KR20190012666A - 원자 스위칭 장치 - Google Patents
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Abstract
원자 스위칭 장치가 개시된다. 원자 스위칭 장니는 제1 금속으로 형성된 활성 전극, 활성 전극과 대향하도록 배치되고 제1 금속보다 이온화 에너지가 높은 제2 금속으로 형성된 비활성 전극, 활성 전극과 비활성 전극 사이에 배치된 고체산화물 전해질층 및 활성 전극과 고체산화물 전해질층 사이에 배치된 산소결함 공급층을 구비한다. 이러한 원자 스위칭 장치는 낮은 작동 전압에서도 향상된 스위칭 동작을 수행할 수 있다.
Description
본 발명은 활성전극에서 공급된 활성 이온이 고체전해질 내에서 이동, 산화, 환원되어 원자로 석출되면서 전류가 흐를 수 있는 필라멘트를 형성하여 스위칭 동작을 수행할 수 있는 원자 스위칭 장치에 관한 것이다.
원자 스위칭 장치(atomic switching device)는 활성전극에서 공급된 은, 구리 등의 활성 금속 이온이 고체전해질 내부로 이동 후 환원되어 원자로 석출되면서 상기 고체전해질 내부에 전류가 흐를 수 있는 필라멘트를 형성시킴으로써 스위칭 동작을 할 수 있는 전자 소자이다. 이러한 원자 스위칭 장치는 고집적이 가능하고, 공정비용이 낮을 뿐만 아니라 비휘발 특성을 가지므로, 차세대 메모리 반도체 소자로서 주목받고 있다.
하지만 종래의 원자 스위칭 장치는 전기적 특성에서 불균일하고 불안정한 특성을 보이고 있을 뿐만 아니라 고체전해질로 인하여 상대적으로 동작 전압이 높은 문제점이 있다. 원자 스위칭 장치의 동작 전압을 낮추기 위해 절연체인 고체전해질의 두께를 줄여 필라멘트가 형성되는 물리적인 경로를 줄이고자 하는 선행 연구들이 있었으나, 얇아진 고체전해질층으로 인해 누설전류가 증가하여 on/off 전류비 특성이 나빠지고, 절연파괴 현상이 가속화되어 소자 특성이 불안정해지는 문제점이 여전히 존재하였다. 또한, 원자 스위칭 장치가 단일 고체전해질층만을 포함하는 경우, 제어되지 않은 필라멘트가 산발적으로 형성되어 동작 특성의 산포가 커지게 되는 문제점이 존재하였다.
본 발명의 목적은 고체산화물 전해질층과 활성 전극 사이에 산소결함 공급층을 추가하여 스위칭 동작의 균일도 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 원자 스위칭 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 원자 스위칭 장치는 제1 금속으로 형성된 활성 전극; 상기 활성 전극과 대향하도록 배치되고, 상기 제1 금속보다 이온화 에너지가 높은 제2 금속으로 형성된 비활성 전극; 상기 활성 전극과 상기 비활성 전극 사이에 배치된 고체산화물 전해질층; 및 상기 활성 전극과 상기 고체산화물 전해질층 사이에 배치된 산소결함 공급층을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 금속은 구리(Cu), 은(Ag) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함할 수 있고, 상기 제2 금속은 백금(Pt), 금(Au) 및 팔라듐(Pd)으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 고체산화물 전해질층은 제1 탄탈륨 산화물로 형성될 수 있고, 상기 산소결함 공급층은 상기 제1 탄탈륨 산화물보다 탄탈륨 원자에 대한 산소 원자의 비율이 낮은 제2 탄탈륨 산화물로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 탄탈륨 산화물은 Ta2O5 -x(0≤x<1)의 조성을 가질 수 있고, 상기 제2 탄탈륨 산화물은 Ta2Oy(3.6≤y≤3.8)의 조성을 가질 수 있다. 한편, 상기 고체산화물 전해질층은 5 내지 9 nm의 두께를 가질 수 있고, 상기 산소결함 공급층은 1 내지 5 nm의 두께를 가질 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 원자 스위칭 장치의 제조방법은 기판 상에 제1 금속으로 이루어진 활성 전극을 형성하는 단계; 상기 활성 전극이 형성된 상기 기판 상에 제1 탄탈륨 산화물로 이루어진 고체산화물 전해질층을 형성하는 단계; 상기 고체산화물 전해질층 상에 상기 제1 탄탈륨 산화물보다 탄탈륨 원자에 대한 산소 원자의 비율이 낮은 제2 탄탈륨 산화물로 이루어진 산소결함 공급층을 형성하는 단계; 및 상기 산소결함 공급층 상에 상기 제1 금속보다 이온화 에너지가 높은 제2 금속으로 이루어진 비활성 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 고체산화물 전해질층은 진공 챔버 내에서 아르곤 가스를 Ta2O5 타겟에 충돌시키는 스퍼터링 공정을 통해 형성될 수 있고, 상기 산소결함 공급층은 진공 챔버 내에서 아르곤 및 산소의 혼합가스를 탄탈륨 금속 타겟에 충돌시키는 스퍼터링 공정을 통해 형성될 수 있다.
