и токи между встречно-штыревыми контактными областями перехода параллельны направлению тока, движущегося от модуля к модулю через устройство и параллельны паразитному резистивному каналу. В этой нежелательной конфигурации встречно-штыревые области будут проводить мощный ток в противоположном направлении от желаемого выхода устройства, и устройство не будет функционировать как многомодульное устройство.
[0009] Рассматриваемое изобретение представляет единственно известный способ достижения многомодульного действия на по большей части не эпитаксиальной подложке, без крайнего сильного утончения подложки и формирования в ней траншей.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
[0010] Данные и другие характеристики, аспекты и преимущества настоящего изобретения будут более понятны благодаря следующему описанию, прилагаемой формуле изобретения и сопутствующим чертежам, где:
[0011] Фигура 1А демонстрирует вид в разрезе известного из уровня техники многомодульного устройства, где применены траншеи для обеспечения механической изоляции между модулями;
[0012] Фигура 1B демонстрирует аналогичное схематическое представление многомодульного устройства;
[0013] Фигура 2А демонстрирует схему многомодульного устройства, где ориентация встречно-штыревого образца не обеспечивает достаточной изоляции модуля поперечным электрическим полем;
[0014] Фигура 2B демонстрирует аналогичную схему многомодульного устройства для цепи, показанной в Фигуре 2А.
[0015] Фигура 3A демонстрирует схему многомодульного устройства, где ориентация встречно-штыревого образца обеспечивает достаточную изоляцию модуля поперечным электрическим полем;
[0016] Фигура 3B демонстрирует аналогичное схематическое представление многомодульного устройства и [0017] Фигура 4 демонстрирует экспериментальные данные, взятые из многомодульного устройства без механической изоляции и имеющего ориентацию конфигурации встречно-штыревого образца, что обеспечивает достаточную изоляцию модулей с помощью поперечного диффузионного поля.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ
[0018] Обращаясь к Фигуре 1А, следует отметить, что Фигура 1А демонстрирует эпитаксиальный слой на подложке полуизолирующего материала. Как показано на Фигуре 2А, известные из уровня техники многомодульные устройства на общей подложке требуют, чтобы устройство было электрически изолировано с помощью создания изолятора или механического барьера между модулями. Чрезвычайно высокое сопротивление материала подложки изолирует модуль по вертикали. Как показано, горизонтальная изоляция обычно достигается путем просечки траншей через эпитаксиальный слой на материал подложки.
[0019] Фигура 1А демонстрирует вид в разрезе известного из уровня техники многомодульного устройства 100, где применены траншеи для обеспечения механической изоляции между модулями. Фигура 1B демонстрирует аналогичное схематическое представление многомодульного устройства 100. Фигура 1А демонстрирует области N+ омического контакта 124, 134, 144 и области P+ омического контакта 122, 132, 142, образованные в областях поглощения P-типа 110, 112, 114. Эти области были изначально отдельным эпитаксиальным слоем, расположенным на полуизолирующей подложке исходной пластины 116. Использование этого типа подложки, изготовленной из материала высокого сопротивления, обеспечивает вертикальную изоляцию для модулей. Как показано, отдельный эпитаксиальный слой был разделен на модули 126, 136, 146 конфигурацией траншей 128, 138. Траншеи футерованы кремниевым диоксидом 118 для обеспечения горизонтальной изоляции и изоляции верхней поверхности. Металлизированные поверхности 120, 130, 140, 150 обеспечивают внешние и внутренние соединения для устройства 100. Показаны только последовательные цепочки соединений. Существует широко известная из уровня техники многомодульная технология, где применяются обе траншеи 128, 138 и множество эпитаксиальных слоев, которая гораздо более сложная, чем конфигурация, показанная на Фигуре 1А. Эта технология применяет общеизвестный слой горизонтального сбора. В отличие от поперечного слоя из известного уровня техники, изобретение может использовать один эпитаксиальный слой, а также не иметь сложности, связанные с изготовлением траншеи или множества эпитаксиальных слоев.
