RU2518118C2 - Оптическое устройство и способ его изготовления - Google Patents

Оптическое устройство и способ его изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2518118C2
RU2518118C2 RU2011143466/04A RU2011143466A RU2518118C2 RU 2518118 C2 RU2518118 C2 RU 2518118C2 RU 2011143466/04 A RU2011143466/04 A RU 2011143466/04A RU 2011143466 A RU2011143466 A RU 2011143466A RU 2518118 C2 RU2518118 C2 RU 2518118C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
optical device
cured
film
substrate
polyorganosiloxane
Prior art date
Application number
RU2011143466/04A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2011143466A (ru
Inventor
Масаеши ТЕРАДА
Original Assignee
Доу Корнинг Торэй Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Доу Корнинг Торэй Ко., Лтд. filed Critical Доу Корнинг Торэй Ко., Лтд.
Publication of RU2011143466A publication Critical patent/RU2011143466A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2518118C2 publication Critical patent/RU2518118C2/ru

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C39/00—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor
    • B29C39/003—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor characterised by the choice of material
    • B29C39/006—Monomers or prepolymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C39/00—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor
    • B29C39/02—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C39/10—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles incorporating preformed parts or layers, e.g. casting around inserts or for coating articles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/04—Coating
    • C08J7/0427—Coating with only one layer of a composition containing a polymer binder
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/56—Coatings, e.g. enameled or galvanised; Releasing, lubricating or separating agents
    • B29C33/68—Release sheets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2083/00—Use of polymers having silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only, in the main chain, as moulding material
    • B29K2083/005—LSR, i.e. liquid silicone rubbers, or derivatives thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2011/00—Optical elements, e.g. lenses, prisms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2483/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Derivatives of such polymers
    • C08J2483/04—Polysiloxanes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/1579—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/186—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

Изобретение относится к оптическим устройствам и способам их изготовления. Предложено оптическое устройство, включающее светоизлучающий или светочувствительный элемент, установленный на подложку, и отвержденный кремнийорганический материал, объединенные в единое изделие в результате герметизации элемента кремнийорганической композицией, отверждаемой с помощью реакции гидросилилирования, причем поверхность отвержденного кремнийорганического материала обработана полиорганосилоксаном, который включает по меньшей мере три атома водорода, связанных с атомами кремния, в одной молекуле. Предложен также способ изготовления указанного оптического устройства. Технический результат - предложенное оптическое устройство устойчиво к налипанию пыли и грязи вследствие уменьшения липкости поверхности отвержденного кремнийорганического материала, который герметизирует светоизлучающий или светочувствительный элемент. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 7 ил., 6 пр.

