RU2527965C1 - Керамический материал с низкой температурой обжига - Google Patents

Керамический материал с низкой температурой обжига Download PDF

Info

Publication number
RU2527965C1
RU2527965C1 RU2013106041/03A RU2013106041A RU2527965C1 RU 2527965 C1 RU2527965 C1 RU 2527965C1 RU 2013106041/03 A RU2013106041/03 A RU 2013106041/03A RU 2013106041 A RU2013106041 A RU 2013106041A RU 2527965 C1 RU2527965 C1 RU 2527965C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
oxide
ceramic material
oxides
low
calcium
Prior art date
Application number
RU2013106041/03A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2013106041A (ru
Inventor
Иван Гаврилович Лукица
Валентина Ивановна Иванова
Нинель Анатольевна Лукьянова
Дмитрий Михайлович Иванов
Алексей Андреевич Клементьев
Original Assignee
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Феррит-Домен"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Феррит-Домен" filed Critical Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Феррит-Домен"
Priority to RU2013106041/03A priority Critical patent/RU2527965C1/ru
Publication of RU2013106041A publication Critical patent/RU2013106041A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2527965C1 publication Critical patent/RU2527965C1/ru

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и касается создания керамических материалов с низкой температурой обжига, предназначенных для использования в СВЧ-диапазоне, в том числе при изготовлении керамических подложек для гибридных интегральных схем в изделиях СВЧ-техники. Технический результат изобретения - получение керамического материала с низкой температурой обжига для изделий электронной техники с высоким значением диэлектрической проницаемости до έ=70, низким значением тангенса угла диэлектрических потерь до 15·10-4, с высокой механической прочностью, высоким электросопротивлением и плотностью не ниже 0,95ρтеор. Предлагаемый керамический материал с низкой температурой обжига в исходных компонентах содержащий в качестве базового состава оксиды магния, кальция и титана, а также оксиды циркония и цинка, отличается тем, что он дополнительно содержит оксид никеля и железа при следующем соотношении компонентов, вес.%: оксид магния (MgO) 50,5÷0,5, оксид кальция (СаО) 1,0÷41,5, оксид циркония (ZrO2) 0,25÷0,05, оксид цинка (ZnO) 2,5÷0,5, оксид железа (Fe2O3) 0,1÷0,7, оксид никеля (NiO) 0,1÷1,5, оксид титана (TiO2) - остальное. 1 табл., 13 пр.

