RU2488188C2 - Method and device for application of nano-pattern on large area - Google Patents
Method and device for application of nano-pattern on large area Download PDFInfo
- Publication number
- RU2488188C2 RU2488188C2 RU2010134893/28A RU2010134893A RU2488188C2 RU 2488188 C2 RU2488188 C2 RU 2488188C2 RU 2010134893/28 A RU2010134893/28 A RU 2010134893/28A RU 2010134893 A RU2010134893 A RU 2010134893A RU 2488188 C2 RU2488188 C2 RU 2488188C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- cylinder
- mask
- radiation
- rotatable
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/42—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the shape of the moulding surface, e.g. ribs or grooves
- B29C33/424—Moulding surfaces provided with means for marking or patterning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/60—Substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2014—Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/24—Curved surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
Область техникиTechnical field
Варианты осуществления изобретения относятся к способам нанесения нанорисунка, которые можно использовать для шаблонирования больших подложек или подложек, например, пленок, которые можно продавать рулонами. Другие варианты осуществления изобретения относятся к устройству, которое можно использовать для шаблонирования подложек и которое можно использовать для осуществления вариантов осуществления способа, включая описанные.Embodiments of the invention relate to methods for applying a nanoparticle that can be used to pattern large substrates or substrates, for example, films that can be sold in rolls. Other embodiments of the invention relate to a device that can be used to template substrates and which can be used to implement embodiments of the method, including those described.
Уровень техникиState of the art
В данном разделе описаны предпосылки, лежащие в основе раскрытых вариантов осуществления настоящего изобретения. Заявители не утверждают, ни прямо, ни косвенно, что технические предпосылки, рассмотренные в этом разделе, официально составляют уровень техники.This section describes the premises underlying the disclosed embodiments of the present invention. Applicants do not claim, either directly or indirectly, that the technical background discussed in this section formally constitutes the state of the art.
Наноструктурирование необходимо для многих существующих областей применения и отраслей промышленности, а также развивающихся новых технологий. Повышений эффективности можно достичь для текущих применений в таких областях, как солнечные элементы и СИД, а также, для примера, но не ограничения, к устройствам хранения данных следующего поколения.Nanostructuring is necessary for many existing applications and industries, as well as developing new technologies. Efficiency gains can be achieved for current applications in areas such as solar cells and LEDs, as well as, for example, but not limited to, next-generation storage devices.
Наноструктурированные подложки можно изготавливать с использованием таких методик, как непосредственное электронно-лучевое экспонирование, литография в дальнем УФ диапазоне, наносферная литография, наноимпринтная литография, ближнеполевая фазосдвиговая литография и плазмонная литография.Nanostructured substrates can be fabricated using techniques such as direct electron beam exposure, far-UV lithography, nanospheric lithography, nano-imprint lithography, near-field phase-shift lithography, and plasmon lithography.
Наноимпринтная литография (NIL) создает рисунки путем механической деформации импринт-резиста и последующей обработки. Импринт-резист обычно является мономерным или полимерным соединением, которое отверждается под действием нагрева или УФ света в ходе импринтинга. Существует несколько разновидностей NIL. Однако два процесса выглядят наиболее важными. Это термопластическая наноимпринтная литография (TNIL) и наноимпринтная литография с пошаговым смещением и УФ экспонированием (SFIL).Nanoimprint lithography (NIL) creates patterns by mechanical deformation of the imprint resist and subsequent processing. An imprint resist is usually a monomeric or polymeric compound that cures under the influence of heat or UV light during imprinting. There are several varieties of NIL. However, the two processes look the most important. These are thermoplastic nanoimprint lithography (TNIL) and nanoimprint lithography with stepwise shift and UV exposure (SFIL).
TNIL - это самая ранняя и наиболее развитая наноимпринтная литография. В стандартном процессе TNIL, тонкий слой импринт-резиста (термопластичного полимера) наносится на подложку образца методом центрифугирования. Затем пресс-форма, имеющая предопределенные топологические рисунки в контакт с образцом, и прижимается к образцу под заданным давлением. При нагреве термопластичного полимера выше температуры стеклования, рисунок на пресс-форме вдавливается в расплавленную термопластичную полимерную пленку. После охлаждения образца с вдавленной пресс-формой, пресс-форма отделяется от образца, а импринт-резист остается на поверхности подложки образца. Рисунок не проходит через импринт-резист; на поверхности подложки образца существует остаточная толщина неизмененной термопластичной полимерной пленки. Процесс переноса рисунка, например, реактивное ионное травление, можно использовать для переноса рисунка в резисте на нижележащую подложку. Изменение остаточной толщины неизмененной термопластичной полимерной пленки представляет проблему в отношении однородности и оптимизации процесса травления, используемого для переноса рисунка на подложку.TNIL is the earliest and most advanced nanoimprint lithography. In the standard TNIL process, a thin layer of imprint resist (thermoplastic polymer) is applied to the sample substrate by centrifugation. Then a mold having predetermined topological patterns in contact with the sample is pressed against the sample under a predetermined pressure. When the thermoplastic polymer is heated above the glass transition temperature, the mold on the mold is pressed into the molten thermoplastic polymer film. After cooling the sample with an indented mold, the mold is separated from the sample, and the imprint resist remains on the surface of the sample substrate. The pattern does not pass through the imprint resist; on the surface of the sample substrate there is a residual thickness of the unchanged thermoplastic polymer film. The process of transferring a pattern, for example, reactive ion etching, can be used to transfer the pattern in a resist to the underlying substrate. Changing the residual thickness of the unaltered thermoplastic polymer film presents a problem with respect to uniformity and optimization of the etching process used to transfer the pattern to the substrate.
В процессе SFIL, УФ-отверждаемый жидкий резист наносится на подложку образца, и пресс-форма изготавливается из прозрачной подложки, например из плавленого кварца (кварцевого стекла). После того как пресс-форма и подложка образца прижимаются друг к другу, резист отверждается с использованием УФ света, и становится твердым. После отделения пресс-формы от отвержденного материала резиста, рисунок, аналогичный тому, который используется в TNIL, можно использовать для переноса рисунка на нижележащую подложку образца. В процессах как SFIL, так и TNIL существует ряд проблем, в том числе долговечность трафарета, производительность, допуски на импринт-слой и контроль критического размера при переносе рисунка на нижележащую подложку. Остаточный, непропечатанный слой, который остается после процесса импринтинга, требует дополнительного этапа травления до основного травления с переносом рисунка. Однополевая NIL сталкивается с трудностью в контроле однородности тиражируемого рисунка по подложке большой площади поверхности, в связи с проблемами в поддержании равномерного давления на больших площадях. Пошаговый способ с повторением потенциально может охватывать большие области, но микроструктура, формируемая на каждом шаге, не зависит от других шагов, и формирование бесшовной микро- или наноструктуры на большой площади без совмещения составляет проблему. Ошибки совмещения возникают при неправильном выравнивании повторяемых переносов рисунка.In the SFIL process, a UV curable liquid resist is applied to a sample substrate, and the mold is made of a transparent substrate, for example fused silica (silica glass). After the mold and the substrate of the sample are pressed together, the resist is cured using UV light and becomes solid. After separating the mold from the cured resist material, a pattern similar to that used in TNIL can be used to transfer the pattern to the underlying sample substrate. There are a number of problems in both SFIL and TNIL processes, including stencil durability, performance, imprint tolerances, and critical size control when transferring the pattern to the underlying substrate. The residual, unsealed layer that remains after the imprinting process requires an additional etching step to the main etching with transferring the pattern. The single-field NIL encounters difficulty in controlling the uniformity of the replicated pattern across a large surface area substrate, due to problems in maintaining uniform pressure over large areas. A step-by-step method with repetition can potentially cover large areas, but the microstructure formed at each step is independent of other steps, and the formation of a seamless micro- or nanostructure over a large area without combination is a problem. Alignment errors occur when misaligning repeated hyphenation patterns.
Если можно получить поверхность валика с однородно нанесенным рисунком, существует возможность обработки с рулона на рулон. В японской нерассмотренной патентной публикации № 59200419A, опубликованной 13 ноября 1984 г. под названием "Large Area Exposure Apparatus" ("Устройство для экспонирования больших областей"), Toshio Aoki и др., описано использование прозрачного цилиндрического барабана, который может совершать вращательное и поступательное движение, с внутренним источником света и пленкой материала фотомаски с нанесенным рисунком, присоединенной снаружи цилиндрического барабана. Внутри барабана присутствует пленка прозрачного теплоотражающего материала. Подложка с алюминиевой пленкой на своей поверхности и фоторезистом, нанесенным поверх алюминиевой пленки, контактирует с фотомаской с нанесенным рисунком на поверхности барабана, и свет формирования изображения проходит через фотомаску для формирования изображения в фоторезисте на поверхности алюминиевой пленки. Затем фоторезист проявляется, для обеспечения фоторезиста с нанесенным рисунком. Затем фоторезист с нанесенным рисунком используется как маска травления для алюминиевой пленки, присутствующей на подложке.If you can get the surface of the roller with a uniformly applied pattern, there is the possibility of processing from roll to roll. Japanese Unexamined Patent Publication No. 59200419A, published November 13, 1984 under the title "Large Area Exposure Apparatus", by Toshio Aoki et al., Describes the use of a transparent cylindrical drum that can perform rotational and translational movement, with an internal light source and a printed pattern mask material attached to the outside of the cylindrical drum. Inside the drum there is a film of transparent heat-reflecting material. A substrate with an aluminum film on its surface and a photoresist deposited on top of the aluminum film contacts a photomask with a printed pattern on the surface of the drum, and the image forming light passes through the photomask to form an image in the photoresist on the surface of the aluminum film. Then, the photoresist appears to provide a printed photoresist. Then, the printed photoresist is used as an etching mask for the aluminum film present on the substrate.
Не существует описания, касающегося видов материалов, которые использовались в качестве пленки фотомаски или фоторезиста на поверхности алюминиевой пленки. Для формирования изображения в фоторезисте, нанесенном поверх алюминиевой пленки, использовался ртутный ламповый источник света высокого давления (500 Вт). Стеклянные подложки толщиной около 210 мм (8,3 дюйма) ×150 мм (5,9 дюйма) и около 0,2 мм (0,008 дюйма) создавали с использованием устройства переноса рисунка с цилиндрическим барабаном. Размер элемента рисунка, перенесенного с использованием такой техники, составлял около 500 мкм2, что, очевидно, представляет собой квадрат размерами около 22,2 мкм × 22,2 мкм. Этот размер элемента базировался на приблизительном размере пикселя ЖК дисплея на момент подачи патентной заявки (1984 г.). Было заявлено, что пленка фотомаски снаружи цилиндрического барабана, как упомянуто, выдерживает примерно 140000 переносов рисунка. Схема контактной литографии, используемая Toshio Aoki и др., не позволяет создавать субмикронные элементы.There is no description regarding the types of materials that were used as the photomask film or photoresist on the surface of an aluminum film. To form an image in a photoresist deposited on top of an aluminum film, a high-pressure mercury tube light source (500 W) was used. Glass substrates with a thickness of about 210 mm (8.3 inches) × 150 mm (5.9 inches) and about 0.2 mm (0.008 inches) were created using a pattern transfer device with a cylindrical drum. The size of the pattern element transferred using such a technique was about 500 μm 2 , which obviously is a square of about 22.2 μm × 22.2 μm in size. This element size was based on the approximate pixel size of the LCD display at the time of filing the patent application (1984). It was stated that the photomask film outside the cylindrical drum, as mentioned, withstands approximately 140,000 transfers of the pattern. The contact lithography scheme used by Toshio Aoki et al. Does not allow submicron elements to be created.