Description

Область техники
Настоящее изобретение относится к оптическому устройству, в котором отвержденный кремнийорганический материал объединен в единое изделие со светоизлучающим элементом или светочувствительным элементом, установленным на подложку. Кроме того, настоящее изобретение относится к способу изготовления данного оптического устройства.
Уровень техники
Известно оптическое устройство, в котором предусмотрена герметизация установленного на подложку светоизлучающего элемента, например светодиодного чипа, отверждаемой кремнийорганической композицией, чтобы в результате получить подложку, объединенную в единое изделие с отвержденным кремнийорганическим материалом. В примере способа изготовления такого оптического устройства пресс-форму, которая включает вогнутую полость, расположенную напротив установленного на подложку светодиодного чипа, покрывают очень тонкой снимаемой пленкой; затем вогнутую полость заполняют отверждаемой кремнийорганической композицией, а подложку, несущую светодиодный чип, затем прижимают к пресс-форме и отверждают композицию (см. публикации нерассмотренных заявок на патент Японии №2005-305954, 2006-148147 и 2008-227119).
В предшествующем способе, чтобы удовлетворительно уменьшить напряжения в светодиодном чипе, предпочтительно, применяют отверждаемую кремнийорганическую композицию, которая обеспечивает отвержденный материал в форме геля или каучука с низкой твердостью. Однако проблема заключается в том, что поверхность полученного отвержденного кремнийорганического материала является довольно липкой, что приводит к налипанию пыли и грязи и, таким образом, к дефектному внешнему виду.
Задачей настоящего изобретения является обеспечение оптического устройства, которое устойчиво к налипанию пыли и грязи вследствие уменьшения липкости поверхности отвержденного кремнийорганического материала, который объединяют в единое изделие с ним в результате герметизации светоизлучающего элемента или светочувствительного элемента, установленного на подложку. Дополнительной задачей настоящего изобретения является обеспечение эффективного способа изготовления данного оптического устройства.
Описание изобретения
Оптическое устройство по настоящему изобретению представляет собой оптическое устройство, которое включает светоизлучающий элемент или светочувствительный элемент, установленный на подложку, и отвержденный кремнийорганический материал, объединенные в единое изделие на подложке в результате герметизации элемента кремнийорганической композицией, отверждаемой с помощью реакции гидросилилирования; данное устройство отличается тем, что поверхность отвержденного кремнийорганического материала обработана полиорганосилоксаном, который включает по меньшей мере три атома водорода, связанных с атомами кремния, в одной молекуле.
Этот полиорганосилоксан, предпочтительно, представляет собой полиметилгидридсилоксан, оба конца молекулярной цепи которого блокированы триметилсилоксильными группами; сополимер диметилсилоксана и метилгидридсилоксана, оба конца молекулярной цепи которого блокированы триметилсилоксильными группами; или полисилоксан, включающий структурную единицу, представленную формулой SiO4/2, и структурную единицу, представленную формулой H(CH3)2SiO1/2.
Кроме того, отвержденный кремнийорганический материал, предпочтительно, имеет форму выпуклой линзы.
Способ изготовления оптического устройства по настоящему изобретению представляет собой способ изготовления оптического устройства, которое включает отвержденный кремнийорганический материал, объединенный с ним путем закладки кремнийорганической композиции, отверждаемой с помощью реакции гидросилилирования, на снимаемую пленку в пресс-форме, причем пресс-форма включает полость, расположенную напротив светоизлучающего элемента или светочувствительного элемента, который установлен на подложку, и пресс-форма находится в тесном контакте со снимаемой пленкой; причем снимаемую пленку деформируют в форме полости, а затем проводят формование композиции путем прижатия подложки к пресс-форме; указанный способ отличается тем, что на поверхность снимаемой пленки, предназначенную для контакта с композицией, предварительно наносят покрытие из полиорганосилоксана, который включает по меньшей мере три атома водорода, связанных с атомами кремния, в одной молекуле.
Снимаемая пленка в данном способе, предпочтительно, представляет собой фторкаучуковую пленку, пленку из полиэфирной смолы или пленку из полиолефиновой смолы.
Полиорганосилоксан в данном способе, предпочтительно, представляет собой полиметилгидридсилоксан, оба конца молекулярной цепи которого блокированы триметилсилоксильными группами; сополимер диметилсилоксана и метилгидридсилоксана, оба конца молекулярной цепи которого блокированы триметилсилоксильными группами; или полисилоксан, включающий структурную единицу, представленную формулой SiO4/2, и структурную единицу, представленную формулой H(CH3)2SiO1/2. Кроме того, степень нанесения покрытия из данного полиорганосилоксана, предпочтительно, составляет от 0,01 до 10 г на 1 м2.
Оптическое устройство по настоящему изобретению особенно устойчиво к налипанию пыли и грязи вследствие уменьшения липкости поверхности отвержденного кремнийорганического материала, который объединен в единое изделие с этим устройством в результате герметизации светоизлучающего элемента или светочувствительного элемента, установленного на подложку. Способ изготовления по настоящему изобретению особенно пригоден для эффективного изготовления данного оптического устройства.
Краткое описание чертежей
Фиг.1 представляет собой схему частичного поперечного разреза, на которой изображено оптическое устройство перед формованием отвержденного кремнийорганического материала.
Фиг.2 представляет собой схему частичного поперечного разреза, на которой изображено состояние перед закладкой кремнийорганической композиции, отверждаемой с помощью реакции гидросилилирования.
Фиг.3 представляет собой схему частичного поперечного разреза, на которой изображено состояние после закладки кремнийорганической композиции, отверждаемой с помощью реакции гидросилилирования.
Фиг.4 представляет собой схему частичного поперечного разреза, на которой изображено формование кремнийорганической композиции, отверждаемой с помощью реакции гидросилилирования.
Фиг.5 представляет собой схему частичного поперечного разреза, на которой изображено оптическое устройство, которое объединено в единое изделие с отвержденным кремнийорганическим материалом.
Фиг.6 представляет собой схему частичного поперечного разреза, на которой изображено другое оптическое устройство, которое объединено в единое изделие с отвержденным кремнийорганическим материалом.