Description

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и касается создания керамических материалов с низкой температурой обжига, предназначенных для использования в СВЧ-диапазоне, в том числе при изготовлении керамических подложек для гибридных интегральных схем в изделиях СВЧ-техники.
Материал современных керамических подложек должен обладать следующими техническими характеристиками при температуре обжига не выше 1000°C:
- заданной величиной диэлектрической проницаемости на частоте 1≥5 гГц -
Figure 00000001
;
- низким значением тангенса угла диэлектрических потерь на 1≥5 гГц - tgδε;
- высокой плотностью - ρ, г/см3;
- высоким удельным объемным электрическим сопротивлением - ρν, Ом-см;
- низким температурным коэффициентом линейного расширения - ТКЛР, 1/град;
- высоким значением механической прочности на изгиб - σизг, МПа.
При создании такого керамического материала должна быть решена задача обеспечения указанных характеристик при проведении технологического процесса на низких температурах обжига.
Известен патент РФ №2410358 (приоритет 06.07.2009, опубл. 27.01.2011 г.), в котором низкотемпературный стеклокерамический материал имеет в своем составе алюмооксидную и барий-титановую керамику, а также низкотемпературное кристаллизующееся стекло следующего многокомпонентного состава, вес %:
оксид алюминия (Al2O3) 2÷8
оксид кремния (SiO2) 17÷7
оксид бора (B2O3) 3,2÷12,5
оксид кальция (CaO) 22÷11
оксид магния (MgO) 4,2÷3,5
оксид стронция (SrO) 0,4÷2,5
оксид меди (Cu2O) 0,4÷1,5
оксид циркония (ZrO) 1,8÷0,5
оксид цинка (ZnO) 9÷3,5
керамика остальное
Стеклокерамический материал содержит низкотемпературное кристаллизирующееся стекло и керамику при соотношении (1,2÷1) и (0,8÷1,0) соответственно.
Данный низкотемпературный стеклокерамический материал имеет достаточно высокие технические характеристики: диэлектрическая проницаемость на f=10 гГц - 6,7÷7,2 и 19÷20; тангенс угла диэлектрических потерь на f=10 гГц - (17÷21)×10-4; удельное объемное электрическое сопротивление ρ≥1012 Ом·см; ТКЛР=5,4÷6,5·10-6 1/град; σизг=125-150 МПа.
Оптимально возможное снижение температуры обжига за счет низкотемпературного кристаллизующегося стекла достигает порядка 900°C.
Однако при использовании основных компонентов стекловарения B2O3 и SiO2 используется относительно дорогостоящее сырье. Кроме того, B2O3 может испаряться в процессе обжига, что приводит к колебаниям в составе. Требуются специальные установки для контроля за испарением бора.
Все это удорожает и усложняет производство указанных материалов.
Керамика с низкой температурой обжига без стекла с диэлектрической проницаемостью
Figure 00000001
<10 предложена в патенте США №8173565 (приоритет 09.08.2011 г., опубл. 08.05.2012 г.). Основные компоненты керамики составляют 100% вес:
оксид кремния (SiO2) 48-75
оксид бария (BaO) 20-40
оксид алюминия (Al2O3) 5-20
В качестве добавок, снижающих температуру обжига (1050-900°C) и позволяющих получать достаточно хорошие электрофизические свойства (диэлектрическую проницаемость
Figure 00000001
(f-3 гГц) 6,5÷7,2; мелкую зерновую структуру αср=2÷7 мк и механическую прочность), берутся оксиды, вес %:
оксид марганца (MnO) 2-10
оксид титана (TiO2) 0,1-10
оксид магния (MgO) 0,1-5
Однако низкая диэлектрическая проницаемость материала не позволяет использовать его в миллиметровом диапазоне.
Керамика с низкой температурой обжига, не содержащая стекла и аналогичная по основным компонентам составу по патенту США №8173565 предложена в патенте США №8231961 (приоритет 18.10.2010 г., опубл. 31.07.2012 г.), где используются в качестве основных компонентов, вес %:
оксид кремния (SiO2) 47-60
оксид бария (BaO) 20-42
оксид алюминия (Al2O3) 5-30
и в качестве вспомогательных компонентов, взятых от 100% основных компонентов, вес %:
оксид железа (Fe2O3) 0,044-0,077
оксид циркония (ZrO2) 0,3-0,55
Данный керамический материал имеет следующие технические характеристики:
- температура обжига <1000°C;
- усадка после спекания - ±6%;
- прочность на изгиб - 180÷220 МПа;
- плотность - 0,95-0,98% от теоретической (рентгеновской)
Состав основных компонентов свидетельствует о низком значении диэлектрической проницаемости
Figure 00000001
<8, что также затрудняет его использование в миллиметровом диапазоне.
Известен керамический материал, предназначенный для СВЧ-техники и имеющий в своей основе сложный оксид лантана, кальция, магния и титана, а также добавки Al2O3, ZnO, SrO и по крайней мере один из группы оксидов Si, Na, Zr, W, Nb, Ta, Cu, Cr (US 2012/0218054, кл. H03H 9/24, C04B 35/465, опубл. 30.08.2012 г.). Этот керамический материал получают при высоких температурах обжига Т=1500÷1700°C, а его диэлектрическая проницаемость имеет значение
Figure 00000001
=40÷55.
Высокая температура обжига не позволяет использовать его в качестве керамической подложки для гибридных интегральных схем в изделиях СВЧ-техники.
Материал этой заявки является наиболее близким аналогом заявляемого изобретения по совокупности существенных признаков и достигаемому результату, и взят за прототип.