Tapio Makela и др. из VTT, центра технических исследований в Финляндии, опубликовали сведения о заказном инструменте импринтинга с рулона на рулон лабораторного масштаба, предназначенного для изготовления субмикронных структур с высокой производительностью. Hitachi и другие разработали листовую или с рулона на рулон NIL машину-прототип, и продемонстрировали возможность обрабатывать листы длиной 15 метров. Задача состояла в создании непрерывного импринт-процесса с использованием ленточного формования (никелированных пресс-форм) для импринта полистирольных листов для применений с большой геометрией, например, мембран топливных элементов, батарей и, возможно, дисплеев. В настоящее время инструменты-прототипы не обеспечивают желаемой производительности. Кроме того, необходимо повысить надежность и воспроизводимость в отношении отпечатываемой поверхности. Toshiba также опубликовала информацию об инструменте УФ-импринтинга с рулона на рулон, предназначенного для создания элементов субмикронных размеров.Tapio Makela et al. From VTT, a technical research center in Finland, published information on a custom-made, laboratory-to-roll roll-to-roll imprinting tool for manufacturing high-performance submicron structures. Hitachi and others developed a prototype sheet metal or roll-to-roll NIL, and demonstrated the ability to process sheets 15 meters long. The objective was to create a continuous imprint process using tape molding (nickel-plated molds) to imprint polystyrene sheets for applications with large geometry, such as fuel cell membranes, batteries, and possibly displays. Currently, prototype tools do not provide the desired performance. In addition, it is necessary to increase reliability and reproducibility with respect to the printed surface. Toshiba also published information on a roll-to-roll UV imprinting tool designed to create submicron sized elements.
Техника наноимпринтной литографии, в том числе NIL с рулона на рулон, тем не менее, должна решить ряд проблем. Дефекты могут возникать вследствие неполного заполнения негативных рисунков и явления усыхания, которое часто происходит в отношении полимерных материалов. Разность коэффициентов теплового расширения между пресс-формой и подложкой вызывает поперечное напряжение, и напряжение концентрируется в углу рисунка. Напряжение порождает дефекты и приводит к дефектам разломов в основной части рисунка на этапе освобождения пресс-формы. Кроме того, неоднородность толщины остаточного, непропечатанного слоя, который остается после процесса импринтинга, особенно вредна в отношении получения равномерно протравленного рисунка в подложке большой площади под впечатанным слоем резиста.The technique of nanoimprint lithography, including NIL from roll to roll, however, should solve a number of problems. Defects can occur due to incomplete filling of negative patterns and the drying phenomenon, which often occurs with respect to polymeric materials. The difference in thermal expansion coefficients between the mold and the substrate causes transverse stress, and the stress is concentrated in the corner of the figure. The voltage generates defects and leads to fault defects in the main part of the figure at the stage of mold release. In addition, the heterogeneity of the thickness of the residual, unprinted layer, which remains after the imprinting process, is especially harmful in relation to obtaining a uniformly etched pattern in a large area substrate under an imprinted resist layer.
Мягкая литография является альтернативой фотолитографии в качестве способа микро- и нанопроизводства. Эта технология относится к формованию копии самособирающихся монослоев. В мягкой литографии, эластомерный штамп со структурами узорного рельефа на своей поверхности используется для генерации рисунков и структур с размерами элемента в диапазоне от 30 нм до 100 нм. Наиболее перспективной техникой мягкой литографии является микроконтактная печать (µCP) с самособирающимися монослоями (SAM). Основной процесс µCP включает в себя: 1. Пресс-форма из полидиметилсилоксана (PDMS) погружается в раствор особого материала, причем особый материал способен образовывать самособирающийся монослой (SAM). Такие особые материалы можно называть чернилами. Особый материал прилипает к выступающему рисунку на поверхности PDMS мастера. 2. Пресс-форма из PDMS, с поверхностью, покрытой материалом, обращенной вниз, контактирует с поверхностью подложки, покрытой металлом, например, золотом или серебром, благодаря чему только рисунок на поверхности пресс-формы из PDMS контактирует с подложкой с металлическим покрытием. 3. Особый материал образует химическую связь с металлом, так что только особый материал, находящийся на выступающей поверхности рисунка, все еще остается на поверхности с металлическим покрытием после удаления пресс-формы из PDMS. Особый материал образует SAM на подложке с металлическим покрытием, который тянется над поверхностью с металлическим покрытием примерно на один-два нанометра (совсем как чернила на листе бумаги). 4. Пресс-форма из PDMS удаляется с поверхности с металлическим покрытием подложки, оставляя SAM с нанесенным рисунком на поверхности с металлическим покрытием.Soft lithography is an alternative to photolithography as a method of micro- and nanoproduction. This technology relates to forming copies of self-assembled monolayers. In soft lithography, an elastomeric stamp with patterned relief structures on its surface is used to generate patterns and structures with element sizes ranging from 30 nm to 100 nm. The most promising soft lithography technique is microcontact printing (µCP) with self-assembled monolayers (SAM). The main µCP process includes: 1. A mold made of polydimethylsiloxane (PDMS) is immersed in a solution of a special material, and the special material is able to form a self-assembled monolayer (SAM). Such special materials can be called ink. A special material sticks to the protruding pattern on the surface of the PDMS master. 2. The PDMS mold with the surface coated with the material facing down is in contact with the surface of the substrate coated with a metal, for example gold or silver, so that only the pattern on the surface of the PDMS mold is in contact with the metal coated substrate. 3. The special material forms a chemical bond with the metal, so that only the special material located on the protruding surface of the pattern, still remains on the surface with a metal coating after removing the mold from PDMS. SAM forms a special material on a metal-coated substrate, which extends over the metal-coated surface by about one to two nanometers (just like ink on a sheet of paper). 4. The PDMS mold is removed from the metal-coated surface of the substrate, leaving the patterned SAM on the metal-coated surface.
Наиболее приемлемыми особыми материалами для формирования SAM на поверхностях, покрытых золотом или серебром, являются алкантиолаты. Когда поверхность подложки содержит вещества, заканчивающиеся гидроксильной группой, например, Si/SiO2, Al/Al2O3, стекло, слюда и полимеры, обработанные плазмой, в качестве особых материалов удобно использовать алкилсилоксаны. В отношении алкантиолатов, μCP гексадекантиола на испаренных тонких пленках (толщиной 10-200 нм) золота или серебра выглядит наиболее воспроизводимым процессом. Хотя это наиболее известные материалы для осуществления формирования рисунка, золото и серебро не совместимы с микроэлектронными устройствами, базирующимися на кремниевой технологии, хотя можно использовать электроды или провода, содержащие золото или серебро. В настоящее время, µCP для SAM из силоксанов на поверхностях Si/SiO2 не столь податливы, как SAM из алкантиолатов на золоте или серебре. SAM из силоксанов на Si/SiO2 часто обеспечивают беспорядочные SAM и в ряде случаев генерируют субмонослои или мультислои. Наконец, узорные пресс-формы, доступные для µCP, представляют собой плоские поверхности "штампа", и воспроизводимая, и надежная печать на больших площадях требует не только очень точного совмещения отпечатанного рисунка из пресс-формы, но и постоянного смачивания штампа особым материалом, образующим SAM, что весьма затруднительно.The most acceptable special materials for the formation of SAM on surfaces coated with gold or silver are alkanethiolates. When the surface of the substrate contains substances ending with a hydroxyl group, for example, Si / SiO 2 , Al / Al 2 O 3 , glass, mica, and plasma-treated polymers, it is convenient to use alkylsiloxanes as special materials. With respect to alkanethiolates, μCP of hexadecanthiol on evaporated thin films (10-200 nm thick) of gold or silver seems to be the most reproducible process. Although these are the most well-known materials for patterning, gold and silver are not compatible with microelectronic devices based on silicon technology, although electrodes or wires containing gold or silver can be used. Currently, µCP for SAM from siloxanes on Si / SiO 2 surfaces is not as pliable as SAM from alkanethiolates on gold or silver. Siloxane SAMs on Si / SiO 2 often provide random SAM and in some cases generate submonolayers or multilayers. Finally, the patterned molds available for µCP are flat “stamp” surfaces, and reproducible and reliable printing over large areas requires not only very precise alignment of the printed pattern from the mold, but also constant wetting of the stamp with special material forming SAM, which is very difficult.
Некоторые новые методы оптической литографии, основанные на крайне слабых эффектах в ближнем поле, уже продемонстрировали преимущества в печати суб-100 нм структур, хотя только на малых площадях. Ближнеполевая фазосдвиговая литография NFPSL предусматривает экспозицию слоя фоторезиста ультрафиолетовым (УФ) светом, который проходит через эластомерную фазовую маску, пока маска находится в конформном контакте с фоторезистом. Приведение эластомерной фазовой маски в контакт с тонким слоем фоторезиста заставляет фоторезист "смачивать" поверхность контактной поверхности маски. Прохождение УФ света через маску, находящуюся в контакте с фоторезистом, подвергает фоторезист распределению интенсивности света, которое развивается на поверхности маски. В случае маски с глубиной рельефа, которая предназначена для модуляции фазы пропускаемого света на π, локальный нуль интенсивности возникает на краю ступеньки рельефа. При использовании позитивного фоторезиста, экспозиция через такую маску, с последующей проявкой, дает линию фоторезиста, ширина которой равна характеристической ширине нуля по интенсивности. Для света 365 нм (ближний УФ) в сочетании с традиционным фоторезистом, ширина нуля интенсивности составляет около 100 нм. Маску из PDMS можно использовать для формирования конформного контакта атомарного масштаба с плоским твердым слоем фоторезиста. Этот контакт устанавливается спонтанно при контакте, без приложения давления. Обобщенные силы адгезии направляют этот процесс и обеспечивают простой и удобный способ выравнивания маски по углу и позиции в направлении, нормальном к поверхности фоторезиста, для установления хорошего контакта. Физического зазора с фоторезистом нет. PDMS прозрачен для УФ-света с длинами волны свыше 300 нм. Прохождение света от ртутной лампы (главные спектральные линии которой лежат в диапазоне 355-365 нм) через PDMS, находящийся в конформном контакте со слоем фоторезиста, подвергает фоторезист распределению интенсивности, образующемуся на маске.Some new optical lithography techniques, based on extremely weak near-field effects, have already demonstrated the advantages of printing sub-100 nm structures, although only in small areas. Near-field phase shift lithography NFPSL provides exposure of the photoresist layer to ultraviolet (UV) light, which passes through the elastomeric phase mask while the mask is in conformal contact with the photoresist. Bringing the elastomeric phase mask into contact with a thin layer of photoresist causes the photoresist to "wet" the surface of the contact surface of the mask. The passage of UV light through a mask in contact with the photoresist exposes the photoresist to the light intensity distribution that develops on the surface of the mask. In the case of a mask with a depth of relief, which is designed to modulate the phase of transmitted light by π, a local zero intensity occurs at the edge of the step of the relief. When using a positive photoresist, exposure through such a mask, followed by development, gives a photoresist line whose width is equal to the characteristic width of zero in intensity. For light 365 nm (near UV) in combination with a traditional photoresist, the intensity zero width is about 100 nm. A PDMS mask can be used to form an atomic-scale conformal contact with a flat, solid layer of photoresist. This contact is established spontaneously upon contact, without pressure being applied. Generalized adhesion forces direct this process and provide a simple and convenient way to align the mask in angle and position in the direction normal to the photoresist surface to establish good contact. There is no physical gap with a photoresist. PDMS is transparent to UV light with wavelengths above 300 nm. The passage of light from a mercury lamp (the main spectral lines of which lie in the range 355–365 nm) through PDMS, which is in conformal contact with the photoresist layer, exposes the photoresist to the intensity distribution formed on the mask.