Фиг.7 представляет собой схему частичного поперечного разреза, на которой изображено другое оптическое устройство, которое объединено в единое изделие с отвержденным кремнийорганическим материалом.
Номера позиций на чертежах, которые применяют в описании:
1 подложка
2 светодиодный чип
3 соединительная проволока
4 пресс-форма
5 снимаемая пленка
6 кремнийорганическая композиция, отверждаемая с помощью реакции гидросилилирования
7 отвержденный кремнийорганический материал
Подробное описание изобретения
Оптическое устройство по настоящему изобретению содержит светоизлучающий элемент или светочувствительный элемент, установленный на подложку, а также содержит отвержденный кремнийорганический материал, объединенные в единое изделие в нем в результате герметизации элемента кремнийорганической композицией, отверждаемой с помощью реакции гидросилилирования. В качестве примера светоизлучающего элемента можно привести светодиодные чипы. Светодиодный чип, соответственно, представляет собой светодиодный чип, полученный созданием полупроводника, такого как InN, AIN, GaN, ZnSe, SiC, GaP, GaAs, GaAIAs, GaAIN, AIInGaN, InGaN, AIInGaN и т.д., в качестве светоизлучающего слоя на подложке с помощью метода выращивания из жидкой фазы или метода химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений (MOCVD).
В качестве примера подложки можно привести керамические подложки, кремниевые подложки и металлические подложки и подложки из органической смолы, например полиимидной смолы, эпоксидной смолы, бисмалеимид-триазиновой смолы (ВТ смолы) и т.д. В добавление к светоизлучающему элементу или светочувствительному элементу, установленному на подложку, подложка также может включать, среди прочего, электрическую цепь, соединительную проволоку, например золотую или алюминиевую проволоку, чтобы обеспечить электрическое соединение данной цепи со светодиодным чипом, и наружный вывод для цепи. Оптические устройства, изображенные на Фиг.5-7, заполнены множеством светодиодных чипов, но можно получить отдельные оптические устройства посредством разрезания или раскалывания подложки.
Отвержденный кремнийорганический материал формуют в виде единого изделия при осуществлении герметизации светоизлучающего элемента или светочувствительного элемента кремнийорганической композицией, отверждаемой с помощью реакции гидросилилирования, и предпочтительно, он приклеивается к подложке и к светоизлучающему элементу или светочувствительному элементу. Данный отвержденный кремнийорганический материал может представлять собой прозрачный отвержденный материал или может представлять собой отвержденный материал, который содержит, например, флуоресцирующее вещество. Форма данного отвержденного кремнийорганического материала не ограничена особым образом, и в качестве ее примеров можно привести форму выпуклой линзы, форму усеченного конуса и форму усеченной прямоугольной пирамиды, причем форма выпуклой линзы является предпочтительной.
Кремнийорганическая композиция, отверждаемая с помощью реакции гидросилилирования, которая образует данный отвержденный кремнийорганический материал, обычно включает полиорганосилоксан, который включает по меньшей мере две алкенильных группы в одной молекуле, полиорганосилоксан, который включает по меньшей мере два атома водорода, связанных с атомами кремния, в одной молекуле, и катализатор реакции гидросилилирования; эта кремнийорганическая композиция, предпочтительно, представляет собой прозрачную текучую среду и, при необходимости, может включать неорганический наполнитель, флуоресцирующее вещество и т.д. Вязкость этой отверждаемой кремнийорганической композиции не ограничена особым образом, но она предпочтительно представляет собой текучую среду с вязкостью от 0,1 до 200 Па·с при 25°С, а более предпочтительно, текучую среду с вязкостью от 0,1 до 30 Па·с при 25°С. Такие отверждаемые кремнийорганические композиции обычно имеются в продаже, например, как продукт SE1896FR от Dow Corning Toray Co., Ltd.
Когда отвержденный кремнийорганический материал формуют в оптическое устройство по настоящему изобретению посредством герметизации светоизлучающего элемента или светочувствительного элемента кремнийорганической композицией, отверждаемой с помощью реакции гидросилилирования, обработка полиорганосилоксаном, который включает по меньшей мере три атома водорода, связанных с атомами кремния, в одной молекуле, приводит к увеличению плотности сшивания на поверхности отвержденного кремнийорганического материала и к уменьшению липкости этой поверхности и, таким образом, предотвращает налипание пыли и грязи. Этот полиорганосилоксан должен включать по меньшей мере три атома водорода, связанных с атомами кремния, в одной молекуле, но в остальном он не ограничен особым образом. В качестве конкретных примеров связанных с атомами кремния групп в этом полиорганосилоксане можно привести замещенные и незамещенные одновалентные углеводородные группы, например алкильные группы, такие как метил, этил, пропил, изопропил, бутил, изобутил, трет-бутил, пентил, гексил, циклогексил, гептил, октил, нонил, децил и т.д.; алкенильные группы, такие как винил, аллил, изопропенил, бутенил, изобутенил, гексенил, циклогексенил и т.д.; арильные группы, такие как фенил, толил, ксилил, нафтил и т.д.; арилалкильные группы, такие как бензил, фенэтил и т.д., и галогензамещенные алкильные группы, такие как 3-хлорпропил, 3,3,3-трифторпропил и т.д.; причем предпочтительной является одновалентная углеводородная группа с недостающей алифатически ненасыщенной связью углерод-углерод.
Ограничения на молекулярную структуру данного полиорганосилоксана отсутствуют, и примерами его молекулярной структуры являются прямая цепь, частично разветвленная прямая цепь, разветвленная цепь, дендритная структура, сетчатая структура и циклическая структура. Его вязкость при 25°С предпочтительно составляет от 1 до 1000 мПа·с, более предпочтительно, от 1 до 500 мПа·с, а особенно предпочтительно, от 1 до 100 мПа·с.
