RU2538932C2 - СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК К YBA2CU3O7-x ПЛЕНКАМ - Google Patents
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК К YBA2CU3O7-x ПЛЕНКАМ Download PDFInfo
- Publication number
- RU2538932C2 RU2538932C2 RU2013120785/28A RU2013120785A RU2538932C2 RU 2538932 C2 RU2538932 C2 RU 2538932C2 RU 2013120785/28 A RU2013120785/28 A RU 2013120785/28A RU 2013120785 A RU2013120785 A RU 2013120785A RU 2538932 C2 RU2538932 C2 RU 2538932C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- gold
- films
- contact pads
- target
- substrate
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 43
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 229910003098 YBa2Cu3O7−x Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 229910021521 yttrium barium copper oxide Inorganic materials 0.000 description 17
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002480 Cu-O Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- RZVXOCDCIIFGGH-UHFFFAOYSA-N chromium gold Chemical compound [Cr].[Au] RZVXOCDCIIFGGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- ZNKMCMOJCDFGFT-UHFFFAOYSA-N gold titanium Chemical compound [Ti].[Au] ZNKMCMOJCDFGFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000003058 plasma substitute Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 229910001258 titanium gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
Изобретение относится к формированию на диэлектрических подложках золотых контактных площадок к пленкам YBa2Cu3O7-х. Изобретение обеспечивает получение качественных золотых контактных площадок к сверхпроводящим пленкам. В способе формирования на диэлектрической подложке контактных площадок к пленкам YBa2Cu3O7-х контактные площадки формируют перед напылением пленок YBa2Cu3O7-х на диэлектрической подложке, для чего производится нагрев мишени и подложки до температуры 450-500°C, напыление контактной площадки из золота производится методом лазерного распыления мишени из золота твердотельным импульсным лазером с длиной волны излучения 1,06 мкм, длительностью импульса 10-20 нс и частотой повторения импульсов 10 Гц, плотностью мощности лазерного излучения (5-7)·108 Вт/см2. Диэлектрическая подложка устанавливается на расстоянии 4-6 мм от золотой мишени рабочей поверхностью к мишени при давлении в вакуумной камере 0,1-0,5 Па. 2 ил.
Description
Изобретение относится к способам формирования методом лазерного напыления на диэлектрических подложках золотых контактных площадок к пленкам YBa2Cu3O7-х (YBCO) путем оптимизации технологических параметров. Необходимость создания надежных контактных площадок к сверхпроводящим YBCO пленкам обусловлена возможностью изготовления из них элементов сверхпроводниковой электроники.
В настоящее время существуют различные способы формирования контактных площадок к тонким YBCO пленкам для электрической связи тонкопленочных элементов сверхпроводниковой электроники с электронной навеской. Литературный обзор показывает, что традиционно металлические контактные площадки к YBCO пленкам наносятся поверх пленок [1, 2]. Такая технология изготовления контактных площадок имеет существенный недостаток, осложняющий процесс производства надежных и стабильных контактов, который состоит в том, что при нанесении контактных площадок YBCO пленка подвергается температурному воздействию в условиях вакуума. Такое воздействие приводит к кислородному обеднению материала пленки и разрушению сверхпроводимости приповерхностной области, связанное с образованием слоев BaO и BaCO3, являющихся диэлектриками. В такой технологии становится необходимой дополнительная очистка и отжиг, что увеличивает время производства и усложняет технологический процесс. Для поддержания оптимального значения кислородного индекса применяется, например, плазменное травление поверхности YBCO непосредственно перед нанесением металла с целью удаления деградированного слоя. После нанесения контактных площадок образцы подвергаются дополнительному термоотжигу в атмосфере кислорода. Как правило, изготовление контактных площадок состоит из несколько этапов: травление поверхности сверхпроводника ионами кислорода, обработка плазмой кислорода, нанесение контактной пленки, термоотжиг. Несмотря на хорошие результаты, достигнутые с применением ионно-плазменной очистки поверхности, такая очистка сопровождается разрушением сверхпроводимости в приповерхностном слое толщиной несколько нанометров из-за разрыва Cu-O связей и диффузии кислорода. Более эффективный метод очистки - катодное распыление поверхности - также не приводит к полному удалению деградированного слоя.