Yasuhisa Inao, в презентации, озаглавленной "Near-Field Lithography as a prototype nano-fabrication tool", на 32-й Международной конференции по микро- и нано-технологиям в 2006 г., описал ближнеполевую нанолитографию пошагового экспонирования, разработанную Canon, Inc. Ближнеполевая литография (NFL) используется, когда расстояние между маской и фоторезистом, на который должен переноситься рисунок, настолько мало, насколько это возможно. Начальное расстояние между маской и пластиной подложки было установлено около 50 нм. Техника нанесения рисунка была описана как "обработка трехслойного резиста", с использованием очень тонкого фоторезиста. Маска для переноса рисунка присоединялась к дну камеры давления и прижималась для обеспечения "хорошего физического контакта" между маской и поверхностью пластины. Маска "деформировалась в соответствии с пластиной". Было указано, что начальное расстояние 50 мкм между маской и пластиной допускает перемещение маски в другую позицию для экспонирования и нанесения рисунка на области свыше 5 мм ×5 мм. Система нанесения рисунка использовала i-линейное (365 нм) излучение ртутной лампы в качестве источника света. Такой способ пошагового экспонирования позволил успешно нанести рисунок на 4-дюймовую кремниевую пластину со структурами менее 50 нм.Yasuhisa Inao, in a presentation entitled "Near-Field Lithography as a prototype nano-fabrication tool" at the 32nd International Conference on Micro- and Nano-Technologies in 2006, described the near-field step-by-step nanolithography developed by Canon, Inc. Near Field Lithography (NFL) is used when the distance between the mask and the photoresist that the image is to be transferred to is as small as possible. The initial distance between the mask and the substrate plate was set to about 50 nm. The application technique was described as “processing a three-layer resist” using a very thin photoresist. The mask for transferring the pattern was attached to the bottom of the pressure chamber and pressed to ensure "good physical contact" between the mask and the surface of the plate. The mask "deformed in accordance with the plate." It was indicated that an initial distance of 50 μm between the mask and the plate allows the mask to be moved to another position for exposure and drawing a pattern on areas over 5 mm × 5 mm. The patterning system used i-linear (365 nm) radiation from a mercury lamp as a light source. This method of stepwise exposure allowed us to successfully apply a pattern to a 4-inch silicon wafer with structures less than 50 nm.
В статье под названием "Large-area patterning of 50 nm structures on flexible substrates using near-field 193 nm radiation", JVST B 21 (2002), на страницах 78-81, Kunz и др. описали применение ближнеполевой литографии с фазосдвигающей маской для нанесения нанорисунка на гибкие листы (полиимидные пленки) с использованием жестких масок из кварцевого стекла и экспонирования в дальнем УФ диапазоне. В последующей статье под названием "Experimental and computational studies of phase shift lithography with binary elastomeric masks", JVST B 24(2) (2006) на страницах 828-835, Maria и др. представили экспериментальные исследования и расчеты фазосдвигающей фотолитографической техники, которая использует двоичные эластомерные фазовые маски в конформном контакте со слоями фоторезиста. В работе рассмотрены оптимизированные маски, сформированные путем отливки и отверждения форполимеров в эластомерный поли(диметилсилоксан) на анизотропно травленых структурах монокристаллического кремния на SiO2/Si. Авторы сообщают о возможности использования фазовой маски из PDMS для формирования в резисте элементов, в полной геометрии рельефа на маске.In an article entitled "Large-area patterning of 50 nm structures on flexible substrates using near-field 193 nm radiation", JVST B 21 (2002), pages 78-81, Kunz et al. Described the use of near-field lithography with a phase-shift mask for applying a nanoparticle on flexible sheets (polyimide films) using hard quartz glass masks and exposure in the far UV range. In a subsequent article entitled "Experimental and computational studies of phase shift lithography with binary elastomeric masks", JVST B 24 (2) (2006) on pages 828-835, Maria et al. Presented experimental studies and calculations of a phase-shifting photolithographic technique that uses binary elastomeric phase masks in conformal contact with photoresist layers. The work considers optimized masks formed by casting and curing prepolymers into elastomeric poly (dimethylsiloxane) on anisotropically etched single-crystal silicon structures on SiO 2 / Si. The authors report the possibility of using a phase mask from PDMS to form elements in the resist, in the full relief geometry on the mask.
В патенте США №6753131, выданном Rogers и др. 22 июня 2004 г., под названием "Transparent Elastomeric, Contact-Mode Photolithography Mask, Sensor, and Wavefront Engineering Element", описана фазовая маска для контактной фотолитографии, которая включает в себя дифракционную поверхность, имеющую множество углублений и выступов. Выступы приводят в контакт с поверхностью позитивного фоторезиста, и поверхность подвергается воздействию электромагнитного излучения через фазосдвигающую маску. Фазовый сдвиг, обусловленный прохождением излучения через углубления в противопоставлении с выступами, является, по существу, полным. Таким образом, на границах между углублениями и выступами образуются минимумы интенсивности электромагнитного излучения. Эластомерная маска хорошо согласуется с поверхностью фоторезиста, и после проявки фоторезиста можно получить детали менее 100 нм. (Реферат). В одном варианте осуществления, отражающие пластины используются вне подложки и контактной маски, в результате чего излучение возвращается в нужное место со сдвигом фазы. В другом варианте осуществления, подложке можно придать форму, которая приводит к деформации фазосдвигающей маски, что влияет на поведение фазосдвигающей маски в ходе экспонирования.US Pat. No. 6,753,131 to Rogers et al., June 22, 2004, entitled "Transparent Elastomeric, Contact-Mode Photolithography Mask, Sensor, and Wavefront Engineering Element", describes a phase mask for contact photolithography, which includes a diffraction surface having many recesses and protrusions. The protrusions are brought into contact with the surface of the positive photoresist, and the surface is exposed to electromagnetic radiation through a phase-shifting mask. The phase shift due to the passage of radiation through the recesses as opposed to the protrusions is essentially complete. Thus, at the boundaries between the recesses and protrusions, minima of the intensity of electromagnetic radiation are formed. The elastomeric mask is in good agreement with the surface of the photoresist, and after developing the photoresist, details of less than 100 nm can be obtained. (Abstract). In one embodiment, the reflection plates are used outside of the substrate and the contact mask, whereby the radiation returns to the desired location with a phase shift. In another embodiment, the substrate can be shaped to deform the phase-shift mask, which affects the behavior of the phase-shift mask during exposure.
В патентной заявке США № U.S. 2006/0286488, Rogers и др., опубликованной 21 декабря 2006 г. под названием "Methods And Devices For Fabricating Three-Dimensional Nanoscale Structures", описаны способы изготовления 3D структур на поверхностях подложек. 3D структуры можно генерировать с использованием способной быть конформной эластомерной фазовой маски, способной к конформному контакту с материалом, чувствительным к излучению, который подвергается фотообработке (для создания 3D структур). 3D структуры могут не проходить через весь материал, чувствительный к излучению. (Реферат).U.S. Patent Application No. U.S. 2006/0286488, Rogers et al., Published December 21, 2006, entitled "Methods And Devices For Fabricating Three-Dimensional Nanoscale Structures", describe methods for making 3D structures on substrate surfaces. 3D structures can be generated using a conformal elastomeric phase mask capable of conformal contact with radiation-sensitive material that undergoes photo-processing (to create 3D structures). 3D structures may not pass through all radiation sensitive material. (Abstract).
Ближнеполевая литография на основе поверхностных плазмонов (NFSPL) использует ближнеполевое возбуждение для индуцирования фотохимических или фотофизических изменений, для создания наноструктур. Основная ближнеполевая техника базируется на увеличении локального поля вокруг металлических наноструктур, освещаемых на резонансной частоте поверхностного плазмона. Плазменная печать состоит из использования исчезающей волны, ведомой плазмонами, через металлические наноструктуры для создания фотохимических и фотофизических изменений в слое под металлической структурой. В частности, видимая экспозиция (λ=410 нм) наночастиц серебра в непосредственной близости к тонкой пленке фоторезиста g-линии (AZ-1813, доступного от AZ-Electronic Materials, MicroChemicals GmbH, Ульм, Германия) может создавать области избирательного экспонирования диаметром менее λ/20. W. Srituravanich и др. в статье под названием "Plasmonic Nanolithography", Nanoletters V4, N6 (2004), стр.1085-1088, описывают использование света ближнего УФ-диапазона (λ=230 нм - 350 нм) для возбуждения SP на металлической подложке, для повышения пропускания через периодические апертуры суб длины волны с эффективно меньшими длинами волны по сравнению с длиной волны возбуждающего света. Плазмонная маска, предназначенная для литографии в УФ-диапазоне, состоит из слоя алюминия, перфорированного 2-мерными периодическим массивами отверстий, и двух окружающих слоев диэлектрика, по одному с каждой стороны. Алюминий выбран по той причине, что он может возбуждать SP в УФ-диапазоне. Кварц применяется в качестве подложки для поддержки маски, с промежуточным слоем из поли(метилметакрилата), который действует как адгезив для алюминиевой фольги и как диэлектрик между алюминием и кварцем. Поли(метилметакрилат) используется в сочетании с кварцем по причине их прозрачности для УФ-света на длине волны экспонирования (i-линия на 365 нм) и сравнимыми диэлектрическими постоянными (2,18 и 2,30 для кварца и PMMA, соответственно). Рисунок в виде массива точек размером менее 100 нм и периодом 170 нм был успешно сгенерирован с использованием экспозиционного излучения с длиной волны 365 нм. Очевидно, полная область нанесения рисунка имела размеры около 5 мкм × 5 мкм, без каких-либо проблем масштабируемости, рассмотренных в статье.Surface Plasmon Near Field Lithography (NFSPL) uses near field excitation to induce photochemical or photophysical changes to create nanostructures. The main near-field technique is based on increasing the local field around metal nanostructures illuminated at the resonant frequency of the surface plasmon. Plasma printing consists of using a vanishing wave driven by plasmons through metal nanostructures to create photochemical and photophysical changes in the layer under the metal structure. In particular, the visible exposure (λ = 410 nm) of silver nanoparticles in close proximity to a thin film of a g-line photoresist (AZ-1813, available from AZ-Electronic Materials, MicroChemicals GmbH, Ulm, Germany) can create selective exposure regions with a diameter less than λ /twenty. W. Srituravanich et al. In an article entitled "Plasmonic Nanolithography", Nanoletters V4, N6 (2004), pp. 1085-1088, describe the use of near-UV light (λ = 230 nm - 350 nm) to excite SP on metal substrate, to increase transmission through periodic apertures of sub wavelength with effectively shorter wavelengths compared to the wavelength of the exciting light. A plasmon mask designed for lithography in the UV range consists of a layer of aluminum perforated with 2-dimensional periodic arrays of holes, and two surrounding layers of dielectric, one on each side. Aluminum is chosen because it can excite SP in the UV range. Quartz is used as a substrate to support the mask, with an intermediate layer of poly (methyl methacrylate), which acts as an adhesive for aluminum foil and as a dielectric between aluminum and quartz. Poly (methyl methacrylate) is used in combination with quartz because of its transparency to UV light at the exposure wavelength (i-line at 365 nm) and comparable dielectric constants (2.18 and 2.30 for quartz and PMMA, respectively). A pattern in the form of an array of dots with a size of less than 100 nm and a period of 170 nm was successfully generated using exposure radiation with a wavelength of 365 nm. Obviously, the full area of the drawing was about 5 μm × 5 μm, without any scalability problems discussed in this article.