В качестве примеров данного полиорганосилоксана можно привести полиметилгидридсилоксан, оба конца молекулярной цепи которого блокированы триметилсилоксильными группами; сополимер диметилсилоксана и метилгидридсилоксана, оба конца молекулярной цепи которого блокированы триметилсилоксильными группами; полиметилгидридсилоксан, оба конца молекулярной цепи которого блокированы диметилгидридсилоксильными группами; сополимер диметилсилоксана и метилгидридсилоксана, оба конца молекулярной цепи которого блокированы диметилгидридсилоксильными группами; циклический метилгидридсилоксан; циклический сополимер диметилсилоксана и метилгидридсилоксана; сополимер, включающий силоксановую структурную единицу, представленную формулой (CH3)3SiO1/2, силоксановую структурную единицу, представленную формулой H(CH3)2SiO1/2, и силоксановую структурную единицу, представленную формулой SiO4/2; сополимер, включающий силоксановую структурную единицу, представленную формулой H(CH3)2SiO1/2, и силоксановую структурную единицу, представленную формулой SiO4/2; сополимер, включающий силоксановую структурную единицу, представленную формулой (CH3)3SiO1/2, силоксановую структурную единицу, представленную формулой H(CH3)2SiO1/2, силоксановую структурную единицу, представленную формулой (CH3)2SiO2/2, и силоксановую структурную единицу, представленную формулой SiO4/2; и смеси двух или более из предшествующих соединений. Полиметилгидридсилоксан, оба конца молекулярной цепи которого блокированы триметилсилоксильными группами, сополимер диметилсилоксана и метилгидридсилоксана, оба конца молекулярной цепи которого блокированы триметилсилоксильными группами, и полисилоксан, включающий структурную единицу, представленную формулой SiO4/2, и структурную единицу, представленную формулой H(CH3)2SiO1/2, являются особенно предпочтительными.
Примером способа изготовления данного оптического устройства является способ изготовления оптического устройства, включающего отвержденный кремнийорганический материал, объединенный с ним путем закладки кремнийорганической композиции, отверждаемой с помощью реакции гидросилилирования, на снимаемую пленку в пресс-форме, причем пресс-форма включает полость, расположенную напротив светоизлучающего элемента или светочувствительного элемента, установленного на подложку, и пресс-форма находится в тесном контакте со снимаемой пленкой; при этом снимаемую пленку деформируют в форме полости, а затем проводят формование композиции путем прижатия подложки к пресс-форме. Способ по настоящему изобретению отличается тем, что на поверхность снимаемой пленки, которая в вышеупомянутом способе предназначена для контакта с отверждаемой кремнийорганической композиции, предварительно наносят покрытие из полиорганосилоксана, который включает по меньшей мере три атома водорода, связанных с атомами кремния, в одной молекуле.
В настоящем способе применяют формовочное приспособление, способное обеспечить формирование отвержденного кремнийорганического материала при герметизации установленного на подложку светоизлучающего элемента или светочувствительного элемента кремнийорганической композицией, отверждаемой с помощью реакции гидросилилирования. В качестве данного формовочного приспособления можно использовать обычно применяемые формовочные приспособления. Формовочное приспособление, которое включает механизм для отсоса воздуха в пресс-форме, является предпочтительным с целью приведения снимаемой пленки в тесный контакт с полостью. Данный механизм для отсоса воздуха во время формования служит для приведения снимаемой пленки в тесный контакт с полостью, а после формования, путем вдувания воздуха, служит для отделения снимаемой пленки от пресс-формы и облегчения извлечения формованного изделия.
Настоящий способ описан со ссылкой на чертежи. Фиг.1 представляет собой схему частичного поперечного разреза, на которой изображено оптическое устройство перед образованием отвержденного кремнийорганического материала. На Фиг.1 изображен светодиодный чип 2, установленный на подложку 1, например, с помощью связующего вещества для присоединения к подложке; данный светодиодный чип 2 электрически подключен с помощью соединительной проволоки 3 к наружному выводы или к электрической цепи (не показаны на чертеже), обеспеченным на поверхности подложки 1.
Фиг.2 представляет собой схему частичного поперечного разреза, на которой изображено состояние перед закладкой кремнийорганической композиции, отверждаемой с помощью реакции гидросилилирования. Подложку 1, заполненную светодиодными чипами 2, размещают напротив положений полостей в пресс-форме 4. Затем между подложкой 1 и пресс-формой 4 помещают снимаемую пленку 5, на которую предварительно наносят покрытие из полиорганосилоксана, который содержит по меньшей мере три атома водорода, связанных с атомами кремния, в одной молекуле, и приводят указанную пленку в тесный контакт с полостью пресс-формы с помощью механизма для отсоса воздуха (не показан на чертеже), расположенного в пресс-форме 4. Фиг.3 представляет собой схему частичного поперечного разреза, на которой изображено состояние сразу после введения кремнийорганической композиции 6, отверждаемой с помощью реакции гидросилилирования, в пресс-форму 4, покрытую снимаемой пленкой 5.
Фиг.4 представляет собой схему частичного поперечного разреза, на которой изображено формование кремнийорганической композиции, отверждаемой с помощью реакции гидросилилирования. Путем прижатия подложки 1 к пресс-форме 4 можно заключить снимаемую пленку 5 между ними и надежно перекрыть периметр герметизированной области и предотвратить вытекание композиции.
Снимаемая пленка 5 представляет собой снимаемую пленку, которую можно легко привести в тесный контакт с пресс-формой, например, с помощью отсоса воздуха, и которая проявляет достаточную термостойкость, чтобы выдержать температуру отверждения кремнийорганической композиции, отверждаемой с помощью реакции гидросилилирования. В качестве примеров таких снимаемых пленок можно привести фторкаучуковые пленки, такие как пленки из политетрафторэтилена (ПТФЭ), пленки из сополимера этилена и тетрафторэтилена (ЭТФЭ), пленки из сополимера тетрафторэтилена и гексафторпропилена (FEP), пленки из поливинилиденфторида (ПВДФ) и т.д.; пленки из сложных полиэфиров, такие как пленки из полиэтилентерефталата (ПЭТ) и т.д.; и пленки из полиолефинов, не содержащих фтор, такие как пленки из полипропилена (ПП), пленки из сополимеров циклоолефинов (СЦО) и т.д. Толщина снимаемой пленки не ограничена особым образом, но предпочтительной является толщина приблизительно от 0,01 мм до 0,2 мм.
Настоящий способ отличается тем, что на поверхность снимаемой пленки, предназначенную для контакта с кремнийорганической композицией, отверждаемой с помощью реакции гидросилилирования, наносят покрытие из полиорганосилоксана, включающего по меньшей мере три атома водорода, связанных с атомами кремния, в одной молекуле. Данный полиорганосилоксан описан ранее. Степень нанесения покрытия из данного полиорганосилоксана не ограничена особым образом, но предпочтительным является значение от 0,01 до 10 г на 1 м2, хотя более предпочтительным является значение от 0,01 до 5 г на 1 м2, а особенно предпочтительным является значение от 0,01 до 2 г на 1 м2.