[0020] Обращаясь к Фигуре 2А, необходимо отметить, что Фигура 2А демонстрирует схему соединения многомодульного устройства 200, где встречно-штыревой образец не обеспечивает достаточную электрическую или механическую изоляцию. Канал тока в диффузионных полях 290 модулей 225, 235, 245, 255 и общем потоке тока 280 параллелен и обычно также направлен, как и канал паразитного тока и выходной ток 280, движущийся через устройство 200. Модули соединены друг с другом встык изнутри, благодаря металлизации 230, 240, 250, и снаружи, благодаря металлизации 220, 260. Аналогичная схема для цепочки в Фигуре 2А показана в Фигуре 2 В. Ток в паразитном резисторе обратной связи 260 не противоположно направлен, что ухудшает выход устройства. Данная конфигурация 200 не обеспечивает изоляцию полей и является примером неэффективной конфигурации. Это очень неэффективный способ изоляции, и он дает неудовлетворительные результаты. Для простоты, для каждого модуля показана только одна пара переходов. Однако модули могут содержать множество встречно-штыревых переходов, соединенных электрическими шинами.
[0021] Обращаясь к Фигуре 3A, необходимо отметить, что Фигура 3A демонстрирует вид сверху многомодульного устройства 300, которое обеспечивает достаточную электрическую изоляцию, в соответствии с рассматриваемым изобретением, благодаря выборочному расположению и направлению встречно-штыревых P-N-переходов. Фигура 3A демонстрирует четыре модуля 322, 332, 342, 352, соединенных в последовательной конфигурации. Каждый модуль 322, 332, 342, 352 имеет встречно-штыревые переходы, соединенные параллельно. Эти модули или субмодули соединены электрическими шинами 330, 340, 350 для образования выходного напряжения и минимизации внутренних потерь. Модули имеют внешние соединения 320, 360. Фигура 3B демонстрирует аналогичное схематическое представление многомодульного устройства 300. Как показано в Фигуре 3A, поток тока диффузионного поля 390 перпендикулярен общему потоку тока 380, электрическому полю, находящемуся на подложке, и направлению паразитного канала. Эта перпендикулярная ориентация диффузионного поля и диффузионного тока 390 противоположна электрическому полю на подложке и приводит к тому, что электрическая изоляция практически равна той, которая обеспечивается механической изоляцией, без использования механической изоляции, например, траншей.
[0022] Обращаясь у Фигуре 4, необходимо отметить, что Фигура 4 показывает прямую и обратную характеристики смещения цепочки из пяти диодов, изготовленных на общей сплошной подложке без механической изоляции, в соответствии с рассматриваемым изобретением. Три кривые образуются на трех отдельных диодных цепочках. Достигаемое напряжение согласуется с ожидаемым прямым напряжением германиевого материала. Один германиевый диод будет иметь напряжение приблизительно 200 мВ в прямом смещении, поэтому экспериментально представленное накапливаемое напряжение в примерно один вольт из цепочки диодов, как показано на Фигуре 4, это то, что можно ожидать от цепочки из пяти электрически изолированных диодов, смещенных в прямом направлении. Если электрическая изоляция не достигнута, тестируемая выпускная цепочка (на общей подложке) будет выглядеть как один прямо смещенный диод с внутренним резистором в последовательности, что приводит к более низкому напряжению на выходе.
[0023] Изображение изобретения, представленного здесь, основано, преимущественно, на работе фотоэлектрического устройства, однако изобретение не ограничивается фотоэлектрическими устройствами и с тем же успехом подходит к цепочке диодов с прямым смещением, используемой для различных целей.
[0024] Эффективность представленной конфигурации, как показано на Фигуре 3, в соответствии с рассматриваемым изобретением, и неэффективность конфигурации, представленной на Фигуре 2, были определены экспериментально. Основываясь на экспериментальном примере, можно отметить, что не существует существенных различий в исполнении между механической изоляцией из известного уровня техники и полем, обеспечивающим электрическую изоляцию, предложенную в рассматриваемом изобретении. В общем, электрическая изоляция, в соответствии с изобретением, улучшена наличием конфигурации встречно-штыревого диода, где разделительное расстояние между P+ областью модуля и N+ областью модуля небольшое, относительно длины переходов. Небольшое разделительное расстояние между P+ областью модуля и N+ областью модуля предпочтительно, так как формируется диффузионное поле высокого напряжения. В предпочтительном варианте, разделительное расстояние условно от 5 до 50 микрометров, а длина модуля как минимум в десять раз больше разделительного расстояния. В общих чертах, эти размеры и это соотношение размеров обеспечивают блокирующее поле высокого напряжения и паразитное поле низкого напряжения.
