RU2610346C1 - METHOD OF MAKING OHMIC CONTACTS FOR AlGaN/GaN NITRIDE HETEROSTRUCTURES - Google Patents
METHOD OF MAKING OHMIC CONTACTS FOR AlGaN/GaN NITRIDE HETEROSTRUCTURES Download PDFInfo
- Publication number
- RU2610346C1 RU2610346C1 RU2015154773A RU2015154773A RU2610346C1 RU 2610346 C1 RU2610346 C1 RU 2610346C1 RU 2015154773 A RU2015154773 A RU 2015154773A RU 2015154773 A RU2015154773 A RU 2015154773A RU 2610346 C1 RU2610346 C1 RU 2610346C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- ohmic contacts
- algan
- heterostructure
- gan
- etching
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 12
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 claims description 7
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 36
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к технологии формирования омических контактов к гетероструктурам AlGaN/GaN и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, в частности полевых транзисторов СВЧ диапазона.The invention relates to a technology for the formation of ohmic contacts to AlGaN / GaN heterostructures and can be used in the manufacture of semiconductor devices, in particular microwave field-effect transistors.
Из предшествующего уровня техники известен способ [US 7700974 В2; МПК H01L 29/778] изготовления омических контактов к полупроводниковой гетероструктуре AlGaN/GaN, включающий образование углублений строго заданных размеров в слое AlGaN путем «сухого» травления. В места образования углублений наносят слои металлом Ti/Al/Ni/Au, а затем нагревают указанные осажденные металлы до высокой температуры (более 800°С), в результате чего образуется омический контакт с двумерным электронным газом. Недостатком способа является грубая морфология омических контактов и высокое удельное сопротивление.The prior art method is known [US 7700974 B2; IPC H01L 29/778] manufacturing ohmic contacts to the AlGaN / GaN semiconductor heterostructure, including the formation of recesses of strictly specified sizes in the AlGaN layer by "dry" etching. Layers are coated with Ti / Al / Ni / Au metal at the points of formation of the depressions, and then these deposited metals are heated to a high temperature (more than 800 ° C), as a result of which an ohmic contact with a two-dimensional electron gas is formed. The disadvantage of this method is the rough morphology of ohmic contacts and high resistivity.
Известен способ [US 6852615 В2; МПК H01L 21/338] изготовления омических контактов к гетероструктуре, состоящей из трех слоев элементов группы А3В5. На верхний слой наносят фоторезист и уменьшают толщину третьего (барьерного) слоя, образуя углубления. Удаляют первый фоторезист и наносят второй фоторезист. Величина отверстий во втором фоторезисте больше, чем в первом. Затем осаждают металлические слои, которые закрывают часть поверхности гетероструктуры, удаляют второй фоторезист и производят отжиг. Недостатком способа является отсутствие защитного слоя для гетероструктуры, что ухудшает характеристики омических контактов при последующей высокотемпературной обработке.The known method [US 6852615 B2; IPC H01L 21/338] manufacturing ohmic contacts to a heterostructure consisting of three layers of elements of the A3B5 group. A photoresist is applied to the upper layer and the thickness of the third (barrier) layer is reduced to form depressions. The first photoresist is removed and the second photoresist is applied. The size of the holes in the second photoresist is larger than in the first. Then, metal layers are deposited, which cover part of the surface of the heterostructure, remove the second photoresist and anneal. The disadvantage of this method is the lack of a protective layer for the heterostructure, which degrades the characteristics of ohmic contacts during subsequent high-temperature processing.