Не создается впечатление, что способ импринтинга (с тепловым или УФ-отверждением) или мягкой литографии с использованием печати с SAM материалами являются высокотехнологичными процессами. В общем случае, способ импринтинга создает деформацию материала подложки из-за тепловой обработки (например, тепловой NIL) или усыхания деталей рисунка при отверждении полимера (детали в УФ-отвержаемом полимере). Кроме того, вследствие приложения давления (жесткий контакт) между штампом и подложкой, дефектов, по существу, невозможно избежать, и штамп имеет очень ограниченный срок службы. Мягкая литография имеет преимущество в том, что она является технологией печати без нагрева и напряжений. Однако использование SAM в качестве "чернил" для суб-100 нм рисунка весьма проблематично вследствие дрейфа молекул по поверхности, и применимость этой технологии на больших площадях не нашла экспериментального подтверждения.It does not seem that the method of imprinting (with thermal or UV curing) or soft lithography using printing with SAM materials is a high-tech process. In general, the imprinting method creates deformation of the substrate material due to heat treatment (e.g., thermal NIL) or drying of the details of the pattern upon curing of the polymer (parts in a UV-curable polymer). Furthermore, due to the application of pressure (hard contact) between the die and the substrate, defects are essentially impossible to avoid, and the die has a very limited service life. Soft lithography has the advantage that it is a printing technology without heating and stresses. However, the use of SAM as an “ink” for a sub-100 nm pattern is very problematic due to the drift of molecules on the surface, and the applicability of this technology over large areas has not been experimentally confirmed.
Сущность изобретенияSUMMARY OF THE INVENTION
Варианты осуществления изобретения относятся к способам и устройству, полезным при нанесении нанорисунков на подложки большой площади в пределах от около 200 мм2 до около 1000000 мм2, в порядке примера, но не ограничения. В ряде случаев подложка может представлять собой пленку, которая имеет заданную ширину и неопределенную длину и продается рулонами. Техника нанесения нанорисунка использует ближнеполевую УФ-фотолитографию, где маска, используемая для нанесения рисунка подложки, находится в динамическом контакте или в непосредственной близости (в переменном поле затухающих колебаний, менее 100 нм) от подложки. Ближнеполевая фотолитография может включать в себя технологию фазосдвигающей маски или поверхностных плазмонов. Размер элемента, получаемого с использованием описанных способов, варьируется от около 1 мкм ниже до около 1 нм, и часто от около 100 нм до около 10 нм.Embodiments of the invention relate to methods and apparatus useful in applying nanoparticles to large area substrates ranging from about 200 mm 2 to about 1,000,000 mm 2 , by way of example, but not limitation. In some cases, the substrate may be a film that has a predetermined width and an indefinite length and is sold in rolls. The nanoscale drawing technique uses near-field UV photolithography, where the mask used to apply the substrate pattern is in dynamic contact or in close proximity (in an alternating field of damped vibrations, less than 100 nm) from the substrate. Near-field photolithography may include phase shift mask technology or surface plasmons. The element size obtained using the described methods varies from about 1 μm lower to about 1 nm, and often from about 100 nm to about 10 nm.
В одном варианте осуществления, экспозиционное устройство включает в себя фазосдвигающую маску в виде УФ-прозрачной вращаемой маски, имеющей особый фазосдвигающий рельеф на своей наружной поверхности. В другом варианте осуществления технологии фазосдвигающей маски, прозрачная вращаемая маска, которая обычно является цилиндром, может иметь полимерную пленку, которая является фазосдвигающей маской, и маска присоединена к наружной поверхности цилиндра. Когда трудно добиться хорошего и однородного контакта с поверхностью подложки, в особенности для больших областей обработки, выгодно, чтобы полимерная пленка представляла собой конформную эластомерную полимерную пленку, например, из PMDS, которая образует хороший конформный контакт с подложкой благодаря вандерваальсовым силам. Фазосдвигающая маска из полимерной пленки может состоять из множественных слоев, где наружный слой имеет нанорисунок для более точного представления предписанных размеров элементов в слое, чувствительном к излучению (светочувствительном слое).In one embodiment, the exposure device includes a phase shifting mask in the form of a UV transparent rotatable mask having a particular phase shifting relief on its outer surface. In another embodiment of the phase shift mask technology, the transparent rotatable mask, which is usually a cylinder, may have a polymer film, which is a phase shift mask, and the mask is attached to the outer surface of the cylinder. When it is difficult to achieve good and uniform contact with the surface of the substrate, especially for large processing areas, it is advantageous for the polymer film to be a conformal elastomeric polymer film, for example PMDS, which forms good conformal contact with the substrate due to the van der Waals forces. The phase-shifting mask of the polymer film may consist of multiple layers, where the outer layer has nanoparticles for a more accurate representation of the prescribed dimensions of the elements in the layer sensitive to radiation (photosensitive layer).
Другой вариант осуществления экспозиционного устройства использует мягкий эластомерный материал фотомаски, например, пленку PDMS, имеющий изготовленные непрозрачные элементы на одной из своих поверхностей, которая присоединена к наружной поверхности цилиндра. Такими элементами могут быть хромовые детали, создаваемые на пленке PDMS с использованием одного из методов литографии, известных в технике.Another embodiment of the exposure device uses a soft elastomeric material of the photomask, for example, a PDMS film having manufactured opaque elements on one of its surfaces, which is attached to the outer surface of the cylinder. Such elements can be chrome parts created on a PDMS film using one of the lithography methods known in the art.
Согласно варианту осуществления экспозиционного устройства, которое включает в себя технологию поверхностных плазмонов, металлический слой или пленка наслаивается или осаждается на наружную поверхность вращаемой маски, которая обычно представляет собой прозрачный цилиндр. Металлический слой или пленка имеет особую последовательность сквозных наноотверстий. В другом варианте осуществления технологии поверхностных плазмонов, слой металлических наночастиц осаждается на наружную поверхность прозрачной вращаемой маски для достижения нанесения нанорисунка, улучшенного поверхностными плазмонами. Внутри прозрачного цилиндра предусмотрен источник излучения. Например, но не ограничение, внутри цилиндра может быть установлена УФ-лампа. В порядке альтернативы, источник излучения может располагаться вне цилиндра, со светом от источника излучения, передаваемым по трубкам внутрь цилиндра через один или оба торца цилиндра. Излучение можно направлять снаружи цилиндра или внутри цилиндра к конкретным областям внутри цилиндра с использованием оптической системы, включающей в себя, например, зеркала, линзы или их комбинации. Излучение, присутствующее в цилиндре, можно направлять на контактную область подложки маски с использованием оптической дифракционной решетки. Излучение можно направлять на область подложки маски (соединенную) через волновод с дифракционной решеткой. Волновод или дифракционная решетка обычно располагается внутри цилиндра, для перенаправления излучения на контактные области между наружной поверхностью цилиндра и поверхностью подложки, на которой нужно формировать изображение.According to an embodiment of the exposure device, which includes surface plasmon technology, a metal layer or film is layered or deposited on the outer surface of the rotatable mask, which is usually a transparent cylinder. The metal layer or film has a special sequence of through nanoholes. In another embodiment of surface plasmon technology, a layer of metal nanoparticles is deposited on the outer surface of a transparent rotatable mask to achieve deposition of a nanoparticle improved by surface plasmons. A radiation source is provided inside the transparent cylinder. For example, but not limited to, a UV lamp may be installed inside the cylinder. Alternatively, the radiation source may be located outside the cylinder, with light from the radiation source transmitted through tubes into the cylinder through one or both ends of the cylinder. The radiation can be directed outside the cylinder or inside the cylinder to specific areas within the cylinder using an optical system that includes, for example, mirrors, lenses, or combinations thereof. The radiation present in the cylinder can be directed to the contact region of the mask substrate using an optical diffraction grating. The radiation can be directed to the mask substrate region (connected) through a diffraction grating waveguide. A waveguide or diffraction grating is usually located inside the cylinder to redirect radiation to the contact areas between the outer surface of the cylinder and the surface of the substrate on which the image is to be formed.
В специализированном варианте осуществления источника света излучения, гибкий дисплей на ОСИД может быть присоединен вокруг внешней поверхности вращаемой маски, для излучения света от каждого из пикселей к подложке. В этом случае вращаемая маска не должна быть прозрачной. Кроме того, конкретный рисунок, переносимый на материал, чувствительный к излучению, на поверхности подложки можно генерировать в зависимости от применения, управляя светом, излучаемым от ОСИД. Переносимый рисунок можно изменять "на ходу" без необходимости останавливать производственную линию.In a specialized embodiment of the radiation light source, an OLED flexible display can be attached around the outer surface of the rotatable mask to emit light from each of the pixels to the substrate. In this case, the rotating mask should not be transparent. In addition, the specific pattern transferred to the radiation sensitive material on the surface of the substrate can be generated depending on the application by controlling the light emitted from the acid. The portable drawing can be changed "on the go" without the need to stop the production line.
Для обеспечения высокой производительности переноса рисунка на материал, чувствительный к излучению, и увеличения площади с нанесенным рисунком поверхности, полезно перемещать подложку или вращаемую маску, например, цилиндр, относительно друг друга. Цилиндр вращается на поверхности подложки, когда подложка неподвижна, или подложка перемещается к цилиндру, когда цилиндр неподвижен. По причинам, рассмотренным ниже, существуют преимущества перемещения подложки к цилиндру.In order to ensure a high productivity of transferring the pattern to radiation sensitive material and to increase the area with the surface pattern applied, it is useful to move the substrate or a rotating mask, for example, a cylinder, relative to each other. The cylinder rotates on the surface of the substrate when the substrate is stationary, or the substrate moves to the cylinder when the cylinder is stationary. For the reasons discussed below, there are advantages to moving the substrate to the cylinder.
Важно иметь возможность регулировать величину силы, которая возникает на линии контакта между цилиндром и материалом, чувствительным к излучению, на поверхности подложки (например, на линии контакта между эластомерной пленкой с нанесенным рисунком, присутствующей на поверхности цилиндра, и фоторезистом на поверхности подложки). Для управления этой линией контакта, цилиндр может поддерживаться натяжным приспособлением, например, пружинами, компенсирующими вес цилиндра. Подложка или цилиндр (или оба) перемещаются (вверх и вниз) друг к другу, в результате чего промежуток между поверхностями уменьшается, пока не возникнет контакт между поверхностью цилиндра и материалом, чувствительным к излучению, (например, эластомерной пленкой с нанесенным рисунком и фоторезистом на поверхности подложки). Эластомерная пленка с нанесенным рисунком будет создавать связь с фоторезистом посредством вандерваальсовых сил. Затем позиция подложки перемещается обратно (вниз) в позицию, при которой пружины растянуты, но эластомерная пленка с нанесенным рисунком остается в контакте с фоторезистом. Затем подложку можно перемещать к цилиндру, заставляя цилиндр вращаться, поддерживая динамический контакт между эластомерной пленкой с нанесенным рисунком и фоторезистом на поверхности подложки. Альтернативно, можно вращать цилиндр, а подложка может двигаться независимо, но синхронно, что будет гарантировать контакт без проскальзывания в ходе динамического экспонирования.It is important to be able to adjust the magnitude of the force that occurs on the contact line between the cylinder and the radiation sensitive material on the surface of the substrate (for example, on the contact line between the printed elastomeric film present on the surface of the cylinder and the photoresist on the surface of the substrate). To control this contact line, the cylinder can be supported by a tensioner, for example, springs, which compensate for the weight of the cylinder. The substrate or cylinder (or both) moves (up and down) to each other, as a result of which the gap between the surfaces decreases until there is contact between the cylinder surface and the radiation sensitive material (for example, an elastomeric film with a printed pattern and a photoresist on substrate surface). The printed elastomeric film will create a bond with the photoresist by means of van der Waals forces. Then the position of the substrate moves back (down) to the position at which the springs are stretched, but the elastomeric film with the printed pattern remains in contact with the photoresist. Then, the substrate can be moved toward the cylinder, causing the cylinder to rotate, maintaining dynamic contact between the printed elastomeric film and the photoresist on the surface of the substrate. Alternatively, you can rotate the cylinder, and the substrate can move independently, but synchronously, which will guarantee contact without slipping during dynamic exposure.