[0025] В ходе проведения попыток улучшить выходной ток многомодульного устройства на монолитной подложке без механической изоляции, было экспериментально протестировано некоторое количество модульных схем. Наилучшие результаты были получены для схемы, изображенной на Фигурах 3A и 3B, где конфигурация устройства обеспечивает многомодульные функциональные возможности без механической изоляции между модулями. В предпочтительном варианте осуществления изобретения отдельные модули сформированы встречно-штыревой конструкцией переходов с такими же переходами, соединенными электрическими шинами. Соединение электрическими шинами между чередующимися модулями P и N некоторым образом формирует цепочку диодов, имеющую размер полного цикла. Отдельные переходы внутри модуля имеют большой размер, параллельный направлению размера полного цикла цепочки диодов. Переходы могут быть образованы с помощью диффузии, имплантации ионов, барьера Шотки или других известных процессов. Предпочтительный вариант осуществления изобретения описывает альтернативное многомодульное устройство на общей подложке, отличающееся тем, что переходы и области омических контактов каждого модуля представлены в форме длинных встречно-штыревых штырей, и продольное направление этих штырей параллельно продольному направлению паразитного канала, образованного омическими контактами некоторых штырей на общей подложке, и продольное направление этих штырей параллельно каналу полного цикла цепочки диодов.

Claims (48)

1. Многомодульное устройство, обеспечивающее электрическую изоляцию модулей без механической изоляции модулей, включающее:
подложку;
омические контакты для двух внешних соединений многомодульного устройства, имеющие электрическое напряжение, электрическое поле на подложке и движение тока между двумя внешними соединениями;
несколько модулей, сформированных на подложке и отделенных расстоянием друг от друга так, чтобы стороны модулей были смежными без механической изоляции между модулями;
каждый модуль из множества модулей включает в себя P-N-переход для создания диффузионного поля между материалом Р-типа и материалом N-типа P-N-перехода в результате наличия фотогенерированных или генерированных смещением носителей, причем материал Р-типа и материал N-типа являются встречно-штыревыми; и
шинную конструкцию, содержащую шинные части для прохождения движения тока в многомодульном устройстве, при этом каждая шинная часть проходит по подложке от первой стороны одного из множества модулей к смежной стороне другого из множества модулей, так что между модулями отсутствует механическая изоляция; и
P-N-переход каждого модуля ориентирован так, чтобы диффузионное поле внутри каждого P-N-перехода было направлено перпендикулярно движению тока в многомодульном устройстве, движению паразитного тока и электрическому полю на подложке между двумя внешними соединениями, обеспечивая электрическую изоляцию между модулями.
2. Многомодульное устройство по п. 1, отличающееся тем, что P-N-переходы множества модулей соединены параллельно.
3. Многомодульное устройство по п. 1, отличающееся тем, что материал Р-типа и материал N-типа являются прямоугольными, а расстояние между Р+ областью и N+ областью P-N-перехода каждого из множества модулей меньше, чем длина каждого из множества модулей, и сформировано так, что диффузионное поле является достаточно сильным для блокировки или препятствования паразитного тока основного носителя.
4. Многомодульное устройство по п. 1, отличающееся тем, что расстояние между Р+ областью и N+ областью P-N-перехода каждого из множества модулей меньше, чем ширина каждого из множества модулей.
5. Многомодульное устройство по п. 1, отличающееся тем, что длина каждого модульного P-N-перехода в десять раз больше расстояния между Р+ областью и N+ областью соответствующего модуля.
6. Многомодульное устройство по п. 1, отличающееся тем, что подложка выбрана из группы, содержащей однородный монолитный полупроводниковый материал, подложку с эпитаксиальным слоем и полуизолирующий материал с тонким эпитаксиальным слоем.
7. Многомодульное устройство по п. 1, отличающееся тем, что многомодульное устройство является фотоэлектрическим устройством.
8. Способ для обеспечения электрической изоляции в многомодульном устройстве без механической изоляции модулей, включающий:
наличие омических контактов для двух внешних соединений многомодульного устройства, имеющих электрическое напряжение, электрическое поле на подложке, движение тока между двумя внешними соединениями;
формирование нескольких модулей на подложке в виде взаимосвязанной конфигурации и отделенных расстоянием друг от друга;
формирование каждого модуля из множества модулей с наличием P-N-перехода, имеющих диффузионное поле в результате наличия фотогенерированных или генерированных смещением носителей; и
расположение P-N-перехода каждого модуля так, чтобы диффузионное поле внутри каждого P-N-перехода было перпендикулярно движению тока в многомодульном устройстве, движению паразитного тока и электрическому полю на подложке между двумя внешними соединениями без механической изоляции между по меньшей мере одной парой смежных модулей для создания, по существу, всей изоляции модулей; и
обеспечение шины, проходящей между противоположными сторонами смежных модулей для прохождения движения тока в многомодульном устройстве.