Условия отверждения кремнийорганической композиции, отверждаемой с помощью реакции гидросилилирования, не ограничены особым образом, но, например, нагрев осуществляют, предпочтительно, в течение приблизительно от 0,5 до 60 мин, в частности, в течение приблизительно от 1 до 30 мин, предпочтительно, при температуре от 50 до 200°С, в частности, от 100 до 150°С. При необходимости, вторичное отверждение (пост-отверждение) можно проводить в течение приблизительно от 0,5 до 4 ч при температуре от 150 до 200°С.
На Фиг.5 показана схема частичного поперечного разреза, где изображено оптическое устройство по настоящему изобретению, включающее выпуклую линзу из кремнийорганического материала, объединенную с ним. Хотя на Фиг.5 изображено множество установленных светодиодных чипов, оптические устройства можно разъединить посредством разрезания подложки с применением, например, установки для резки, лазера и т.д.
ПРИМЕРЫ
Оптическое устройство по настоящему изобретению и способ по настоящему изобретению изготовления данного оптического устройства описаны подробно с помощью примеров. Значения вязкости в данных примерах приведены для температуры 25°С.
Пример 1
В качестве машины для формования под давлением применяли FFT1005 от TOWA Corporation. Алюминиевую подложку схемы, включающую 256 светодиодных чипов, установленных на нее, закрепили с помощью зажима на верхней пресс-форме данной машины для формования под давлением. Затем на пресс-форму, включающую вогнутую полость, как показано на Фиг.2, поместили пленку толщиной 0,05 мм из полиолефиновой смолы, на которую было нанесено покрытие из полиметилгидридсилоксана, оба конца молекулярной цепи которого блокированы триметилсилоксильными группами (степень нанесения покрытия составляла 0,05 г/м2, вязкость полиметилгидридсилоксана составляла 20 мПа·с, а содержание в нем атомов водорода, связанных с атомами кремния, составляло 1,56 масс.%), и привели данную пленку в тесный контакт с нижней пресс-формой с помощью механизма для отсоса воздуха, присутствующего в нижней пресс-форме. Затем вогнутую полость заполнили 1,5 г гелеобразной кремнийорганической композиции, отверждаемой с помощью реакции гидросилилирования (торговая марка: SE1896FR, продукт компании Dow Corning Toray Co., Ltd.), вязкость которой составляет 400 мПа·с.
Эта гелеобразная кремнийорганическая композиция, отверждаемая с помощью реакции гидросилилирования, обладает способностью при нагреве в течение 5 мин при 140°С образовывать отвержденный гель, для которого 1/4-пенетрация составляет приблизительно 60, как предписано японским промышленным стандартом JIS К 2220. Верхнюю и нижнюю пресс-формы закрыли так, что отдельные вогнутые полости оказались расположенными напротив отдельных светодиодных чипов, установленных на подложку, а формование под давлением осуществляли в течение 5 мин при 140°С. Затем пресс-форму открыли и извлекли из нее оптическое устройство, объединенное в единое изделие с выпуклыми кремнийорганическими линзами. Поверхности кремнийорганических линз данного оптического устройства были твердыми и проявляли незначительную липкость, а также на них не оставалось отпечатков пальцев.
Пример 2
Оптическое устройство изготовили, как описано в примере 1, но в данном случае обработку поверхности снимаемой пленки, описанную в примере 1, проводили с применением кремнийорганического полимера, структурная единица которого имеет среднюю формулу [H(CH3)2SiO1/2]1,6(SiO4/2)1,0; степень нанесения покрытия составляла 0,05 г/м2, вязкость указанного кремнийорганического полимера составляла 25 мПа·с, а содержание в нем атомов водорода, связанных с атомами кремния, составляло 0,97 масс.%. Поверхности кремнийорганических линз данного оптического устройства были твердыми и проявляли незначительную липкость, а также на них не оставалось отпечатков пальцев.
Пример 3
Оптическое устройство изготовили, как описано в примере 1, но в данном случае обработку поверхности снимаемой пленки, описанную в примере 1, проводили с применением кремнийорганического полимера, структурная единица которого имеет среднюю формулу [H(CH3)2SiO1/2]1,6(SiO4/2)1,0; степень нанесения покрытия составляла 1,00 г/м2, вязкость указанного кремнийорганического полимера составляла 25 мПа·с, а содержание в нем атомов водорода, связанных с атомами кремния, составляло 0,97 масс.%. Поверхности кремнийорганических линз данного оптического устройства были твердыми и проявляли незначительную липкость, а также на них не оставалось отпечатков пальцев.
Пример 4
Оптическое устройство изготовили, как описано в примере 1, но в данном случае обработку поверхности снимаемой пленки, описанную в примере 1, проводили с применением сополимера диметилсилоксана и метилгидридсилоксана, оба конца молекулярной цепи которого блокированы триметилсилоксильными группами; степень нанесения покрытия составляла 0,05 г/м2, вязкость указанного сополимера составляла 63 мПа·с, а содержание в нем атомов водорода, связанных с атомами кремния, составляло 0,70 масс.%. Поверхности кремнийорганических линз данного оптического устройства были твердыми и проявляли незначительную липкость, а также на них не оставалось отпечатков пальцев.
Пример 5
Оптическое устройство изготовили, как описано в примере 1, но в данном случае обработку поверхности снимаемой пленки, описанную в примере 1, проводили с применением сополимера диметилсилоксана и метилгидридсилоксана, оба конца молекулярной цепи которого блокированы триметилсилоксильными группами; степень нанесения покрытия составляла 1,00 г/м2, вязкость указанного сополимера составляла 63 мПа·с, а содержание в нем атомов водорода, связанных с атомами кремния, составляло 0,70 масс.%. Поверхности кремнийорганических линз данного оптического устройства были твердыми и проявляли незначительную липкость, а также на них не оставалось отпечатков пальцев.
Сравнительный пример 1
Оптическое устройство изготовили, как описано в примере 1, но в данном случае не проводили обработку поверхности снимаемой пленки, описанную в примере 1, полиметилгидридсилоксаном, оба конца молекулярной цепи которого блокированы триметилсилоксильными группами, вязкость которого составляла 20 мПа·с, а содержание в нем атомов водорода, связанных с атомами кремния, составляло 1,56 масс.%. Поверхности кремнийорганических линз данного оптического устройства были сильно липкими, и на них оставались отпечатки пальцев.
ПРОМЫШЛЕННАЯ ПРИМЕНИМОСТЬ
Поскольку оптическое устройство по настоящему изобретению устойчиво к налипанию пыли и грязи вследствие уменьшения липкости поверхности отвержденного кремнийорганического материала, который герметизирует светоизлучающий элемент или светочувствительный элемент, установленный на подложку и, таким образом, объединен в единое изделие на подложке, оно хорошо подходит в качестве оптического устройства, для которого надежность, например, термостойкость и т.д., является критически важной.