Целью изобретения является получение керамического материала с низкой температурой обжига с высоким значением диэлектрической проницаемости до
Figure 00000001
=70, сниженным значением тангенса угла диэлектрических потерь до 15·10-4, с высокой механической прочностью, высоким электросопротивлением и плотностью не ниже 0,95 ρтеор. Указанные материалы благодаря высокому значению диэлектрической проницаемости успешно работают в миллиметровом диапазоне.
Для этого предлагается керамический материал, который содержит в исходных компонентах в качестве базового состава оксиды магния, кальция и титана, а также оксиды циркония и цинка, отличающийся тем, что он дополнительно содержит оксиды никеля и железа при следующем соотношении компонентов, вес %:
оксид магния (MgO) 50,5÷0,5
оксид кальция (CaO) 1,0÷41,5
оксид циркония (ZrO2) 0,25÷0,05
оксид цинка (ZnO) 2,5÷0,5
оксид железа (Fe2O3) 0,1÷0,7
оксид никеля (NiO) 0,1÷1,5
оксид титана (TiO2) остальное
Предлагаемый материал получают по следующей технологии.
Исходные компоненты, взятые в необходимых соотношениях, за исключением оксидов никеля и железа тщательно перемешиваются алундовыми мелющими телами в шаровой мельнице в дистиллированной воде в течение 20-24 часов. Высушенную смесь протирают через капроновое сито и синтезируют при температуре 1050-1100°C в течение 4-6 часов. Измельчение проводят по режиму аналогичному первому помолу в этиловом спирте, добавляя оксиды никеля и железа в заданных соотношениях. Затем добавляют в качестве связующего - поливинилбутираль и пластификатора - дибутилфталат.
Далее из шликера изготавливают образцы заданной формы методом прессования либо литья.
Затем изготовленные образцы подвергают металлизации, например, на основе серебра.
Затем изготовленные образцы обжигают в камерных электропечах при температуре 850-1000°C в течение 0,5÷2 часов. В результате процесса обжига осуществляется синтез керамического материала.
Примеры получения керамики их состав и электрофизические свойства приведены в таблице.
В примерах №1, 2, 3, 4, 5, 6 даны химические составы в пределах заявленных процентных соотношениях и соответствующие им электрофизические свойства, полученные в результате испытаний по стандартным методикам.
Пример №7. Увеличение содержания MgO и уменьшение СаО по сравнению с заявленными пределами приводит к росту диэлектрических потерь.
Пример №8. Уменьшение содержания MgO и увеличение СаО по сравнению с заявленными пределами приводит к снижению плотности.
Пример №9. Увеличение содержания ZrO2 по сравнению с заявленными пределами снижает прочностные характеристики и в дальнейшем приводит к растрескиванию изделий.
Пример №10. Увеличение содержания Fe2O3 и ZnO по сравнению с заявленным приводит к выпадению фазы по границам зерен и к снижению удельного сопротивления и росту тангенса угла диэлектрических потерь.
Пример №11. Увеличение содержания NiO по сравнению с заявленными пределами приводит к увеличению тангенса диэлектрических потерь и снижению прочности.
Пример №12. Уменьшение содержания NiO по сравнению с заявленными пределами приводит к повышению температуры обжига выше 1000°C и снижению плотности и удельного электросопротивления.
Пример №13. Уменьшение содержания ZrO2, Fe2O3, ZnO по сравнению с заявленными пределами снижает плотность материала ниже допустимых значений.
Предполагаемое изобретение было создано в процессе выполнения технического задания на опытно-конструкторскую работу «Разработка базовой технологии получения керамических ленточных материалов для производства компонентов радиоэлектронной аппаратуры». Создание керамического материала с низкой температурой обжига позволит изготавливать многофункциональные СВЧ-компоненты, обладающие малой массой и габаритами. Получены опытные образцы и готовится комплект технической и технологической документации.
Таблица
Примеры № п/п Химический состав низкотемпературной керамики, вес % Диэлектрические свойства на частоте ρ, г/см3 ρтеор, % ρν,
Ом·см
ТКЛР×106 1/град σизг, МПа
MgO CaO TiO2 ZrO2 Fe2O3 ZnO NiO
Figure 00000001
tgδε f
1 50,5 1,0 45,5 0,05 0,1 1,5 0,45 7,2 8·10-4 10 3,1 97 1012 6,0 200
2 31,2 2,9 64,7 0,1 0,5 0,5 0,1 11,3 9·10-4 10 3,3 95 1013 5,5 180
3 16,7 20,65 59,2 0,25 0,3 2,0 0,9 40,6 11·10-4 6 3,5 96 1013 5,2 180
4 0,5 41,5 53,1 0,2 0,7 2,5 1,5 70,5 15·10-4 6 3,7 95 1012 5,8 190
5 0,5 1,0 97,75 0,05 0,1 0,5 0,1 70,8 14·10-4 6 3,8 95 1012 5,6 180
6 50,5 41,5 3,05 0,25 0,7 2,5 1,5 9,5 13·10-4 10 3,5 96 1012 6,0 190
7 50,6 0,9 45,5 0,06 0,14 1,55 0,4 6,8 20·10-4 10 3,0 95 1012 6,0 170
8 0,4 41,6 53,4 0,15 0,6 2,45 1,4 63 13·10-4 6 2,8 80 1012 6,5 180
9 16,7 20,6 59,3 0,3 1,5 0,6 1,0 38 12·10-4 6 3,5 96 1012 5,7 115
10 33,5 1,18 62,3 0,07 0,75 2,6 1,2 10,4 22·10-4 10 3,4 98 108 6,0 180
11 23,4 13,1 58,8 0,07 0,4 2,63 1,6 22 21·10-4 6 3,4 96 1012 5,4 120
12 31,2 3,05 63,8 0,17 0,5 1,65 0,08 10,5 14·10-4 10 2,7 78 1010 5,5 185
13 23,3 13,2 62,7 0,04 0,08 0,4 0,28 24 12·10-4 6 2,9 82 1012 6,0 180