9. Способ по п. 8, отличающийся тем, что P-N-переходы сформированы в процессе, выбранном из группы, включающей в себя диффузию, имплантацию ионов и вытравливание мезаструктур.
10. Способ по п. 8, также включающий в себя формирование P-N-переходов в эпитаксиальном слое на подложке так, чтобы фотонное поглощение проходило вблизи накапливающего перехода для минимизации рекомбинационных потерь.
11. Способ по п. 8, также включающий в себя увеличение паразитного сопротивления на подложке из-за формирования длины P-N-перехода большей, чем разделительное расстояние между смежными модулями.
12. Многомодульное устройство, обеспечивающее электрическую изоляцию модулей без механической изоляции модулей, включающее:
омические контакты для двух внешних соединений многомодульного устройства, имеющие электрическое напряжение, электрическое поле на подложке и движение тока между двумя внешними соединениями;
несколько модулей, сформированных на подложке, при этом модули отделены расстоянием друг от друга и взаимосвязаны соответствующей шиной, проходящей между сторонами смежных модулей;
каждый модуль из множества модулей, имеющих диффузионное поле в результате наличия фотогенерированных или генерированных смещением носителей; и
каждый модуль сконфигурирован и ориентирован так, чтобы обеспечить электрическую изоляцию от других модулей, причем диффузионное поле перпендикулярно движению тока в многомодульном устройстве, движению паразитного тока и электрическому полю на подложке между двумя внешними соединениями.
13. Многомодульное устройство по п. 12, отличающееся тем, что расположение множества модулей относительно направления электрического поля на подложке обеспечивает электрическую изоляцию каждого из множества модулей.
14. Многомодульное устройство по п. 12, отличающееся тем, что расстояние между Р+ областью и N+ областью каждого встречно-штыревого модуля из множества модулей меньше, чем длина соответствующего модуля.
15. Многомодульное устройство по п. 12, отличающееся тем, что расстояние между Р+ областью и N+ областью каждого из множества модулей меньше, чем ширина соответствующего модуля.
16. Многомодульное устройство по п. 12, отличающееся тем, что длина каждого из множества модулей в десять раз больше расстояния между Р+ областью и N+ областью модуля.
17. Многомодульное устройство, включающее:
подложку;
первый и второй омические контакты на подложке для обеспечения внешнего соединения с движением тока между первым и вторым контактами;
первую и вторую электрические шины на подложке, соединенные непосредственно с первым и вторым омическими контактами соответственно;
первый и второй модули на подложке, соединенные непосредственно с первой и второй электрическими шинами соответственно, при этом каждый модуль имеет несколько удлиненных областей Р-типа, являющихся встречно-штыревыми с несколькими удлиненными областями N-типа для формирования множества P-N-переходов; и
по меньшей мере одну промежуточную электрическую шину на подложке, проходящую между первой стороной первого модуля и смежной стороной второго модуля,
причем P-N-переходы ориентированы и сконфигурированы для обеспечения диффузионного поля, обеспечивающего электрическую изоляцию модулей.
18. Многомодульное устройство по п. 17, также включающее несколько модулей на подложке между первым и вторым модулями, причем по меньшей мере одна промежуточная электрическая шина представляет собой несколько электрических шин, при этом одна из указанных электрических шин соединена между смежными модулями.
19. Полупроводниковое устройство, включающее:
подложку;
первую электрическую шину на подложке, проходящую вдоль первой оси;
первый модуль на подложке, соединенный непосредственно с первой стороной первой электрической шины; и
второй модуль на подложке, соединенный непосредственно со второй стороной первой электрической шины так, чтобы первая электрическая шина проходила от первого модуля ко второму модулю,
причем каждый модуль включает несколько удлиненных непрерывных областей Р-типа, являющихся встречно-штыревыми с несколькими удлиненными непрерывными областями N-типа вдоль второй оси, перпендикулярной первой оси, при этом области Р-типа и N-типа обладают небольшим расстоянием отделения для формирования множества P-N-переходов, генерирующих диффузионное поле высокого напряжения вдоль второй оси, для обеспечения электрической изоляции первого и второго модулей без механической изоляции модулей.