Claims (7)

1. Оптическое устройство, включающее светоизлучающий элемент или светочувствительный элемент, установленный на подложку, и отвержденный кремнийорганический материал, объединенные в единое изделие на подложке в результате герметизации элемента кремнийорганической композицией, отверждаемой с помощью реакции гидросилилирования; данное оптическое устройство отличается тем, что поверхность отвержденного кремнийорганического материала обработана полиорганосилоксаном, который включает по меньшей мере три атома водорода, связанных с атомами кремния, в одной молекуле.
2. Оптическое устройство по п.1, где полиорганосилоксан представляет собой полиметилгидридсилоксан, оба конца молекулярной цепи которого блокированы триметилсилоксильными группами; сополимер диметилсилоксана и метилгидридсилоксана, оба конца молекулярной цепи которого блокированы триметилсилоксильными группами; или полисилоксан, включающий структурную единицу, представленную формулой SiO4/2, и структурную единицу, представленную формулой H(CH3)2SiO1/2.
3. Оптическое устройство по п.1, где отвержденный кремнийорганический материал имеет форму выпуклой линзы.
4. Способ изготовления оптического устройства, которое включает отвержденный кремнийорганический материал, объединенный со светоизлучающим или светочувствительным элементом, установленным на подложку, путем закладки кремнийорганической композиции, отверждаемой с помощью реакции гидросилилирования, на снимаемую пленку в пресс-форме, причем пресс-форма включает полость, расположенную напротив светоизлучающего элемента или светочувствительного элемента, установленного на подложку, и пресс-форма находится в тесном контакте со снимаемой пленкой; причем снимаемую пленку деформируют в форме полости, а затем проводят формование композиции путем прижатия подложки к пресс-форме; данный способ изготовления оптического устройства отличается тем, что на поверхность снимаемой пленки, предназначенную для контакта с композицией, предварительно наносят покрытие из полиорганосилоксана, который включает по меньшей мере три атома водорода, связанных с атомами кремния, в одной молекуле.
5. Способ изготовления оптического устройства по п.4, где снимаемая пленка представляет собой фторкаучуковую пленку, пленку из полиэфирной смолы или пленку из полиолефиновой смолы.
6. Способ изготовления оптического устройства по п.4, где полиорганосилоксан представляет собой полиметилгидридсилоксан, оба конца молекулярной цепи которого блокированы триметилсилоксильными группами; сополимер диметилсилоксана и метилгидридсилоксана, оба конца молекулярной цепи которого блокированы триметилсилоксильными группами; или полисилоксан, включающий структурную единицу, представленную формулой SiO4/2, и структурную единицу, представленную формулой H(CH3)2SiO1/2.
7. Способ изготовления оптического устройства по п.4, где степень нанесения покрытия из полиорганосилоксана составляет от 0,01 до 10 г на 1 м2.
RU2011143466/04A 2009-04-10 2010-04-06 Оптическое устройство и способ его изготовления RU2518118C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-095611 2009-04-10
JP2009095611A JP2010245477A (ja) 2009-04-10 2009-04-10 光デバイス及びその製造方法
PCT/JP2010/056495 WO2010117076A2 (en) 2009-04-10 2010-04-06 Optical device and method of producing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011143466A RU2011143466A (ru) 2013-05-20
RU2518118C2 true RU2518118C2 (ru) 2014-06-10