Известен способ [US 8878245 В2; МПК H01L 29/66] изготовления омических контактов к гетероструктуре, которая состоит из одного или более проводящего и барьерного слоя. Барьерный слой может включать в себя несколько слоев, таких как AlGaN и AlN. На барьерный слой наносится маска, материал маски выбирается таким образом, что он может функционировать в качестве пассивирующего слоя. Например, SiN может быть использован в качестве маски. Затем происходит травление маски, барьерного и проводящего слоев через сформированные в маске с помощью фотолитографии «окна». И осуществляется рост высоколегированного полупроводникового материала, который контактирует с проводящим слоем. В гетероструктурах AlGaN/GaN это может быть n+GaN. Далее осаждают на область n+GaN металл, образующий омический контакт. Высокое легирование n+GaN обеспечивает связь металла с двумерным электронным газом без отжига контактов при высоких температурах. Недостатком способа является высокое удельное сопротивление.The known method [US 8878245 B2; IPC H01L 29/66] manufacturing ohmic contacts to the heterostructure, which consists of one or more conductive and barrier layers. The barrier layer may include several layers, such as AlGaN and AlN. A mask is applied to the barrier layer, the mask material is selected so that it can function as a passivating layer. For example, SiN can be used as a mask. Then the mask, the barrier and conductive layers are etched through the “windows” formed in the mask using photolithography. And the high-alloyed semiconductor material that is in contact with the conductive layer is grown. In AlGaN / GaN heterostructures, this can be n + GaN. Next, a metal forming an ohmic contact is deposited on the n + GaN region. High doping with n + GaN ensures the bonding of the metal with a two-dimensional electron gas without annealing the contacts at high temperatures. The disadvantage of this method is the high resistivity.
Известен способ [Nidhi, Brown G.F., Keller S., Mishra U.K. // Japanese Journal of Applied Physics 49 (2R), 021005. 2010] изготовления омических контактов к гетероструктуре, состоящей из эпитаксиального слоя, барьерного слоя и слоя легированного GaN (n+GaN). С помощью плазменного травления формируют «окна» в барьерном и n+GaN слоях. Затем наносят слои металлов Ti/Al/Ni/Au под различными углами между источником металлов и нормалью к гетероструктуре. Наименьшее сопротивление омических контактов, равное 0,1 Ом⋅мм, было достигнуто при нанесении металлических слоев под углом 40°С. Недостатками способа являются применение дополнительных установок для нанесения металлических слоев под углом, что существенно усложняет процесс изготовления омических контактов, и недостаточно низкое удельное сопротивление омических контактов.A known method [Nidhi, Brown GF, Keller S., Mishra UK // Japanese Journal of Applied Physics 49 (2R), 021005. 2010] for the manufacture of ohmic contacts to a heterostructure consisting of an epitaxial layer, a barrier layer and a layer of doped GaN (n + GaN). Using plasma etching, “windows” are formed in the barrier and n + GaN layers. Then, Ti / Al / Ni / Au metal layers are applied at various angles between the metal source and the normal to the heterostructure. The lowest resistance of ohmic contacts, equal to 0.1 Ohm⋅mm, was achieved when applying metal layers at an angle of 40 ° C. The disadvantages of the method are the use of additional installations for applying metal layers at an angle, which significantly complicates the manufacturing process of ohmic contacts, and not sufficiently low resistivity of ohmic contacts.
Данный способ принят в качестве прототипа настоящего изобретения.This method is adopted as a prototype of the present invention.
Техническим результатом изобретения является уменьшение удельного сопротивления омических контактов и упрощения процесса изготовления омических контактов.The technical result of the invention is to reduce the resistivity of ohmic contacts and simplify the manufacturing process of ohmic contacts.
Технический результат достигается за счет того, что после травления проводящего и барьерного слоев гетероструктуры производится дополнительное растравливание «окон» диэлектрической пленки SiO2 перед началом нанесения омических контактов, тем самым отсутствует необходимость напылять металлические слои под углом и улучшается сам контакт на вертикальной границе сформированного «окна» осажденных металлов с двумерным электронным газом.Technical result is achieved due to the fact that after etching the conductive and barrier layers of the heterostructure is made additional etching "windows" dielectric film SiO 2 before the application of ohmic contacts, thus there is no need to spray the metal layers at an angle and improves contact itself on a vertical boundary formed "window "Deposited metals with two-dimensional electron gas.