Для изготовления контактных площадок к YBCO материалам подходят лишь те металлы, у которых энергия связи меньше, чем у Cu-O. К таким металлам относятся: Ru, Rh, Pd, Ag, Os, Ir, Pt, Au, Hg. Другие металлы активно взаимодействуют с материалом YBCO, образуя плохопроводящие или непроводящие слои. Все применяемые контактные материалы можно подразделить на следующие группы: благородные металлы и их сплавы (серебро, золото, металлы платиновой группы и сплавы на их основе), неблагородные металлы и сплавы на их основе, металлокерамические композиции [3]. Для малонагруженных контактов применяют золото, родий, палладий, платину и их сплавы; для средненагруженных - палладий, платину, серебро, вольфрам, никель и их сплавы; для высоконагруженных - серебро, вольфрам, никель, медь, их сплавы и металлокерамические композиции, а также ртуть и графит. При малых контактных нагрузках и коммутировании малых токов условия работы контактов очень сложны, и им удовлетворяют только сплавы на основе платины, палладия и золота. Золото обладает высокими электро- и теплопроводностью, устойчивостью против коррозии, не окисляется и не образует окисных пленок, имеет низкое и стабильное переходное сопротивление в различных атмосферных условиях при нормальной, повышенной и пониженной температурах.
Наиболее близким к заявляемому является способ создания золотых или платиновых контактных площадок к тонким YBCO пленкам [4], в котором для обеспечения лучшего контакта при включении сверхпроводящего датчика в электрическую схему и сохранения сверхпроводящих свойств сверхпроводящие электроды выполнены на контактном подслое из золота или платины. Основным недостатком данного способа является то, что золотые и платиновые контактные площадки наносятся в виде пленок на диэлектрическую подложку термическим напылением при температуре 1700-1800°C, что не обеспечивает необходимой адгезии золотой и платиновой пленки с диэлектрической подложкой только за счет Ван-дер-Ваальсовских сил.
Задачей настоящего изобретения является разработка способа формирования на диэлектрических подложках качественных золотых контактных площадок к сверхпроводящим тонким YBCO пленкам. Способ основан на подборе оптимальных значений технологических параметров.
Указанный технический результат достигается тем, что для исключения влияния вакуума и высоких температур на сверхпроводящую YBCO пленку золотая контактная площадка выращивается непосредственно на диэлектрической подложке (например, SrTiO3, LaAlO3 и др.) методом лазерного напыления. Затем, на подложке с нанесенными контактными площадками методом лазерного напыления выращивается YBCO пленка для формирования системы YBCO/Au/подложка. Геометрия площадки задается маской из ни-хромовой пластины для исключения загрязнения на поверхности подложки из-за переосаждений и образования оксидов.
Для осуществления способа использовалась экспериментальная установка, содержащая напылительную вакуумную камеру и мощный твердотельный импульсный лазер Nd:YAG с длиной волны излучения 1,06 мкм, длительностью импульса 10-20 нс и частотой повторения импульсов 10 Гц. Плотность мощности лазерного излучения на поверхности золотой мишени составляет (5-7)·108 Вт/см2. Лазерный луч падает на золотую мишень, пройдя через фокусирующую линзу и кварцевое окно вакуумной камеры. Распыляемый материал мишени осаждается на диэлектрическую подложку через нихромовую маску с требуемой геометрией рисунка. Подложка устанавливается на расстоянии 4-6 мм от золотой мишени рабочей поверхностью к мишени. В вакуумной камере устанавливается давление 0,1-0,5 Па, что обеспечивает необходимый размер и форму плазменного факела. Производится нагрев мишени и подложки до температуры 450-500°C. После процесса напыления производится напуск воздуха в вакуумную камеру до нормального атмосферного давления и остывание образца до комнатной температуры. Для напыления сверхпроводящей пленки нихромовой маской закрываются участки золотой пленки, предназначенные для сварки золотых контактных проволок методом термокомпрессии. При напылении YBCO пленок устанавливаются требуемые значения температуры подложки, давления в вакуумной камере, расстояния мишень-подложка и плотность мощности лазерного излучения на поверхности YBCO мишени. Применение специального нихромового держателя мишени и подложки со сменной нихромовой маской дает возможность поочередного выращивания Au и YBCO пленок.
Как известно, требование хорошей адгезии контактной пленки и подложки исключает возможность применения металлизации золота. Двухслойные системы типа хром-золото, титан-золото (толщина подслоя ~10 нм, золота ~1 мкм) испытывают существенное старение при повышенных температурах. Деградация, например, пленок системы NiCr/Au и Ti/Au происходит в результате взаимодействия золота с материалом адгезивного слоя с образованием интерметаллидов. Без использования предварительной металлизации пленка из золота удерживается на диэлектрической подложке за счет Ван-дер-Ваальсовского взаимодействия, что обеспечивает адгезию на уровне не более 2 МПа (адгезия, измеренная методом прямого отрыва). При этом химическое взаимодействие, связанное со значительной энергией активации и действующее на малых расстояниях, в случае золотой пленки вносит не существенный вклад.
