RU2477684C1 - Способ получения гранул кремния высокой чистоты - Google Patents

Способ получения гранул кремния высокой чистоты Download PDF

Info

Publication number
RU2477684C1
RU2477684C1 RU2011139434/05A RU2011139434A RU2477684C1 RU 2477684 C1 RU2477684 C1 RU 2477684C1 RU 2011139434/05 A RU2011139434/05 A RU 2011139434/05A RU 2011139434 A RU2011139434 A RU 2011139434A RU 2477684 C1 RU2477684 C1 RU 2477684C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon
crucible
purity
mol
granules
Prior art date
Application number
RU2011139434/05A
Other languages
English (en)
Inventor
Олег Николаевич Калашник
Константин Владимирович Зиновьев
Валерий Николаевич Суханов
Борис Георгиевич Грибов
Original Assignee
Борис Георгиевич Грибов
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Борис Георгиевич Грибов filed Critical Борис Георгиевич Грибов
Priority to RU2011139434/05A priority Critical patent/RU2477684C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2477684C1 publication Critical patent/RU2477684C1/ru

Links

Abstract

Изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к производству высокочистого кремния, который может быть использован при изготовлении солнечных элементов. Способ включает загрузку в тигель исходного кремния на слой особо чистой кварцевой крупки, его нагрев в инертной атмосфере выше температуры плавления, выдержку при этой температуре, формирование капель расплава кремния путем его вытекания через калибровочное отверстие в дне тигля, охлаждение капель расплава до затвердевания в деионизованной воде с образованием гранул. При этом исходный кремний до загрузки в тигель смешивают с карбонатом кальция и диоксидом кремния, взятыми в количестве не менее 0,05 моль каждого на 1 моль кремния, и нагрев производят со скоростью не более 15°С в минуту. Способ позволяет получать гранулы кремния высокой чистоты из промышленно выпускаемого технического кремния марок КР1, КРО и КРОО, а также из отходов кремния в полупроводниковом производстве. 1 табл., 1 пр.