Суть изготовления омических контактов поясняют фиг. 1-4. На поверхности гетероструктуры, состоящей из проводящего слоя GaN (1) и барьерного слоя AlGaN (2), наносится диэлектрическая пленка (3), например SiO2. Через фоторезистивную маску проводится травление «окно» в диэлектрической пленке, после чего фоторезистивная маска удаляется. Далее проводится травление гетероструктуры, через сформированные «окна» в диэлектрической пленке, на глубину ниже залегания области (4) двумерного электронного газа. После образования углублений в герероструктуре происходит повторное травление диэлектрической пленки для расширения «окон» в диэлектрической пленке. Далее возможно либо осаждение металлических слоев (5), либо осаждение сильнолегированного n+GaN (6) в образованные «окна» и последовательное нанесение металлических слоев.The essence of the manufacture of ohmic contacts is illustrated in FIG. 1-4. A dielectric film (3), for example, SiO 2 , is deposited on the surface of a heterostructure consisting of a conducting GaN layer (1) and an AlGaN barrier layer (2). A window is etched through the photoresist mask in the dielectric film, after which the photoresist mask is removed. Next, the heterostructure is etched through the formed “windows” in the dielectric film to a depth below the area (4) of the two-dimensional electron gas. After the formation of recesses in the heterostructure, the dielectric film is again etched to expand the “windows” in the dielectric film. Further, it is possible either the deposition of metal layers (5), or the deposition of heavily doped n + GaN (6) into the formed “windows” and the sequential deposition of metal layers.
Фиг. 1. Схематическое изображение гетероструктуры после травления.FIG. 1. Schematic representation of the heterostructure after etching.
Фиг. 2 Схематическое изображение гетероструктуры после повторного травления диэлектрической пленки.FIG. 2 Schematic representation of a heterostructure after repeated etching of a dielectric film.
Фиг. 3. Схематическое изображение гетероструктуры с осажденными металлическими слоями.FIG. 3. Schematic representation of a heterostructure with deposited metal layers.
Фиг. 4. Схематическое изображение гетероструктуры с осажденными n+GaN и металлическими слоями.FIG. 4. Schematic representation of a heterostructure with deposited n + GaN and metal layers.
Пример 1Example 1
Эксперимент по изготовлению омических контактов проводился на гетероструктуре, состоящей из проводящего слоя GaN и барьерного слоя AlGaN. После формирования «меза»-изоляции приборов путем плазмохимического вытравливания верхних активных слоев на глубину до 80 нм в смеси N2O+SiH4 при температуре 300°С наносится диэлектрическая пленка SiO2. Травление диэлектрической пленки SiO2 через предварительно сформированную фоторезистивную маску осуществляется плазмохимическим методом в смеси SF6 и O2. Далее удаляется фоторезистивная маска и через сформированную диэлектрическую пленку SiO2 проводится плазмохимическое травление гетероструктуры в смеси BCl3 и Ar на глубину ниже залегания двумерного электронного газа. После образования углублений в герероструктуре происходит повторное травление диэлектрической пленки SiO2 для расширения «окон» в диэлектрической пленке SiO2. Далее на гетероструктуру со сформированной диэлектрической пленкой SiO2 происходит осаждение сильнолегированного n+GaN в установке молекулярно-лучевой эпитаксии при температуре 850°С. Формирование омических контактов завершается последовательным нанесением металлических слоев Cr/Au (40/300 нм) на область n+GaN. Удельное сопротивление изготовленных омических контактов составило 0,11 Ом⋅мм.The ohmic contact manufacturing experiment was carried out on a heterostructure consisting of a GaN conducting layer and an AlGaN barrier layer. After the formation of “mesa” -insulation of devices by plasma-chemical etching of the upper active layers to a depth of 80 nm in a mixture of N 2 O + SiH 4 at a temperature of 300 ° C, a dielectric SiO 2 film is deposited. The etching of a dielectric SiO 2 film through a preformed photoresist mask is carried out by the plasma-chemical method in a mixture of SF 6 and O 2 . Next, the photoresist mask is removed and the plasma-chemical etching of the heterostructure in a mixture of BCl 3 and Ar to a depth below the two-dimensional electron gas is carried out through the formed SiO 2 dielectric film. After the formation of depressions in the heterostructure, etching of the dielectric SiO 2 film takes place to expand the “windows” in the dielectric SiO 2 film. Then, heavily doped n + GaN is deposited in a molecular beam epitaxy at a temperature of 850 ° C onto a heterostructure with a formed SiO 2 dielectric film. The formation of ohmic contacts is completed by the sequential deposition of Cr / Au metal layers (40/300 nm) on the n + GaN region. The resistivity of the fabricated ohmic contacts was 0.11 Ohm⋅mm.