Достичь высокой степени адгезии золотой пленки с диэлектрической подложкой нам удалось за счет использования технологии лазерного напыления, при котором разогретая до температур порядка 104 К плазма лазерного факела активно взаимодействует с поверхностью подложки. При взаимодействии мощного лазерного взаимодействия с металлической (например, золотой, серебряной, медной и др.) мишенью температура плазмы вдоль оси факела монотонно убывает от значений порядка 3·104 К у поверхности мишени до значений порядка 5·103 К на расстоянии 10 мм [5]. При больших расстояниях температура быстро спадает из-за резкого расширения плазменного факела. Кроме того, на расстояниях до 10 мм факел имеет практически сферическую форму (фиг.1), обеспечивая практически одинаковую скорость спадания температуры во всех направлениях, а на больших расстояниях от мишени плазма постепенно приобретает вытянутую форму из-за особенностей газодинамики при расширении плазмы и при наличии остаточного буферного слоя газа в напылительной камере [6]. На используемом нами расстоянии 4-6 мм от мишени температура плазмы составляет примерно 104 К, что приводит к реакции плазмы с поверхностью подложки и глубокому внедрению частиц золота в подложку на глубину до нескольких десятков микрометров, обеспечивая надежный механический контакт. На фиг.2 показаны микрофотографии поверхности подложки под золотой пленкой (после смыва золотой пленки в царской водке) на различных расстояниях от мишени.
Измеренная методом отрыва адгезия золотой пленки к подложке превышает 20 МПа. Кроме того, используемое расстояние мишень-подложка обеспечивает однородное напыление площадки диаметром не менее 5 мм, что достаточно для изготовления контактов необходимой для сверхпроводящих устройств площадью.
Литература
1. С. Peroz, С. Villard, D. Buzon and P. Tixador. Current limitation properties of YBCO / Au thin films // Supercond. Sci. Technol. 16 (2003), p.54-59.
2. D. Liu, M. Zhou, X. Wang, H. Suo, T. Zuo, M. Schindl and R. Flukiger. Epitaxial growth ofbiaxially oriented YBCO films on silver // Supercond. Sci. Technol. 14 (2001), p.806-809.
3. Пятин Ю.М. Материалы в приборостроении и автоматике. M.: Машиностроение, 1982, 528 с.
4. Патент РФ №2133525 «Сверхпроводящий квантовый интерференционный датчик и способ его изготовления».
5. A. Bogaerts, Z. Chen, R. Gijbels, A. Vertes. Laser ablation for analytical sampling: what can we learn from modeling? // Spectrochimica Acta, Part B, 58 (2003), p.1867-1893.
6. В. Doggett and J.G. Lunney. Expansion dynamics of laser produced plasma // J. Appl. Phys. 109, 093304 (2011), В. Toftmann and J. Schou. Angular Distribution of Electron Temperature and Density in a Laser-Ablation Plume // Phys. Rev. Lett. 84 (2000), p.3998-4001.
Claims (1)
- Способ формирования на диэлектрической подложке контактных площадок к YBa2Cu3O7-х пленкам, в котором контактные площадки формируют перед нанесением пленок YBa2Cu3O7-х на диэлектрической подложке, отличающийся тем, что производится нагрев мишени и подложки до температуры Т=450-500°С, напыление контактной площадки из Au (золота) производится методом лазерного распыления мишени из золота твердотельным импульсным лазером с длиной волны излучения λ=1,06 мкм, длительностью импульса τ=10÷20 нс и частотой повторения импульсов ν=10 Гц, плотностью мощности лазерного излучения Р=(5÷7)·108 Вт/см2, при этом диэлектрическая подложка устанавливается на расстоянии L=4-6 мм от золотой мишени при давлении в вакуумной камере р=0,1÷0,5 Па.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013120785/28A RU2538932C2 (ru) | 2013-05-06 | 2013-05-06 | СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК К YBA2CU3O7-x ПЛЕНКАМ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013120785/28A RU2538932C2 (ru) | 2013-05-06 | 2013-05-06 | СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК К YBA2CU3O7-x ПЛЕНКАМ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2013120785A RU2013120785A (ru) | 2014-11-20 |
RU2538932C2 true RU2538932C2 (ru) | 2015-01-10 |
Family
ID=53288433
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2013120785/28A RU2538932C2 (ru) | 2013-05-06 | 2013-05-06 | СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК К YBA2CU3O7-x ПЛЕНКАМ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2538932C2 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2580213C1 (ru) * | 2015-02-02 | 2016-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского" | Способ формирования сверхпроводящей тонкой пленки с локальными областями переменной толщины |