본 발명의 원자 스위칭 장치에 따르면, 활성 전극과 고체산화물 전해질층 사이에 산소결함 공급층을 배치시킴으로써, 작동 전압에 의해 형성된 전계에 의해 상기 산소결함 공급층 내의 산소 결함들이 상기 고체산화물 전해질층 내부로 이동될 수 있고, 그 결과 상기 활성 전극에서 공급된 활성 금속 이온들의 국부적인 이동도가 향상되며, 그에 따라 보다 낮은 작동 전압에서도 스위칭 동작이 가능하게 된다. 또한, 전도성 필라멘트의 크기가 균일하게 제어되어 균일한 저항 상태 분포를 구현할 수 있어서 원자 스위칭 장치의 동작 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 원자 스위칭 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 고체산화물 전해질층과 산소결함 공급층의 화학적 조성비를 확인하기 위해 실시한 XPS 분석 결과 중 각 박막의 Ta 4f 스펙트럼과 O 1s 스펙트럼들을 나타낸다.
도 3a 및 도 3b는 비교예의 원자 스위칭 장치 및 실시예의 원자 스위칭 장치에 대해 수행된 전도성 원자 현미경의 전류 매핑 이미지들이다.
도 4a는 비교예의 원자 스위칭 장치(a)와 실시예의 원자 스위칭 장치(b)에 대한 전기적 측정 결과를 바탕으로 통계적 분석을 하여 나타낸 누적확률 전류-전압 그래프들을 각각 나타내고, 도 4b는 비교예의 원자 스위칭 장치와 실시예의 원자 스위칭 장치의 동작 전압(Vset)과 리셋 전압(Vreset)의 분포 그리고 OFF 상태일 때의 고 저항 상태(High Resistance State, HRS)와 ON 상태일 때의 저 저항 상태(Low Resistance State, LRS)의 누적 확률을 각각 나타내는 그래프들이다.
도 5a는 실시예의 원자 스위칭 장치에 대해 상온(RT) 및 85℃에서 측정된 시간에 따른 전류 변화를 각각 나타내는 그래프들이고, 도 5b는 실시예의 원자 스위칭 장치에 대해 온도별 고장시간과 아레니우스 방정식을 피팅한 결과를 나타내는 그래프이며, 도 5c는 비교예의 원자 스위칭 장치 및 실시예의 원자 스위칭 장치에 대해 스위칭 사이클에 따른 ON 상태 및 OFF 상태 저항값의 변화를 각각 나타내는 그래프들이다.
도 6a 및 도 6b는 산소결함 공급층의 조성이 Ta2O3 .6 및 Ta2O3 .8인 본 발명에 따른 원자 스위칭 장치들의 전압-전류 그래프들이고, 도 6c는 산소결함 공급층의 조성이 Ta2O3 .4인 비교예에 따른 원자 스위칭 장치의 전압-전류 그래프이다.