Пример 2.Example 2
Эксперимент по изготовлению омических контактов проводился на гетероструктуре, состоящей из проводящего слоя GaN и барьерного слоя AlGaN. После формирования «меза»-изоляции приборов путем плазмохимического вытравливания верхних активных слоев на глубину до 80 нм в смеси N2O+SiH4 при температуре 300°С наносится диэлектрическая пленка SiO2. Травление диэлектрической пленки SiO2 через предварительно сформированную фоторезистивную маску осуществляется плазмохимическим методом в смеси SF6 и O2. Далее удаляется фоторезистивная маска и через сформированную диэлектрическую пленку SiO2 проводится плазмохимическое травление гетероструктуры в смеси BCl3 и Ar на глубину ниже залегания двумерного электронного газа. После образования углублений в герероструктуре происходит повторное травление диэлектрической пленки SiO2, для расширения «окон» в диэлектрической пленке SiO2. Формирование омических контактов завершается последовательным нанесением металлических слоев Ti/Al/Ni/Au. Удельное сопротивление изготовленных омических контактов составило 0,11 Ом⋅мм.The ohmic contact manufacturing experiment was carried out on a heterostructure consisting of a GaN conducting layer and an AlGaN barrier layer. After the formation of “mesa” -insulation of devices by plasma-chemical etching of the upper active layers to a depth of 80 nm in a mixture of N 2 O + SiH 4 at a temperature of 300 ° C, a dielectric SiO 2 film is deposited. The etching of a dielectric SiO 2 film through a preformed photoresist mask is carried out by the plasma-chemical method in a mixture of SF 6 and O 2 . Next, the photoresist mask is removed and the plasma-chemical etching of the heterostructure in a mixture of BCl 3 and Ar to a depth below the two-dimensional electron gas is carried out through the formed SiO 2 dielectric film. After the formation of depressions in the heterostructure, etching of the dielectric SiO 2 film takes place to expand the “windows” in the dielectric SiO 2 film. The formation of ohmic contacts is completed by the sequential deposition of Ti / Al / Ni / Au metal layers. The resistivity of the fabricated ohmic contacts was 0.11 Ohm⋅mm.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015154773A RU2610346C1 (en) | 2015-12-21 | 2015-12-21 | METHOD OF MAKING OHMIC CONTACTS FOR AlGaN/GaN NITRIDE HETEROSTRUCTURES |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015154773A RU2610346C1 (en) | 2015-12-21 | 2015-12-21 | METHOD OF MAKING OHMIC CONTACTS FOR AlGaN/GaN NITRIDE HETEROSTRUCTURES |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2610346C1 true RU2610346C1 (en) | 2017-02-09 |
Family
ID=58457892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015154773A RU2610346C1 (en) | 2015-12-21 | 2015-12-21 | METHOD OF MAKING OHMIC CONTACTS FOR AlGaN/GaN NITRIDE HETEROSTRUCTURES |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2610346C1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2669339C1 (en) * | 2017-06-29 | 2018-10-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук | Method for manufacturing ohmic contacts |
| RU2694164C1 (en) * | 2018-04-12 | 2019-07-09 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук | Method of dry etching of nitride layers |
| RU2756579C1 (en) * | 2020-12-16 | 2021-10-01 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") | Method for manufacturing ohmic contacts of powerful electronic devices |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6420735B2 (en) * | 1997-05-07 | 2002-07-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Surface-emitting light-emitting diode |
| RU2315390C1 (en) * | 2006-12-19 | 2008-01-20 | Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование" | METHOD FOR MANUFACTURING OHMIC CONTACTS FOR SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURE GaN/AlGaN |
| RU2315389C1 (en) * | 2006-12-19 | 2008-01-20 | Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование" | METHOD FOR MANUFACTURING OHMIC CONTACTS FOR SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURE GaN/AlGaN |
| US7700974B2 (en) * | 2002-08-05 | 2010-04-20 | Hrl Laboratories, Llc | Process for fabricating ultra-low contact resistances in GaN-based devices |