Множественные цилиндры можно объединить в одну систему и разместить для последовательного экспонирования чувствительной к излучению поверхности подложки для обеспечения двойного, тройного и многократного нанесения рисунка на поверхность подложки. Эту технику экспонирования можно использовать для обеспечения более высокого разрешения. Относительные позиции цилиндров можно регулировать с помощью интерферометра и подходящей компьютеризированной системы управления.Multiple cylinders can be combined into one system and placed for sequential exposure of the radiation-sensitive surface of the substrate to provide double, triple and multiple application of the pattern on the surface of the substrate. This exposure technique can be used to provide higher resolution. The relative positions of the cylinders can be adjusted using an interferometer and a suitable computerized control system.
В другом варианте осуществления, экспозиционная доза может влиять на литографию, в связи с чем, краевая литография (где могут формироваться узкие детали, соответствующие, например, сдвигу фазы в маске из PDMS) может превращаться в традиционную контактную литографию, и размер детали в фоторезисте, где формируется изображение, может определяться экспозиционной дозой. Такое управление экспозиционной дозой возможно путем управления мощностью источника излучения или скоростью вращения цилиндра (временем экспонирования). Размер элемента, создаваемого в фоторезисте, также можно регулировать, изменяя длину волны экспозиционного излучения, например, источника света.In another embodiment, the exposure dose can affect the lithography, and therefore, edge lithography (where narrow parts corresponding to, for example, a phase shift in a PDMS mask can be formed) can be converted to traditional contact lithography, and the size of the part in photoresist, where the image is formed may be determined by the exposure dose. Such exposure dose control is possible by controlling the radiation source power or cylinder rotation speed (exposure time). The size of the element created in the photoresist can also be adjusted by changing the wavelength of the exposure radiation, for example, a light source.
Маски на цилиндрах можно ориентировать по углу к направлению движения подложки. Это позволяет формировать рисунок в разных направлениях относительно подложки. Для обеспечения 2D рисунков можно последовательно располагать два цилиндра или более.Masks on the cylinders can be oriented in an angle to the direction of movement of the substrate. This allows you to form a pattern in different directions relative to the substrate. To provide 2D patterns, two or more cylinders may be arranged in series.
В другом варианте осуществления, прозрачная цилиндрическая камера не обязана быть жесткой, но может быть сформирована из гибкого материала, в котором может поддерживаться давление оптически прозрачного газа. Маска может представлять собой стенку цилиндра или конформный материал, присутствующий на поверхности стенки цилиндра. Это позволяет катать цилиндр по подложке, которая не является плоской, обеспечивая конформный контакт с поверхностью подложки.In another embodiment, the transparent cylindrical chamber does not have to be rigid, but can be formed from a flexible material in which the pressure of the optically transparent gas can be maintained. The mask may be a cylinder wall or conformal material present on the surface of the cylinder wall. This allows the cylinder to roll on a substrate that is not flat, providing conformal contact with the surface of the substrate.
Краткое описание чертежейBrief Description of the Drawings
Каким образом можно реализовать иллюстративные варианты осуществления настоящего изобретения, будет подробно разобрано, со ссылкой на вышеприведенное частное описание и со ссылкой на подробное описание иллюстративных вариантов осуществления, которое заявители снабдили иллюстративными чертежами. Очевидно, что чертежи обеспечены только тогда, когда необходимо понять иллюстративные варианты осуществления изобретения, и что некоторые общеизвестные процессы и устройства здесь не проиллюстрированы, чтобы не затемнять изобретательскую сущность предмета раскрытия.How you can implement the illustrative embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the above private description and with reference to the detailed description of illustrative embodiments that the applicants have provided with illustrative drawings. It is obvious that the drawings are provided only when it is necessary to understand illustrative embodiments of the invention, and that some well-known processes and devices are not illustrated here, so as not to obscure the inventive essence of the subject disclosure.
На фиг.1А показан вид в разрезе одного варианта осуществления устройства 100, полезного при нанесении рисунка на большие области материала подложки, где прозрачный для излучения цилиндр 106 имеет полую внутренность 104, в которой находится источник 102 излучения. В этом варианте осуществления, внешняя поверхность 111 цилиндра 106 имеет рисунок с особым рельефом 112 поверхности. Цилиндр 106 катится по материалу 108, чувствительному к излучению, который лежит на подложке 110.FIG. 1A is a cross-sectional view of one embodiment of a device 100 useful in applying a pattern to large areas of a substrate material, where the radiation-
На фиг.1B показан вид сверху устройства и подложки, показанных на фиг.1A, где в материале 108, чувствительном к излучению, сформировано изображение 109 с помощью излучения (не показано), проходящего через рельеф 112 поверхности.FIG. 1B shows a top view of the device and substrate shown in FIG. 1A, where in the radiation
На фиг.2 показан вид в разрезе другого варианта осуществления устройства 200, полезного при нанесении рисунка на большие области материала подложки. Согласно фиг.2, подложка представляет собой пленку 208, на которой изображается рисунок с помощью излучения, которое проходит через рельеф 212 поверхности на первом (прозрачном) цилиндре 206, пока пленка 208 перемещается с бобины 211 на бобину 213. Второй цилиндр 215 предусмотрен на задней стороне 209 пленки 208 для управления контактом между пленкой 208 и первым цилиндром 206.FIG. 2 shows a cross-sectional view of another embodiment of a
На фиг.3 показан вид в разрезе другого варианта осуществления устройства 300, полезного при нанесении рисунка на большие области материала подложки. Согласно фиг.3, подложка представляет собой пленку 308, которая перемещается с бобины 311 на бобину 313. Первый прозрачный цилиндр 306 с рельефом 312 поверхности используется для нанесения рисунка на верхнюю сторону 310 пленки 308, а второй прозрачный цилиндр 326 с рельефом 332 поверхности используется для нанесения рисунка на нижнюю сторону 309 пленки 308.FIG. 3 is a cross-sectional view of another embodiment of a
На фиг.4A показан вид в разрезе варианта осуществления 400 прозрачного цилиндра 406, который включает в себя полую центральную область 404 с внутренним источником излучения 402. Область 412 рельефа поверхности представляет собой конформную структуру, которая включает в себя полимерную пленку 415 с узорной поверхностью 413, что особенно полезно для ближнеполевой литографии.FIG. 4A is a cross-sectional view of an
На фиг.4B показан увеличенный вид поверхности 413, которая представляет собой полимерную структуру 413 рельефа поверхности, расположенную поверх полимерного материала основы 415. Согласно фиг.4B, полимерный материал основы 415 может представлять собой тот же полимерный материал, что и материал узорной поверхности 413, или другой полимерный материал.FIG. 4B shows an enlarged view of a
На фиг.5A показан вид в разрезе альтернативного варианта осуществления 500 рельефа 512 поверхности, который присутствует на полом прозрачном цилиндре 506.FIG. 5A is a cross-sectional view of an
На фиг.5B показан увеличенный рельеф 512 поверхности, который представляет собой тонкий металлический слой 514, на которой нанесен рисунок из последовательностей наноотверстий 513, где металлический слой нанесен на внешнюю поверхность 511 полого прозрачного цилиндра 506.FIG. 5B shows an
На фиг.5C показан альтернативный рельеф 522 поверхности, который можно использовать на поверхности прозрачного цилиндра 506. Рельеф 522 поверхности образован металлическими частицами 526, которые могут быть нанесены непосредственно на внешнюю поверхность 511 полого прозрачного цилиндра 506 или на прозрачную пленку 524, которая присоединена к внешней поверхности 511 полого прозрачного цилиндра 506.FIG. 5C shows an
Фиг.6A - схематичная трехмерная иллюстрация 600 прозрачного цилиндра 604, имеющего поверхность 608 с нанесенным рисунком, где цилиндр 604 подвешен над подложкой 610 с использованием натяжного приспособления 602, проиллюстрированного в виде пружин.6A is a schematic three-dimensional illustration 600 of a
На фиг.6B схематически показан вариант осуществления 620, где излучение, используемое для осуществления формирования изображения, поступает от источника 612 излучения вне цилиндра 604, причем излучение внутренне распределяется 615 и 616 в полой части цилиндра 604.6B schematically shows an
На фиг.6C схематически показан вариант осуществления 630, где излучение, используемое для осуществления формирования изображения, подается от внешнего источника 612 излучения, фокусируется 617 в волновод 618 и распределяется от волновода 618 на оптическую дифракционную решетку 621, присутствующую на внутренней поверхности 601 цилиндра 604.6C schematically shows an
На фиг.6D схематически показан вариант осуществления 640, где излучение, используемое для осуществления формирования изображения, подается от двух внешних источников 612A и 612B излучения, и фокусируется 621 и 619, соответственно, на оптическую дифракционную решетку 621, присутствующую на внутренней поверхности 601 цилиндра 604.6D schematically shows an
На фиг.7A показан схематический вид, демонстрирующий использование множественных цилиндров, например, двух цилиндров 702 и 704, например, последовательно, для обеспечения многократного нанесения рисунка, которое можно использовать, например, для получения более высокого разрешения.FIG. 7A is a schematic view showing the use of multiple cylinders, for example, two
На фиг.7В показан схематический вид в разрезе, демонстрирующий рисунок 706, созданный первым цилиндром 702 после формирования изображения и проявки материала 710, чувствительного к излучению. Измененный рисунок 708 получается после формирования изображения и проявки материала 710, чувствительного к излучению, причем измененный рисунок 708 создается использованием первого цилиндра 702 в сочетании со вторым цилиндром 704.FIG. 7B is a schematic sectional view showing the
На фиг.8 показан схематический вид в разрезе деформируемого цилиндра 800, во внутренности 804 которого создается давление с использованием устройства 813, подающего оптически прозрачный газ. Наружная поверхность 811 деформируемого цилиндра 800 может представлять собой наноструктурированную/с нанесенным нанорисунком пленку 802 из способного быть конформным материала, который можно катить по неплоской подложке 805, что позволяет точно применять излучение от источника 802 излучения на поверхность 816 подложки 805.FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of a
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ИЛЛЮСТРАТИВНЫХ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯDETAILED DESCRIPTION OF ILLUSTRATIVE EMBODIMENTS
Приступая к подробному описанию, заметим, что использование названий элементов в описании изобретения и формуле изобретения в единственном числе не исключает наличия нескольких таких элементов, если из контекста явно не следует обратное.Starting a detailed description, we note that the use of the names of the elements in the description of the invention and the claims in the singular does not exclude the presence of several such elements, unless the context clearly indicates otherwise.
Используемое здесь слово "около", означает, что номинальное значение представлено с точностью ±10%.The word “about” as used herein means that the nominal value is represented with an accuracy of ± 10%.