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도 5a는 실시예의 원자 스위칭 장치에 대해 상온(RT) 및 85℃에서 측정된 시간에 따른 전류 변화를 각각 나타내는 그래프들이고, 도 5b는 실시예의 원자 스위칭 장치에 대해 온도별 고장시간과 아레니우스 방정식을 피팅한 결과를 나타내는 그래프이며, 도 5c는 비교예의 원자 스위칭 장치 및 실시예의 원자 스위칭 장치에 대해 스위칭 사이클에 따른 ON 상태 및 OFF 상태 저항값의 변화를 각각 나타내는 그래프들이다.
도 6a 및 도 6b는 산소결함 공급층의 조성이 Ta2O3 .6 및 Ta2O3 .8인 본 발명에 따른 원자 스위칭 장치들의 전압-전류 그래프들이고, 도 6c는 산소결함 공급층의 조성이 Ta2O3 .4인 비교예에 따른 원자 스위칭 장치의 전압-전류 그래프이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로서 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 원자 스위칭 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 원자 스위칭 장치(100)는 활성 전극(110), 비활성 전극(120), 고체산화물 전해질층(130) 및 산소결함 공급층(140)을 포함할 수 있다.
상기 활성 전극(110)과 상기 비활성 전극(120)은 서로 이격된 상태에서 대향하도록 배치될 수 있고, 상기 고체산화물 전해질층(130) 및 상기 산소결함 공급층(140)은 상기 활성 전극(110)과 상기 비활성 전극(120) 사이에 적층될 수 있다. 일 실시예로, 상기 고체산화물 전해질층(130)은 상기 비활성 전극(120)에 인접하게 배치될 수 있고, 상기 산소결함 공급층(140)은 상기 고체산화물 전해질층(130)과 상기 활성 전극(110) 사이에 배치될 수 있다.
이와 같은 구조를 갖는 경우, 상기 활성 전극(110)과 상기 비활성 전극(120)에 작동 전압이 인가되어 이들 사이에 전계가 형성되면, 상기 활성 전극(110)의 금속이 이온화되어 상기 산소결함 공급층(140) 및 상기 고체산화물 전해질층(130) 내부로 이동한 후 환원되어 상기 산소결함 공급층(140) 및 상기 고체산화물 전해질층(130) 내부에 전류가 흐를 수 있는 전도성 필라멘트를 형성할 수 있다. 그리고 상기 전도성 필라멘트는 상기 활성 전극(110)과 상기 비활성 전극(120)에 리셋 전압이 인가되는 경우에 소멸될 수 있다.
낮은 작동 전압에서도 상기 산소결함 공급층(140) 및 상기 고체산화물 전해질층(130) 내부로 금속 이온을 공급할 수 있도록, 상기 활성 전극(110)은 이온화 에너지가 낮고 전기 전도성이 우수한 금속 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 활성 전극(110)은 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al) 등으로 형성될 수 있다.
상기 비활성 전극(120)은 상기 활성 전극(110)을 형성하는 금속보다 이온화 에너지가 높고, 전기 전도성이 우수한 금속 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 비활성 전극(120)은 백금(Pt), 금(Au), 팔라듐(Pd) 등으로 형성될 수 있다.