Description

Изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к производству высокочистого кремния, который может быть использован при изготовлении солнечных элементов.
Известен способ получения гранул кремния из капель расплава с последующим охлаждением. Способ описан в патенте США №6074476, МПК С30В 9/00, 2000 г. и включает загрузку исходного материала в камеру, его нагрев в инертной атмосфере до получения расплавленной массы, вытекание расплава через сопло по каплям, охлаждение падающих капель в газовой среде и их затвердевание с образованием гранул. Способ позволяет получать гранулы заданной формы и определенной кристаллической структуры, но не обеспечивает получение гранул высокой чистоты.
Известен способ получения гранул кремния высокой чистоты. Способ описан в патенте США №7001543 В2, МПК В29В 9/10 от 21.02.2006 г. Для получения гранул кремния высокой чистоты используют капельный вариант гранулирования, включающий загрузку в тигель исходного высокочистого кремния и его нагрев выше температуры плавления (до 1450°С) в инертной газовой среде; создание условий для вытекания расплавленного кремния через калибровочное отверстие в дне тигля с образованием капель расплава, охлаждение и затвердевание капель расплава кремния в инертной газовой среде с образованием гранул определенной формы и размера.
Указанный способ позволяет работать с высокочистым исходным материалом и получать из него мелкие гранулы сферической формы и заданной кристаллической структуры. Однако этот способ непригоден для гранулирования менее чистых исходных материалов.
Наиболее близким к данному изобретению является техническое решение, предложенное в патенте РФ №2405674 С1, МПК В29В 9/10, С01В 33/02 от 10.12.2010 г. Бюл. №34.
Способ включает загрузку в тигель исходного кремния чистотой не менее 99,9%, его нагрев в инертной атмосфере выше температуры плавления, формирование капель расплава кремния путем его вытекания через калибровочное отверстие в дне тигля, охлаждение капель расплава до затвердевания с образованием гранул. Причем исходный кремний загружают в тигель на слой особо чистой кварцевой крупки толщиной не менее 2 см. Далее нагрев исходного кремния производят до температуры не менее 1600°С с выдержкой не менее 40 мин. Затем проводят охлаждение капель расплава в деионизованной воде, масса которой превышает массу исходного кремния не менее чем в 5 раз. Способ позволяет получать гранулы кремния с более низким содержанием примесей, обеспечивает получение гранул кремния без оксидного слоя на поверхности и большую производительность процесса.
Существенным недостатком этого способа является ограничение по чистоте исходного кремния, что не позволяет использовать в качестве исходного материала технический (металлургический) кремний чистотой 98-99% (марки КР1, КРО, КРОО), выпускаемый промышленно в больших объемах.
Целью изобретения является получение высокочистого кремния, пригодного для выращивания монокристаллов (по методу Чохральского) из технического кремния вышеуказанных марок, что позволит намного расширить ассортимент используемых исходных материалов и значительно снизить стоимость производства кремния высокой чистоты.
Поставленная цель достигается тем, что в способе получения гранул кремния высокой чистоты, включающем загрузку исходного кремния в тигель на слой особой чистой кварцевой крупки, нагрев кремния в инертной атмосфере выше температуры плавления, выдержку при этой температуре, формирование капель расплава путем его вытекания через калибровочное отверстие в дне тигля, охлаждение капель расплава до затвердевания в деионизованной воде с образованием гранул, исходный кремний до загрузки в тигель смешивают с карбонатом кальция и диоксидом кремния, взятыми в количестве не менее 0,05 моль каждого на 1 моль кремния, и нагрев производят со скоростью не более 15°С в минуту.
Сущность изобретения состоит в том, что карбонат кальция при нагревании разлагается на оксид кальция и углекислый газ по реакции:
Figure 00000001
Образующийся оксид кальция реагирует затем с диоксидом кремния с получением силиката кальция по реакции:
Figure 00000002
Силикат кальция, называемый силикатным шлаком, далее плавится и в расплавленном виде активно экстрагирует примеси из кремния. Расплавленный силикатный шлак имеет плотность и вязкость ниже, чем жидкий кремний, и хорошо отделяется от кремния в процессе плавки и гранулирования.
Важными факторами, влияющими на процессе удаления примесей из кремния, являются:
- достаточное количество СаСО3 и SiО2;
- полнота превращения СаСО3 и SiО2 в CaSiO3;
- достаточное время экстрагирования примесей (жидким шлаком);
- интенсивное перемешивание расплава за счет выделения углекислого газа при разложении СаСО3.
Экспериментально было найдено, что количества СаСО3 и SiO2 по 0,05 моль на 1 моль Si являются необходимыми и достаточными. Они обеспечивают получение 0,05 моля СаSiO3 на 1 моль Si, что дает 20,7 вес.% шлака по отношению к весу кремния.