Варианты осуществления изобретения относятся к способам и устройству, полезным при нанесении нанорисунков на подложки большой площади, где вращаемая маска используется для формирования изображения в материале, чувствительном к излучению. Обычно вращаемая маска содержит цилиндр. Техника нанесения нанорисунков использует ближнеполевую фотолитографию, где длина волны излучения, используемого для формирования изображения в слое, чувствительном к излучению, на подложке составляет 438 нм или менее, и где маска, используемая для нанесения рисунка на подложку, находится в контакте с подложкой. Ближнеполевая фотолитография может использовать фазосдвигающую маску, или наночастицы на поверхности прозрачного вращающегося цилиндра, или может использовать технологию поверхностных плазмонов, где металлический слой на поверхности вращающегося цилиндра содержит наноотверстия. Нижеприведенное подробное описание лишь иллюстрирует возможности, которые станут понятны специалистам в данной области техники по прочтении этого раскрытия.Embodiments of the invention relate to methods and apparatus useful in applying nanoparticles to large area substrates, where a rotatable mask is used to form an image in a radiation sensitive material. Usually a rotatable mask contains a cylinder. The nanoscale deposition technique uses near-field photolithography, where the wavelength of the radiation used to form the image in the radiation sensitive layer on the substrate is 438 nm or less, and where the mask used to apply the pattern to the substrate is in contact with the substrate. Near-field photolithography can use a phase-shift mask, or nanoparticles on the surface of a transparent rotating cylinder, or can use surface plasmon technology, where the metal layer on the surface of the rotating cylinder contains nanoholes. The following detailed description merely illustrates the possibilities that will become apparent to those skilled in the art upon reading this disclosure.
Хотя вращающаяся маска, используемая для генерации нанорисунка в слое материала, чувствительного к излучению, может быть любой полезной конфигурации, и некоторые из них описаны ниже, полый цилиндр особенно предпочтителен в отношении возможностей производства подложки, снабженной изображением, при минимальных эксплуатационных расходах. На фиг.1A показан вид в разрезе одного варианта осуществления устройства 100, полезного при нанесении рисунка на большие области материала подложки, где прозрачный для излучения цилиндр 106 имеет полую внутренность 104, в которой находится источник 102 излучения. В этом варианте осуществления, внешняя поверхность 111 цилиндра 106 имеет рисунок с особым рельефом 112 поверхности. Цилиндр 106 катится по материалу 108, чувствительному к излучению, который лежит на подложке 110. На фиг.1B показан вид сверху устройства и подложки, показанных на фиг.1A, где в материале 108, чувствительном к излучению, сформировано изображение 109 с помощью излучения (не показано), проходящего через рельеф 112 поверхности. Цилиндр вращается в направлении, показанном стрелкой 118, и излучение от источника 102 излучения проходит через нанорисунок 112, присутствующий на внешней поверхности 103 вращающегося цилиндра 106, для формирования изображения в слое, чувствительном к излучению, (не показан) на подложке 108, для обеспечения изображенного рисунка 109 в слое, чувствительном к излучению. Затем слой, чувствительный к излучению, проявляется для обеспечения наноструктуры на поверхности подложки 108. На фиг.1B показано, что вращаемый цилиндр 106 и подложка 120 приводятся в движение независимо друг от друга. В другом варианте осуществления, подложка 120 может удерживаться в динамическом контакте с вращаемым цилиндром 106 и перемещаться в направлении к или от контактной поверхности вращаемого цилиндра 106 для обеспечения движения к неподвижному вращаемому цилиндру 106. В еще одном варианте осуществления, вращаемый цилиндр 106 можно вращать на подложке 120, пока подложка неподвижна.Although the rotating mask used to generate the nanoparticle in the layer of radiation-sensitive material can be of any useful configuration, and some of them are described below, a hollow cylinder is particularly preferred with respect to the production capabilities of an imaged substrate with minimal operating costs. FIG. 1A is a cross-sectional view of one embodiment of a device 100 useful in applying a pattern to large areas of a substrate material, where the radiation-
Особый рельеф 112 поверхности можно вытравливать во внешней поверхности прозрачного вращающегося цилиндра 106. В порядке альтернативы, особый рельеф 112 поверхности может присутствовать на пленке из полимерного материала, прилепленной к внешней поверхности вращающегося цилиндра 106. Пленку из полимерного материала можно создавать путем осаждения полимерного материала на форму (мастер). Мастер, созданный на кремниевой подложке, например, обычно генерируется с использованием непосредственного электронно-лучевого экспонирования рисунка на фоторезист, присутствующий на кремниевой подложке. Затем рисунок вытравливается в кремниевой подложке. Рисунок на кремниевой мастер-форме воспроизводится в полимерном материале, осажденном на поверхность формы. Полимерный материал, предпочтительно, является конформным материалом, который демонстрирует достаточную жесткость, чтобы противостоять износу при использовании в качестве маски, контактирующей с подложкой, но который также может обеспечивать хороший контакт с материалом, чувствительным к излучению, на поверхности подложки. Одним примером конформных материалов, обычно используемых в качестве материала маскирования переноса, является PDMS, который можно отливать на поверхности мастер-формы, отверждать УФ излучением и отслаивать от формы для создания хорошей копии поверхности формы.A
На фиг.2 показан вид в разрезе 200 другого варианта осуществления устройства 200, полезного при нанесении рисунка на большие области материала подложки. Согласно фиг.2, подложка представляет собой пленку 208, на которой изображается рисунок с помощью излучения, которое проходит через рельеф 212 поверхности на первом (прозрачном) цилиндре 206, пока пленка 208 перемещается с бобины 211 на бобину 213. Второй цилиндр 215 предусмотрен на задней стороне 209 пленки 208 для управления контактом между пленкой 208 и первым цилиндром 206. Источник излучения 202, присутствующий в полом пространстве 204 внутри прозрачного цилиндра 206, может представлять собой ртутную лампу или другой источник излучения, который обеспечивает излучение с длиной волны 365 нм или менее. Рельеф 212 поверхности может представлять собой фазосдвигающую маску, например, где маска включает в себя дифракционную поверхность, имеющую множество углублений и выступов, как рассмотрено выше в разделе «уровень техники». Выступы приводят в контакт с поверхностью позитивного фоторезиста (материала, чувствительного к излучению), и поверхность подвергается воздействию электромагнитного излучения через фазовую маску. Фазовый сдвиг, обусловленный прохождением излучения через углубления в противопоставлении с выступами, является, по существу, полным. Таким образом, на границах между углублениями и выступами образуются минимумы интенсивности электромагнитного излучения. Эластомерная фазовая маска хорошо согласуется с поверхностью фоторезиста, и после проявки фоторезиста можно получить детали менее чем 100 нм.FIG. 2 shows a
На фиг.3 показан вид в разрезе 300 другого варианта осуществления устройства 300, полезного при нанесении рисунка на большие области материала подложки. Подложка представляет собой пленку 308, которая перемещается с бобины 311 на бобину 313. Слой материала, чувствительного к излучению (не показан), предусмотрен как на верхней стороне 310 пленки 308, так и на нижней стороне 309 пленки 308. Предусмотрен первый прозрачный цилиндр 306, с полым центром 304, который включает в себя источник 302 излучения, имеющий рельеф 312 поверхности, который используется для нанесения рисунка на верхнюю сторону 310 пленки 308. Предусмотрен второй прозрачный цилиндр 326, с полым центром 324, который включает в себя источник излучения 322, имеющий рельеф 332 поверхности, который используется для нанесения рисунка на нижнюю сторону 309 пленки 308.FIG. 3 shows a
На фиг.4A показан вид в разрезе 400 варианта осуществления прозрачного цилиндра 406, который включает в себя полую центральную область 404 с внутренним источником излучения 402. Рельеф 412 поверхности представляет собой конформную структуру, которая включает в себя полимерную пленку 415 с узорной поверхностью 413, что особенно полезно для ближнеполевой литографии. Полимерный материал узорной поверхности 413 должен быть достаточно жестким, чтобы рисунок контактировал с поверхностью подложки, на которой формируется изображение, в надлежащем месте. В то же время, полимерный материал должен согласовываться с поверхностью материала, чувствительного к излучению (не показан), в котором формируется изображение.FIG. 4A is a
На фиг.4B показан увеличенный вид поверхности 413, которая представляет собой полимерную структуру 413 рельефа поверхности поверх полимерного материала основы 415. Согласно фиг.4B, полимерный материал основы 415 может представлять собой тот же полимерный материал, что и материал 413 узорной поверхности, или другой полимерный материал. Прозрачный конформный материал, такой как силикон или PDMS, например, можно использовать в качестве полимерной пленки 415, в сочетании с более жестким прозрачным вышележащим слоем материала, таким как PDMS с другим отношением смешивающихся компонентов или, например, полиметилметакрилата PMMA. Это обеспечивает узорную поверхность 413, которая позволяет избежать искажения элементов после контакта с местом на чувствительной к излучению поверхности подложки (не показана), пока полимерный материал основы одновременно обеспечивает согласование с поверхностью подложки в целом.FIG. 4B shows an enlarged view of a
На фиг.5A показан вид в разрезе 500 прозрачного цилиндра 506, с полой центральной областью 504, включающей в себя источник излучения 502, где поверхность 511 представляет альтернативный вариант осуществления рельефа 512 поверхности. На фиг.5B показан увеличенный вид рельефа 512 поверхности, который представляет собой тонкий металлический слой 514, на который нанесен рисунок из последовательностей наноотверстий 513, где металлический слой присутствует на внешней поверхности 511 полого прозрачного цилиндра 506. Металлический слой может представлять собой узорный слой, прилепленный к внешней поверхности прозрачного цилиндра 506. В порядке альтернативы, металлический слой может быть осажден на поверхность прозрачного цилиндра путем испарения или напыления или другим методом, известным в технике, и затем может быть последовательно вытравлен или выжжен лазером для обеспечения узорной металлической внешней поверхности 511. На фиг.5C показан альтернативный рельеф 522 поверхности, который можно использовать на поверхности прозрачного цилиндра 506. Рельеф 522 поверхности образован металлическими частицами 526, которые наносятся на внешнюю поверхность 511 полого прозрачного цилиндра 506 или на прозрачную пленку 524, которая присоединена к внешней поверхности 511 полого прозрачного цилиндра 506.FIG. 5A is a