상기 고체산화물 전해질층(130)은 2 이상의 원자가를 갖는 금속의 산화물로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 상기 고체산화물 전해질층(130)은 탄탈륨(Ta) 산화물로 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 고체산화물 전해질층(130)은 Ta2O5 -x(0≤x<1)의 조성비를 갖는 제1 탄탈륨 산화물로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 탄탈륨 산화물은 탄탈륨 원자에 대한 산소 원자의 비가 약 2.05(Ta2O4 .1) 내지 2.15(Ta2O4 . 3)일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 고체산화물 전해질층(130)은 약 5 내지 9 nm의 두께를 가질 수 있다. 상기 고체산화물 전해질층(130)의 두께가 5nm보다 작은 경우에는 누설 전류가 증가하여 on/off 전류비 특성이 저하되고 절연파괴 현상이 가속화되어 원자 스위칭 장치(100)의 수명이 감소하는 문제점이 발생할 수 있고, 9nm를 초과하는 경우에는 작동 전압이 증가하는 문제점이 발생될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 고체산화물 전해질층(130)은 상기 비활성 전극(120)이 형성된 기판(미도시) 상에 Ta2O5 타겟을 이용한 스퍼터링 공정을 통해 형성될 수 있다. 예를 들면, 진공 챔버 내에서 아르곤 가스를 Ta2O5 타겟에 충돌시켜 상기 고체산화물 전해질층(130)을 형성할 수 있다.
상기 산소결함 공급층(140)은 상기 고체산화물 전해질층(130)을 형성하는 금속 산화물의 금속과 동일한 금속의 산화물로 형성될 수 있고, 상기 고체산화물 전해질층(130)보다 상기 금속에 대한 산소의 비율이 낮을 수 있다. 이 경우, 상기 산소결합 공급층(140)은 상기 고체산화물 전해질층(130)보다 많은 양의 산소 결함, 예를 들면, 산소 공극 등을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 상기 산소결함 공급층(140)은 Ta2Oy(3.6≤y≤3.8)의 조성비를 갖는 제2 탄탈륨 산화물로 형성될 수 있다. 상기 산소결함 공급층(140)에서, 탄탈륨 원자에 대한 산소 원자의 비율이 1.8 미만인 경우, 상기 산소결함 공급층(140)의 전기적 저항이 지나치게 낮아지게 되어 제어되지 않은 필라멘트가 형성됨으로써 원자 스위칭 장치(100)의 동작이 불안정해 지는 문제점이 발생할 수 있고, 탄탈륨 원자에 대한 산소 원자의 비율이 1.9를 초과하는 경우에는 상기 산소결함 공급층(140)의 전기적 저항이 지나치게 높아지게 되고 상기 고체산화물 전해질층(130)에 산소결함을 공급하기 어려워질 수 있으며, 그 결과 2개의 층에서 제어되지 않은 필라멘트가 형성됨으로써 스위칭 동작이 불안정해 지는 문제점이 발생할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 산소결함 공급층(140)의 두께는 상기 고체산화물 전해질층(130)의 두께보다 작을 수 있다. 예를 들면, 상기 산소결함 공급층(140)은 약 1 내지 5 nm의 두께를 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 산소결함 공급층(140)은 상기 고체산화물 전해질층(130) 상에 탄탈륨(Ta) 금속 타겟을 이용한 스퍼터링 공정을 통해 형성될 수 있다. 예를 들면, 진공 챔버 내에서 아르곤과 산소의 혼합 가스를 상기 탄탈륨(Ta) 금속 타겟에 충돌시켜 상기 산소결함 공급층(140)을 형성할 수 있다. 상기 혼합 가스에 있어서, 상기 산소의 함량은 약 2 내지 5%일 수 있다.
본 발명에서와 같이, 상기 활성 전극(110)과 상기 고체산화물 전해질층(130) 사이에 상기 산소결함 공급층(140)을 배치시키는 경우, 작동 전압에 의해 형성된 전계에 의해 상기 산소결함 공급층(140) 내의 산소 결함들이 상기 고체산화물 전해질층(130) 내부로 이동하고, 그 결과 상기 활성 전극(110)에서 공급된 활성 금속 이온들의 국부적인 이동도가 향상되며, 그에 따라 보다 낮은 작동 전압에서도 스위칭 동작이 가능하게 된다. 또한, 전도성 필라멘트의 크기가 균일하게 제어되어 균일한 저항 상태 분포를 구현할 수 있어서 원자 스위칭 장치(100)의 동작 특성을 향상시킬 수 있다.
이하 본 발명의 실시예에 대해 상술한다. 다만, 하기 실시예는 본 발명의 일부 실시 형태에 불과한 것으로서, 본 발명이 하기의 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니된다.