20. Полупроводниковое устройство по п. 19, также включающее вторую электрическую шину, соединенную с первым модулем, и третью электрическую шину, соединенную со вторым модулем.
21. Полупроводниковое устройство по п. 20, также включающее третий модуль на подложке, соединенный с третьей электрической шиной, причем третий модуль имеет несколько областей Р-типа, являющихся встречно-штыревыми с несколькими областями N-типа для формирования множества P-N-переходов, направленных и сконфигурированных для обеспечения электрической изоляции третьего модуля без механической изоляции.
22. Полупроводниковое устройство по п. 20, также включающее первый омический контакт, соединенный со второй электрической шиной, и второй омический контакт, соединенный с третьей электрической шиной, для обеспечения внешнего соединения с движением тока между первым и вторым омическими контактами.
RU2015139045A 2013-03-15 2014-03-14 Способ и устройство для многомодульных устройств без механической изоляции RU2639990C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361793328P 2013-03-15 2013-03-15
US61/793,328 2013-03-15
PCT/US2014/029296 WO2014144755A1 (en) 2013-03-15 2014-03-14 Method and structure for multi-cell devices without physical isolation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2015139045A RU2015139045A (ru) 2017-04-24
RU2639990C2 true RU2639990C2 (ru) 2017-12-25

Family

ID=51521903

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015139045A RU2639990C2 (ru) 2013-03-15 2014-03-14 Способ и устройство для многомодульных устройств без механической изоляции

Country Status (16)

Country Link
US (2) US9755095B2 (ru)
EP (1) EP2973733A4 (ru)
JP (2) JP6348569B2 (ru)
KR (2) KR20160010409A (ru)
CN (1) CN105144404B (ru)
BR (1) BR112015023559A2 (ru)
CA (1) CA2907247C (ru)
GB (1) GB2526482A (ru)
HK (1) HK1213087A1 (ru)
IL (1) IL241636B (ru)
MX (1) MX352066B (ru)
MY (1) MY174043A (ru)
RU (1) RU2639990C2 (ru)
SA (1) SA515361191B1 (ru)
TW (2) TWI611558B (ru)
WO (1) WO2014144755A1 (ru)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015045242A1 (ja) 2013-09-25 2015-04-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池、太陽電池モジュールおよび太陽電池の製造方法
TWI538230B (zh) * 2015-03-23 2016-06-11 茂迪股份有限公司 背接觸太陽能電池組及其製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4933021A (en) * 1988-11-14 1990-06-12 Electric Power Research Institute Monolithic series-connected solar cells employing shorted p-n junctions for electrical isolation
US5164019A (en) * 1991-07-31 1992-11-17 Sunpower Corporation Monolithic series-connected solar cells having improved cell isolation and method of making same
US5595607A (en) * 1991-12-09 1997-01-21 Unisearch Limited Buried contact interconnected thin film and bulk photovoltaic cells
RU2007139437A (ru) * 2005-04-26 2009-06-10 Син-Эцу Хандотай Ко., Лтд. (Jp) Солнечный элемент, способ его изготовления и способ изготовления полупроводникового устройства

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3994012A (en) * 1975-05-07 1976-11-23 The Regents Of The University Of Minnesota Photovoltaic semi-conductor devices
US4278473A (en) * 1979-08-24 1981-07-14 Varian Associates, Inc. Monolithic series-connected solar cell
US4933022A (en) * 1988-11-14 1990-06-12 Board Of Trustees Of The Leland Stanford Univ. & Electric Power Research Institute Solar cell having interdigitated contacts and internal bypass diodes
JPH08213646A (ja) * 1995-02-07 1996-08-20 Daido Hoxan Inc 集積型太陽電池とその製造方法
US7388147B2 (en) * 2003-04-10 2008-06-17 Sunpower Corporation Metal contact structure for solar cell and method of manufacture
JP4530179B2 (ja) * 2008-01-22 2010-08-25 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 フォトダイオードおよびそれを備えた紫外線センサ、並びにフォトダイオードの製造方法