Фиг.6A - схематичная трехмерная иллюстрация 600 прозрачного цилиндра 604, имеющего поверхность 608 с нанесенным рисунком. Источник излучения (не показан) присутствует во внутренности прозрачного цилиндра 604. Прозрачный цилиндр 604 подвешен над подложкой 610 с использованием натяжного приспособления 602, которое показано в виде пружин на иллюстрации 600. Специалисту в области механики известно несколько натяжных приспособлений, которые можно использовать для обеспечения надлежащей величины контакта между наружной поверхностью 608 прозрачного цилиндра 604 и поверхностью подложки 610. В одном варианте осуществления способа использования устройства, показанного на фиг.6A, устройство используется для формирования изображения в материале, чувствительном к излучению (не показан), на подложке 610, где подложка 610 является полимерной пленкой, которую можно подавать в систему перемотки наподобие показанной на фиг.2, и извлекать из нее. Прозрачный цилиндр 604 опускается к подложке из полимерной пленки (или подложка из полимерной пленки поднимается), пока не возникнет контакт с материалом, чувствительным к излучению. Полимерная пленка, которая обычно является эластомерной, будет образовывать связь на основе вандерваальсовой силы с материалом, чувствительным к излучению. Затем прозрачный цилиндр 604 может подниматься (или подложка из полимерной пленки может опускаться) в позицию, где сохраняется контакт между поверхностью 608 прозрачного цилиндра 604 и поверхностью материала, чувствительного к излучению, но натяжение между двумя поверхностями таково, что сила, прилагаемая к поверхности 608, минимальна. Это позволяет использовать очень мелкие элементы нанесенного нанорисунка на поверхности 608 прозрачного цилиндра 604. Когда подложка 610 начинает движение, прозрачный цилиндр 604 также приходит в движение, что заставляет прозрачный цилиндр 604 вращаться, поддерживая динамический контакт между материалом, чувствительным к излучению, и нижележащей подложкой 610 из полимерной пленки. В любой момент динамического экспонирования, контакт между цилиндром и светочувствительным слоем ограничивается одной узкой линией. Благодаря значительным вандерваальсовым силам между эластомерной пленкой, например, на внешней поверхности цилиндра и слоем, чувствительным к излучению (светочувствительным слоем), на подложке, контакт поддерживается однородным в течение всего процесса и на протяжении всей ширины (длины) маски на поверхности цилиндра. В случаях, когда вандерваальсовы силы не обеспечивают достаточно сильного слипания между контактной поверхностью цилиндра и светочувствительным слоем, можно использовать приводящий в действие (вращающийся) цилиндр с использованием шагового двигателя, синхронизированного с поступательным движением подложки. Это обеспечивает процесс экспонирования без проскальзывания для полимерного или другого материала поверхности цилиндра, который не обеспечивает больших сил слипания с подложкой.6A is a schematic three-dimensional illustration 600 of a
На фиг.6B схематически показан вариант осуществления 620, где излучение, используемое для осуществления формирования изображения, подается от источника 612 излучения вне цилиндра 604, причем излучение внутренне распределяется 615 и 616 в полой части цилиндра 604. Излучение можно направлять через прозрачный цилиндр 604 через узорную поверхность 608 маски к поверхности, чувствительной к излучению (не показана), подложки 608 с использованием различных линз, зеркал и их комбинаций.6B schematically shows an
На фиг.6C схематически показан вариант осуществления 630, где излучение, используемое для осуществления формирования изображения в материале, чувствительном к излучению, подается из местоположения снаружи прозрачного цилиндра 604. Внешний источник 612 излучения фокусируется 617 в волновод 618 и распределяется из волновода 618 на оптическую дифракционную решетку 620, присутствующую на внутренней поверхности 601 цилиндра 604.6C schematically shows an
На фиг.6D схематически показан вариант осуществления 640, где излучение, используемое для осуществления формирования изображения, подается от двух внешних источников 612A и 612B излучения, и фокусируется 621 и 619, соответственно, на оптическую дифракционную решетку 620, присутствующую на внутренней поверхности 601 цилиндра 604.6D schematically shows an
На фиг.7A показан схематический вид 700, демонстрирующий использование множественных цилиндров, например, двух цилиндров 702 и 704, например, последовательно, для обеспечения многократного нанесения рисунка, которое можно использовать, например, для получения более высокого разрешения. Относительными позициями цилиндров 702 и 704 можно управлять, например, с использованием данных от интерферометра (не показан) в сочетании с компьютеризированной системой управления (не показана).FIG. 7A is a
На фиг.7В показан схематический вид в разрезе 720, демонстрирующий рисунок 706, созданный первым цилиндром 702 после формирования изображения и проявки материала 710, чувствительного к излучению. Измененный рисунок 708 получается после формирования изображения и проявки материала 710, чувствительного к излучению, причем измененный рисунок 708 создается с использованием первого цилиндра 702 в сочетании со вторым цилиндром 704.7B is a schematic
На фиг.8 показан схематический вид в разрезе деформируемого цилиндра 800, во внутренности 804 которого создается давление с использованием устройства 813, подающего оптически прозрачный газ, например азот. Наружная поверхность 811 деформируемого цилиндра 800 может представлять собой наноструктурированную/с нанесенным нанорисунком пленку 812 из способного быть конформным материала, который можно катить по неплоской подложке 805, что позволяет точно приложить излучение от источника излучения 802 на поверхность 816 подложки 805.FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of a
В другом варианте осуществления, жидкость, имеющую показатель преломления больше единицы, можно использовать между поверхностью цилиндра и материалом, чувствительным к излучению (например, светочувствительным), присутствующим на поверхности подложки. Можно, например, использовать воду. Это повышает контраст элементов рисунка в светочувствительном слое.In another embodiment, a liquid having a refractive index greater than unity can be used between the surface of the cylinder and the material sensitive to radiation (for example, photosensitive) present on the surface of the substrate. You can, for example, use water. This increases the contrast of the elements of the picture in the photosensitive layer.
Хотя изобретение было подробно описано для различных вышеприведенных вариантов осуществления, специалисты в данной области техники могут предложить различные модификации в пределах сущности и объема изобретения. Соответственно, объем изобретения определяется прилагаемой формулой изобретения.Although the invention has been described in detail for the various above embodiments, those skilled in the art can propose various modifications within the spirit and scope of the invention. Accordingly, the scope of the invention is defined by the attached claims.
Claims (30)
a) обеспечение подложки, имеющей слой, чувствительный к излучению, на поверхности упомянутой подложки,
b) обеспечение вращаемой маски, имеющей нанорисунок на внешней поверхности упомянутой вращаемой маски,
c) соприкосновение упомянутого нанорисунка с упомянутым слоем, чувствительным к излучению, на поверхности упомянутой подложки,
d) распределение излучения через упомянутый нанорисунок при вращении упомянутой вращаемой маски по упомянутому слою, чувствительному к излучению, посредством чего создают изображение, имеющее размер элемента в диапазоне от менее чем 1 мкм до около 1 нм в упомянутом слое, чувствительном к излучению,
причем упомянутый нанорисунок является способным быть конформным нанорисунком, который согласуется с упомянутым слоем, чувствительным к излучению, на поверхности упомянутой подложки.1. The method of near-field nanolithography, containing
a) providing a substrate having a radiation sensitive layer on the surface of said substrate,
b) providing a rotatable mask having a nanoparticle on the outer surface of said rotatable mask,
c) contacting said nanoparticle with said radiation sensitive layer on a surface of said substrate,
d) the distribution of radiation through said nanoparticle during rotation of said rotatable mask over said radiation sensitive layer, whereby an image having an element size in the range from less than 1 μm to about 1 nm in said radiation sensitive layer is created,
wherein said nanoparticle is capable of being a conformal nanoparticle that is consistent with said radiation sensitive layer on the surface of said substrate.
a) вращаемую маску, имеющую нанорисунок на внешней поверхности упомянутой маски; и
b) источник излучения, который обеспечивает излучение с длиной волны 436 нм или менее от упомянутого нанорисунка, пока упомянутый нанорисунок находится в контакте с чувствительным к излучению слоем материала,
причем упомянутый нанорисунок является способным быть конформным нанорисунком, который согласуется с упомянутым слоем, чувствительным к излучению, на поверхности упомянутой подложки.19. A device for implementing near-field lithography, containing
a) a rotatable mask having a nanoparticle on the outer surface of said mask; and
b) a radiation source that provides radiation with a wavelength of 436 nm or less from said nanoparticle while said nanoparticle is in contact with a radiation-sensitive layer of material,
wherein said nanoparticle is capable of being a conformal nanoparticle that is consistent with said radiation sensitive layer on the surface of said substrate.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US1186108P | 2008-01-22 | 2008-01-22 | |
US61/011,861 | 2008-01-22 | ||
PCT/US2008/012901 WO2009094009A1 (en) | 2008-01-22 | 2008-11-18 | Large area nanopatterning method and apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2010134893A RU2010134893A (en) | 2012-02-27 |
RU2488188C2 true RU2488188C2 (en) | 2013-07-20 |
Family
ID=40901352
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2010134893/28A RU2488188C2 (en) | 2008-01-22 | 2008-11-18 | Method and device for application of nano-pattern on large area |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2238608A4 (en) |
JP (1) | JP5102879B2 (en) |
KR (1) | KR20110008159A (en) |
CN (2) | CN101911249A (en) |
AU (1) | AU2008348353A1 (en) |
CA (1) | CA2709718A1 (en) |
MX (1) | MX2010007954A (en) |
RU (1) | RU2488188C2 (en) |
TW (1) | TWI518027B (en) |
WO (1) | WO2009094009A1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2593463C2 (en) * | 2013-12-23 | 2016-08-10 | Станислав Викторович Хартов | Method for producing conductive mesh micro- and nanostructures and structure therefor |
RU2809344C1 (en) * | 2023-01-27 | 2023-12-11 | Альберт Георгиевич Битуев | Method for manufacturing microcircuits |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2871366A1 (en) | 2004-06-09 | 2005-12-16 | Ceravic Soc Par Actions Simpli | PROSTHETIC EXPANSIBLE BONE IMPLANT |
WO2008153674A1 (en) | 2007-06-09 | 2008-12-18 | Boris Kobrin | Method and apparatus for anisotropic etching |
US8518633B2 (en) | 2008-01-22 | 2013-08-27 | Rolith Inc. | Large area nanopatterning method and apparatus |
US8192920B2 (en) | 2008-04-26 | 2012-06-05 | Rolith Inc. | Lithography method |
US8334217B2 (en) | 2008-06-09 | 2012-12-18 | Rolith Inc. | Material deposition over template |
CN101692151B (en) * | 2009-09-17 | 2011-12-28 | 复旦大学 | Method for manufacturing silicon nano-wire based on soft template nano-imprinting technique |
WO2011087896A2 (en) * | 2010-01-12 | 2011-07-21 | Boris Kobrin | Nanopatterning method and apparatus |
US9465296B2 (en) * | 2010-01-12 | 2016-10-11 | Rolith, Inc. | Nanopatterning method and apparatus |
CN101846880B (en) * | 2010-05-12 | 2012-05-30 | 上海交通大学 | Nanometer photolithography by excitating surface plasma |
AT510217B1 (en) * | 2010-08-13 | 2013-12-15 | Hueck Folien Gmbh | PROCESS FOR PARTIAL MATTING OF UV VARNISH LAYERS |
CA2807639A1 (en) * | 2010-08-23 | 2012-03-01 | Rolith, Inc. | Mask for near-field lithography and fabrication the same |
US9187839B2 (en) * | 2010-10-07 | 2015-11-17 | Michael Sheehy | Process for the manufacture of sealed anodized aluminum components |
CN102169819B (en) * | 2011-01-14 | 2013-01-30 | 中国科学院物理研究所 | Method of preparing nanometer metal structure |
WO2013049367A2 (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Rolith, Inc. | Plasmonic lithography using phase mask |