RU2736233C1 (ru) * | 2020-02-10 | 2020-11-12 | Открытое акционерное общество "Авангард" | Тонкопленочный титановый терморезистор на гибкой полиимидной подложке и способ его изготовления |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7274816B2 (ja) | 2017-12-06 | 2023-05-17 | 田中貴金属工業株式会社 | 金スパッタリングターゲットとその製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2105390C1 (ru) * | 1996-11-19 | 1998-02-20 | Анатолий Михайлович Балбашов | Способ изготовления высокотемпературного сверхпроводящего перехода джозефсона |
RU2133525C1 (ru) * | 1997-10-21 | 1999-07-20 | Омский государственный университет | Сверхпроводящий квантовый интерференционный датчик и способ его изготовления |
US5945383A (en) * | 1992-03-19 | 1999-08-31 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method producing an SNS superconducting junction with weak link barrier |
US8032196B2 (en) * | 2006-08-23 | 2011-10-04 | Chugoku Electric Power Co., Inc. | Josephson device, method of forming Josephson device and superconductor circuit |
-
2013
- 2013-05-06 RU RU2013120785/28A patent/RU2538932C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5945383A (en) * | 1992-03-19 | 1999-08-31 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method producing an SNS superconducting junction with weak link barrier |
RU2105390C1 (ru) * | 1996-11-19 | 1998-02-20 | Анатолий Михайлович Балбашов | Способ изготовления высокотемпературного сверхпроводящего перехода джозефсона |
RU2133525C1 (ru) * | 1997-10-21 | 1999-07-20 | Омский государственный университет | Сверхпроводящий квантовый интерференционный датчик и способ его изготовления |
US8032196B2 (en) * | 2006-08-23 | 2011-10-04 | Chugoku Electric Power Co., Inc. | Josephson device, method of forming Josephson device and superconductor circuit |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2580213C1 (ru) * | 2015-02-02 | 2016-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского" | Способ формирования сверхпроводящей тонкой пленки с локальными областями переменной толщины |
RU2736233C1 (ru) * | 2020-02-10 | 2020-11-12 | Открытое акционерное общество "Авангард" | Тонкопленочный титановый терморезистор на гибкой полиимидной подложке и способ его изготовления |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2013120785A (ru) | 2014-11-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69602131T2 (de) | System zur Elektronstrahlabscheidung aus der Gasphase | |
RU2538932C2 (ru) | СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК К YBA2CU3O7-x ПЛЕНКАМ | |
KR20120023714A (ko) | 반도체 기판을 접촉시키는 방법 | |
CN103904186A (zh) | 基于石墨烯电极的半导体器件及其制备方法 | |
TW201825711A (zh) | 製造感測器的方法、感測器及其用途 | |
JP2017531734A (ja) | 熱電活性材料のニッケルおよびスズによるプラズマ被覆 | |
US10675841B2 (en) | Thin diamond film bonding providing low vapor pressure at high temperature | |
CN101804962A (zh) | 无机材料纳米粒子的制法及应用该制法的装置 | |
RU2538931C2 (ru) | СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ YBa2Cu3O7-x-Х ПЛЕНОК С ВЫСОКОЙ ТОКОНЕСУЩЕЙ СПОСОБНОСТЬЮ НА ЗОЛОТОМ БУФЕРНОМ ПОДСЛОЕ | |
CN108004506B (zh) | 一种基于In合金的贵金属纳米颗粒及其制备方法 | |
KR102069239B1 (ko) | 원자 스위칭 장치 | |
RU71476U1 (ru) | Многослойная тонкопленочная металлизация | |
US5187147A (en) | Method for producing freestanding high Tc superconducting thin films | |
Gontad et al. | Growth of poly-crystalline Cu films on Y substrates by picosecond pulsed laser deposition for photocathode applications | |
Bruschi et al. | Low temperature behaviour of ion-beam-grown polymer-metal composite thin films | |
RU2150160C1 (ru) | Способ коммутации термоэлемента | |
US3591477A (en) | Process for growth and removal of passivating films in semiconductors | |
KR20190012666A (ko) | 원자 스위칭 장치 | |
Narayan et al. | Formation of Ohmic contacts in semiconducting oxides | |
JP2003124185A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
Fyk et al. | Analysis of the technology to manufacture a high-temperature microstrip superconductive device for theelectromagnetic protection of receivers | |
Shukla et al. | Stability of Laser Annealed Contacts on Barium Titanate | |
CN114122124B (zh) | 一种欧姆电极及其制备方法和应用 | |
CN110544626B (zh) | 碳化硅衬底上的电接触 | |
Velichko et al. | Memory resistive switching in CeO2-based film microstructures patterned by a focused ion beam |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20150507 |