Полнота химических превращений исходных компонентов в силикатный шлак обеспечивается достаточным временем нагревания (до ~1200°С). Это достигается использованием заданной скорости нагрева, которая позволяет также обеспечить достаточное время экстракции примесей (при нагреве от 1200-1600°С). Экспериментально было найдено, что скорость нагрева 15°С в минуту является необходимой и достаточной для обеспечения требований, изложенных выше.
Получение гранул кремния высокой чистоты согласно настоящему изобретению проводится следующим образом. Тонкодисперсные порошки кремния, карбоната кальция и диоксида кремния в заданной пропорции смешивают в шаровой мельнице, полученную смесь загружают в тигель на слой особо чистой кварцевой крупки и нагревают в инертной атмосфере со скоростью не более 15°С в минуту. При нагревании происходят последовательно следующие процессы:
- до температуры 900°С из смеси удаляются газовые включения и влага;
- при температуре 900-1100°С происходит разложение карбоната кальция с выделением СаО и углекислого газа;
- при температуре 1100-1300°С происходит образование СаSiO3 и расплавление силикатного шлака;
- при температуре 1300-1450°С идет экстракция примесей расплавом силикатного шлака из твердого кремния, а затем при 1450-1600°С из жидкого кремния удаляются бор, алюминий, фосфор, титан и другие примеси;
- при температуре 1600°С и выдержке 40 минут происходит гранулирование кремния.
Очищенный от большинства примесей жидкий кремний фильтруется через слой кварцевой крупки и вытекает из тигля через огнеупорную фильеру, а затем кристаллизуется, охлаждаясь в деионизованной воде с образованием гранул. При фильтровании происходит дополнительная очистка кремния от примесей и отделение кремния от расплава шлака. Силикатный шлак остается в тигле и после грануляции кремния удаляется в отвал.
Способ получения гранул высокой чистоты согласно настоящему изобретению описан в примере.
Пример №1
В качестве исходного материала используют порошок технического кремния марки КР1 (чистотой 98%) с размером частиц до 50 мкм. В качестве добавок берут тонкие порошки карбоната кальция и диоксида кремния технической чистоты.
В шаровую мельницу загружают 0,56 кг кремния, 0,1 кг карбоната кальция и 0,06 кг диоксида кремния. Смешивание компонентов в шаровой мельнице производят в течении 1,5 часа. Готовую смесь нагревают для очистки и гранулирования кремния в специальной высокотемпературной установке.
Установка состоит из плавильной камеры и камеры грануляции, она снабжена системой регулируемого нагрева, а также вакуумной и газовой системами. Смесь порошков кремния, карбоната кальция и диоксида кремния общей массой 0,72 кг загружают в тигель высокотемпературной установки, поверх слоя особо чистой кварцевой крупки. Тигель помещают в плавильную камеру, которую затем герметизируют, откачивают до остаточного давления 0,1 мм рт.ст. и заполняют инертным газом - аргоном.
Нагрев плавильной камеры производят по специальной программе со скоростью 15°С/мин до 1600°С с выдержкой при этой температуре в течение 40 минут.
Указанные температура и время являются достаточными для того, чтобы практически весь кремний вытекал из тигля в виде капель, которые при попадании в воду охлаждаются и застывают, образуя гранулы размером 3-10 мм.
Далее плавильную камеру охлаждают до температуры менее 200°С для удаления шлака и новой загрузки тигля. Гранулы кремния отмывают в горячей деионизованной воде и высушивают в вакуумном сушильном шкафу. Вес гранул составляет более 0,5 кг. Анализ на содержание примесей в гранулах кремния проводят методом искровой масс-спектроскопии. Результаты примера и других экспериментов приведены в таблице.
Таблица
№ п/п Количество добавок, моль/моль Si Скорость нагрева, °С/мин. Содержание примесей в кремнии, вес.% Степень очистки кремния
СаСО3 SiO2 исходный конечный
1 0,05 0,05 15 2,0 1·10-3 2·103
2 0,04 0,04 15 2.0 2,5·10-3 8·102
3 0,06 0,06 15 2,0 1·10-3 2·103
4 0,05 0,05 20 2,0 1,8·10-3 1,1·103
5 0,05 0,05 10 2,0 1·10-3 2·103
Прототип - - 30 2,0 2·10-2 1·102
Из данных таблицы следует, что превышение значений содержания добавок карбоната кальция и диоксида кремния в смеси по сравнению со значениями в примере 1 нецелесообразно, так как полученные результаты остаются на уровне примера 1. Снижение скорости нагрева смеси по сравнению со значением в примере 1 приводит к увеличению продолжительности процесса, а результаты остаются такими же, как в примере 1.
Сопоставление способа, являющегося предметом данного изобретения, с прототипом показывает, что заявляемый способ обеспечивает более высокую степень очистки кремния от примесей и позволяет использовать в качестве исходного материала технический кремний чистотой 98-99%. Отсюда следует, что заявляемый способ можно использовать в производстве гранул кремния высокой чистоты из промышленно выпускаемого технического кремния марок КР1, КРО и КРОО.