JP5410050B2 (ja) * 2008-08-08 2014-02-05 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
WO2010025269A1 (en) * 2008-08-27 2010-03-04 Applied Materials, Inc. Back contact solar cell modules
CN102549762B (zh) * 2009-09-30 2015-06-03 Lg伊诺特有限公司 太阳能电池设备
CN102157600A (zh) * 2011-03-31 2011-08-17 湘潭大学 叉指状紫外增强型选择性硅光电二极管及其制作方法
US20120280109A1 (en) * 2011-05-05 2012-11-08 Omnivision Technologies, Inc. Method, apparatus and system to provide conductivity for a substrate of an image sensing pixel
KR101315407B1 (ko) * 2012-06-04 2013-10-07 한화케미칼 주식회사 에미터 랩 스루 태양 전지 및 이의 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4933021A (en) * 1988-11-14 1990-06-12 Electric Power Research Institute Monolithic series-connected solar cells employing shorted p-n junctions for electrical isolation
US5164019A (en) * 1991-07-31 1992-11-17 Sunpower Corporation Monolithic series-connected solar cells having improved cell isolation and method of making same
US5595607A (en) * 1991-12-09 1997-01-21 Unisearch Limited Buried contact interconnected thin film and bulk photovoltaic cells
RU2007139437A (ru) * 2005-04-26 2009-06-10 Син-Эцу Хандотай Ко., Лтд. (Jp) Солнечный элемент, способ его изготовления и способ изготовления полупроводникового устройства

Also Published As

Publication number Publication date
BR112015023559A2 (pt) 2017-07-18
US20170338362A1 (en) 2017-11-23
RU2015139045A (ru) 2017-04-24
GB2526482A (en) 2015-11-25
TWI662684B (zh) 2019-06-11
US20140261618A1 (en) 2014-09-18
MX2015012941A (es) 2016-07-08
JP2018152595A (ja) 2018-09-27
US9755095B2 (en) 2017-09-05
MX352066B (es) 2017-11-08
GB201516185D0 (en) 2015-10-28
US10418502B2 (en) 2019-09-17
IL241636B (en) 2020-10-29
TW201535677A (zh) 2015-09-16
JP2016512399A (ja) 2016-04-25
TW201813051A (zh) 2018-04-01
HK1213087A1 (zh) 2016-06-24
WO2014144755A1 (en) 2014-09-18
KR20170012607A (ko) 2017-02-02
KR20160010409A (ko) 2016-01-27
JP6348569B2 (ja) 2018-06-27
MY174043A (en) 2020-03-05
CN105144404A (zh) 2015-12-09
KR102072282B1 (ko) 2020-01-31
CN105144404B (zh) 2019-03-29
EP2973733A4 (en) 2017-01-18
CA2907247C (en) 2021-10-19
EP2973733A1 (en) 2016-01-20
TWI611558B (zh) 2018-01-11
SA515361191B1 (ar) 2018-12-27
CA2907247A1 (en) 2014-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4933021A (en) Monolithic series-connected solar cells employing shorted p-n junctions for electrical isolation
US3015762A (en) Semiconductor devices
US4283589A (en) High-intensity, solid-state solar cell
KR101603570B1 (ko) 탄화 규소 반도체장치
US9142692B2 (en) Thyristor-based, dual-polarity blocking photo-conductive semiconductor switch (PCSS) for short pulse switching and methods
WO1998053500A1 (en) Interdigitated photovoltaic power conversion device
CN111213235B (zh) 具有四端叠层太阳能电池布置的太阳能电池板
CN107258018A (zh) 双向功率半导体器件
EP1878054B1 (en) Solar cell array with isotype-heterojunction diode
US20150136214A1 (en) Solar cells having selective contacts and three or more terminals
RU2639990C2 (ru) Способ и устройство для многомодульных устройств без механической изоляции
KR101630130B1 (ko) 태양 전지 및 태양 전지 모듈
KR101231314B1 (ko) 태양전지 모듈
KR20100068947A (ko) 태양전지
FR3050571A1 (fr) Convertisseur electronique de puissance utilisant deux puces multi-poles de puissance a substrats complementaires n et p.
KR101072073B1 (ko) 태양광 발전장치
CN215955286U (zh) 一种半导体放电管及过电压保护装置
JP2005072387A (ja) 光半導体装置、半導体リレー装置及び光信号受信装置
RU106443U1 (ru) Полупроводниковая многопереходная структура
EP2405487A1 (en) A photo-converting part of an electromagnetic radiation converter (variant embodiments), and an electromagnetic radiation converter
CN113314593A (zh) 一种半导体放电管及其制作方法、过电压保护装置
KR101231277B1 (ko) 태양전지 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20210315