Family

ID=42647331

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011143466/04A RU2518118C2 (ru) 2009-04-10 2010-04-06 Оптическое устройство и способ его изготовления

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20120037951A1 (ru)
EP (1) EP2417190A2 (ru)
JP (1) JP2010245477A (ru)
KR (1) KR20120022902A (ru)
CN (1) CN102388090A (ru)
RU (1) RU2518118C2 (ru)
TW (1) TW201044650A (ru)
WO (1) WO2010117076A2 (ru)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI441361B (zh) * 2010-12-31 2014-06-11 Interlight Optotech Corp 發光二極體封裝結構及其製造方法
JP5543386B2 (ja) * 2011-01-21 2014-07-09 スタンレー電気株式会社 発光装置、その製造方法及び照明装置
JP2013084949A (ja) * 2011-09-30 2013-05-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd 封止半導体およびその製造方法
US9444024B2 (en) * 2011-11-10 2016-09-13 Cree, Inc. Methods of forming optical conversion material caps
JP2013189493A (ja) * 2012-03-12 2013-09-26 Asahi Kasei Chemicals Corp 離型フィルム及びこれを用いた成型方法
KR20150001766A (ko) * 2012-04-12 2015-01-06 생-고뱅 퍼포먼스 플라스틱스 코포레이션 발광장치 제조방법
JP2015079926A (ja) * 2013-09-10 2015-04-23 旭化成ケミカルズ株式会社 光デバイス、およびその製造方法
JP6215769B2 (ja) * 2014-05-09 2017-10-18 信越化学工業株式会社 ウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法、及び光半導体デバイスの製造方法
JP2015216192A (ja) * 2014-05-09 2015-12-03 信越化学工業株式会社 ウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法、光半導体デバイスの製造方法、及び光半導体デバイス
JP2015216206A (ja) * 2014-05-09 2015-12-03 信越化学工業株式会社 ウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法、光半導体デバイスの製造方法、及び光半導体デバイス
DE102015103335A1 (de) 2015-03-06 2016-09-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Vorrichtung
CN106469778B (zh) * 2015-08-18 2017-12-22 江苏诚睿达光电有限公司 一种异形有机硅树脂光转换体贴合封装led的工艺方法
FR3045439A1 (fr) * 2015-12-18 2017-06-23 Valeo Vision Procede de fabrication d'un element optique comprenant au moins deux materiaux
US10688702B1 (en) * 2018-05-11 2020-06-23 Facebook Technologies, Llc Optical assembly fabricated with liquid optical material
DE102022121518A1 (de) * 2022-08-25 2024-03-07 Ams-Osram International Gmbh Verfahren zur herstellung einer vielzahl strahlungsemittierender bauelemente und strahlungsemittierendes bauelement