Claims (1)

  1. Способ получения гранул кремния высокой чистоты, включающий загрузку в тигель исходного кремния на слой особо чистой кварцевой крупки, его нагрев в инертной атмосфере выше температуры плавления, выдержку при этой температуре, формирование капель расплава кремния путем его вытекания через калибровочное отверстие в дне тигля, охлаждение капель расплава до затвердевания в деионизованной воде с образованием гранул, отличающийся тем, что исходный кремний до загрузки в тигель смешивают с карбонатом кальция и диоксидом кремния, взятыми в количестве не менее 0,05 моль каждого на 1 моль кремния, и нагрев производят со скоростью не более 15°С в минуту.
RU2011139434/05A 2011-09-28 2011-09-28 Способ получения гранул кремния высокой чистоты RU2477684C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011139434/05A RU2477684C1 (ru) 2011-09-28 2011-09-28 Способ получения гранул кремния высокой чистоты

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011139434/05A RU2477684C1 (ru) 2011-09-28 2011-09-28 Способ получения гранул кремния высокой чистоты

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2477684C1 true RU2477684C1 (ru) 2013-03-20

Family

ID=49124386

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011139434/05A RU2477684C1 (ru) 2011-09-28 2011-09-28 Способ получения гранул кремния высокой чистоты

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2477684C1 (ru)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6074476A (en) * 1998-07-10 2000-06-13 Ball Semiconductor, Inc. Non-contact processing of crystal materials
US7001543B2 (en) * 2001-10-23 2006-02-21 Kyocera Corporation Apparatus and method for manufacturing semiconductor grains
US20060213427A1 (en) * 2005-03-25 2006-09-28 Kyocera Corporation Method for manufacturing granular silicon crystal
RU2405674C1 (ru) * 2009-08-04 2010-12-10 Борис Георгиевич Грибов Способ получения гранул кремния высокой чистоты

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6074476A (en) * 1998-07-10 2000-06-13 Ball Semiconductor, Inc. Non-contact processing of crystal materials
US7001543B2 (en) * 2001-10-23 2006-02-21 Kyocera Corporation Apparatus and method for manufacturing semiconductor grains
US20060213427A1 (en) * 2005-03-25 2006-09-28 Kyocera Corporation Method for manufacturing granular silicon crystal
RU2405674C1 (ru) * 2009-08-04 2010-12-10 Борис Георгиевич Грибов Способ получения гранул кремния высокой чистоты

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5637220B2 (ja) 多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型及びその製造方法並びに多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型の離型材用窒化珪素粉末及びそれを含有したスラリー
KR20070112407A (ko) 액체 Zn에 의한 SiCl₄의 환원에 의해 Si의 제조방법
US20170057831A1 (en) Flux composition useful in directional solidification for purifying silicon
JP2012116710A (ja) シリカガラスルツボの製造方法、シリカガラスルツボ
EP2460772B1 (en) Method of manufacturing granulated silica powder, method of manufacturing vitreous silica crucible
RU2477684C1 (ru) Способ получения гранул кремния высокой чистоты
KR20110040783A (ko) 할로겐화물을 함유한 실리콘, 그의 제조방법 및 용도
CN109055786A (zh) 一种6系铝合金铸棒的生产工艺
JPH107491A (ja) 高純度銅単結晶及びその製造方法並びにその製造装置
JP4484748B2 (ja) シリカガラス製品の製造方法
RU2405674C1 (ru) Способ получения гранул кремния высокой чистоты
RU2588627C1 (ru) Способ рафинирования металлургического кремния
RU2429196C2 (ru) Способ сплавления порошка кремния
CN101671027B (zh) 一种冶金硅提纯方法及一种在线造渣除硼方法
JP2013199395A (ja) 粒状シリコンの製造方法
TWI488808B (zh) 碳酸鈉至金屬溶劑的添加
EP0175423A1 (fr) Procédé de préparation de silicate de lithium
JPH07172977A (ja) 石英ガラス坩堝の製造方法
RU2209178C1 (ru) Способ очистки термической фосфорной кислоты
RU2231419C1 (ru) Способ получения гранул и порошков редких, радиоактивных металлов и их сплавов
CN116445755A (zh) 一种炉外法中间合金熔体三级净化系统及方法
JPH0696444B2 (ja) 高純度シリコンの製造方法
KR101338699B1 (ko) 금속구 제조 방법
JPH0451498B2 (ru)
JP5097427B2 (ja) 金属ケイ素粉末の製造方法、球状シリカ粉末の製造方法及び樹脂組成物の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20140929