KR101260221B1 (en) * | 2011-12-01 | 2013-05-06 | 주식회사 엘지화학 | Mask |
US9720330B2 (en) * | 2012-04-17 | 2017-08-01 | The Regents Of The University Of Michigan | Methods for making micro- and nano-scale conductive grids for transparent electrodes and polarizers by roll to roll optical lithography |
JP6278954B2 (en) * | 2012-05-02 | 2018-02-14 | メタマテリアル テクノロジーズ ユーエスエー インコーポレイテッド | Cylindrical polymer mask and manufacturing method |
US9481112B2 (en) | 2013-01-31 | 2016-11-01 | Metamaterial Technologies Usa, Inc. | Cylindrical master mold assembly for casting cylindrical masks |
US20150336301A1 (en) | 2012-05-02 | 2015-11-26 | Rolith, Inc. | Cylindrical polymer mask and method of fabrication |
US9782917B2 (en) | 2013-01-31 | 2017-10-10 | Metamaterial Technologies Usa, Inc. | Cylindrical master mold and method of fabrication |
CN102759855A (en) * | 2012-07-17 | 2012-10-31 | 西安交通大学 | Single code channel absolute grating scale rolling and impressing mould manufacturing method |
TWI474432B (en) * | 2012-11-15 | 2015-02-21 | Lextar Electronics Corp | Die positioning device, die positioning system having the same, and die positioning method of led display board |
US9244356B1 (en) | 2014-04-03 | 2016-01-26 | Rolith, Inc. | Transparent metal mesh and method of manufacture |
KR101636696B1 (en) | 2014-05-23 | 2016-07-06 | 연세대학교 산학협력단 | variable large area nano imaging OPTICAL HEAD AND IMAGING DEVICE using flexible nano film optical structure |
WO2015183243A1 (en) | 2014-05-27 | 2015-12-03 | Rolith, Inc. | Anti-counterfeiting features and methods of fabrication and detection |
KR102252049B1 (en) * | 2014-08-04 | 2021-05-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | Mask for photolithography, method of manufacturing the same and method of manufacturing substrate using the same |
KR102240761B1 (en) | 2015-01-29 | 2021-04-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | Variable mask |
WO2017030151A1 (en) * | 2015-08-19 | 2017-02-23 | 国立大学法人 東京大学 | Method for manufacturing matrix |
TWI579640B (en) * | 2015-10-15 | 2017-04-21 | 許銘案 | Thin-film mask, fitting aids, fitting and exposure device and fitting method for the thin-film mask pasted on a curved substrate |
CN106773531B (en) * | 2017-01-03 | 2020-06-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | Impression roller in nano impression device and nano impression device |
CN106547044B (en) * | 2017-01-24 | 2019-03-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | A kind of process equipment and manufacturing method of polaroid |
CN106647192A (en) * | 2017-03-10 | 2017-05-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Exposure equipment |
CN109390263A (en) * | 2017-08-07 | 2019-02-26 | 财团法人工业技术研究院 | Element expansion transfer method and the equipment for implementing this transfer method |
CN109901362B (en) * | 2017-12-11 | 2022-04-19 | 中国科学院光电技术研究所 | Secondary imaging optical lithography method and apparatus |
EP3732047A4 (en) * | 2017-12-29 | 2021-09-29 | 3M Innovative Properties Company | Nonplanar patterned nanostructured surface and printing methods for making thereof |
KR102096606B1 (en) * | 2018-08-29 | 2020-04-02 | 부산대학교 산학협력단 | Fabrication of nanoimprint soft mold for cylinder surface and nano-imprint process for cylindrical surface |
GB2576922B (en) * | 2018-09-06 | 2021-10-27 | Stensborg As | An optical engine for an imprinter |
CN109668631B (en) * | 2018-12-11 | 2021-06-01 | 中国科学院光电技术研究所 | Preparation method of large-area and low-cost superconducting nanowire single photon detector |
TWI765276B (en) * | 2020-06-12 | 2022-05-21 | 光群雷射科技股份有限公司 | Manufacturing method of lens in transfer manner and manufacturing method of lens transfer layer |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5425848A (en) * | 1993-03-16 | 1995-06-20 | U.S. Philips Corporation | Method of providing a patterned relief of cured photoresist on a flat substrate surface and device for carrying out such a method |
US5865978A (en) * | 1997-05-09 | 1999-02-02 | Cohen; Adam E. | Near-field photolithographic masks and photolithography; nanoscale patterning techniques; apparatus and method therefor |
US5928815A (en) * | 1997-11-14 | 1999-07-27 | Martin; Joseph | Proximity masking device for near-field optical lithography |
US6045980A (en) * | 1995-09-29 | 2000-04-04 | Leybold Systems Gmbh | Optical digital media recording and reproduction system |
WO2003001869A2 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | California Institute Of Technology | Method and apparatus for use of plasmon printing in near-field lithography |
RU2214359C1 (en) * | 2002-09-05 | 2003-10-20 | Санкт-Петербургский государственный институт точной механики и оптики (технический университет) | Process forming lattice of silicon nanoclusters on structurized substrate |
US20060014108A1 (en) * | 2004-06-28 | 2006-01-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Resist pattern forming method based on near-field exposure, and substrate processing method and device manufacturing method using the resist pattern forming method |
US7274998B2 (en) * | 2005-09-30 | 2007-09-25 | Intel Corporation | Near-field photo-lithography using nano light emitting diodes |
TW200738272A (en) * | 2005-11-23 | 2007-10-16 | Coca Cola Co | Dental composition with high-potency sweetener |
US20070287100A1 (en) * | 2006-06-07 | 2007-12-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Near-field exposure method |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59200419A (en) * | 1983-04-28 | 1984-11-13 | Toshiba Corp | Large area exposure apparatus |
DE19826971C2 (en) * | 1998-06-18 | 2002-03-14 | Reiner Goetzen | Process for the mechanical and electrical connection of system components |
CA2380114C (en) * | 2002-04-04 | 2010-01-19 | Obducat Aktiebolag | Imprint method and device |
DE10217151A1 (en) * | 2002-04-17 | 2003-10-30 | Clariant Gmbh | Nanoimprint resist |
AU2003214001B2 (en) * | 2003-01-17 | 2007-08-02 | Microtec Gesellschaft Fur Mikrotechnologie Mbh | Method for producing microsystems |
JP4572406B2 (en) * | 2004-04-16 | 2010-11-04 | 独立行政法人理化学研究所 | Lithography mask |
CN100492588C (en) * | 2004-05-21 | 2009-05-27 | Jsr株式会社 | Liquid for immersion exposure and immersion exposure method |
JP2006073784A (en) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Ricoh Co Ltd | Photomask, exposure device, and exposure method |
JP4674105B2 (en) * | 2005-03-25 | 2011-04-20 | 独立行政法人科学技術振興機構 | Circuit pattern transfer apparatus and method |
JP4246174B2 (en) * | 2005-04-01 | 2009-04-02 | 独立行政法人科学技術振興機構 | Nanoimprint method and apparatus |
US20070138699A1 (en) * | 2005-12-21 | 2007-06-21 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
US20070200276A1 (en) * | 2006-02-24 | 2007-08-30 | Micron Technology, Inc. | Method for rapid printing of near-field and imprint lithographic features |
JP2008021869A (en) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Ricoh Co Ltd | Plasmon resonation lithography and lithogram |
JP5570688B2 (en) * | 2007-06-28 | 2014-08-13 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | Fine resist pattern forming method and nanoimprint mold structure |
JP4406452B2 (en) * | 2007-09-27 | 2010-01-27 | 株式会社日立製作所 | Belt-shaped mold and nanoimprint apparatus using the same |
-
2008
- 2008-11-18 MX MX2010007954A patent/MX2010007954A/en not_active Application Discontinuation
- 2008-11-18 RU RU2010134893/28A patent/RU2488188C2/en not_active IP Right Cessation
- 2008-11-18 TW TW097144514A patent/TWI518027B/en active
- 2008-11-18 JP JP2010543093A patent/JP5102879B2/en active Active
- 2008-11-18 CA CA2709718A patent/CA2709718A1/en not_active Abandoned
- 2008-11-18 KR KR1020107018711A patent/KR20110008159A/en active Search and Examination
- 2008-11-18 AU AU2008348353A patent/AU2008348353A1/en not_active Abandoned
- 2008-11-18 EP EP08871196A patent/EP2238608A4/en not_active Withdrawn
- 2008-11-18 WO PCT/US2008/012901 patent/WO2009094009A1/en active Application Filing
- 2008-11-18 CN CN2008801245193A patent/CN101911249A/en active Pending
- 2008-11-18 CN CN201510644135.6A patent/CN105171985A/en active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5425848A (en) * | 1993-03-16 | 1995-06-20 | U.S. Philips Corporation | Method of providing a patterned relief of cured photoresist on a flat substrate surface and device for carrying out such a method |
US6045980A (en) * | 1995-09-29 | 2000-04-04 | Leybold Systems Gmbh | Optical digital media recording and reproduction system |
US5865978A (en) * | 1997-05-09 | 1999-02-02 | Cohen; Adam E. | Near-field photolithographic masks and photolithography; nanoscale patterning techniques; apparatus and method therefor |
US5928815A (en) * | 1997-11-14 | 1999-07-27 | Martin; Joseph | Proximity masking device for near-field optical lithography |
WO2003001869A2 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | California Institute Of Technology | Method and apparatus for use of plasmon printing in near-field lithography |
RU2214359C1 (en) * | 2002-09-05 | 2003-10-20 | Санкт-Петербургский государственный институт точной механики и оптики (технический университет) | Process forming lattice of silicon nanoclusters on structurized substrate |
US20060014108A1 (en) * | 2004-06-28 | 2006-01-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Resist pattern forming method based on near-field exposure, and substrate processing method and device manufacturing method using the resist pattern forming method |
US7274998B2 (en) * | 2005-09-30 | 2007-09-25 | Intel Corporation | Near-field photo-lithography using nano light emitting diodes |
TW200738272A (en) * | 2005-11-23 | 2007-10-16 | Coca Cola Co | Dental composition with high-potency sweetener |
US20070287100A1 (en) * | 2006-06-07 | 2007-12-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Near-field exposure method |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
Choi et al. Fluorinated Organic-inorganic Hibrid Mold as a New Stamp for Nanoimprint and Soft Lithography. Langmur 2005, p.9390-9392. * |
Hua Tan et al. Roller nanoimprint lithography. J. Vac. Sci. Technol. В 16(6), Nov/Dec 1998, p.3926-3928. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2593463C2 (en) * | 2013-12-23 | 2016-08-10 | Станислав Викторович Хартов | Method for producing conductive mesh micro- and nanostructures and structure therefor |
RU2809344C1 (en) * | 2023-01-27 | 2023-12-11 | Альберт Георгиевич Битуев | Method for manufacturing microcircuits |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009094009A1 (en) | 2009-07-30 |
MX2010007954A (en) | 2010-11-05 |
JP5102879B2 (en) | 2012-12-19 |
RU2010134893A (en) | 2012-02-27 |
CN101911249A (en) | 2010-12-08 |
JP2011526069A (en) | 2011-09-29 |
EP2238608A1 (en) | 2010-10-13 |
CA2709718A1 (en) | 2009-07-30 |
CN105171985A (en) | 2015-12-23 |
EP2238608A4 (en) | 2012-02-22 |
TW200932666A (en) | 2009-08-01 |
TWI518027B (en) | 2016-01-21 |
KR20110008159A (en) | 2011-01-26 |
AU2008348353A1 (en) | 2009-07-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2488188C2 (en) | Method and device for application of nano-pattern on large area | |
US8518633B2 (en) | Large area nanopatterning method and apparatus | |
US9465296B2 (en) | Nanopatterning method and apparatus | |
JP6005117B2 (en) | Method of manufacturing a mask for near-field lithography | |
US8182982B2 (en) | Method and device for patterning a disk | |
US20120282554A1 (en) | Large area nanopatterning method and apparatus | |
KR101430849B1 (en) | Nanopatterning method and apparatus | |
JP2008098633A (en) | Imprint lithography | |
JP2013035243A (en) | Roller mold, base material for roller mold, and pattern transfer method | |
US20140202986A1 (en) | High aspect ratio patterning using near-field optical lithography with top surface imaging | |
Cui et al. | Nanofabrication by Replication |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20161119 |