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0799693A2 (en) * 1996-02-06 1997-10-08 Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. Silicone gel sheets and method for the preparation thereof
JP2008227119A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光ダイオードチップとレンズとの一体化構造物及びその製造方法
RU2344148C2 (ru) * 2004-05-20 2009-01-20 Моментив Перформанс Матириалз Инк. Отверждаемые покрытия, обладающие низкой проницаемостью по отношению к серосодержащим газам

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3910080B2 (ja) * 2001-02-23 2007-04-25 株式会社カネカ 発光ダイオード
JP5004410B2 (ja) 2004-04-26 2012-08-22 Ｔｏｗａ株式会社 光素子の樹脂封止成形方法および樹脂封止成形装置
JP4602736B2 (ja) * 2004-10-21 2010-12-22 株式会社フジクラ 半導体発光装置
US7344902B2 (en) 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
JP2007036030A (ja) * 2005-07-28 2007-02-08 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0799693A2 (en) * 1996-02-06 1997-10-08 Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. Silicone gel sheets and method for the preparation thereof
RU2344148C2 (ru) * 2004-05-20 2009-01-20 Моментив Перформанс Матириалз Инк. Отверждаемые покрытия, обладающие низкой проницаемостью по отношению к серосодержащим газам
JP2008227119A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光ダイオードチップとレンズとの一体化構造物及びその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
RU 2006113774 A (Институт синтетических полимерных материалов (ИСПМ) им. Н.С.Ениколопова РАН, Сева Хайполимер Ко., ЛТД), 20.11.2007. *

Also Published As

Publication number Publication date
TW201044650A (en) 2010-12-16
US20120037951A1 (en) 2012-02-16
KR20120022902A (ko) 2012-03-12
CN102388090A (zh) 2012-03-21
RU2011143466A (ru) 2013-05-20
EP2417190A2 (en) 2012-02-15
JP2010245477A (ja) 2010-10-28
WO2010117076A3 (en) 2010-12-02
WO2010117076A2 (en) 2010-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2518118C2 (ru) Оптическое устройство и способ его изготовления
US7651887B2 (en) Optical semiconductor device and method of manufacturing thereof
US20150072139A1 (en) Release Film, Compression Molding Method, And Compression Molding Apparatus
EP2016124B1 (en) Adhesion-promoting agent, curable organopolysiloxane composition, and semiconductor device
KR101566556B1 (ko) 열경화성 실리콘 수지 조성물, 실리콘 수지, 실리콘 수지 시트 및 그의 용도
KR101487203B1 (ko) 발광소자 봉지용 실리콘 수지 조성물 및 이를 이용한 포팅 방식에 따른 광 반도체 전자부품의 제조방법
EP1986832B1 (en) Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device produced thereby
EP1505121A1 (en) Hardenable composition, hardening product, process for producing the same and light emitting diode sealed with the hardening product
KR20170016889A (ko) 광학 디바이스를 위한 핫-멜트형 경화성 실리콘 조성물의 임프린팅 공정
JP2004292714A (ja) 硬化性組成物、硬化物、その製造方法およびその硬化物により封止された発光ダイオード
JP2004292779A (ja) 硬化性組成物、硬化物、その製造方法およびその硬化物により封止された発光ダイオード
US20070216021A1 (en) Semiconductor Device and Method of Manufacturing Thereof
KR20140145177A (ko) 경화성 실리콘 조성물, 이의 경화물, 및 광반도체 디바이스
TW201811880A (zh) 矽樹脂薄膜、可固化矽樹脂組成物、光學半導體裝置及光學半導體裝置之封裝方法
CN113614174B (zh) 固化性有机硅组合物、其固化物及其制造方法
KR20150054811A (ko) 경화성 실리콘 조성물, 반도체 디바이스의 제조 방법, 및 반도체 디바이스
KR101204116B1 (ko) 경화성 조성물
US20060270808A1 (en) Epoxy-silicone mixed resin composition, cured article thereof, and light-emitting semiconductor device
KR101918295B1 (ko) 오르가노 폴리실록산 조성물
JP2015079926A (ja) 光デバイス、およびその製造方法
KR20130128650A (ko) 오르가노 폴리실록산 조성물
KR101814212B1 (ko) 오르가노 폴리실록산 조성물
JP2009252781A (ja) 樹脂封止型発光ダイオードの製造方法
KR20150030925A (ko) 오르가노 폴리실록산 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150407