Claims (1)

  1. Керамический материал с низкой температурой обжига, содержащий в качестве базового состава оксиды магния, кальция и титана, а также оксиды циркония и цинка, отличающийся тем, что он дополнительно содержит оксид никеля и железа при следующем соотношении компонентов, вес.%:
    оксид магния (MgO) 50,5÷0,5 оксид кальция (СаО) 1,0÷41,5 оксид циркония (ZrO2) 0,25÷0,05 оксид цинка (ZnO) 2,5÷0,5 оксид железа (Fe2O3) 0,1÷0,7 оксид никеля (NiO) 0,1÷1,5 оксид титана (TiO2) остальное
RU2013106041/03A 2013-02-12 2013-02-12 Керамический материал с низкой температурой обжига RU2527965C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013106041/03A RU2527965C1 (ru) 2013-02-12 2013-02-12 Керамический материал с низкой температурой обжига

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013106041/03A RU2527965C1 (ru) 2013-02-12 2013-02-12 Керамический материал с низкой температурой обжига

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013106041A RU2013106041A (ru) 2014-08-20
RU2527965C1 true RU2527965C1 (ru) 2014-09-10

Family

ID=51384250

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013106041/03A RU2527965C1 (ru) 2013-02-12 2013-02-12 Керамический материал с низкой температурой обжига

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2527965C1 (ru)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1155574A1 (ru) * 1982-12-24 1985-05-15 Предприятие П/Я Г-4430 Керамический материал
US6143680A (en) * 1998-07-24 2000-11-07 Kyocera Corporation Dielectric ceramic composition, preparation method therefor, and dielectric resonator
RU2410358C1 (ru) * 2009-07-06 2011-01-27 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") Низкотемпературный стеклокерамический материал
RU2422404C1 (ru) * 2007-11-26 2011-06-27 Елизавета Аркадьевна Ненашева Керамический сегнетоэлектрический композитный материал с малыми диэлектрическими потерями

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1155574A1 (ru) * 1982-12-24 1985-05-15 Предприятие П/Я Г-4430 Керамический материал
US6143680A (en) * 1998-07-24 2000-11-07 Kyocera Corporation Dielectric ceramic composition, preparation method therefor, and dielectric resonator
RU2422404C1 (ru) * 2007-11-26 2011-06-27 Елизавета Аркадьевна Ненашева Керамический сегнетоэлектрический композитный материал с малыми диэлектрическими потерями
RU2410358C1 (ru) * 2009-07-06 2011-01-27 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") Низкотемпературный стеклокерамический материал

Also Published As

Publication number Publication date
RU2013106041A (ru) 2014-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5248640A (en) Non-reducible dielectric ceramic composition
WO2004094338A1 (ja) 誘電体形成用無鉛ガラス、誘電体形成用ガラスセラミックス組成物、誘電体および積層誘電体製造方法
KR102430851B1 (ko) 유전체 자기 조성물 및 세라믹 전자 부품
JP5077362B2 (ja) 誘電体セラミック及び積層セラミックコンデンサ
KR20070061794A (ko) 유전체 자기 조성물 및 그 제조방법
US10669207B2 (en) Dielectric ceramic composition and electronic component
JP7196906B2 (ja) 誘電体磁器組成物及びセラミック電子部品
JP4775583B2 (ja) 誘電体粒子集合体、それを用いた低温焼結誘電体磁器組成物及びそれを用いて製造される低温焼結誘電体磁器
KR100808472B1 (ko) 유전체 세라믹 조성물 및 그 제조방법
JP4792759B2 (ja) 耐還元性誘電体磁器組成物、電子部品および積層セラミックコンデンサ
JP5481781B2 (ja) 誘電体磁器
JP7136196B2 (ja) 誘電体磁器組成物及びセラミック電子部品
JP2009023895A (ja) セラミックス基板及びその製造方法
KR20110016826A (ko) 유전체 세라믹 및 그 제조방법 그리고 적층 세라믹 콘덴서
JPH0415604B2 (ru)
RU2527965C1 (ru) Керамический материал с низкой температурой обжига
JP4412266B2 (ja) 誘電体磁器組成物及びその製造方法
EP1224154A1 (en) Piezoelectric ceramic compositions and methods for production thereof
JP6766848B2 (ja) 誘電体磁器組成物および電子部品
JP3940419B2 (ja) 誘電体磁器組成物及びその製造方法
JP2006104044A (ja) 誘電材料およびこれを調製する方法
JP2014001131A (ja) 誘電体磁器組成物および電子部品
TWI412504B (zh) A dielectric ceramic composition, a method for preparing a dielectric ceramic composition, and an electronic component
JP7315902B2 (ja) 誘電体磁器組成物および電子部品
CN101734914B (zh) 用于低温烧结多层陶瓷电容器的陶瓷材料及其制备方法