[실시예]
실리콘산화물(SiO2)로 피복된 실리콘 기판 상에 포토레지스터 패턴을 형성한 후 전자빔 증착법을 통해 티타늄(Ti) 및 백금(Pt)을 각각 5nm 및 15nm의 두께로 연속적으로 증착하여 비활성 전극을 형성하였다. 이 때, 티타늄층(Ti)은 기판과 백금층(Pt)의 약한 접착력을 향상시켜주기 위해 형성하였다.
이어서, 진공 챔버 내에서 RF 50W 파워를 인가하여 아르곤 100%의 가스를 Ta2O5 타겟에 충돌시키는 스퍼터링 공정을 통해 상기 비활성 전극이 형성된 기판 상에 7nm 두께의 고체 전해질층을 형성하였다.
이어서, 상기 진공 챔버 내에서 RF 50W 파워를 인가하여 3%의 산소 및 97%의 아르곤 혼합 가스를 Ta 금속 타겟에 충돌시키는 반응성 스퍼터링 공정을 통해 상기 고체전해질층 상에 3nm의 두께를 갖는 산소결함 공급층을 형성하였다.
이어서, 상기 산소결함 공급층 상에 전자빔 증착 공정을 통해 50nm의 두께를 갖는 구리(Cu) 활성 전극을 형성하여 원자 스위칭 소자를 제작하였다.
[비교예]
산소결함 공급층을 형성하지 않은 것을 제외하고는 실시예와 동일하게 원자 스위칭 장치를 제작하였다.
[실험예]
도 2는 고체산화물 전해질층과 산소결함 공급층의 화학적 조성비를 확인하기 위해 실시한 XPS 분석 결과 중 각 박막의 Ta 4f 스펙트럼과 O 1s 스펙트럼들을 나타낸다. 도 2에 있어서, (a) 및 (b)는 고체산화물 전해질층의 Ta 4f 스펙트럼과 O 1s 스펙트럼을 각각 나타내고, (c) 및 (d)는 산소결함 공급층의 Ta 4f 스펙트럼과 O 1s 스펙트럼을 각각 나타낸다.
도 2를 참조하면, 고체산화물 전해질층에서는 명확히 구분되는 2개의 Ta5 + 스펙트럼 및 선명한 O-Ta 스펙트럼 나타났다. 그래프의 면적비를 통해 계산된 고체산화물 전해질층의 조성비는 Ta2O4 .2인 것으로 나타났다.
반면에, 산소결함 공급층에서는 Ta5 + 및 Ta2 + 스펙트럼이 동시에 존재하여 Ta 스펙트럼이 구분되지 않았고, 이는 산소 함량이 줄어들었음을 의미이다. 또한, O 1s 스펙트럼에서는 비격자 산소 및 수소 또는 실리콘과 결합한 산소 함량이 증가함으로써 Ta와 결합한 산소량이 감소한 것으로 나타났다. 그래프의 면적비를 통해 계산된 산소결함 공급층의 조성비는 Ta2O3.6인 것으로 나타났다.
도 3a 및 도 3b는 비교예의 원자 스위칭 장치 및 실시예의 원자 스위칭 장치에 대해 수행된 전도성 원자 현미경의 전류 매핑 이미지들이다. 구체적으로, 도 3a 및 도 3b의 우측 이미지들은 다이아몬드 팁으로 고체산화물 전해질층 또는 산소결함 공급층을 깎아 내려가면서 Pt/Ir이 코팅된 전도성 팁으로 표면 스캔하는 과정을 반복적으로 수행하여 깊이에 따른 전류 흐름을 매핑한 결과이다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 실시예의 원자 스위칭 장치에서는 수십 nm의 크기를 갖는 필라멘트가 형성됨이 확인되었고, 이는 비교예의 원자 스위칭 장치에 형성되는 필라멘트에 비해 약 7배 이상 작아진 결과이다.