| US8878245B2 (en) * | 2006-11-30 | 2014-11-04 | Cree, Inc. | Transistors and method for making ohmic contact to transistors |
| WO2015191065A1 (en) * | 2014-06-11 | 2015-12-17 | Hrl Laboratories, Llc | Ta based ohmic contact |
-
2015
- 2015-12-21 RU RU2015154773A patent/RU2610346C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6420735B2 (en) * | 1997-05-07 | 2002-07-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Surface-emitting light-emitting diode |
| US7700974B2 (en) * | 2002-08-05 | 2010-04-20 | Hrl Laboratories, Llc | Process for fabricating ultra-low contact resistances in GaN-based devices |
| US8878245B2 (en) * | 2006-11-30 | 2014-11-04 | Cree, Inc. | Transistors and method for making ohmic contact to transistors |
| RU2315390C1 (en) * | 2006-12-19 | 2008-01-20 | Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование" | METHOD FOR MANUFACTURING OHMIC CONTACTS FOR SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURE GaN/AlGaN |
| RU2315389C1 (en) * | 2006-12-19 | 2008-01-20 | Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование" | METHOD FOR MANUFACTURING OHMIC CONTACTS FOR SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURE GaN/AlGaN |
| WO2015191065A1 (en) * | 2014-06-11 | 2015-12-17 | Hrl Laboratories, Llc | Ta based ohmic contact |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2669339C1 (en) * | 2017-06-29 | 2018-10-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук | Method for manufacturing ohmic contacts |
| RU2694164C1 (en) * | 2018-04-12 | 2019-07-09 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук | Method of dry etching of nitride layers |
| RU2756579C1 (en) * | 2020-12-16 | 2021-10-01 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") | Method for manufacturing ohmic contacts of powerful electronic devices |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6661637B2 (en) | Ohmic contact formed in recess of III-N device | |
| US9159784B2 (en) | Aluminum gallium nitride etch stop layer for gallium nitride based devices | |
| JP5166576B2 (en) | GaN-based semiconductor device manufacturing method | |
| JP5306438B2 (en) | Field effect transistor and manufacturing method thereof | |
| US20160013305A1 (en) | Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device | |
| KR101878931B1 (en) | Semiconductor devices and the method of forming the same | |
| KR102261740B1 (en) | High frequency device and manufacturing method thereof | |
| RU2610346C1 (en) | METHOD OF MAKING OHMIC CONTACTS FOR AlGaN/GaN NITRIDE HETEROSTRUCTURES | |
| JP2014045174A (en) | Nitride semiconductor device | |
| TWI676293B (en) | Semiconductor devices and methods for forming same | |
| KR101078143B1 (en) | Hetero-junction field effect transistor with multi-layered passivation dielectrics and manufacturing method of the same | |
| US11728404B2 (en) | Method of manufacturing a HEMT device with reduced gate leakage current, and HEMT device | |
| US20140124837A1 (en) | Nitride semiconductor device and method for manufacturing same | |
| US20150144961A1 (en) | High frequency device and method of manufacturing the same | |
| TWI488303B (en) | Enhancement mode gallium nitride based transistor device | |
| JP7002015B2 (en) | Semiconductor devices and their manufacturing methods | |
| JP5917990B2 (en) | Nitride semiconductor device | |
| TWI740058B (en) | Semiconductor devices and methods for forming same | |
| RU2669339C1 (en) | Method for manufacturing ohmic contacts | |
| CN111092118B (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| JP2013222800A (en) | Nitride semiconductor device and manufacturing method of the same | |
| CN109671776A (en) | Semiconductor devices and its manufacturing method | |
| JP5329606B2 (en) | Manufacturing method of nitride semiconductor device | |
| KR20160114923A (en) | Manufacturing method for semiconductor device | |
| CN105355550A (en) | Low damage etching method for III-nitride |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: LICENCE Effective date: 20170515 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20201222 |