도4a는 비교예의 원자 스위칭 장치(a)와 실시예의 원자 스위칭 장치(b)에 대한 전기적 측정 결과를 바탕으로 통계적 분석을 하여 나타낸 누적확률 전류-전압 그래프들을 각각 나타내고, 도 4b는 비교예의 원자 스위칭 장치와 실시예의 원자 스위칭 장치의 동작 전압(Vset)과 리셋 전압(Vreset)의 분포 그리고 OFF 상태일 때의 고 저항 상태(High Resistance State, HRS)와 ON 상태일 때의 저 저항 상태(Low Resistance State, LRS)의 누적 확률을 각각 나타내는 그래프들이다.
도 4a를 참조하면, 비교예의 원자 스위칭 장치에 비하여 실시예의 원자 스위칭 장치의 스위칭 균일도가 향상되었음이 확인되었고, 반복측정 후에도 높은 전류비(~106)를 유지하는 것으로 나타났다. 또한, 실시예의 원자 스위칭 장치에서는 동작의 첫 번째 싸이클보다 높은 전압을 필요로 하는 forming 과정이 필요하지 않은 것으로 나타났다.
도 4b를 참조하면, 비교예의 원자 스위칭 장치에 비하여 실시예의 원자 스위칭 장치의 동작 전압 및 리셋 전압의 균일도가 높은 것으로 나타났을 뿐만 아니라 저전압에서 동작함이 확인 되었다. 그리고 실시예의 원자 스위칭 장치는 비교예의 원자 스위칭 장치와 비교하여 HRS 균일도가 매우 균일하게 유지됨을 확인할 수 있고, 이를 통해 실시예의 원자 스위칭 장치는 반복되는 동작에도 전류비 등의 특성이 열화되지 않았음을 확인할 수 있다.
도 5a는 실시예의 원자 스위칭 장치에 대해 상온(RT) 및 85℃에서 측정된 시간에 따른 전류 변화를 각각 나타내는 그래프들이고, 도 5b는 실시예의 원자 스위칭 장치에 대해 온도별 고장시간과 아레니우스 방정식을 피팅한 결과를 나타내는 그래프이며, 도 5c는 비교예의 원자 스위칭 장치 및 실시예의 원자 스위칭 장치에 대해 스위칭 사이클에 따른 ON 상태 및 OFF 상태 저항값의 변화를 각각 나타내는 그래프들이다.
도 5a를 참조하면, 실시예의 원자 스위칭 장치는 상온 및 85℃에서 0.05V의 읽기 전압 하에서 1만초 동안 특별한 특성 열화 없이 유지됨을 알 수 있다. 이로부터, 본 발명에 따른 원자 스위칭 장치는 비휘발성 메모리 소자에 적용될 수 있음을 알 수 있다.
도 5b를 참조하면, 실시예의 원자 스위칭 장치는 85℃의 고온 측정 가속실험을 통한 아레니우스 피팅(fitting) 결과에서도 85℃에서 10년 동안 특성이 열화 없이 유지됨을 예상할 수 있다.
도 5c를 참조하면, 비교예의 원자 스위칭 장치 및 실시예의 원자 스위칭 장치에 대해 set 및 reset의 쓰기 전압과 읽기 전압을 펄스를 통해 반복적으로 인가하면서 반복 사이클에 따른 저항상태를 측정한 결과, 비교예의 원자 스위칭 장치에서는 약 800회 정도의 반복동작에서 특성이 급격히 열화되면서 회복 불가능한 상태가 되었으나, 실시예의 원자 스위칭 장치에서는 3000회 이후에도 정상적으로 동작함을 확인할 수 있다.
도 6a 및 도 6b는 산소결함 공급층의 조성이 Ta2O3 .6 및 Ta2O3 .8인 본 발명에 따른 원자 스위칭 장치들의 전압-전류 그래프들이고, 도 6c는 산소결함 공급층의 조성이 Ta2O3 .4인 비교예에 따른 원자 스위칭 장치의 전압-전류 그래프이다.
도 6a 내지 도 6c를 참조하면, 산소결함 공급층의 조성이 Ta2O3 .6 및 Ta2O3 .8인 본 발명에 따른 원자 스위칭 장치들의 경우에는 스위칭 균일도가 우수하나, 산소결함 공급층의 조성이 Ta2O3 .4인 비교예에 따른 원자 스위칭 장치의 경우에는 스위칭 균일도가 낮은 것으로 나타났다. 따라서, 산소결함 공급층에서 탄탈륨 원자에 대한 산소 원자의 비율은 약 1.8 내지 1.9인 것이 바람직하다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 원자 스위칭 장치
110: 활성 전극
120: 비활성 전극 130: 고체산화물 전해질층
140: 산소결함 공급층
120: 비활성 전극 130: 고체산화물 전해질층
140: 산소결함 공급층
Claims (9)
- 제1 금속으로 형성된 활성 전극;
상기 활성 전극과 대향하도록 배치되고, 상기 제1 금속보다 이온화 에너지가 높은 제2 금속으로 형성된 비활성 전극;
상기 활성 전극과 상기 비활성 전극 사이에 배치된 고체산화물 전해질층; 및
상기 활성 전극과 상기 고체산화물 전해질층 사이에 배치된 산소결함 공급층을 포함하는, 원자 스위칭 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 금속은 구리(Cu), 은(Ag) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 원자 스위칭 장치. - 제2항에 있어서,
상기 제2 금속은 백금(Pt), 금(Au) 및 팔라듐(Pd)으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 원자 스위칭 장치. - 제1항에 있어서,
상기 고체산화물 전해질층은 제1 탄탈륨 산화물로 형성되고,
상기 산소결함 공급층은 상기 제1 탄탈륨 산화물보다 탄탈륨 원자에 대한 산소 원자의 비율이 낮은 제2 탄탈륨 산화물로 형성된 것을 특징으로 하는, 원자 스위칭 장치. - 제4항에 있어서,
상기 제1 탄탈륨 산화물은 Ta2O5-x(0≤x<1)의 조성을 갖고,
상기 제2 탄탈륨 산화물은 Ta2Oy(3.6≤y≤3.8)의 조성을 갖는 것을 특징으로 하는, 원자 스위칭 장치. - 제5항에 있어서,
상기 고체산화물 전해질층은 5 내지 9 nm의 두께를 가지고,
상기 산소결함 공급층은 1 내지 5 nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는, 원자 스위칭 장치. - 기판 상에 제1 금속으로 이루어진 활성 전극을 형성하는 단계;
상기 활성 전극이 형성된 상기 기판 상에 제1 탄탈륨 산화물로 이루어진 고체산화물 전해질층을 형성하는 단계;
상기 고체산화물 전해질층 상에 상기 제1 탄탈륨 산화물보다 탄탈륨 원자에 대한 산소 원자의 비율이 낮은 제2 탄탈륨 산화물로 이루어진 산소결함 공급층을 형성하는 단계; 및
상기 산소결함 공급층 상에 상기 제1 금속보다 이온화 에너지가 높은 제2 금속으로 이루어진 비활성 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 원자 스위칭 장치의 제조방법. - 제7항에 있어서,
상기 고체산화물 전해질층은 진공 챔버 내에서 아르곤 가스를 Ta2O5 타겟에 충돌시키는 스퍼터링 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는, 원자 스위칭 장치의 제조방법. - 제8항에 있어서,
상기 산소결함 공급층은 진공 챔버 내에서 아르곤 및 산소의 혼합가스를 탄탈륨 금속 타겟에 충돌시키는 스퍼터링 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는, 원자 스위칭 장치의 제조방법.
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| KR20190012666A true KR20190012666A (ko) | 2019-02-11 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11985910B2 (en) | 2019-06-17 | 2024-05-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memristor and neuromorphic device comprising the same |
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2017
- 2017-07-28 KR KR1020170096005A patent/KR20190012666A/ko active Application Filing
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